像素陣列、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種像素陣列、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,傳統(tǒng)的單疇液晶顯示器由于對(duì)比度低、視角不對(duì)稱、不同角度觀看顯示畫(huà)面會(huì)出現(xiàn)色偏等缺點(diǎn),已經(jīng)不能滿足人們對(duì)液晶顯示器的要求。可以使用帶補(bǔ)償?shù)娜暯瞧馄瑴p輕單疇液晶顯示器的色偏問(wèn)題。
[0003]目前設(shè)計(jì)中,在液晶顯示器中使用2P2D像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),即雙疇液晶顯示,可以減輕色偏。但目前2P2D像素設(shè)計(jì)中,由于上下像素的液晶光效不同,會(huì)產(chǎn)生橫紋等不良。具體的,圖1和圖2分別為一般2P2D像素陣列中的上下兩個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖,其中1-上像素單元的數(shù)據(jù)線,2-上像素單元的柵線,3-上像素的漏極,4-上像素單元的源極,5-上像素單元的柵極,6-上像素單元的像素電極,7-上像素單元的條狀電極,8-上像素單元的黑矩陣,9-下像素單元的數(shù)據(jù)線,10-下面像素的柵線,11-下像素單元的漏極,12-下像素單元的源極,13-下像素單元的柵極,14-下像素單元的像素電極,15-下像素單元的條狀電極,16-下像素單元的黑矩陣。一般的2P2D像素陣列中的上下像素單元的開(kāi)口率相同,且薄膜晶體管的位置相同,但條狀電極傾斜方向不同,這樣起到相互補(bǔ)償?shù)淖饔?,可以改善?cè)視角色偏問(wèn)題,即一個(gè)像素單元中的條狀電極7的傾斜方向與薄膜晶體管位置相反(也就是該薄膜晶體管均位于像素中的條狀電極7的傾斜方向的相反方向),如圖1所示;另一個(gè)像素條狀電極15的傾斜方向與薄膜晶體管位置相同(也就是該薄膜晶體管均位于像素中的條狀電極15的傾斜方向的相同方向),如圖2所示。當(dāng)條狀電極(也就是條狀電極7)的傾斜方向和薄膜晶體管所在位置相反時(shí),條狀電極較易延伸到黑矩陣中,條狀電極邊緣處的單純液晶光效較大,暗區(qū)較小;當(dāng)條狀電極(也就是條狀電極15)的傾斜方向和薄膜晶體管所在位置相同時(shí),條狀電極較難延伸到黑矩陣中,條狀電極邊緣處的單純液晶光效較小,暗區(qū)較大。由于上下像素的開(kāi)口率相同,而單純液晶光效不同,這樣上下像素的整體液晶光效不同,因此容易導(dǎo)致橫紋等不良的發(fā)生。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題包括,針對(duì)現(xiàn)有的像素陣列存在的上述問(wèn)題,提供一種顯示效果較優(yōu)的像素陣列、顯示面板及顯示裝置。
[0005]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種像素陣列,包括交叉且絕緣設(shè)置的多條柵線和條數(shù)據(jù)線,以及多條所述柵線和多條所述數(shù)據(jù)線交叉位置處限定出的多個(gè)像素單元;每個(gè)所述像素單元均包括薄膜晶體管和條狀電極;其中,位于同一列中的兩相鄰的所述像素單元中的條狀電極的傾斜方向不同,每個(gè)所述像素單元中的所述薄膜晶體管均位于其中的條狀電極的傾斜方向的相反方向。
[0006]優(yōu)選的是,每個(gè)所述條狀電極的靠近所述薄膜晶體管的一端具有背離所述薄膜晶體管所在方向的拐角,另一端具有靠近薄膜晶體管所在方向拐角。
[0007]優(yōu)選的是,位于同一列中的兩相鄰的所述像素單元中的條狀電極的傾斜方向沿?cái)?shù)據(jù)線所在方向?qū)ΨQ。
[0008]優(yōu)選的是,位于同一列的列中的兩相鄰的所述像素單元的薄膜晶體管的源極連接不同的數(shù)據(jù)線。
[0009]優(yōu)選的是,位于同一行的所述像素單元中的條狀電極的傾斜方向相同。
[0010]優(yōu)選的是,每個(gè)所述像素單元還包括位于條狀電極所在層下方的板狀電極。
[0011]進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述條狀電極和所述板狀電極中的一者為像素電極,另一者為公共電極。
[0012]優(yōu)選的是,在所述柵線、數(shù)據(jù)線,以及薄膜晶體管所在層上方還設(shè)置有黑矩陣。
[0013]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種顯示面板,其包括上述的像素陣列。
[0014]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置,其包括上述的顯示面板。
[0015]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0016]由于本發(fā)明的像素陣列中的每個(gè)所述像素單元中的所述薄膜晶體管均位于其中的條狀電極的傾斜方向的相反方向,故條狀電極的兩個(gè)端均向黑矩陣所在區(qū)域內(nèi)延伸的,即條狀電極兩端延伸至黑矩陣中,條狀電極延伸至黑矩陣中,且這兩個(gè)像素單元的光效基本相同,同時(shí)兩像素單元的開(kāi)口率相同,因此可以避免橫紋等不良的發(fā)生。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為現(xiàn)有的像素陣列中上像素單元的示意圖;
[0018]圖2為現(xiàn)有的像素陣列中下像素單元的示意圖;
[0019]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的像素陣列的位于同一列的兩相鄰像素單元的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0021]實(shí)施例1:
[0022]本實(shí)施例提供一種像素陣列,包括交叉且絕緣設(shè)置的多條柵線和條數(shù)據(jù)線,以及多條所述柵線和多條所述數(shù)據(jù)線交叉位置處限定出的多個(gè)像素單元;每個(gè)所述像素單元均包括薄膜晶體管和條狀電極;其中,位于同一列中的兩相鄰的所述像素單元中的條狀電極的傾斜方向不同,每個(gè)像素單元中的所述薄膜晶體管均位于其中的條狀電極的傾斜方向的相反方向。
[0023]本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的是,每個(gè)像素單元中的薄膜晶體管是設(shè)置在柵線與數(shù)據(jù)線交叉的位置的,以像素單元的形狀為平行四邊形為例,薄膜晶體管則位于該平行四邊形中的一個(gè)頂角位置,其中,薄膜晶體管的柵極與柵線連接,源極與數(shù)據(jù)線連接,漏極則是與像素電極連接的。在本實(shí)施例中每個(gè)像素單元中的所述薄膜晶體管均位于其中的條狀電極的傾斜方向的相反方向,則是指條狀電極的傾斜方向的延長(zhǎng)線與柵線的夾角為銳角的一側(cè)的平行四邊形的頂角位置,在每一個(gè)像素單元中存在兩個(gè)這樣的位置,這兩個(gè)位置為平行四邊形的兩個(gè)對(duì)角,薄膜晶體管設(shè)置在其中之一的位置即可。
[0024]具體的,如圖3所示,該兩個(gè)像素單元為位于同一列的兩相鄰像素單元,其中,圖中位于上方的像素單元的條狀電極7的傾斜方向?yàn)閺南袼貑卧挠疑戏降阶笙路絻A斜,此時(shí)該像素單元中的薄膜晶體管(其中薄膜晶