測點對 應(yīng)的實際測試數(shù)據(jù)。
[0126] 由于光學(xué)鄰近校正模型模擬得到的模擬最終圖形與實際曝光顯影得到的實際最 終圖形之間總存在差別，若模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差異性在預(yù)定范圍外，貝U 說明光學(xué)鄰近校正模型需要優(yōu)化，W使模擬曝光顯影得到的圖形與實際曝光顯影得到的圖 形匹配的更好，使得優(yōu)化后的光學(xué)鄰近校正模型校正目標圖形的效果更好。
[0127] 獲取所述模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差異性，若所述差異性在預(yù)定范圍 夕F，則調(diào)整光學(xué)鄰近校正模型，直至模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差異性在預(yù)定范 圍內(nèi)，生成優(yōu)化后的光學(xué)鄰近校正模型。
[012引本實施例中，獲取所述模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差異性的方法為：測 量模擬最終圖形的特征尺寸CD1，獲取模擬最終圖形的模擬測試數(shù)據(jù)；測量實際最終圖形 的特征尺寸CD2,獲取實際最終圖形的實際測試數(shù)據(jù)；獲取所述模擬測試數(shù)據(jù)和實際測試 數(shù)據(jù)之間的差異性。
[0129] 作為一個實施例，所述差異性為CD1與CD2的差的絕對值的平方，所述預(yù)定范圍的 數(shù)值可根據(jù)實際工藝需要確定。
[0130]調(diào)整所述光學(xué)鄰近校正模型的方法為；調(diào)整光學(xué)模型中的空間像光強函數(shù)的參數(shù) 或光刻膠模型中的高斯函數(shù)的參數(shù)。
[0131]判定調(diào)整后的光學(xué)鄰近校正模型是否為優(yōu)化的光學(xué)模型的方法為；基于調(diào)整后的 光學(xué)鄰近校正模型對測試圖形進行模擬曝光顯影，獲取模擬測試數(shù)據(jù)；對測試圖形進行實 際曝光顯影，獲取實際測試數(shù)據(jù)；若所述模擬測試數(shù)據(jù)和實際測試數(shù)據(jù)之間的差異性在預(yù) 定范圍內(nèi)，則所述調(diào)整后的光學(xué)鄰近校正模型為優(yōu)化的光學(xué)鄰近校正模型；若所述模擬測 試數(shù)據(jù)和實際測試數(shù)據(jù)之間的差異性在預(yù)定范圍外，則繼續(xù)調(diào)整所述光學(xué)鄰近校正模型。
[0132] 綜上，本發(fā)明提供的優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法的技術(shù)方案具有W下優(yōu)點：
[0133]本發(fā)明技術(shù)方案中，提供若干測試圖形、W及前述的襯底和光學(xué)鄰近校正模型；基 于所述光學(xué)鄰近校正模型對所述測試圖形進行模擬曝光顯影，獲取模擬最終圖形；對所述 測試圖形進行實際曝光顯影，在所述襯底表面形成實際最終圖形；若所述模擬最終圖形與 實際最終圖形之間的差異性在預(yù)定范圍外，調(diào)整所述光學(xué)鄰近校正模型，直至模擬最終圖 形與實際最終圖形之間的差異性在預(yù)定范圍內(nèi)，生成優(yōu)化后的光學(xué)鄰近校正模型。在對光 學(xué)鄰近校正模型進行調(diào)整之后，使得優(yōu)化后的光學(xué)鄰近校正模型與實際的曝光顯影工藝更 匹配，在采用優(yōu)化后的光學(xué)鄰近校正模型對目標圖形進行光學(xué)鄰近校正后，W所述光學(xué)鄰 近校正后的目標圖形為掩膜進行曝光顯影，在襯底表面形成的最終圖形的質(zhì)量更好。
[0134] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當w權(quán)利要求所 限定的范圍為準。
【主權(quán)項】
1. 一種光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，包括： 提供包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的襯底，所述第二區(qū)域與第一區(qū)域以及第三 區(qū)域相鄰接，第一區(qū)域的襯底為第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層的疊層 結(jié)構(gòu)，第二區(qū)域的襯底為第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層的疊層結(jié)構(gòu)， 第三區(qū)域的襯底為第一材料層，其中，在沿第二區(qū)域指向第三區(qū)域的方向上，第二區(qū)域的第 二材料層厚度逐漸減小，第二區(qū)域的第一材料層的厚度逐漸增加，且第二材料層的材料的 透光率大于第一材料層的材料的透光率； 提供目標圖形； 獲取襯底第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的空間像光強函數(shù)； 基于所述獲取的空間像光強函數(shù)建立光學(xué)鄰近校正模型，依據(jù)所述光學(xué)鄰近校正模型 對所述目標圖形進行光學(xué)鄰近校正。2. 如權(quán)利要求1所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，所述第一材料層的材料為娃、 鍺、鍺化硅或砷化鎵，所述第二材料層的材料為氧化硅。3. 如權(quán)利要求1所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，所述目標圖形為待形成在襯底 表面的圖形，且所述目標圖形的線端位于第一區(qū)域、第二區(qū)域或第三區(qū)域襯底表面。4. 如權(quán)利要求1所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，所述光學(xué)鄰近校正模型包括光 學(xué)模型和光刻膠模型。5. 如權(quán)利要求4所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，基于所述空間像光強函數(shù)建立 光學(xué)模型。6. 如權(quán)利要求5所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，提供標準光學(xué)模型，所述標準光 學(xué)模型中包括標準空間像光強函數(shù)，所述標準空間像光強函數(shù)反映裸襯底表面的光強分布 情況。7. 如權(quán)利要求6所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，所述空間像光強函數(shù)為校正函 數(shù)與標準空間像光強函數(shù)的卷積，所述校正函數(shù)為連續(xù)函數(shù)。8. 如權(quán)利要求7所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，獲取所述校正函數(shù)的方法為：根 據(jù)襯底內(nèi)第二材料層的厚度、以及第二材料層的材料，獲取空間像光強分布隨襯底內(nèi)第二 材料層厚度變化的變化關(guān)系函數(shù)。9. 如權(quán)利要求8所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，所述校正函數(shù)為高斯核函數(shù)。10. 如權(quán)利要求9所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，所述光學(xué)模型為高斯核函數(shù)模 型和標準光學(xué)模型的乘積。11. 如權(quán)利要求4所述光學(xué)鄰近校正方法，其特征在于，建立所述光刻膠模型的方法 為：基于所述空間像光強函數(shù)和高斯函數(shù)的卷積建立光刻膠模型，其中，高斯函數(shù)具有標準 偏差。12. -種優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，包括： 提供包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的襯底，所述第二區(qū)域與第一區(qū)域以及第三 區(qū)域相鄰接，第一區(qū)域的襯底為第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層的疊層 結(jié)構(gòu)，第二區(qū)域的襯底為第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層的疊層結(jié)構(gòu)， 第三區(qū)域的襯底為第一材料層，其中，在沿第二區(qū)域指向第三區(qū)域的方向上，第二區(qū)域的第 二材料層厚度逐漸減小，第二區(qū)域的第一材料層的厚度逐漸增加，且第二材料層的材料的 透光率大于第一材料層的材料的透光率； 獲取襯底第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的空間像光強函數(shù)； 基于所述獲取的空間像光強函數(shù)建立光學(xué)鄰近校正模型； 提供若干組測試圖形； 基于所述光學(xué)鄰近校正模型對所述測試圖形進行模擬曝光顯影，獲取模擬最終圖形； 對所述測試圖形進行實際曝光顯影，在所述襯底表面形成實際最終圖形； 獲取所述模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差異性，若所述差異性在預(yù)定范圍外， 調(diào)整所述光學(xué)鄰近校正模型，直至模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差異性在預(yù)定范圍 內(nèi)，生成優(yōu)化后的光學(xué)鄰近校正模型。13. 如權(quán)利要求12所述優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，調(diào)整所述光學(xué)鄰 近校正模型的方法為：調(diào)整光學(xué)模型中的空間像光強函數(shù)的參數(shù)或光刻膠模型中的高斯函 數(shù)的參數(shù)。14. 如權(quán)利要求12所述優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，獲取所述模擬最 終圖形與實際最終圖形之間的差異性的方法為：測量模擬最終圖形的特征尺寸，獲取模擬 最終圖形的模擬測試數(shù)據(jù)；測量實際最終圖形的特征尺寸，獲取實際最終圖形的實際測試 數(shù)據(jù)；獲取所述模擬測試數(shù)據(jù)和實際測試數(shù)據(jù)之間的差異性。15. 如權(quán)利要求14所述優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，在所述測試圖形 中選取若干個量測點，獲取所述量測點對應(yīng)的模擬測試數(shù)據(jù)和實際測試數(shù)據(jù)之間的差異 性。16. 如權(quán)利要求15所述優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述測試圖形與 襯底的位置關(guān)系為：測試圖形的圖形完全覆蓋于襯底表面，在所述襯底第一區(qū)域、第二區(qū)域 和第三區(qū)域?qū)?yīng)的測試圖形中分別選取若干個量測點。17. 如權(quán)利要求16所述優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，改變測試圖形的 特征尺寸、襯底第一區(qū)域特征尺寸、襯底第二區(qū)域特征尺寸或襯底第三區(qū)域特征尺寸。18. 如權(quán)利要求15所述優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述測試圖形和 襯底的位置關(guān)系為：所述測試圖形的線端之間的圖形位于襯底第二區(qū)域，所述線端之間的 圖形具有若干不同寬度，在所述線端之間的圖形中選取若干個量測點。19. 如權(quán)利要求15所述優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述測試圖形和 襯底的位置關(guān)系為：所述測試圖形的線端之間的圖形位于襯底第一區(qū)域和第三區(qū)域，所述 線端之間的圖形具有若干不同寬度，在所述線端之間的圖形中選取若干量測點。20. 如權(quán)利要求15所述優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述測試圖形和 襯底的位置關(guān)系為：所述測試圖形的線端之間的圖形位于襯底第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三 區(qū)域，且位于第一區(qū)域的線端之間的圖形具有若干不同寬度，位于第二區(qū)域的線端之間的 圖形具有若干不同寬度，位于第三區(qū)域的線端之間的圖形具有若干不同寬度，在所述線端 之間的圖形中選取若干個量測點。
【專利摘要】一種光學(xué)鄰近校正方法以及優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，其中光學(xué)鄰近校正方法包括：提供包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的襯底，第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底為第一材料層以及第二材料層的疊層結(jié)構(gòu)，第三區(qū)域的襯底為第一材料層，且第二材料層的材料的透光率大于第一材料層的材料的透光率；提供目標圖形；獲取襯底第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的空間像光強函數(shù)；基于獲取的空間像光強函數(shù)建立光學(xué)鄰近校正模型，依據(jù)光學(xué)鄰近校正模型對所述目標圖形進行光學(xué)鄰近校正。本發(fā)明考慮到襯底內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)對曝光顯影的影響，建立光學(xué)鄰近校正模型，使得在襯底表面形成的最終圖形與目標圖形之間的差異性小，提高了形成的最終圖形的質(zhì)量。
【IPC分類】G03F1/36
【公開號】CN104977797
【申請?zhí)枴緾N201410131227
【發(fā)明人】程仁強, 王輝
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2014年4月2日
【公告號】US20150286131