結(jié)構(gòu) 的襯底，采用化pkins理論描述的標準空間像光強函數(shù)可表示為：
[0062]
[006引 I(x，y)=F-i{Uf，g)}
[0064]式中，I(x，y)為襯底上點（x，y)處的輸出光強函數(shù)，I化g)為空間輸出光強函 數(shù)I(x，y)經(jīng)過二維傅里葉變換的頻域值，F(xiàn)(f，g)是掩膜投射函數(shù)F(x，y)的二維傅立 葉變換形式，戶（f，g)為F(f，g)的共輛函數(shù)，T(fl，gl，f+fl，g+gl)表示光學系統(tǒng)的透 射交叉系數(shù)（TCCtransmissionCrossCoefficients),也可稱為傳輸交叉函數(shù)，是一個與 成像對象完全無關(guān)的函數(shù)，描述了從光源到像平面間整個光學系統(tǒng)(照明系統(tǒng)和成像系統(tǒng)） 的作用。所述透射交叉系數(shù)TCC是一個與掩膜形狀無關(guān)的思維函數(shù)，其表達式為：
[0065]
[006引式中，J(f，g)為光源的互強度函數(shù)，描述了照明系統(tǒng)的相干屬性，K(f，g)為成 像系統(tǒng)的頻率響應函數(shù)。
[0067] 化pkins方法的本質(zhì)是將部分相干照明系統(tǒng)W-種雙線性系統(tǒng)的傳遞函數(shù)來描 述，采用化pkins方法，對于具有固定光源波長（Wavlength，A)、數(shù)值孔徑（Numerical Aperture,NA)、離焦（Defo州S)、光源相干系數(shù)（CoherentFactor, 5 )W及具有其他像差的 光刻光學系統(tǒng)可W用確定的TCC來描述，在確定了TCC計算式之后，可W獲取空間像的光強 的傅立葉變換。
[006引然而，用化pkins方程來計算空間像的光強，其計算量是相當巨大的，因此需要加 速的方法。一種被稱為相干成像系統(tǒng)和（SumofCoherentSources,S0CS)的方法能夠提 供極為快速的近似解。該方法的思路是用加權(quán)的相干系統(tǒng)疊加來近似部分相干成像系統(tǒng)。 具體就是系統(tǒng)函數(shù)TCC可W離散化為有限大小的四維矩陣，將TCC矩陣分解成一系列加權(quán) 矩陣之和，TCC矩陣可表示為如下形式：
[0069]
[0070] 式中，rik為TCC矩陣的特征值，〇k(fi，gi)為相應的特征向量。
[0071] 由此，標準空間像光強函數(shù)I(X，y)的計算式可轉(zhuǎn)換為：
[0072]
[0073] 式中，0為卷積運算符號。
[0074] 從上述分析可知，光學成像系統(tǒng)特性的表示函數(shù)TCC是W成像光源波長、數(shù)值孔 徑、放大系數(shù)和光源相干系統(tǒng)等一些參數(shù)作為主要的參數(shù)的。經(jīng)過光源的互強度函數(shù)和成 像系統(tǒng)的頻率響應等中間過程的計算，就可W完成對光刻系統(tǒng)響應TCC的建立?？臻g像光 強的計算除了掩膜部分的W外就是TCC函數(shù)，因此，可視TCC為光學成像部分的系統(tǒng)函數(shù)， 即輸入掩膜數(shù)據(jù)就可W利用TCC來獲得掩膜的模擬光刻結(jié)果。
[00巧]本實施例中，襯底200為包括第一區(qū)域I、第二區(qū)域II和第H區(qū)域II的襯底，第一 區(qū)域I、第二區(qū)域II和第H區(qū)域II的第二材料層202的存在對空間像光強函數(shù)有一定的影 響。其中，襯底200第一區(qū)域I內(nèi)的第一材料層201和第二材料層202的厚度保持不變，那 么獲取襯底200第一區(qū)域I表面的任一處的空間像光強函數(shù)后即可W獲取襯底200第一區(qū) 域I表面的空間像光強函數(shù)，同樣的，容易獲取襯底200第H區(qū)域HI表面的空間像光強函 數(shù)。
[0076] 而對于襯底200第二區(qū)域II來說，襯底200第二區(qū)域II內(nèi)第二材料層202的厚 度不斷變化，襯底200第二區(qū)域II表面各處受到的光的反射、干涉影響不同，因此襯底200 第二區(qū)域II表面各處的空間像光強函數(shù)存在差別，需要獲取襯底200第二區(qū)域II表面各 處的空間像光強函數(shù)，W建立襯底200第二區(qū)域II的光學模型，也即是說，針對襯底200第 二區(qū)域II第二材料層202不同的厚度，分別建立子光學模型，每一個子光學模型對應第二 材料層202的一個厚度值，多個子光學模型的集合即為襯底200第二區(qū)域II的光學模型。
[0077] 由于襯底200第二區(qū)域II第二材料層202的厚度值具有無數(shù)個，因此，建立的子 光學模型也為無數(shù)個，使得生成襯底200第二區(qū)域II的光學模型的計算量較大；若能將 襯底200表面的空間光強函數(shù)與標準空間光強函數(shù)之間建立起聯(lián)系，則能有效的減小計算 量。
[0078] 針對襯底200表面的空間像光強值進行研究發(fā)現(xiàn)，襯底200與裸襯底的區(qū)別在于， 隨著襯底200內(nèi)第二材料層202厚度的變化，襯底200表面的空間像光強值發(fā)生了改變，對 于襯底200第一區(qū)域I來說，第一材料層201和第二材料層202的厚度為固定值，因此，相對 與裸襯底來說，襯底200第一區(qū)域I對襯底表面空間像光強的影響將是一個定值，所述定值 稱為第一校正函數(shù)Gi(x，y)，第一校正函數(shù)Gi(x，y)為連續(xù)函數(shù)，其中，（x，y)是襯底200 表面的坐標系為（X，y)的位置；而由于在襯底200表面形成的圖形為二維圖像，因此，襯底 200第一區(qū)域I表面的空間像光強函數(shù)Ii(x，y)可看做第一校正函數(shù)與標準空間像光強函 數(shù)之間的卷積，其表達式為：
[0079] Ij(x,y) =Gj(x,y)?I(x,y)
[0080] 對于襯底200第H區(qū)域III來說，襯底200第H區(qū)域III可看做為裸襯底，襯底 200第H區(qū)域III不具有第二材料層201，因此，襯底200第H區(qū)域III對襯底表面空間像 光強的影響為定值1，所述定值1稱為第H校正函數(shù)Gs(x，y)，第H校正函數(shù)Gs(x，y)為 連續(xù)函數(shù)；同樣的，襯底200第H區(qū)域III表面的空間像光強函數(shù)Is(X，y)可看做第H校 正函數(shù)與標準空間像光強函數(shù)之間的卷積，其表達式為：
[0081] l3(x,y)二〇3(x，y)@I(X，y)
[0082] 對于襯底200第二區(qū)域II來說，襯底200第二區(qū)域II的第二材料層202的厚度 值不斷變化，根據(jù)第二材料層202的厚度、W及第二材料層202的材料，獲取空間像光強分 布隨襯底200第二區(qū)域II內(nèi)第二材料層202的厚度變化的變化關(guān)系函數(shù)，即獲取第二校正 函數(shù)G2(x，y)，并且，由于半導體工藝的限制，通常襯底200第二區(qū)域II第一材料層201和 第二材料層202的界面為平滑過渡的平面，也就是說，襯底200第二區(qū)域II內(nèi)第二材料層 202的厚度為連續(xù)變化的，因此，所述第二校正函數(shù)為連續(xù)函數(shù)；同樣的，襯底200第二區(qū)域 II表面的空間像光強函數(shù)12 (X，y)可看做第二校正函數(shù)與標準空間像光強函數(shù)之間的卷 積，其表達式為：
[0083]I/x，y)二0知，y)@I(X，y)
[0084] 由于第一校正函數(shù)Gi(X，y)、第二校正函數(shù)G2(X，y)和第H校正函數(shù)G3(X，y) 均為連續(xù)函數(shù)，因此，襯底200內(nèi)第二材料層202的厚度對空間像光強值的影響可W統(tǒng)一為 校正函數(shù)G(x，y)，所述校正函數(shù)G(x，y)為第一校正函數(shù)Gi(x，y)、第二校正函數(shù)G2(X， y)和第H校正函數(shù)Gs(x，y)的集合，且校正函數(shù)G(x，y)為連續(xù)函數(shù)。
[0085] 因此，襯底200第一區(qū)域I、第二區(qū)域II和第H區(qū)域III的空間像光強函數(shù)It。。。 (X，y)為校正函數(shù)G(X，y)與標準空間像光強函數(shù)的卷積，其表達式為：
[008引It0p0(x，y)二G(X，y)@I(X，y)
[0087] 作為一個實施例，由于高斯核函數(shù)為連續(xù)函數(shù)，能夠反映出襯底200內(nèi)第二材料 層202厚度變化對空間像光強值帶來的影響，因此，所述校正函數(shù)為高斯核函數(shù)。在其他實 施例中，可采用其他連續(xù)函數(shù)作為校正函數(shù)。
[008引基于所述獲取的空間像光強函數(shù)It。。。（x，y)建立光學鄰近校正模型。光學鄰近校 正模型包括光學模型和光刻膠模型，其中，基于所述空間像光強函數(shù)建立光學模型，從上述 分析可知，本實施例中，所述光學模型為高斯核函數(shù)模型和標準光學模型的乘積；建立光刻 膠模型的方法為；基于所述空間像光強函數(shù)It。。。（x，y)和高斯函數(shù)的卷積建立光刻膠模型， 其中，高斯函數(shù)具有標準偏差，所述高斯函數(shù)模擬光刻膠的擴散效應，所述標準偏差可根據(jù) 實際測量數(shù)據(jù)校準得到。
[0089] 需要說明的是，由于光刻膠具有一定的厚度，在其他實施例中，在建立了襯底表面 的空間像光強函數(shù)基礎上，還可W考慮光刻膠厚度的影響。
[0090] 提供目標圖形，所述目標圖形為待形成在襯底200表面的圖形，且所述目標圖形 的線端位于第一區(qū)域I、第二區(qū)域II或第H區(qū)域III襯底200表面。
[0091] 依據(jù)所述光學鄰近校正模型對所述目標圖形進行光學鄰近校正，在光學鄰近校正 之后，不僅可W在一定程度上消除光學鄰近效應產(chǎn)生的問題，并且，由于本實施例建立光學 鄰近校正模型時，考慮了襯底200內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)側(cè)壁對光的反射、光的干涉等對光刻膠造成 的不必要的曝光，因此，在對目標圖形進行光學鄰近校正之后，還可W消除隔離結(jié)構(gòu)的存在 造成的不良影響，使得后續(xù)在襯底200表面形成的最終圖形的質(zhì)量高。
[0092] 綜上，本發(fā)明提供的光學鄰近校正方法的技術(shù)方案具有W下優(yōu)點：
[0093] 首先，提供包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第H區(qū)域的襯底，且第一區(qū)域和第二區(qū)域的 襯底為第一材料層W及位于第一材料層表面的第二材料層的疊層結(jié)構(gòu)，第H區(qū)域的襯底為 第一材料層，其中，在沿第二區(qū)域指向第H區(qū)域的方向上，第二區(qū)域的第二材料層厚度逐漸 減小，第二區(qū)域的第一材料層的厚度逐漸增加，且第二材料層的材料的透光率大于第一材 料層的材料的透光率，即，本發(fā)明實施例提供的襯底為形成有隔離結(jié)構(gòu)的襯底；獲取包括第 一區(qū)域、第二區(qū)域和第H區(qū)域的襯底的空間像光強函數(shù)，由于所述空間像光強函數(shù)是基于 本發(fā)明實施例提供的襯底獲得的，因此所述空間像