光刻膠影響的示意圖；
[0031] 圖3為本發(fā)明實施例提供的光學鄰近校正方法的流程示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實施例提供的襯底的剖面結構示意圖；
[0033] 圖5為本發(fā)明實施例提供的典型的光刻系統(tǒng)示意圖；
[0034] 圖6為本發(fā)明實施例提供的優(yōu)化光學鄰近校正模型的流程示意圖；
[0035] 圖7至圖10為本發(fā)明實施例提供的測試圖形與襯底的位置關系示意圖。
【具體實施方式】
[0036]由【背景技術】可知，現有技術中，當半導體襯底內形成有隔離結構時，在半導體襯底 表面形成的最終圖形與目標圖形之間仍有偏差，形成的最終圖形的質量有待提高。
[0037] 針對在半導體襯底表面形成具有目標圖形的光刻膠層的形成方法進行研究，請參 考圖1及圖2,提供襯底100,所述襯底100內具有隔離結構101;在所述半導體襯底100表 面形成初始光刻膠層；對目標圖形進行光學鄰近校正，形成光學鄰近校正后的目標圖形，將 所述光學鄰近校正后的目標圖形寫入掩膜版內；W所述具有光學鄰近校正后的目標圖形的 掩膜版為掩膜，對所述初始光刻膠層進行曝光顯影處理，將掩膜版中的圖形轉移到初始光 刻膠中，在襯底100表面形成具有目標圖形的光刻膠層102,且所述光刻膠層102的側壁(線 端，lineend)位于隔離結構101表面或者隔離結構101W外的襯底100表面。
[0038] 采用上述方法形成的光刻膠層102的線端并未完全垂直于襯底100表面，如圖1 及圖2所示，光刻膠層102的線端側壁毛趟，呈現不規(guī)則形狀，光刻膠層102的圖形明顯與 目標圖形不符；若W形成的光刻膠層102為掩膜進行半導體制造工藝，則會導致半導體生 產良率嚴重下降，形成的半導體器件不符合工藝需求。
[0039] 針對形成具有目標圖形的光刻膠的形成方法進行進一步研究發(fā)現，通常的，采用 光學鄰近校正模型對目標圖形進行光學鄰近校正，所述光學鄰近校正模型的建立方法包 括：提供測試圖形W及襯底，所述襯底為裸襯底；提供具有測試圖形的掩膜版，W所述掩膜 版為掩膜進行曝光顯影處理，在襯底表面形成實際最終圖形，測量實際最終圖形的特征尺 寸，并獲得測試數據；基于提供的測試圖形進行光刻，在襯底表面形成模擬最終圖形，測量 模擬最終圖形的特征尺寸，并獲得模擬數據；通過對比所述測試數據和模擬數據，建立光學 鄰近校正模型。
[0040]因此，上述提供的光學鄰近校正模型僅僅考慮到襯底為裸襯底的情況，而在實際 的半導體制造工藝中，襯底通常為包含有隔離結構的襯底，例如圖1及圖2所示，襯底100 的材料通常為娃，隔離結構101的材料通常為氧化娃，且隔離結構101與襯底100之間具有 第一界面104和第二界面105,由于通常隔離結構101側壁為傾斜側壁，且隔離結構101頂 部寬度大于底部寬度，因此，第一界面104與襯底100表面所在的平面之間具有非90度的 夾角。由于氧化娃材料具有較強的透光率，而娃材料的透光率極低，因此，在第一界面104 和第二界面105處，曝光處理提供的光103會發(fā)生光的反射現象，反射光對初始光刻膠層進 行了不必要的曝光，使得初始光刻膠層接收的曝光量發(fā)生了改變，從而導致形成的光刻膠 層102的側壁形貌差。
[0041] 由上述分析可知，如果預先獲取第一界面104W及第二界面105對光刻膠層102 造成的影響，則可W考慮到第一界面104和第二界面105的影響，對目標圖形進行相應的光 學鄰近校正，那么，后續(xù)進行曝光顯影處理時，能夠抵消第一界面104和第二界面105的影 響，從而形成與目標圖形一致的最終圖形。
[0042]為此，本發(fā)明提供一種光學鄰近校正方法W及建立光學鄰近校正模型的方法，提 供包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第H區(qū)域的襯底，所述第二區(qū)域與第一區(qū)域W及第H區(qū)域相 鄰接，第一區(qū)域和第二區(qū)域襯底為第一材料層和第二材料層的疊層結構，第H區(qū)域襯底為 第一材料層，且第二材料層的材料的透光率大于第一材料層的材料的透光率，其中，在沿第 二區(qū)域指向第H區(qū)域的方向上，第二區(qū)域的第二材料層厚度逐漸減小，第二區(qū)域的第一材 料層的厚度逐漸增加；獲取襯底第一區(qū)域、第二區(qū)域和第H區(qū)域的空間像光強函數，基于所 述空間像光強函數建立光學鄰近校正模型；依據所述光學鄰近校正模型對目標圖形進行光 學鄰近校正。本發(fā)明考慮到襯底內隔離結構的對光刻膠曝光的影響，建立光學鄰近校正模 型，提高了在襯底表面形成的最終圖形的質量。
[0043] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明 的具體實施例做詳細的說明。
[0044] 請參考圖3,圖3為本發(fā)明實施例提供的光學鄰近校正方法的流程示意圖：
[0045] 步驟S101、提供包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第H區(qū)域的襯底，所述第二區(qū)域與第一 區(qū)域W及第H區(qū)域相鄰接，第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底為第一材料層W及位于第一材料層 表面的第二材料層的疊層結構，第H區(qū)域的襯底為第一材料層；
[0046] 步驟S102、提供目標圖形；
[0047] 步驟S103、獲取襯底第一區(qū)域、第二區(qū)域和第H區(qū)域的空間像光強函數；
[0048] 步驟S104、基于所述獲取的空間像光強函數建立光學鄰近校正模型，依據所述光 學鄰近校正模型對所述目標圖形進行光學鄰近校正。
[0049]W下將對光學鄰近校正方法做詳細說明。
[0050] 請參考圖4,提供包括第一區(qū)域I、第二區(qū)域II和第H區(qū)域II的襯底200,所述第 二區(qū)域II與第一區(qū)域IW及第H區(qū)域III相鄰接，第一區(qū)域I和第二區(qū)域II的襯底200 為第一材料層201W及位于第一材料層201表面的第二材料層202的疊層結構，第H區(qū)域 III的襯底200為第一材料層201，其中，在沿第二區(qū)域II指向第H區(qū)域III的方向上，第 二區(qū)域II的第二材料層202厚度逐漸減小，第二區(qū)域II的第一材料層201的厚度逐漸增 加，且第二材料層202的材料的透光率大于第一材料層201的材料的透光率。
[0051] 本實施例中，第一區(qū)域I的襯底200內第一材料層201、第二材料層202的厚度保 持不變；第二區(qū)域II的第二材料層202的厚度逐漸減小，位于第二材料層202下方的第一 材料層201的厚度逐漸增加；第H區(qū)域III的襯底200為第一材料層201。
[0052] 所述第一材料層201的材料為娃、錯、錯化娃或神化嫁，所述第二材料層202的材 料為氧化娃。
[0053] 在實際的半導體制造工藝中，襯底通常為形成有隔離結構的襯底，并且，受隔離結 構形成工藝的局限性，通常隔離結構的側壁為傾斜的側壁，且隔離結構頂部寬度大于底部 寬度。在本實施例中，襯底200即為形成有隔離結構的襯底，隔離結構的材料為氧化娃，隔 離結構側壁所在的區(qū)域即為第二區(qū)域II。
[0054] 由于第二材料層202的材料為氧化娃，氧化娃為透光材料，具有較高的透光率，第 一材料層201的材料為娃、錯、錯化娃或神化嫁，娃、錯、錯化娃或神化嫁的透光率比氧化娃 的透光率低，因此，在光刻膠的曝光過程中，光線從第二材料層202中傳輸，達到第一材料 層201和第二材料層202的界面處時，由于第二材料層202的材料的透光率低于第一材料 層201的材料的透光率，所述光線在第一材料層201和第二材料層202界面處發(fā)生反射，反 射光會對光刻膠曝光顯影造成一定影響，相較于裸襯底來說，襯底表面相同位置的光強發(fā) 生了改變，對于標準光學鄰近校正模型而言，所述標準光學臨近校正模型未考慮所述反射 光對光刻膠曝光顯影造成的影響。
[00巧]而本實施例中，獲取襯底200第一區(qū)域I、第二區(qū)域II和第H區(qū)域II的空間像光 強函數；基于所述獲取的空間像光強函數建立光學鄰近校正模型，后續(xù)在提供目標圖形后， 依據所述光學鄰近校正模型對所述目標圖形進行光學鄰近校正。由于本實施例建立的光學 鄰近校正模型考慮了襯底200第二區(qū)域II的空間像光強函數，考慮到了襯底200第二區(qū)域 II光的反射、衍射等現象對光刻膠的影響，從而消除襯底200第二區(qū)域II廣的反射、衍射 等現象對目標圖形的不良影響，使得在襯底200表面形成的最終圖形與目標圖形差異性極 小。
[0056] W下將對基于空間像光強函數建立光學鄰近校正模型的方法進行詳細說明。
[0057] 光學鄰近校正模型包括光學模型（化ticalModel)和光刻膠模型（Resist Model)。其中，光學模型為采用霍布金斯（化pkins)方法進行部分相干光源的光學成像運 算。光學模型是一個"白盒"（whitebox)模型，預測襯底平面上的曝光光強，即所謂的"空 間像（AerialImage)光強函數"，基于所述空間像光強函數建立光學模型。而光刻膠模型 是在獲取空間像光強函數的基礎上，考慮到光刻膠在曝光后產生的離子擴散效應，用一個 適當的高斯函數模型與空間像光強函數模型進行卷積，得到光刻膠模型。
[0058] 圖5為一個典型的光刻系統(tǒng)，包括：光源301、聚光器302、掩膜版303、光學透鏡系 統(tǒng)304、襯底305。
[0059] 來自光源301的光線經過聚光器302后形成準直的光線，準直的光線穿過掩膜版 302、W及透鏡系統(tǒng)304,并且在襯底305上形成像。
[0060] 具體的，光學模型實際上是部分相干光在帶相差的孔徑的透鏡組系統(tǒng)中的投射成 像問題，光學模型通常基于霍普金斯（化Pkins)模型，其使用光學原理對部分相干的光學系 統(tǒng)的行為進行建模。
[0061] 本實施例中，提供標準光學模型，所述標準光學模型中包括標準空間像光強函數， 所述標準空間像光強函數反映裸襯底表面的光強分布情況，裸襯底為未形成有半導體