光強函數(shù)考慮到了襯底內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)對光 的反射、干涉等問題的影響，而本發(fā)明實施例的光學(xué)鄰近校正模型是基于所述空間像光強 函數(shù)建立的，因此，本發(fā)明實施例建立的光學(xué)鄰近校正模型考慮到了襯底內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)對光 刻膠曝光的影響；在依據(jù)所述光學(xué)鄰近校正模型對目標(biāo)圖形進行光學(xué)鄰近校正后，校正后 的目標(biāo)圖形考慮到了襯底內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)對光刻膠曝光的影響，從而在W校正后的目標(biāo)圖形為 掩膜圖形進行曝光顯影處理時，抵消襯底內(nèi)隔離結(jié)構(gòu)對光刻膠造成的不必要的曝光，從而 使得在襯底表面形成的最終圖形的質(zhì)量優(yōu)，最終圖形與目標(biāo)圖形之間的差異性小。
[0094] 其次，提供標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)模型，所述標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)模型包括標(biāo)準(zhǔn)空間像光強函數(shù)，所述標(biāo)準(zhǔn) 空間像光強函數(shù)反映裸襯底表面的光強分布情況；根據(jù)襯底內(nèi)第二材料層的厚度、W及第 二材料層的材料，獲取空間像光強分布隨襯底內(nèi)第二材料層厚度變化的變化關(guān)系函數(shù)，所 述函數(shù)為校正函數(shù)，校正函數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)空間光強函數(shù)的卷積即為襯底的空間像光強函數(shù)；并 且，本發(fā)明實施例建立的光學(xué)模型為高斯核函數(shù)模型和標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)模型的乘積，本發(fā)明實施 例提供一種優(yōu)化的空間像光強函數(shù)的計算方法，簡化了光學(xué)鄰近校正模型的計算時間，大 大的減少了確定光學(xué)鄰近校正模型所需的工作量，提高了半導(dǎo)體生產(chǎn)效率。
[0095] 相應(yīng)的，請參考圖6,本發(fā)明實施例還提供一種優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法，優(yōu) 化光學(xué)鄰近校正模型的方法包括W下步驟：
[0096] 步驟S201、提供若干組測試圖形、W及如前所述的襯底和光學(xué)鄰近校正模型；
[0097] 步驟S202、基于所述光學(xué)鄰近校正模型對所述測試圖形進行模擬曝光，獲取模擬 最終圖形；
[0098] 步驟S203、對所述測試圖形進行實際曝光，在所述襯底表面形成實際最終圖形；
[0099] 步驟S204、獲取所述模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差異性，若所述差異性 在預(yù)定范圍外，調(diào)整所述光學(xué)鄰近校正模型，直至模擬最終圖形與實際最終圖形之間的差 異性在預(yù)定范圍內(nèi)，生成優(yōu)化后的光學(xué)鄰近校正模型。
[0100] W下將對本實施例提供的優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的方法做詳細說明。
[0101] 步驟S201中的襯底W及光學(xué)鄰近校正模型可參考上一實施例提供的襯底200和 光學(xué)鄰近校正模型，在此不再費述。
[0102] 優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的作用在于：在實際半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，由于各種因素的 干擾，實際的光刻系統(tǒng)總是難W與基于理論計算中得到的光學(xué)鄰近校正模型完全一致，測 量實際光刻得到的數(shù)據(jù)和測量模擬光刻得到的數(shù)據(jù)間總存在差別；因此根據(jù)實際光刻結(jié)果 對光學(xué)鄰近校正模型進行調(diào)整，生成優(yōu)化的光學(xué)鄰近校正模型，W期使模擬光刻得到的測 量數(shù)據(jù)與實際光刻得到的測試數(shù)據(jù)之間的差別更小。
[0103] 具體的，調(diào)整所述光學(xué)鄰近校正模型的方法為；調(diào)整光學(xué)模型中的空間像光強函 數(shù)的參數(shù)或光刻膠模型中的高斯函數(shù)的參數(shù)，同時采用一些經(jīng)驗公式調(diào)整光學(xué)模型和光刻 膠模型，W使優(yōu)化后的光學(xué)鄰近校正模型更好的反映實際的光刻過程。
[0104] 請參考圖7至圖10,圖7至圖10示出了測試圖形與襯底的位置關(guān)系，實際為測試 圖形在曝光顯影后在襯底上形成的圖形與襯底的位置關(guān)系，提供若干組測試圖形W及襯底 300,所述襯底300包括第一區(qū)域310、第二區(qū)域320和第H區(qū)域330,包括第一組測試圖形 400、第二組測試圖形500、第H組測試圖形600、第四組測試圖形700。
[0105] 襯底300可參考上一實施例提供的襯底200的材料和結(jié)構(gòu)，在此不再費述。
[0106] 測試圖形的設(shè)計要求為；覆蓋半導(dǎo)體工藝中常見的圖形組合，同時增加考慮一些 極限情況，且本實施例中，還要考慮到測試圖形與襯底的位置關(guān)系。
[0107] 請參考圖7,圖7示出了第一組測試圖形400與襯底300的位置關(guān)系，所述測試圖 形400與襯底300的位置關(guān)系為：測試圖形400的圖形完全覆蓋于襯底300表面，在所述襯 底300第一區(qū)域310、第二區(qū)域320和第H區(qū)域330對應(yīng)的測試圖形400中分別選取若干個 量測點401。
[0108] 本實施例中，第一區(qū)域310具有第一寬度L21，第二區(qū)域320具有第二寬度L22,第 H區(qū)域330具有第H寬度L23。所述測試圖形400具有線寬L24和間距L25。
[0109] 所述測試圖形400包括若干個子測試圖形410,所述子測試圖形410的圖形完全 覆蓋于襯底300表面，即所述子測試圖形410完全覆蓋于襯底300第一區(qū)域310、第二區(qū)域 320和第H區(qū)域330表面，在所述襯底300第一區(qū)域310、第二區(qū)域320和第H區(qū)域330對 應(yīng)的子測試圖形410中分別選取若干個量測點401。
[0110] 在子測試圖形410中選取若干量測點401的好處在于；后續(xù)在模擬曝光顯影和實 際曝光顯影后，僅需測量所述量測點401所在位置的模擬測試數(shù)據(jù)和實際測試數(shù)據(jù)，減少 測試量，提高優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的優(yōu)化效率；并且，由于光學(xué)鄰近校正模型考慮了襯底 300第一區(qū)域310、第二區(qū)域320和第H區(qū)域330建立的，因此，所述襯底300第一區(qū)域310、 第二區(qū)域320和第H區(qū)域330對應(yīng)的子測試圖形410中均要選取量測點401。
[0111] 后續(xù)在對第一組測試圖形400進行模擬曝光顯影和實際曝光顯影時，改變測試圖 形的特征尺寸、襯底第一區(qū)域特征尺寸、襯底第二區(qū)域特征尺寸或襯底第H區(qū)域特征尺寸， 多次獲得量測點的模擬測試數(shù)據(jù)和實際測試數(shù)據(jù)的差異性；具體的，改變襯底300第一寬 度L21、第二寬度L22或第H寬度L23中的任一項或多項參數(shù)，改變測試圖形的線寬L24或 間距L25中的任一項或多項參數(shù)，獲取量測點401對應(yīng)的模擬測試數(shù)據(jù)和實際測試數(shù)據(jù)。
[0112] 請參考圖8,圖8示出了第二組測試圖形500與襯底300的位置關(guān)系，所述測試圖 形500與襯底300的位置關(guān)系為；所述測試圖形500的線端（lineend)之間的圖形位于襯 底300第二區(qū)域320,所述線端之間的圖形具有若干不同寬度L51。
[0113] 具體的，所述測試圖形500包括若干個子測試圖形510,且所述子測試圖形510為 線端對線端（tiptotip)圖形，且線端之間的圖形至少位于襯底300第二區(qū)域320部分表 面，即所述測試圖形500在后續(xù)經(jīng)過曝光顯影處理后，在襯底300表面形成的最終圖形至少 暴露出襯底300的第二區(qū)域320部分表面。
[0114] 在襯底300第二區(qū)域320對應(yīng)的測試圖形500的線端之間的圖形中選取若干個量 測點501，且所述量測點501位于不同寬度的線端之間的圖形內(nèi)，反映到襯底300表面上，所 述量測點501位于襯底300第二區(qū)域320內(nèi)，且對應(yīng)同一子測試圖形510來說，所述量測點 501至子測試圖形510兩線端之間的距離相同。
[0115] 對應(yīng)圖8所示的第二組測試圖形500而言，還包括線端之間的圖形寬度為零的子 測試圖形510,為了提高優(yōu)化光學(xué)鄰近校正模型的程度，在所述線段之間的圖形寬度為零的 子測試圖形510中，選取若干輔助量測點502,所述輔助量測點502位于襯底300第一區(qū)域 310、第二區(qū)域320和第H區(qū)域330對應(yīng)的子測試圖形510中。
[0116] 請參考圖9,圖9為第H組測試圖形600與襯底300的位置關(guān)系示意圖，所述測試 圖形600與襯底300的位置關(guān)系為：測試圖形600的線端之間的圖形位于襯底300第一區(qū) 域310和第H區(qū)域330。
[0117] 具體的，所述測試圖形600包括若干子測試圖形610,且所述子測試圖形610為線 端對線端圖形，所述子測試圖形610的線端之間的圖形位于襯底300第一區(qū)域310和第二 區(qū)域320內(nèi)，且所述線端之間的圖形具有若干不同寬度L61。
[0118] 在所述襯底300第一區(qū)域310和第二區(qū)域320對應(yīng)的子測試圖形610的線端之間 選取若干量測點601，且對應(yīng)同一子測試圖形610來說，所述量測點601至子測試圖形610 兩線端之間的距離相同。
[0119] 請參考圖10,圖10示出了第四組測試圖形700與襯底300之間的位置關(guān)系，所述 測試圖形700與襯底300的位置關(guān)系為：測試圖形700的線端之間的圖形位于襯底300第 一區(qū)域310、第二區(qū)域320和第H區(qū)域330,且位于第一區(qū)域310的線端之間的圖形具有若 干不同寬度，位于第二區(qū)域320的線端之間的圖形具有若干不同寬度，位于第H區(qū)域330的 線端之間的圖形具有若干不同寬度，在所述線端之間的圖形中選取若干量測點701。
[0120] 具體的，所述測試圖形700包括若干子測試圖形710,且各子測試圖形710位于襯 底300第一區(qū)域310、第二區(qū)域320或第H區(qū)域330的線端之間的圖形具有不同的寬度。
[0121] 在形成上述測試圖形后，基于光學(xué)鄰近校正模型對測試圖形進行模擬曝光顯影， 獲取模擬最終圖形。
[0122] 具體的，所述光學(xué)鄰近校正模型為前述獲取的光學(xué)鄰近校正模型，所述測試圖形 至少包括第一組測試圖形400、第二組測試圖形500、第H組測試圖形600和第四組測試圖 形 700。
[0123]本實施例中，通過測量模擬最終圖形的特征尺寸，獲取模擬最終圖形的模擬測試 數(shù)據(jù)。為了簡化測量過程，本實施例中，在形成模擬最終圖形后，獲取各測試圖形中量測點 對應(yīng)的模擬測試數(shù)據(jù)。
[0124]對上述測試圖形進行實際曝光顯影，在襯底300表面形成實際最終圖形。
[01巧]本實施例中，通過測量實際最終圖形的特征尺寸，獲取實際最終圖形實際測試數(shù) 據(jù)。為了簡化測量過程，本實施例中，在形成實際最終圖形后，獲取各測試圖形中量