一種液晶陣列基板的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種液晶陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶陣列基板的陣列工藝中在成膜制程中，準確及時的測量Pixel⑶(關鍵尺寸:如掃描線的寬度、源漏極的寬度、開孔的大小等)、Pixel OL(重疊區(qū)域尺寸:如掃描線與有源層重疊的區(qū)域、像素電極與掃描線重疊的區(qū)域等)非常重要，因為Pixel⑶和Pixel OL對液晶陣列基板的良率和產(chǎn)能有很大影響。通過對Pixel⑶和Pixel OL的測量可以及時監(jiān)控成膜工藝的精準度，避免其對后續(xù)制程的影響。
[0003]在實際生產(chǎn)過程中，在對Pixel⑶和Pixel OL的測量中主要存在以下兩個問題:第一:曝光、刻蝕后形成的陣列基板圖案與設計圖案相比會發(fā)生變化，導致很難準確測量；第二:對于尺寸小且圖案復雜的像素，在測量過程中，CCD探頭往往無法精確捕捉到待測目標的邊界，甚至讀取到錯誤的信息。
[0004]圖1所示為液晶陣列基板的局部示意圖，很難測量源漏極I與兩側(cè)絕緣層2之間的距離和重疊距離。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提高一種代替像素結(jié)構(gòu)的CD/0L測量的液晶陣列基板。
[0006]本發(fā)明提供一種液晶陣列基板，該液晶陣列基板設有顯示區(qū)和位于顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)內(nèi)設有若干像素結(jié)構(gòu)，在所述顯示區(qū)周圍或側(cè)邊設有若干結(jié)構(gòu)單元，該結(jié)構(gòu)單元由若干膜層依次排列形成，結(jié)構(gòu)單元的膜層順序和彼此位置關系與液晶陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的膜層順序完全相同。
[0007]其中，所述結(jié)構(gòu)單元位于非顯示區(qū)內(nèi)。
[0008]其中，所述結(jié)構(gòu)單元呈矩形或正方形。
[0009]其中，液晶陣列基板依序先后形成的順序包括:掃描線層、有源層、源漏極層、接觸孔層、像素電極層，所述結(jié)構(gòu)單元由5道膜層組成，分別為與掃描線層同時形成的第一膜層、與有源層同時形成的第二膜層、與源漏極層同時形成的第三膜層、以及與接觸孔層同時形成的第四膜層、以及與像素電極層同時形成的第五膜層。
[0010]其中，所述第一膜層包括第一膜層一、第一膜層二、第一膜層三、以及第一膜層四，第一膜層一和第一膜層二組成本結(jié)構(gòu)單元的外部輪廓，第一膜層三與第一膜層一形狀相同且平行，第一膜層四位于第一膜層二和第一膜層三之間。
[0011]其中，第一膜層一、第一膜層二、第一膜層三均呈L狀，第一膜層一和第一膜層二組成一矩形或正方形，所述第一膜層三位于第一膜層一和第一膜層四之間，第一膜層三與所述第一膜層二平行設置；所述第一膜層四呈矩形或正方形，第一膜層二位于第一膜層二和第一膜層三之間。
[0012]其中，第二膜層包括第二膜層一和第二膜層二，第二膜層一重疊在第一膜層三的內(nèi)部，第二膜二重疊在第一膜層三的內(nèi)部。
[0013]其中，第三膜層包括第三膜層一和第三膜層二，第三膜層一重疊在第二膜層一的內(nèi)部，第三膜層二設于第一膜層一和第一膜層三之間。
[0014]其中，第四膜層重疊在第三膜層一的內(nèi)部，第五膜層重疊在第一膜層四的內(nèi)部，且第五膜層呈中空狀。
[0015]其中，第二膜層一、第三膜層一、第四膜層均呈L狀。
[0016]本發(fā)明通過將結(jié)構(gòu)單元設置于顯示區(qū)的周圍，用來代理像素結(jié)構(gòu)進行CD/O L的測量，大大降低了每一層膜在曝光和刻蝕后形成的圖案的復雜程度，同時將像素內(nèi)較小的結(jié)構(gòu)適當放大，便于測量。
【附圖說明】
[0017]圖1所示為現(xiàn)有液晶陣列基板的局部示意圖；
[0018]圖2所不為本發(fā)明液晶陣列基板的排列不意圖；
[0019]圖3所示為結(jié)構(gòu)單元的第一步的示意圖；
[0020]圖4所示為結(jié)構(gòu)單元的第二步的示意圖；
[0021]圖5所述為結(jié)構(gòu)單元的第三步的示意圖；
[0022]圖6所示為結(jié)構(gòu)單元的第四步的示意圖；
[0023]圖7所示為結(jié)構(gòu)單元的第五步的示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本發(fā)明，應理解這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0025]如圖2所示，本發(fā)明涉及一種液晶陣列基板，該液晶陣列基板設有顯示區(qū)和位于顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)內(nèi)設有若干像素結(jié)構(gòu)，在所述顯示區(qū)周圍或側(cè)邊設有若干結(jié)構(gòu)單元100，該結(jié)構(gòu)單元100由若干膜層依次排列形成，結(jié)構(gòu)單元100的膜層順序和彼此位置關系與液晶陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的膜層順序完全相同。
[0026]該結(jié)構(gòu)單元100獨立于液晶陣列基板200內(nèi)的任何一個部分，具體位于液晶陣列基板200的顯示區(qū)A-A區(qū)附近的虛擬區(qū)(dummy區(qū))或公共電極區(qū)(Vcom區(qū))，具體分布在液晶陣列基板200的顯示區(qū)A-A周圍或A-A區(qū)的四側(cè)，該顯示結(jié)構(gòu)100用來代替像素進行CD/0L的測量。
[0027]結(jié)構(gòu)單元100整理結(jié)構(gòu)呈矩形或正方形，首先設計好所述結(jié)構(gòu)單元100的形狀、以及排布好該結(jié)構(gòu)單元100在液晶陣列基板200的顯示區(qū)A-A周圍或上下側(cè)的位置，結(jié)構(gòu)單元獨立于液晶陣列基板內(nèi)的任何一個部分，結(jié)構(gòu)單元100的每一道制成所形成的膜層之間沒有任何電學聯(lián)系。
[0028]所述結(jié)構(gòu)單元100具有5層膜層，由5道工序制成，以下為結(jié)構(gòu)單元100形成順序:
[0029]第一步:如圖3所示，當在液晶陣列基板200的玻璃基板(圖未示)采用金屬材料形成掃描線時，同時在預先設定的陣列基板的顯示區(qū)周圍或上下側(cè)的預定位置形成第一膜層，該第一膜層具有四個部分，分別為第一膜層一 11、第一膜層二 12、第一膜層三13、以及第一膜層四14，其中，第一膜層一 11、第一膜層二 12、第一膜層三14均呈L狀，第一膜層一11和第一膜層二 12組成一矩形或正方形，該第一膜層一 11和第一膜層二 12為所述結(jié)構(gòu)單元100的外部輪廓；所述第一膜層三13位于第一膜層一 11和第一膜層二 12之間，第一膜層三13與所述第一膜層二 12平行設置；所述第一膜層四14呈矩形或正方形，第一膜層二14位于第一膜層二 12和第一膜層三13之間。
[0030]第二步:如圖4所示，在形成第一步圖案的基礎上形成液晶陣列基板200的有源層，同時形成所述結(jié)構(gòu)單元100的第二膜層，所述第二膜層包括位于第一膜層一 11上的第二膜層