掩膜板的制備方法和掩膜板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩膜板的制備方法和掩膜板。
【背景技術(shù)】
[0002]UV mask (Ultra V1let mask，掩膜板)是一種使用在 OLED (OrganicLight-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)封裝段(Assembly)設(shè)備或者UV固化設(shè)備上的膜層，能夠在完成UV光光照固化時(shí)對(duì)OLED器件進(jìn)行有效的遮擋，從而避免UV強(qiáng)光對(duì)OLED器件造成不良影響甚至損壞。
[0003]現(xiàn)在常用的掩膜板制作涉及到多種復(fù)雜工藝，如派射、PR (Photo Resistance，光阻)涂布、曝光、顯影、刻蝕等，其制作過(guò)程復(fù)雜，耗時(shí)長(zhǎng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板的制備方法和掩膜板。所述技術(shù)方案如下:
[0005]一方面，提供了一種掩膜板的制備方法，所述方法包括:
[0006]制備第一復(fù)合膜層，所述第一復(fù)合膜層包括第一保護(hù)層、粘貼層、遮擋層和第二保護(hù)層；
[0007]按照產(chǎn)品上的待曝光區(qū)域，對(duì)第一復(fù)合膜層中的第一保護(hù)層、粘貼層和遮擋層進(jìn)行切割，得到第二復(fù)合膜層；
[0008]去除所述第二復(fù)合膜層中的第一保護(hù)層以及所述待曝光區(qū)域?qū)?yīng)的粘貼層和遮擋層，得到第三復(fù)合膜層；
[0009]將所述第三復(fù)合膜層貼附在透明基板上，去除所述第二保護(hù)層。
[0010]另一方面，提供了一種掩膜板，所述掩膜板包括透明基板、粘貼于透明基板上的粘貼層和粘貼于粘貼層上的遮擋層，
[0011]其中，所述遮擋層和所述粘貼層對(duì)應(yīng)于開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的待曝光區(qū)域以外的區(qū)域。
[0012]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:通過(guò)使用多層薄膜構(gòu)成的復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)制作掩膜板，可以按照產(chǎn)品的待曝光區(qū)域，對(duì)復(fù)合膜層進(jìn)行切割、對(duì)復(fù)合膜層中的保護(hù)層以及待曝光區(qū)域?qū)?yīng)的粘貼層和遮擋層進(jìn)行揭除，在后續(xù)再進(jìn)行薄膜貼附，以最終得到掩膜板，可以大大簡(jiǎn)化掩膜板制作的繁瑣程度，減少制作耗時(shí)。
【附圖說(shuō)明】
[0013]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板的制備方法的流程圖；
[0015]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的第一復(fù)合膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的貼附層次示意圖；
[0017]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的切割區(qū)域示意圖；
[0018]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的切割深度示意圖；
[0019]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的第三復(fù)合膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0023]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板的制備方法的流程圖。參見(jiàn)圖，所述方法包括:
[0024]101、制備第一復(fù)合膜層，該第一復(fù)合膜層包括第一保護(hù)層、粘貼層、遮擋層和第二保護(hù)層。
[0025]該制備過(guò)程可以是指將第一保護(hù)層、粘貼層、遮擋層和第二保護(hù)層按照順序?qū)盈B放置，其中，如圖2所示的第一復(fù)合膜層結(jié)構(gòu)，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層分別為前保護(hù)層和后保護(hù)層，分別設(shè)置于遮擋層和粘貼層的外側(cè)，遮擋層起到遮光的作用，用于保護(hù)發(fā)光器件在UV光照固化過(guò)程中不受到強(qiáng)光影響。粘貼層用于將遮擋層和后續(xù)用到的透明基板(openmask)粘貼在一起。
[0026]可選地，該遮擋層采用全反光材料。該全反光材料的遮擋層可以將UV光反射，避免掩膜板吸收UV光而引起的溫度上升。另外，該遮擋層和該粘貼層的均勻性小于20um，以滿(mǎn)足工藝調(diào)試需求。優(yōu)選地，該全反光材料可以為金屬材料。
[0027]在一種實(shí)施例方式中，所述粘貼層和/或遮擋層為可溶性材料或激光可剝離材料。例如，在一種實(shí)施方式中，該粘貼層可以為可溶性材料，在這種情況下，當(dāng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)結(jié)束后，可以采用溶液，如丙酮等對(duì)粘貼層進(jìn)行去除，由于粘貼層位于遮擋層和透明基板之間，因此，溶解粘貼層也可以達(dá)到去除粘貼層和遮擋層的目的。進(jìn)一步地，該粘貼層能夠溶解于丙酮。又如，在一種實(shí)施方式中，該遮擋層和該粘貼層均可以為可溶性材料。進(jìn)一步地，該遮擋層和該粘貼層能夠溶解于丙酮。在這種情況下，當(dāng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)結(jié)束后，可以采用溶液，如丙酮等對(duì)遮擋層和粘貼層進(jìn)行去除。上述以溶液溶解所進(jìn)行的去除粘貼層和遮擋層的方式，不會(huì)對(duì)透明基板造成任何影響，去除薄膜的透明基板可以恢復(fù)到原始狀態(tài)，以供后續(xù)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的循環(huán)利用。再如，在另一種實(shí)施方式中，該粘貼層為激光可剝離材料。由于粘貼層位于遮擋層和透明基板之間，因此，去除粘貼層也可以達(dá)到去除粘貼層和遮擋層的目的。該遮擋層和該粘貼層可以為激光可剝離材料。在這種情況下，當(dāng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)結(jié)束后，對(duì)遮擋層和粘貼層進(jìn)行去除，該揭除過(guò)程不會(huì)對(duì)透明基板造成任何影響，去除薄膜的透明基板可以恢復(fù)到原始狀態(tài)，以供后續(xù)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的循環(huán)利用。需要說(shuō)明的是，上述揭除過(guò)程可以是可以采用強(qiáng)激光燒刻或高溫烘烤等方式將膜層材料變質(zhì)再揭除的方式，本發(fā)明實(shí)施對(duì)此不作具體限定。
[0028]參見(jiàn)圖3，圖3中左圖示出的是貼附的層次，右圖示出的是恢復(fù)至原始狀態(tài)的透明基板。
[0029]102、按照產(chǎn)品上的待曝光區(qū)域，對(duì)第一復(fù)合膜層中的第一保護(hù)層、粘貼層和遮擋層進(jìn)行切割，得到第二復(fù)合膜層。
[0030]在進(jìn)行切割之前，可以根據(jù)產(chǎn)品的待曝光區(qū)域如封裝膠曝光區(qū)域，確定待切割的區(qū)域的形狀和位置以及切割時(shí)的進(jìn)刀深度，該封裝膠曝光區(qū)域所對(duì)應(yīng)的區(qū)域可以是任一形狀，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。為了降低切割的復(fù)雜度，提高成品率，可以將封裝膠曝光區(qū)域所對(duì)應(yīng)的區(qū)域確定為矩形(如圖4所示)，當(dāng)然，在產(chǎn)品形狀比較特殊的場(chǎng)景下，也可以根據(jù)封裝膠曝光區(qū)域，采取其他形狀進(jìn)行切割。而為了將第二保護(hù)層保持完整，該切割時(shí)的進(jìn)刀深度的理想深度應(yīng)為恰好將第一保護(hù)層、粘貼層和遮擋層切透的深度(如圖5所示)。
[0031]切割過(guò)程可以包括以下過(guò)程:確定用于確定發(fā)光器件區(qū)域、封裝膠曝光區(qū)域的切割線(xiàn)，基于切割線(xiàn)，對(duì)第一復(fù)合膜層中的第一保護(hù)層、粘貼層和遮擋層進(jìn)行切割，得到第二復(fù)合膜層。該切割過(guò)程可以使用傳統(tǒng)的薄膜切割機(jī)完成，例如，采用膜切(film cutting)設(shè)備。
[0032]103、去除所述第二復(fù)合膜層中的第一保護(hù)層以及所述待曝光區(qū)域?qū)?yīng)的粘貼層和遮擋層，得到第三復(fù)合膜層。
[0033]該去除的步驟可以是先揭除第二復(fù)合膜層中的第一保護(hù)層，再揭除該待曝光區(qū)域?qū)?yīng)的粘貼層和遮擋層。當(dāng)然，為了便捷操作，還可以將第一保護(hù)層和待曝光區(qū)域?qū)?yīng)的粘貼層和遮擋層一并揭除。經(jīng)過(guò)揭除操作所得到的第三復(fù)合膜層可以參見(jiàn)圖6所示，圖6上部條紋線(xiàn)所示區(qū)域即是已經(jīng)揭除了第一保護(hù)層、粘貼層和遮擋層所露出的第二保護(hù)層，中間所保留的方形框區(qū)域?yàn)槠骷^(qū)域。
[0034]104、將所述第三復(fù)合膜層貼附在透明基板上，去除所述第二保護(hù)層。
[0035]在將第三復(fù)合膜層貼附在透明基板上時(shí)，可以參考線(xiàn)內(nèi)過(guò)塑機(jī)(Iaminatorl)設(shè)備進(jìn)行對(duì)位和貼附，其中，對(duì)位可以采用對(duì)角線(xiàn)位置雙CO)(Charge-coupled Device,電荷耦合元件)對(duì)位系統(tǒng)進(jìn)行人工對(duì)位或自動(dòng)對(duì)位。
[0036]參見(jiàn)圖7，圖7中左圖示出的是貼附的層次，右圖示出的是貼附后的形態(tài)。
[0037]事實(shí)上，通過(guò)步驟104所得到的產(chǎn)品既可以為制備得到的掩膜板，而為了使得掩膜板的質(zhì)量更好，精度更高，該步驟104后，還可以包括以下步驟:第三復(fù)合膜層和透明基板進(jìn)行脫泡和固化處理，得到掩膜板。
[0038]薄膜與透明基板之間氣泡會(huì)影響掩膜板整體的平整度，進(jìn)而影響封裝工藝。因此，需要將該第三復(fù)合膜層和透明基板放置于高真空設(shè)備腔內(nèi)進(jìn)行脫泡。