一種光刻版圖opc方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種光刻版圖0PC方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 集成電路制造技術(shù)是一個復(fù)雜的工藝，技術(shù)更新很快。表征集成電路制造技術(shù)的 一個關(guān)鍵參數(shù)為最小特征尺寸，即關(guān)鍵尺寸（criticaldimension,CD)，關(guān)鍵尺寸的大小從 最初的125微米發(fā)展到現(xiàn)在的0. 13微米，甚至更小，正是由于關(guān)鍵尺寸的減小才使得每個 巧片上設(shè)置百萬個器件成為可能。
[0003] 光刻技術(shù)是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動力，也是最為復(fù)雜的技術(shù)之一。相對與 其它單個制造技術(shù)來說，光刻技術(shù)的提高對集成電路的發(fā)展具有重要意義。在光刻工藝 開始之前，首先需要將目標(biāo)電路結(jié)構(gòu)圖案通過特定設(shè)備復(fù)制到掩膜版上，然后通過光刻設(shè) 備產(chǎn)生特定波長的光將掩膜版上的圖案結(jié)構(gòu)復(fù)制到生產(chǎn)巧片的娃片（wafer)上。但是， 由于光波的性質(zhì)和實際投影曝光系統(tǒng)的問題，會有衍射受限或者成像系統(tǒng)的非線性濾波 造成嚴(yán)重的能量損失，即光學(xué)近似效應(yīng)OpticalProximityEffect, 0P巧，從而不可避 免的就會使得在將掩膜版上的圖案轉(zhuǎn)移到娃片的過程中會發(fā)生失真現(xiàn)象，如拐角圓化、線 端縮進(jìn)、線寬不一致或者紋波等，如果不消除該種失真現(xiàn)象會導(dǎo)致娃片（wafer)上的圖像 變形（distod)，尤其是對于0. 18ymW下工藝階段，該種失真的影響將非常巨大，甚至 會造成整個制造技術(shù)的失敗。為了避免該種情況發(fā)生，業(yè)界采用光學(xué)近似修正的ptical ProximityCorrection,OPC)方法，請參考圖1所示，該方法具體包括；首先，提取待成型在 掩膜版上的圖案（目標(biāo)圖案）的特征向量，識別目標(biāo)圖案的邊緣結(jié)構(gòu)；然后根據(jù)寬度和間 距約束（即基于規(guī)則的0PC)或者是通過使用緊湊的模型動態(tài)仿真（即基于模型的0PC)的 結(jié)果預(yù)先計算出一個查找表；接著，根據(jù)該個查找表來對目標(biāo)圖案的邊緣進(jìn)行預(yù)先的修正 (移動邊緣或者或在邊緣外添加額外的多邊形），使得修改補(bǔ)償?shù)牧空媚軌蜓a(bǔ)償0PE效應(yīng) 所帶來的缺失部分，獲得一個0PC圖案；然后，將該0PC圖案通過特定設(shè)備復(fù)制到掩膜版，形 成0PC掩膜版；最后，通過光刻設(shè)備產(chǎn)生特定波長的光將0PC掩膜版上的圖案結(jié)構(gòu)復(fù)制到生 產(chǎn)巧片的娃片（wafer)上，由此在wafer上形成的圖像基本上與目標(biāo)圖案相同。
[0004] 由此可見，在0PC技術(shù)中，提取的目標(biāo)圖案的特征向量是后期0PC深度機(jī)器學(xué)習(xí) 和大數(shù)據(jù)挖掘的基礎(chǔ)，因此，提高目標(biāo)圖案的特征向量的提取準(zhǔn)確性，可W優(yōu)化0PC的初始 值，提高0PC效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種光刻版圖0PC方法，能夠提高0PC識別光刻版圖的精 度和速度，優(yōu)化0PC的初始值，提高0PC效率。
[0006] 為解決上述問題，本發(fā)明提出一種光刻版圖0PC方法，包括：
[0007] 建立覆蓋待0PC的光刻版圖的整個區(qū)域的采樣網(wǎng)格，所述采樣網(wǎng)格的格點間隔根 據(jù)光刻版圖的工藝設(shè)計規(guī)則定義；
[000引對所述光刻版圖進(jìn)行格點處卷積，獲得所述光刻版圖的邊緣輪廓圖像，每個格點 處的卷積范圍覆蓋W格點為中屯、的對稱區(qū)域；
[0009] 建立直角坐標(biāo)系，生成每個格點在所述直角坐標(biāo)系中的向量；
[0010] W采樣網(wǎng)格對所述邊緣輪廓圖像的輪廓線進(jìn)行分段，并根據(jù)與每段輪廓線段相鄰 的多個格點的向量生成每段輪廓線段的修正參考點向量；
[0011] W所述每段輪廓線段的修正參考點向量為參考依據(jù)，對所述邊緣輪廓圖像進(jìn)行基 于規(guī)則的OPC處理和/或基于模型的OPC處理，獲得OPC版圖。
[0012] 進(jìn)一步的，所述光刻版圖的工藝設(shè)計規(guī)則包括最小線寬或最小線間距。
[0013] 進(jìn)一步的，所述格點間隔與所述工藝設(shè)計規(guī)則中的最小線寬或最小線間距相同。
[0014] 進(jìn)一步的，進(jìn)行格點處卷積時，選取中屯、軸對稱的二維函數(shù)做卷積核。
[0015] 進(jìn)一步的，選取落在所述邊緣輪廓圖像的輪廓上、所述輪廓包圍區(qū)域內(nèi)W及所述 輪廓外側(cè)最近鄰的所有格點，生成選取的各個格點在所述直角坐標(biāo)系中的向量。
[0016] 進(jìn)一步的，通過構(gòu)成每段輪廓線段所在的網(wǎng)格的4個格點的向量生成每段輪廓線 段的修正參考點向量。
[0017] 進(jìn)一步的，設(shè)每段輪廓線段所在的網(wǎng)格的4個格點的向量為化i，Vi)，i= 1、2、3、 4,則每段輪廓線段的修正參考點向量化'，V'）計算公式為：
[001引
【主權(quán)項】
1. 一種光刻版圖OPC方法，其特征在于，包括： 建立覆蓋待OPC的光刻版圖的整個區(qū)域的采樣網(wǎng)格，所述采樣網(wǎng)格的格點間隔根據(jù)光 刻版圖的工藝設(shè)計規(guī)則定義； 對所述光刻版圖進(jìn)行格點處卷積，獲得所述光刻版圖的邊緣輪廓圖像，每個格點處的 卷積范圍覆蓋以格點為中心的對稱區(qū)域； 建立直角坐標(biāo)系，生成每個格點在所述直角坐標(biāo)系中的向量； 以采樣網(wǎng)格對所述邊緣輪廓圖像的輪廓線進(jìn)行分段，并根據(jù)與每段輪廓線段相鄰的多 個格點的向量生成每段輪廓線段的修正參考點向量； 以所述每段輪廓線段的修正參考點向量為參考依據(jù)，對所述邊緣輪廓圖像進(jìn)行基于規(guī) 則的OPC處理和/或基于模型的OPC處理，獲得OPC版圖。
2. 如權(quán)利要求1所述的光刻版圖OPC方法，其特征在于，所述光刻版圖的工藝設(shè)計規(guī)則 包括最小線寬或最小線間距。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的光刻版圖OPC方法，其特征在于，所述格點間隔與所述工藝 設(shè)計規(guī)則中的最小線寬或最小線間距相同。
4. 如權(quán)利要求1所述的光刻版圖OPC方法，其特征在于，進(jìn)行格點處卷積時，選取中心 軸對稱的二維函數(shù)做卷積核。
5. 如權(quán)利要求1所述的光刻版圖OPC方法，其特征在于，選取落在所述邊緣輪廓圖像的 輪廓上、所述輪廓包圍區(qū)域內(nèi)以及所述輪廓外側(cè)最近鄰的所有格點，生成選取的各個格點 在所述直角坐標(biāo)系中的向量。
6. 如權(quán)利要求1所述的光刻版圖OPC方法，其特征在于，通過構(gòu)成每段輪廓線段所在的 網(wǎng)格的4個格點的向量生成每段輪廓線段的修正參考點向量。
7. 如權(quán)利要求6所述的光刻版圖OPC方法，其特征在于，設(shè)每段輪廓線段所在的網(wǎng)格的 4個格點的向量為（Hi，Vi)，i = 1、2、3、4,則每段輪廓線段的修正參考點向量（H'，V'）計 算公式為：
，-其中Wi為修正參考點與所述4個格點的距離權(quán)重系數(shù)。
8. 如權(quán)利要求7所述的光刻版圖OPC方法，其特征在于，所述距離權(quán)重系數(shù)為 Manhattan距離權(quán)重系數(shù)或三次樣條函數(shù)距離權(quán)重系數(shù)。
9. 如權(quán)利要求1所述的光刻版圖OPC方法，其特征在于，通過構(gòu)成每段輪廓線段所在的 網(wǎng)格的2個格點或3個格點的向量生成每段輪廓線段的修正參考點向量。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光刻版圖OPC方法，通過網(wǎng)格采樣的方式提取了光刻版圖的輪廓，同時使用網(wǎng)格對光刻版圖的輪廓線進(jìn)行分段，并利用采樣網(wǎng)格的多個格點的向量提取了每段輪廓線段的修正參考點向量，由此提高了提取光刻版圖的特征向量時的準(zhǔn)確性，優(yōu)化了后續(xù)OPC過程的初始值，減小了圖像特征提取誤差對OPC掩膜版準(zhǔn)確性的影響，提高了光刻版圖OPC效率，使得最終在硅片上形成的圖像失真更小。
【IPC分類】G03F1-36
【公開號】CN104865788
【申請?zhí)枴緾N201510309042
【發(fā)明人】金曉亮, 鐘政, 袁春雨
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年6月7日