影特性惡化。這被認(rèn)為是，與在實(shí)施例1中說明的機(jī)制相比 時(shí)，在實(shí)施例4中，液晶分子的動(dòng)作大的梳齒電極基板側(cè)高效地形成聚合物層，另一方面， 在比較例6中，光聚合性單體聚集在空白玻璃基板側(cè)，因此，梳齒電極基板側(cè)的聚合物層 薄，其結(jié)果是，液晶分子的動(dòng)作大的梳齒電極基板側(cè)的液晶分子的取向限制力減弱，對殘影 特性起到不利的作用。
[0188] 機(jī)制
[0189] 以下說明上述實(shí)施方式中共通的機(jī)制。通過使燒制時(shí)間更長或使放置時(shí)間更長， 對具有有源元件的基板造成損害。另外，使膜厚變薄，在為相同的燒制時(shí)間時(shí)薄的一方的損 害變得更大。
[0190] 因造成損害，取向膜進(jìn)一步分解。由此，自由基的產(chǎn)生變多。
[0191] 由于該產(chǎn)生的自由基，與造成了損害的基板、本發(fā)明中為具有有源元件的基板側(cè) 的取向膜接近的單體進(jìn)一步被激發(fā)。
[0192] 因此，單體容易集中在具有有源元件的基板側(cè)。
[0193] 從而，認(rèn)為具有有源元件的基板側(cè)的聚合物層的聚合度變高或者聚合物層變厚。
[0194] 其它的實(shí)施方式
[0195] 在上述的實(shí)施例中，對IPS型的液晶單元進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明能夠很好地應(yīng) 用于IPS型的液晶顯示裝置并且能夠很好地應(yīng)用于其它的液晶顯示裝置，尤其能夠使用水 平取向膜的 FFS 型、OCB 型、TN(Twisted Nematic)型、STN(Super Twisted Nematic)型、 FLC型、PDLC型或者PNLC型的液晶顯示裝置。
[0196] 另外，本發(fā)明能夠分別應(yīng)用于：對原本不需要取向處理的高分子穩(wěn)定化藍(lán)相（BP) 型顯示裝置進(jìn)行的用于擴(kuò)寬BP溫度區(qū)域的高分子穩(wěn)定化處理；利用進(jìn)行肋、狹縫進(jìn)行液晶 取向的MVA方式、PVA(Patterned Vertical Alignment)方式等的顯示裝置中的、為了改善 殘留電荷特性而進(jìn)行的PS處理等。即，不僅殘影改善的目的，如果在液晶層中利用聚合性 單體形成高分子是必須的用途，則也能夠應(yīng)用本發(fā)明。作為實(shí)施取向處理的情況的取向處 理的方法，能夠列舉摩擦處理、光取向處理等。在容易獲得優(yōu)良的視角特性的方面，優(yōu)選光 取向處理，但是，例如也可以通過摩擦等光取向處理以外進(jìn)行取向處理。
[0197] 在上述實(shí)施例中，對具有有源元件的基板為具有由像素電極和共用電極形成的一 對梳齒電極的基板的液晶單元進(jìn)行了說明，但是，如FFS模式的液晶單元的方式，在具有有 源元件的基板側(cè)為具有像素電極和與像素電極相對的共用電極（對置電極）的基板的液晶 單元中也能夠很好地應(yīng)用本發(fā)明。此外，這樣的具有有源元件的基板產(chǎn)生橫向電場（與基 板主面平行的方向的電場或者邊緣電場）。
[0198] 此外，TFT的半導(dǎo)體層可以使用氧化物半導(dǎo)體IGZO(氧銦鎵鋅物）。另外，也可以 使用非晶硅TFT。
[0199] 在各實(shí)施方式中記載的技術(shù)的特征，能夠彼此組合，通過組合，能夠形成新的技術(shù) 的特征。例如，可以用于獲得具有有源元件的基板的取向膜的燒制時(shí)間比用于獲得對置基 板的取向膜的燒制時(shí)間長，并且，具有有源元件的基板的取向膜在大氣中的放置時(shí)間比對 置基板的取向膜在大氣中的放置時(shí)間長，且/或具有有源元件的基板的取向膜比對置基板 的取向膜薄。
[0200] 附圖標(biāo)記說明
[0201] 10、110、210、310、410、510、610、710、810、910 :梳齒電極基板
[0202] 11、21、111、121、211、221、311、321、411、421、511、521、611、621、711、721、811、 821、911、921 :透明基板
[0203] 13、113、213、313、413、513、613、713、813、913 :(梳齒電極基板側(cè)的）取向膜
[0204] 15、25、115、125、215、225、315、325、415、425、515、525、615、625、715、725、815、 825、915、925:聚合物層（PS 層）
[0205] 20、120、220、320、420、520、620、720、820、920 :空白玻璃基板
[0206] 23、123、223、323、423、523、623、723、823、923 :(空白玻璃基板側(cè)的）取向膜
[0207] 30、130、230、330、430、530、630、730、830、930 :液晶層
[0208] LC :液晶分子
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種包括液晶單元的液晶顯示裝置的制造方法，該液晶單元包括：由具有有源元件 的基板和與該具有有源元件的基板不同的基板構(gòu)成的一對基板；和被夾持于該一對基板間 的液晶層，該液晶顯示裝置的制造方法的特征在于，包括： 在具有有源元件的基板上用光活性材料形成基底膜的工序； 在與該具有有源元件的基板不同的基板上用光活性材料形成基底膜的工序； 使兩基板貼合的工序；和 使單體聚合，在兩基板的基底膜的液晶層側(cè)形成對接近的液晶分子進(jìn)行取向控制的聚 合物層的工序， 在該具有有源元件的基板上形成基底膜的工序和在與該具有有源元件的基板不同的 基板上形成基底膜的工序中，基底膜的成膜條件不同。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于： 在所述具有有源元件的基板上形成基底膜的工序和在與所述具有有源元件的基板不 同的基板上形成基底膜的工序中，各自在基板上涂敷光活性材料并對該光活性材料進(jìn)行燒 制而形成基底膜， 相比于在與該具有有源元件的基板不同的基板上形成基底膜的工序，在該具有有源元 件的基板上形成基底膜的工序中的光活性材料的燒制時(shí)間長。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于： 在所述具有有源元件的基板上形成基底膜的工序之后且使所述兩基板貼合的工序之 前，將該具有有源元件的基板放置在大氣中的時(shí)間，比在與所述具有有源元件的基板不同 的基板上形成基底膜的工序之后且使所述兩基板貼合的工序之前，將與該具有有源元件的 基板不同的基板放置在大氣中的時(shí)間長。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于： 在形成所述聚合物層的工序中，相比于與所述具有有源元件的基板不同的基板的液晶 層側(cè)，在所述具有有源元件的基板的液晶層側(cè)形成層厚厚且/或密度大的聚合物層。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于： 在形成所述聚合物層的工序中，使添加于液晶層中的單體聚合而形成聚合物層。
6. 如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于： 所述單體包含選自丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、乙烯基、乙烯氧基和環(huán)氧基中的至少 一種。
7. 如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于： 在形成所述聚合物層的工序中，將單體光聚合而形成聚合物層。
8. 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于： 在形成所述聚合物層的工序中，利用紫外線、可見光線或者它們雙方使單體聚合而形 成聚合物層。
9. 如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于： 所述基底膜為利用紫外線、可見光線或者它們雙方進(jìn)行光取向處理而得到的光取向 膜。
10. 如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于： 所述基底膜是利用直線偏振光進(jìn)行光取向處理而得到的光取向膜。
11. 一種包括液晶單元的液晶顯示裝置，該液晶單元包括一對基板和被夾持于該一對 基板間的液晶層，該液晶顯示裝置的特征在于： 該一對基板由具有有源元件的基板和與該基板相對設(shè)置的對置基板構(gòu)成， 該具有有源元件的基板包括：形成在該具有有源元件的基板的液晶層側(cè)的基底膜；和 形成在該基底膜的液晶層側(cè)，對接近的液晶分子進(jìn)行取向控制的聚合物層， 該對置基板包括：形成在該對置基板的液晶層側(cè)的基底膜；和形成在該基底膜的液晶 層側(cè)，對接近的液晶分子進(jìn)行取向控制的聚合物層， 該具有有源元件的基板的基底膜和該對置基板的基底膜由光活性材料形成， 該具有有源元件的基板的聚合物層和該對置基板的聚合物層通過使單體聚合而得到， 與該對置基板的聚合物層相比，該具有有源元件的基板的聚合物層的層厚厚且/或密 度大。
12. 如權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其特征在于： 所述液晶顯示裝置，在對液晶層施加的電壓為閾值以上時(shí)，有源矩陣基板側(cè)的液晶分 子比對置基板側(cè)的液晶分子彈性變形大。
13. 如權(quán)利要求11或12所述的液晶顯示裝置，其特征在于： 所述具有有源元件的基板的基底膜和該對置基板的基底膜是使接近的液晶分子與該 基底膜面實(shí)質(zhì)上平行地取向的水平取向膜。
14. 如權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于： 所述具有有源元件的基板具有像素電極和共用電極。
15. 如權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于： 所述液晶層中，在具有有源元件的基板側(cè)產(chǎn)生橫向電場。
16. 如權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于： 所述具有有源元件的基板的基底膜比所述對置基板的基底膜薄。
17. 如權(quán)利要求11至16中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于： 所述具有有源元件的基板的基底膜和該對置基板的基底膜，包含具有選自光致異構(gòu)型 的官能團(tuán)、光交聯(lián)型的官能團(tuán)和光分解型的官能團(tuán)中的至少一種的化合物。
18. 如權(quán)利要求11至17中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于： 所述液晶層含有在分子構(gòu)造中包含除苯環(huán)的共軛雙鍵以外的雙鍵的液晶分子。
19. 如權(quán)利要求11至18中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于： 所述雙鍵包含于烯基中。
20. 如權(quán)利要求11至19中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于： 所述液晶層的取向型為IPS型、FFS型或者藍(lán)相型。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種通過適當(dāng)?shù)匦纬删哂蟹€(wěn)定的取向限制力的聚合物層而充分降低殘影的液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，在具有有源元件的基板上形成基底膜的工序和在與具有有源元件的基板不同的基板上形成基底膜的工序中，基底膜的成膜條件不同。
【IPC分類】G02F1-1337
【公開號(hào)】CN104662469
【申請?zhí)枴緾N201380049727
【發(fā)明人】平井明, 淺木大明, 三宅敢
【申請人】夏普株式會(huì)社
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年9月9日
【公告號(hào)】US20150234237, WO2014045923A1