目視 進行的顯示的評價方面進行了改善。
[0151] 如以上所述，比用于獲得實施例1的梳齒電極基板的取向膜的燒制時間90分鐘長 的該燒制時間為180分的實施例2中，也能夠獲得殘影特性的改善效果。實施例2與實施 例1相同，能夠降低材料量或者在抑制了生產(chǎn)工序的作業(yè)時間的狀態(tài)下實現(xiàn)殘影特性的改 善。
[0152] 另一方面，在與實施例2相反的燒制時間條件下，用于獲得梳齒電極基板的取向 膜的燒制時間，比用于獲得空白玻璃基板的取向膜的燒制時間短。關(guān)于比較例2,與實施例 2的燒制時間在兩基板間相同的比較例1相比殘影特性惡化。當(dāng)將其與在實施例1中說明 的機制比較時，在實施例2中，液晶分子的動作（彈性變形）大的梳齒電極基板側(cè)高效地形 成聚合物層，另一方面，在比較例2中，在空白玻璃基板側(cè)聚集光聚合性單體，所以，梳齒電 極基板側(cè)的聚合物層薄，其結(jié)果是認為，液晶分子的動作大的梳齒電極基板側(cè)的液晶分子 的取向限制力變?nèi)酰瑢堄疤匦云鸬讲焕淖饔谩?br>[0153] 實施方式2
[0154] 實施方式2的液晶顯示裝置是具有液晶單元的顯示裝置，該液晶單元中，具有有 源元件的基板的聚合物層與作為與具有有源元件的基板不同的基板的對置基板的聚合物 層相比層厚厚且/或密度大。實施方式2中，上述具有有源元件的基板的基底膜和對置基 板的基底膜的成膜條件不同。具體而言，在形成有具有有源元件的基板的基底膜之后且使 上述兩基板貼合的工序之前，將具有該有源元件的基板放置在大氣中的時間，比在形成有 對置基板的基底膜后且使上述兩基板貼合的工序之前，將該對置基板放置在大氣中的時間 長。例如，優(yōu)選將具有該有源元件的基板放置在大氣中的時間為40小時~56小時，將該對 置基板放置在大氣中的時間為16小時~32小時。另外，將具有有源元件的基板放置在大 氣中的時間和將對置基板放置在大氣中的時間之差例如優(yōu)選為18小時以上。關(guān)于上述差 的上限值例如優(yōu)選為30小時以下。由此，能夠使具有有源元件的基板的基底膜上的聚合物 層與對置基板的基底膜上的聚合物層相比層厚厚且/或密度大。在對液晶層施加的電壓在 閾值以上時，使得液晶分子彈性變形更大一側(cè)的基板的聚合物層更厚，由此能夠適當(dāng)改善 殘影。其它的實施方式2的適當(dāng)?shù)臉?gòu)成與實施方式1中上述的適當(dāng)?shù)臉?gòu)成相同。以下，表 示實際制作實施方式2的液晶顯示裝置所具有的液晶單元的實施例。
[0155] 實施例3
[0156] 圖10是實施例3的液晶單元的截面示意圖。
[0157] 實施例3中，將涂敷有與實施例1同樣調(diào)制成的聚乙烯醇肉桂溶液的梳齒電極 基板和空白玻璃基板一起在90°C下預(yù)燒制1分鐘后，將梳齒電極基板和空白玻璃基板在 230°C下燒制40分鐘。取向膜413、423的膜厚制作為100nm。照射紫外線，之后將具有取向 膜413的梳齒電極基板在空氣中放置48小時，將另一方的具有取向膜423的空白玻璃基板 放置24小時之后進行密封材料印刷、珠散布，并進行貼合。除此之外，實施例3的液晶單元 與實施例1的液晶單元同樣地制作而成。所得到的梳齒電極基板410的聚合物層415與同 時得到的空白玻璃基板420的聚合物層425相比厚且/或密度高。
[0158] 比較例3
[0159] 圖11是比較例3的液晶單元的截面示意圖。
[0160] 作為比較例3的液晶單元，對于取向膜的空氣中放置時間，為與具有取向膜513的 梳齒電極基板和具有取向膜523的空白玻璃基板相同條件的24小時，采用具有對稱的取向 膜的單元，除此之外，與實施例3的液晶單元同樣地制作而成。所得到的梳齒電極基板510 的聚合物層515為與同時得到的空白玻璃基板520的聚合物層525相同程度的厚度，為相 同程度的密度。
[0161] 比較例4
[0162] 圖12是比較例4的液晶單元的截面示意圖。
[0163] 作為比較例4,對于取向膜的空氣中放置時間，具有取向膜623的空白玻璃基板側(cè) 為48小時，具有取向膜613的梳齒電極基板側(cè)為24小時，除此之外，與實施例3的液晶單 元同樣地制作而成。所得到的梳齒電極基板610的聚合物層615與同時得到的空白玻璃基 板620的聚合物層625相比薄且/或密度低。
[0164] 圖13是表示實施例3、比較例3和比較例4的殘影率的圖表。
[0165] 作為一般的考慮方法，通過增加空氣中放置時間，利用空氣中所包含的水分進行 對聚合物中的吸濕，由此，取向膜劣化。所以，認為聚合物層的形成也受到阻礙，因此，殘影 特性惡化。但是，與一般的考慮方法相反，利用本發(fā)明能夠改善殘影特性。
[0166] 在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)取向膜的空氣中放置時間相同的情況下，聚 合性單體因光照射而被激發(fā)，在聚合后向界面移動時，向梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板 側(cè)擴散的概率相等。因此，聚合物層在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)形成有相同程度 的層厚。
[0167] 另一方面，如實施例3的方式，在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)取向膜的空 氣中放置時間不同的情況下，與放置時間相同的情況同樣，聚合性單體因光照射而被激發(fā)， 在聚合后向界面移動時，但此時，由于在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)，取向膜與液晶 的界面的狀態(tài)不同，因此擴散的概率不同，所以聚合物層在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基 板側(cè)以層厚不同的狀態(tài)形成。
[0168] 比較后的結(jié)果，能夠確認實施例3在殘影率的評價和顯示的評價（外觀的目視評 價）方面進行了改善。
[0169] 以上，與實施例1同樣，能夠在抑制了材料量的狀態(tài)下或者抑制了生產(chǎn)工序的作 業(yè)時間的情況下實現(xiàn)殘影特性的改善。
[0170] 另一方面，關(guān)于在與實施例3相反的放置時間條件下使梳齒電極基板的放置時間 比空白玻璃基板的放置時間短的比較例4,與實施例3的放置時間條件在兩基板間相同的 比較例3相比，殘影特性惡化。這被認為是，與在實施例1中說明的機制相比時，在實施例 3中，在液晶分子的動作（彈性變形）大的梳齒電極基板側(cè)高效地形成聚合物層，另一方 面，在比較例4中，光聚合性單體聚集在空白玻璃基板側(cè)，因此，梳齒電極基板側(cè)的聚合物 層薄，其結(jié)果是，液晶分子的動作大的梳齒電極基板側(cè)的液晶分子的取向限制力減弱，對殘 影特性起到不利的作用。
[0171] 實施方式3
[0172] 實施方式3的液晶顯示裝置是具有液晶單元的顯示裝置，該液晶單元中，具有有 源元件的基板的聚合物層與對置基板的聚合物層相比層厚厚且/或密度大。實施方式3 中，上述具有有源元件的基板的基底膜和與具有有源元件的基板不同的基板的基底膜的成 膜條件不同。具體而言，具有有源元件的基板的基底膜比上述對置基板的基底膜薄。例如， 優(yōu)選具有有源元件的基板的基底膜為7〇nm~90nm，對置基板的基底膜為IlOnm~130nm。 另外，具有有源元件的基板的基底膜的膜厚和對置基板的基底膜的膜厚之間的差例如優(yōu)選 為30nm以上。上述差的上限值例如優(yōu)選為50nm以下。由此，能夠使具有有源元件的基板 的基底膜上的聚合物層與對置基板的基底膜上的聚合物層相比層厚厚且/或密度大。在對 液晶層施加的電壓在閾值以上時，使液晶分子彈性變形更大一側(cè)的基板的聚合物層更厚， 由此能夠適當(dāng)改善殘影。其它的實施方式3的適當(dāng)?shù)臉?gòu)成與實施方式1中上述的適當(dāng)?shù)臉?gòu) 成相同。以下，表示實際制作實施方式3的液晶顯示裝置所具有的液晶單元的實施例。
[0173] 實施例4
[0174] 圖14是實施例4的液晶單元的截面示意圖。
[0175] 將涂敷有與實施例1同樣調(diào)制成的聚乙烯醇肉桂溶液的梳齒電極基板和空 白玻璃基板一起在90 °C下預(yù)燒制1分鐘之后，將梳齒電極基板和空白玻璃基板一起在 230°C下燒制40分鐘獲得取向膜713、723。梳齒電極基板710側(cè)的取向膜713的膜厚為 80nm(80〇A ),空白玻璃基板720側(cè)的取向膜723的膜厚為120nm( 1200A ),除此之外， 實施例4的單元與實施例1的液晶單元同樣地制作而成。所得到的梳齒電極基板710的聚 合物層715與同時得到的空白玻璃基板720的聚合物層725相比厚且/或密度高。
[0176] 比較例5
[0177] 圖15是比較例5的液晶單元的截面示意圖。
[0178] 作為比較例5，梳齒電極基板810側(cè)的取向膜813的膜厚為80nm ( 800 A )，空白玻 璃基板820側(cè)的取向膜823的膜厚為80nm( 800 A )，形成在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基 板側(cè)膜厚沒有差的液晶單元，除此之外，比較例5的液晶單元與實施例4的液晶單元同樣地 制作而成。所得到的梳齒電極基板810的聚合物層815為與同時得到的空白玻璃基板820 的聚合物層825相同程度的厚度，為相同程度的密度。
[0179] 比較例6
[0180] 圖16是比較例6的液晶單元的截面示意圖。
[0181 ] 作為比較例6,梳齒電極基板910側(cè)的取向膜913的膜厚為120nm (丨200 A )，空白 玻璃基板920側(cè)的取向膜923的膜厚為80nm( 800 A )。如上述方式在梳齒電極基板910側(cè) 和空白玻璃基板920側(cè)取向膜的膜厚之差大，并且設(shè)為與實施例4相反的條件，除此之外， 比較例6的液晶單元與實施例4的液晶單元同樣地制作而成。所得到的梳齒電極基板910 的聚合物層915與同時得到的空白玻璃基板920的聚合物層925相比薄且/或密度低。
[0182] 在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)取向膜的膜厚相同的情況下，聚合性單體因 光照射而被激發(fā)，在聚合后向界面移動時，向梳齒電極側(cè)和空白玻璃基板側(cè)擴散的概率相 同。因此，聚合物層在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)以相同程度的層厚形成。
[0183] 另一方，在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)取向膜的膜厚不同的情況下，與膜 厚相同的情況同樣，聚合性單體因光照射而被激發(fā)，在聚合后向界面移動，但是，此時，由于 在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)取向膜與液晶的界面的狀態(tài)不同，因此擴散的概率不 同，所以聚合物層在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)以層厚不同的狀態(tài)形成。
[0184] 圖17是表示實施例4、比較例5和比較例6的殘影率的圖表。
[0185] 比較后的結(jié)果，能夠確認實施例4在殘影率的評價和顯示的評價（外觀的目視評 價）方面進行了改善。
[0186] 以上，與實施例1同樣，能夠在抑制了材料量的情況下或者抑制了生產(chǎn)工序的作 業(yè)時間的情況下實現(xiàn)殘影特性的改善。
[0187] 另一方面，關(guān)于在與實施例4相反的放置時間條件下使梳齒電極基板側(cè)的取向膜 的膜厚比空白玻璃基板側(cè)的取向膜的膜厚厚的比較例6,與實施例4的放置時間條件在兩 基板間相同的比較例5相比，殘