（GC-MS : Gas Chromatograph Mass Spectrometry)、飛行時間質(zhì)譜法（TOF-SIMS:Time-〇f-Fright Secondary Ion Mass Spectrometry)等的化學分析，能夠確認取向膜的成分的解析、聚合 物層中存在的單體的成分的解析等。另外，通過STEM(Scanning Transmission Electron Microscope :掃描型透過電子顯微鏡）、SEM(Scanning Electron Microscope :掃描型電子 顯微鏡）等的顯微鏡觀察，能夠確認包含取向膜、聚合物層的液晶單元的截面形狀。以下， 表示實際制作實施方式1的液晶顯示裝置所具備的液晶單元的實施例。
[0114] 實施例1
[0115] 圖1是實施例1的液晶單元的截面示意圖。
[0116] 如圖1所不，實施例1的液晶單兀包括：作為具有有源兀件的基板的梳齒電極基板 10 ;作為與梳齒電極基板10相對的對置基板的空白玻璃基板20 ;和被夾持于由梳齒電極基 板10和空白玻璃基板20形成的一對基板間的液晶層30。梳齒電極基板10具有以玻璃為 材料的絕緣性的透明基板11，并且，具備形成在透明基板11的液晶層側(cè)的各種配線、作為 像素電極和共用電極的一對梳齒電極、和TFT等。空白玻璃基板20具有以玻璃等為材料的 絕緣性的透明基板21和形成在透明基板21的液晶層側(cè)的彩色濾光片、黑矩陣。
[0117] 在實施例1中，準備在表面設(shè)置作為透明電極的一對梳齒電極的玻璃基板（以下 也將整體稱為梳齒電極基板。）和空白玻璃基板（對置基板），利用旋涂法將作為水平取向 膜的材料的聚乙烯醇肉桂溶液涂敷在各自的基板上。梳齒電極的共用電極和像素電極彼此 大致平行地延伸并且各自形成為鋸齒狀。由此，在施加電場時的電場矢量與電極的長邊方 向大致正交，因此，形成有多疇構(gòu)造，能夠獲得良好的視野角特性。作為梳齒電極的材料使 用ΙΖ0。另外，梳齒電極的電極寬度L為3μηι，電極間距離S為9μηι。聚乙烯醇肉桂溶液是 在N-甲基-2-吡咯烷酮與乙二醇單丁基醚等量地混合而成的溶劑中溶解聚乙烯醇肉桂使 其成為整體的3質(zhì)量％而調(diào)制得到。
[0118] 在利用旋涂法涂敷聚乙烯醇肉桂溶液后，在90°C下進行一分鐘時間的預干燥，接 著，一邊進行氮氣吹掃，一邊將空白玻璃基板在230°C下燒制40分鐘獲得取向膜23,將帶梳 齒電極的玻璃基板在230°C下燒制90分鐘獲得取向膜13。所得到的取向膜13、23的膜厚 各自為IOOnm 0
[0119] 接著，對各基板的表面從各個基板的法線方向照射直線偏振光紫外線作為液晶取 向處理，使得直線偏振光紫外線在波長313nm中成為5J/cm 2。此外，此時的梳齒電極的長度 方向和偏振光方向所成的角為15°。由此，液晶分子在無施加電壓時在與偏振光紫外線的 偏振光方向大致正交的方向上具有取向性，在施加閾值以上的電壓時，在與梳齒電極的長 度方向大致正交的方向上具有取向性。
[0120] 接著，使用絲網(wǎng)版在梳齒電極基板上印刷熱固化性密封材料（HC1413EP :三井化 學社制）。并且，為了使液晶層的厚度為3. 5 μπι，而在空白玻璃基板上散布有3. 5 μπι直徑 的珠（PF-35S:日本電玻璃社制）。而且，將這兩種基板調(diào)整配置使得所照射的紫外線的偏 振光方向在各基板一致，將這兩種基板以取向膜成為單元的內(nèi)側(cè)的方式貼合。
[0121] 接著，將貼合而成的基板在0. 5kgf/cm2的壓力下進行加壓，并且，在氮氣吹掃后的 爐內(nèi)在130°C下加熱60分鐘，使密封材料固化。
[0122] 對利用以上的方法制作而成的單元在真空下注入包含液晶材料和單體的液晶組 成物。作為液晶材料，使用對市場銷售的液晶材料（MLC6610 :德國默克公司（Merck Japan) 制）100質(zhì)量％添加5質(zhì)量％的液晶性分子反式-4-丙基-4' -乙烯基-1，Γ -聯(lián)環(huán)己燒，并 且，作為液晶添加劑（單體），添加有0. 3質(zhì)量％的聚合性添加劑聯(lián)苯-4,4'-二基雙（2-甲 基丙烯酸酯）。
[0123] 注入了液晶組成物的單元的注入口用紫外線固化樹脂（ΤΒ3026Ε :三鍵公司制）封 閉，通過照射紫外線而封閉。在封閉時所照射的紫外線為365nm，像素部遮光而將紫外線的 影響盡可能消除。之后，使電極間短路，也對玻璃基板的表面進行除電處理，使得液晶取向 不被外場擾亂。
[0124] 接著，為了消除液晶分子的流動取向，將液晶單元在130°C下加熱40分鐘，進行使 液晶層為各向同性相的再取向處理。由此，能夠獲得在與向取向膜照射的紫外線的偏振光 方向垂直的方向上且在基板面內(nèi)單軸取向的液晶單元。
[0125] 接著，為了對該液晶單元進行PS處理，利用背光源（FHF32BLB:東芝公司制）照射 〇.3J/cm 2的無偏振光紫外線。由此，作為液晶添加劑的聯(lián)苯_4,4'_二基雙（2-甲基-開平 烯酸）的聚合進行。由此，獲得聚合物層15、25。所獲得的梳齒電極基板10的聚合物層15 與同時獲得的空白玻璃基板20的聚合物層25相比厚度厚且/或密度高。利用以上的方法， 制作進行了 PS處理的IPS單元，如后文所述進行殘影評價。
[0126] 圖2是表示進行光取向處理制作出的液晶單元的殘影的情形的照片。
[0127] 殘影的評價方法如以下所述。
[0128] 制作能夠施加兩個不同的電壓的區(qū)域X和區(qū)域Y，單元存在能夠施加兩個不同的 電壓的區(qū)域X和區(qū)域Y。對區(qū)域X施加方波6V、30Hz的交流電流（AC)，區(qū)域Y不施加 AC(無 任何施加）。在經(jīng)過了 6個小時之后，對兩個區(qū)域X和區(qū)域Y施加方波2V、30Hz的交流電 流，測定區(qū)域X的亮度T (X)和區(qū)域Y的T (y)。成為殘影指標的△ T (X，y) (%)如下述的式 所示。
[0129] ΔΤ(χ,γ) = (|T(x)-T(y) |/T(y)) XlOO
[0130] 比較例I
[0131] 圖3是比較例I的液晶單元的截面示意圖。
[0132] 比較例1的IPS型的液晶單元是在用于獲得取向膜113、123的燒制時間中在梳齒 電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)在相同條件的230°C下用40分鐘制作而成之外，其它與實施 例1同樣地制作而成。得到的梳齒電極基板110的聚合物層115為與同時得到的空白玻璃 基板120的聚合物層125相同程度的厚度，為相同程度的密度。
[0133] 作為一般的考慮方法，由于延長用于獲得取向膜的燒制時間，因此產(chǎn)生因熱導致 的鍵的分解。因此，認為聚合物層的形成也受到阻礙，殘影特性惡化。但是，與一般的考慮 方法相反，利用本發(fā)明，能夠改善殘影特性。
[0134] 在梳齒電極基板和空白玻璃基板用于獲得各自的取向膜的燒制時間相同的情況 下，聚合性單體因光照射而被激發(fā)，在聚合后向界面移動時，在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃 基板側(cè)相同程度移動。因此，在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)形成有相同程度的層厚、 相同程度的密度的聚合物層。
[0135] 另一方面，在實施例1的梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)用戶獲得取向膜的燒 制時間不同的情況下，與燒制時間相同的情況相同，聚合性單體因光照射而被激發(fā)，在聚合 后向界面移動，但是，此時，在梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)取向膜-液晶的界面的狀 態(tài)不同，所以，認為聚合物層在梳齒電極側(cè)和毛坯玻璃側(cè)以層厚和/或密度不同的狀態(tài)形 成。
[0136] 圖4是表示在不對液晶層施加電壓時以。"時）的、橫電場的顯示模式的液晶單元 的液晶分子的取向的不意圖。圖5是表不對液晶層施加閾值以上的電壓時（VJt)的、橫 電場的顯示模式的液晶單元的液晶分子的取向的示意圖。
[0137] 在IPS等的橫電場的顯示模式中，電極位于一側(cè)的基板，當施加電壓時梳齒電極 基板側(cè)（具有有源元件的基板側(cè)）的液晶分子LC加大動作。而且，持續(xù)施加電壓使液晶分 子LC的朝向不能返回，因此產(chǎn)生殘影。所以，為了改善殘影，需要增強梳齒電極側(cè)的取向限 制力。
[0138] 在實施例1的情況下，能夠在梳齒電極基板側(cè)有效地形成聚合物層，因此，能夠增 強梳齒電極基板側(cè)的取向限制力，能夠提高殘影特性的改善效果。
[0139] 圖6是表示實施例1和比較例1的殘影率的圖表。
[0140] 比較實施例1和比較例1的結(jié)果，能夠確認實施例1在殘影率的評價和觀看顯示 的眼睛的目視評價方面進行了改善。
[0141] 如以上所述，為了改善殘影特性，具有增加對液晶中添加的光聚合性單體的量或 者增加用于使光聚合性單體反應的紫外線照射量的方案，利用本發(fā)明，不增加對液晶中添 加的光聚合性單體的量，就能夠形成殘影特性得到有效改善的聚合物層。因此，能夠在降低 了材料量的情況下實現(xiàn)殘影特性的改善。另外，不增加用于使光聚合性單體的紫外線照射 量，就能夠形成殘影特性得到有效改善的聚合物層，因此，能夠在抑制（降低）了生產(chǎn)工序 的操作時間（周期時間）的情況下實現(xiàn)殘影特性的改善。
[0142] 實施例2
[0143] 圖7是實施例2的液晶單元的截面示意圖。
[0144] 實施例2的液晶單元，將涂敷有與實施例1同樣調(diào)制成的聚乙烯醇肉桂溶液的空 白玻璃基板和梳齒電極基板一起在90°C下預燒制1分鐘后，將空白玻璃基板在230°C下燒 制40分鐘獲得取向膜223,將梳齒電極基板在230°C下燒制180分鐘獲得取向膜213,除此 之外，與實施例1的液晶單元同樣地制作而成。所得到的梳齒電極基板210的聚合物層215 與同時得到的空白玻璃基板220的聚合物層225相比厚且/或密度高。
[0145] 比較例2
[0146] 圖8是比較例2的液晶單元的截面示意圖。
[0147] 作為比較例2,對于用于獲得取向膜的燒制時間而言，將空白玻璃基板在230°C下 燒制180分鐘獲得取向膜323,將梳齒電極基板在230°C下燒制40分鐘獲得取向膜313,除 此之外，與實施例1同樣地制作而成。所獲得的梳齒電極基板310的聚合物層315與同時 獲得的空白玻璃基板320的聚合物層325相比薄且/或密度低。
[0148] 與實施例1時同樣，用于獲得取向膜的燒制時間在兩基板不同，因此，聚合物層在 梳齒電極基板側(cè)和空白玻璃基板側(cè)以層厚和/或者密度不同的狀態(tài)形成。與實施例1相比 用于獲得梳齒電極基板的取向膜的燒制時間長的實施例2的情況下，聚合物層也形成為有 利于殘影特性的改善的狀態(tài)。
[0149] 圖9是表示實施例2、比較例1和比較例2的殘影率的圖表。
[0150] 比較實施例2和比較例1的結(jié)果，能夠確認實施例2在殘影率的評價和利用