上述基底膜為利用紫外線、可見光線或者它們雙方進(jìn)行光取向處理而得到 的光取向膜。
[0045] 優(yōu)選：上述基底膜是利用直線偏振光進(jìn)行光取向處理而得到的光取向膜。
[0046] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，一種包括液晶單元的液晶顯示裝置，該液晶單元包括一 對(duì)基板和被夾持于該一對(duì)基板間的液晶層，其中，該一對(duì)基板由具有有源元件的基板和與 該基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)置基板構(gòu)成，該具有有源元件的基板包括：形成在該具有有源元件的 基板的液晶層側(cè)的基底膜；和形成在該基底膜的液晶層側(cè)，對(duì)接近的液晶分子進(jìn)行取向控 制的聚合物層，該對(duì)置基板包括：形成在該對(duì)置基板的液晶層側(cè)的基底膜；和形成在該基 底膜的液晶層側(cè)，對(duì)接近的液晶分子進(jìn)行取向控制的聚合物層，該具有有源元件的基板的 基底膜和該對(duì)置基板的基底膜由光活性材料形成，該具有有源元件的基板的聚合物層和該 對(duì)置基板的聚合物層通過使單體聚合而得到，與該對(duì)置基板的聚合物層相比，該具有有源 元件的基板的聚合物層的層厚厚且/或密度大。
[0047] 此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置和本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，各自分開 制作兩基板的聚合物層，而能夠發(fā)揮本發(fā)明的效果，在這方面，與現(xiàn)有技術(shù)的對(duì)比中，發(fā)明 所具有的技術(shù)上的意義共通。
[0048] 優(yōu)選：本發(fā)明的液晶顯示裝置，在對(duì)液晶層施加的電壓為閾值以上時(shí)，有源矩陣基 板側(cè)的液晶分子比對(duì)置基板側(cè)的液晶分子彈性變形大。
[0049] 優(yōu)選：上述具有有源元件的基板的基底膜和該對(duì)置基板的基底膜是使接近的液晶 分子與該基底膜面實(shí)質(zhì)上平行地取向的水平取向膜。
[0050] 優(yōu)選：上述具有有源元件的基板具有像素電極和共用電極。
[0051] 優(yōu)選：上述液晶層中，在具有有源元件的基板側(cè)產(chǎn)生橫向電場(chǎng)。
[0052] 優(yōu)選：上述具有有源元件的基板的基底膜比上述對(duì)置基板的基底膜薄。
[0053] 優(yōu)選：上述具有有源元件的基板的基底膜和該對(duì)置基板的基底膜，包含具有選自 光致異構(gòu)型的官能團(tuán)、光交聯(lián)型的官能團(tuán)和光分解型的官能團(tuán)中的至少一種的化合物。
[0054] 優(yōu)選：上述液晶層含有在分子構(gòu)造中包含除苯環(huán)的共軛雙鍵以外的雙鍵的液晶分 子。
[0055] 優(yōu)選：上述雙鍵包含于烯基中。
[0056] 優(yōu)選：上述液晶層的取向型為IPS型、FFS型或者藍(lán)相型。
[0057] 利用本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法得到的液晶顯示裝置優(yōu)選的方式，與本發(fā) 明的液晶顯示裝置優(yōu)選的方式相同。
[0058] 作為本發(fā)明的液晶顯示裝置及其制造方法，只要是以這樣的構(gòu)成要素作為必須而 形成，就不被其它的構(gòu)成要素特別限定。此外，將以下記載的本發(fā)明的各個(gè)優(yōu)選方式組合2 個(gè)以上而成的方式也是本發(fā)明的優(yōu)選方式。
[0059] 發(fā)明的效果
[0060] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種通過適當(dāng)?shù)匦纬删哂蟹€(wěn)定的取向限制力的聚合物層而 將殘影充分降低的液晶顯示裝置。
【附圖說明】
[0061] 圖1是實(shí)施例1的液晶單元的截面示意圖。
[0062] 圖2是表示進(jìn)行光取向處理制作而成的液晶單元的殘影的情形的照片。
[0063] 圖3是比較例1的液晶單元的截面示意圖。
[0064] 圖4是表示不對(duì)液晶層施加電壓時(shí)的、橫電場(chǎng)的顯示模式的液晶單元的液晶分子 的取向的示意圖。
[0065] 圖5是表示對(duì)液晶層施加閾值以上的電壓時(shí)的、橫電場(chǎng)的顯示模式的液晶單元的 液晶分子的取向的示意圖。
[0066] 圖6是表不實(shí)施例1和比較例1的殘影率的圖表。
[0067] 圖7是實(shí)施例2的液晶單元的截面示意圖。
[0068] 圖8是比較例2的液晶單元的截面示意圖。
[0069] 圖9是表示實(shí)施例2、比較例1和比較例2的殘影率的圖表。
[0070] 圖10是實(shí)施例3的液晶單元的截面示意圖。
[0071] 圖11是比較例3的液晶單元的截面示意圖。
[0072] 圖12是比較例4的液晶單元的截面示意圖。
[0073] 圖13是表示實(shí)施例3、比較例3和比較例4的殘影率的圖表。
[0074] 圖14是實(shí)施例4的液晶單元的截面示意圖。
[0075] 圖15是比較例5的液晶單元的截面示意圖。
[0076] 圖16是比較例6的液晶單元的截面示意圖。
[0077] 圖17是表示實(shí)施例4、比較例5和比較例6的殘影率的圖表。
【具體實(shí)施方式】
[0078] 以下，列舉實(shí)施方式參照附圖對(duì)本發(fā)明更加詳細(xì)地進(jìn)行說明，但是本發(fā)明不僅限 于這些實(shí)施方式。殘影是指，當(dāng)對(duì)液晶單元的一部分持續(xù)施加電壓時(shí)，在之后改變顯示時(shí)， 在持續(xù)施加了電壓的部分與沒有施加電壓的部分亮度不同。此外，空白玻璃基板是與配置 有一對(duì)梳齒電極的梳齒電極基板區(qū)別表述的基板，在液晶層側(cè)具有取向膜、聚合物層。對(duì)液 晶層施加的電壓的閾值是指例如當(dāng)設(shè)定明狀態(tài)的透射率為100%時(shí)提供0. 5%的透射率的 電壓值。
[0079] 實(shí)施方式1
[0080] 實(shí)施方式1的液晶顯示裝置是包括液晶單元的顯示裝置，在該液晶單元中，與對(duì) 置基板的聚合物層相比，具有有源元件的基板的聚合物層的層厚厚且/或密度大。實(shí)施方 式1中，具有上述有源元件的基板的基底膜和與具有有源元件的基板不同的基板的基底膜 的成膜條件不同，用于獲得具有有源元件的基板的基底膜的燒制時(shí)間，比用于獲得上述對(duì) 置基板的基底膜的燒制時(shí)間長(zhǎng)。例如，優(yōu)選在對(duì)置基板中，將光活性材料燒制20分鐘~60 分鐘而獲得基底膜，在具有有源元件的基板中，將光活性材料燒制70分鐘~200分鐘而獲 得基底膜。另外，用于獲得具有有源元件的基板的基底膜的燒制時(shí)間和用于獲得對(duì)置基板 的基底膜的燒制時(shí)間的差例如優(yōu)選為30分鐘以上。更加優(yōu)選為40分鐘以上。關(guān)于上述差 的上限值例如優(yōu)選為200分鐘以下。此外，燒制溫度例如能夠?yàn)?10°C~250°C。由此，能 夠使得具有有源元件的基板的基底膜上的聚合物層與對(duì)置基板的基底膜上的聚合物層相 比層厚厚且/或密度大。由此，不用增加對(duì)液晶中添加的聚合性添加劑的量，或?yàn)榱舜龠M(jìn)添 加劑的反應(yīng)而增加紫外線照射量，就能夠發(fā)揮超過通過現(xiàn)有的PS技術(shù)得到的殘影特性的 改善效果的該效果。對(duì)液晶層施加的電壓在閾值以上時(shí)，通過使液晶分子彈性變形較大的 一側(cè)的基板的聚合物層更厚等，能夠很好地改善殘影。其中，優(yōu)選具有有源元件的基板的聚 合物層比對(duì)置基板的聚合物層的層厚厚。
[0081] 以下，對(duì)實(shí)施方式1的液晶顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)述說。實(shí)施方式1的液晶顯示裝置包 括：具有有源元件的基板；與具有有源元件的基板相對(duì)的對(duì)置基板；和被夾持于由具有有 源元件的基板和對(duì)置基板構(gòu)成的一對(duì)基板間的液晶層。具有有源元件的基板通常為有源矩 陣基板。具有有源元件的基板具有以玻璃、樹脂等為材料的絕緣性的透明基板，并且，具有 形成在透明基板的液晶層側(cè)的各種配線、像素電極（例如梳齒電極等）、TFT等。具有有源 元件的基板例如優(yōu)選具有像素電極和共用電極。另外，優(yōu)選液晶層中在具有有源元件的基 板側(cè)產(chǎn)生橫向電場(chǎng)。對(duì)置基板具有以玻璃等為材料的絕緣性的透明基板、和形成在透明基 板的液晶層側(cè)的彩色濾光片、黑矩陣、共用電極等。例如在IPS模式或者FFS模式的情況下， 僅在具有有源元件的基板形成有電極，但是，在其它的模式的等的情況下，根據(jù)需要，在具 有有源元件的基板和對(duì)置基板雙方形成有電極。在IPS模式的情況下，像素電極和共用電 極由一對(duì)梳齒電極形成，在相同層中相互交替地嚙合配置。在FFS模式的情況下，像素電極 和共用電極中的一方由梳齒電極或者帶有狹縫的電極形成，另一方成為平板狀的電極（無 開口部的面狀電極）。另外，像素電極和共用電極隔著絕緣膜配置在不同的層。此外，像素 電極和共用電極優(yōu)選為透明電極。例如，在一對(duì)基板中的一個(gè)基板具有彩色濾光片的情況 下，為了使后述的單體聚合而進(jìn)行的紫外線的照射需要從不具有彩色濾光片的另一個(gè)基板 側(cè)進(jìn)行，所以上述另一個(gè)基板所具有的電極為透明，由此，能夠有效地使單體聚合。作為電 極材料，能夠列舉氧化銦錫（ITO:Indium Tin Oxide)、氧化銦鋅（IZO:Indium Zinc Oxide) 等的透光性的材料。
[0082] 具有有源元件的基板包括：像素電極；形成在像素電極的液晶層側(cè)的作為基底膜 的取向膜；和形成在取向膜的液晶層側(cè)，對(duì)接近的液晶分子進(jìn)行取向控制的聚合物層。另 外，對(duì)置基板也包括：作為基底膜的取向膜；和形成在取向膜的液晶層側(cè)，對(duì)接近的液晶分 子進(jìn)行取向控制的聚合物層。本發(fā)明中，基底膜不僅包含具有使接近的液晶分子在一定的 方向上取向的特性的取向膜，而且還包含不進(jìn)行取向處理等而不具有取向特性的膜，但是， 例如優(yōu)選為使接近的液晶分子與該基底膜面實(shí)質(zhì)上平行地取向的水平取向膜。
[0083] 具有有源元件的基板具備取向膜（基底膜），另外，對(duì)置基板也具備取向膜（基底 膜）。取向膜為以聚酰亞胺（材料）、聚酰胺、聚乙烯醇、聚硅氧烷等為主要成分的膜，通過 形成取向膜，能夠使液晶分子在一定方向上取向。取向膜優(yōu)選由光活性材料形成，例如適合 使用包含具有光活性的官能團(tuán)的化合物的材料。
[0084] 通過在基底膜材料中使用光活性材料，例如如后述的方式對(duì)單體進(jìn)行光聚合時(shí)， 基底膜材料激發(fā)而對(duì)單體產(chǎn)生激發(fā)能量或者發(fā)生自由基的移動(dòng)，因此，能夠提高聚合物層 形成的反應(yīng)性。另外，能夠?qū)嵤┩ㄟ^照射一定條件的光來賦予取向特性的光取向處理。以 下，也將具有能夠通過光取向處理控制液晶的取向的性質(zhì)的高分子膜稱為光取向膜。
[0085] 作為上述光活性材料，能夠列舉光致變色化合物材料、色素材料、熒光材料、磷光 材料、光取向膜材料等。另外，上述光活性材料更優(yōu)選包含選自三聯(lián)苯衍射物、萘衍射物、菲 衍射物、四苯衍射物、螺吡喃衍射物、螺嘧啶（Spiro Pyrimidine)衍射物、紫精衍射物、二芳 基乙烯衍射物、蒽醌衍射物、偶氮苯衍射物、肉桂衍射物、查爾酮衍射物、肉桂酸衍射物、香 豆素衍射物、芪類衍生物和蒽衍射物中的至少一種化學(xué)構(gòu)造。此外，這些衍射物所含有的苯 環(huán)可以為雜環(huán)。在此，"衍射物"可以被特定的原子或者官能團(tuán)置換、和不僅作為1價(jià)還可作 為2價(jià)以上的官能團(tuán)被取入分子構(gòu)造中。這些衍射物可以位于聚合物主鏈的分子構(gòu)造中， 也可以位于聚合物側(cè)鎖的分子構(gòu)造中，可以是單體也可以是低聚物。具有這些光活性的官 能團(tuán)的單體或者低聚物包含于基底膜材料中（優(yōu)選3質(zhì)量％以上）的情況下，構(gòu)成基底膜 的聚合物自身可以是光不活性。構(gòu)成基底膜的聚合物，從耐熱性的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選聚硅氧烷、 聚酰胺酸或者聚酰亞胺（材料）。另外，構(gòu)成上述基底膜的聚合物可以包含環(huán)丁烷骨架。
[0086] 上述光活性材料更優(yōu)選為光取向膜材料