專利名稱：制造薄膜致動(dòng)的反射鏡陣列的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)投影系統(tǒng)，更具體地說(shuō)，涉及用于該系統(tǒng)中的M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的制造方法。
在現(xiàn)有技術(shù)中能利用的各種視頻顯示系統(tǒng)中，光學(xué)投影系統(tǒng)已知能夠提供大規(guī)模的高質(zhì)量顯示。在這種光學(xué)投影系統(tǒng)中，來(lái)自一盞燈的光線均勻地照射在諸如M×N個(gè)致動(dòng)反射鏡的一個(gè)陣列上，其中的各反射鏡是連接在各致動(dòng)器上的。這些致動(dòng)器可由一種電致移位材料制成，諸如響應(yīng)作用在其上的電場(chǎng)而變形的壓電或電致伸縮的材料。
從各反射鏡反射的光束入射在諸如一塊遮光板的一個(gè)小孔中。通過(guò)在各致動(dòng)器上作用一個(gè)電信號(hào)，便可改變各反射鏡對(duì)入射光束的相對(duì)位置，從而導(dǎo)致從各反射鏡反射的光束的光徑的偏移。隨著各反射光束的光徑的變化，各反射鏡反射的通過(guò)小孔的光量產(chǎn)生了變化，借此調(diào)制了光束的強(qiáng)度。將通過(guò)小孔調(diào)制的光束經(jīng)由諸如投影透鏡等適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)器件透射到一塊投影屏幕上，便在其上面顯示出一個(gè)圖象。
圖1A至1G中，示出了用于制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡101的一個(gè)陣列100的步驟，其中M與N為整數(shù)，這一方法公開(kāi)在名為“薄膜致動(dòng)的反射鏡陣列”的未授權(quán)并為本申請(qǐng)人所擁有的08/430,628號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)中。
制造陣列100的工藝從制備具有一個(gè)上表面并包括一塊基板12、M×N個(gè)晶體管的一個(gè)陣列(未示出)及M×N個(gè)連接端14的一個(gè)陣列的有源矩陣10開(kāi)始。
在隨后的步驟中，當(dāng)薄膜待除層24是由金屬制成時(shí)用真空噴鍍或蒸發(fā)法，當(dāng)薄膜待除層24是由硅酸磷玻璃(PSG)制成時(shí)用化學(xué)汽相淀積(CVD)或旋涂法，而當(dāng)薄膜待除層24是由多晶硅制成時(shí)則用CVD法，在有源矩陣10的上表面上形成一個(gè)薄膜待除層24。
此后，形成一個(gè)由該薄膜待除層24包圍的包含M×N個(gè)支承件22的陣列的支承層20，其中該支承層20是用下述方法形成的用光刻法在薄膜待除層24上形成M×N個(gè)空槽的一個(gè)陣列(未示出)，各該空槽位于連接端14周圍，以及用真空噴鍍或CVD法在位于連接端14周圍的各空槽中構(gòu)成支承件22，如圖1A所示。支承件22是用絕緣材料制成的。
在下一步驟中，用Sol-Gel(溶膠-凝膠)、真空噴鍍或CVD法在支承層20上方形成與支承件22的材料相同的絕緣材料制成的一個(gè)彈性層30。
隨后，用下述方法在各支承件22中形成由金屬制成的一個(gè)導(dǎo)管26用蝕刻法首先制成M×N個(gè)孔的一個(gè)陣列(未示出)，各孔從彈性層30的頂面延伸到連接端14的頂面；然后在其中填充金屬?gòu)亩纬蓪?dǎo)管26，如圖1B中所示。
在下一步驟中，用真空噴鍍法在包含導(dǎo)管26的彈性層30頂部形成由導(dǎo)電材料制成的第二薄膜層40。第二薄膜層40通過(guò)形成在支承件22中的導(dǎo)管26電連接在晶體管上。
然后用真空噴鍍法、CVD法或Sol-Gel法在第二薄膜層40的頂部形成由諸如鈦酸鉛鋯(PZT)等壓電材料制成的一個(gè)薄膜電致移位層50，如圖1C中所示。
在下一步驟中，用光刻或激光修剪法將薄膜電致移位層50、第二薄膜層40及彈性層30制成M×N個(gè)薄膜電致移位件55的一個(gè)陣列、M×N個(gè)第二薄膜電極45的一個(gè)陣列及M×N個(gè)彈性件35的一個(gè)陣列的圖案，直到支承層20被暴露出為止，如圖1D中所示。各該第二薄膜電極45通過(guò)形成在各支承件22中的導(dǎo)管26電連接在晶體管上，并作為薄膜致動(dòng)的反射鏡101中的一個(gè)信號(hào)電極工作。
接著，在高溫下，例如對(duì)于PZT為650攝氏度左右，熱處理各薄膜電致移位件55以使其產(chǎn)生相變，而借此形成M×N個(gè)經(jīng)過(guò)熱處理的結(jié)構(gòu)(未示出)的一個(gè)陣列。由于各經(jīng)過(guò)熱處理的薄膜電致移位件55是充分薄的，在它是用壓電材料制成的情況中，沒(méi)有必要推撐它因?yàn)樵诒∧ぶ聞?dòng)的反射鏡101的操作期間它能被所作用的電信號(hào)推撐。
上述步驟之后，用下述方法在M×N個(gè)經(jīng)過(guò)熱處理的結(jié)構(gòu)的陣列中的薄膜電致移位件55的頂部構(gòu)成由一種導(dǎo)電與反光的材料制成的M×N個(gè)第一薄膜電極65的一個(gè)陣列首先用真空噴鍍法形成完全覆蓋包含暴露的支承層20在內(nèi)的M×N個(gè)經(jīng)過(guò)熱處理的結(jié)構(gòu)的陣列的頂部的、用導(dǎo)電與反光材料制成的一個(gè)層60，如圖1E中所示；然后用蝕刻法有選擇地去掉該層60，獲得M×N個(gè)致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)111的一個(gè)陣列110，其中各該致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)111包含一個(gè)頂部表面及四個(gè)側(cè)面，如圖1F中所示。各第一薄膜電極65作為一塊反射鏡及薄膜致動(dòng)的反射鏡101中的一個(gè)偏壓電極工作。
在上一步驟后面，用一個(gè)薄膜保護(hù)層(未示出)完全覆蓋各該致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)111中的頂部表面及四個(gè)側(cè)面。
然后用蝕法刻去掉支承層20中的薄膜待除層24。最后去掉薄膜保護(hù)層，從而構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡101的陣列100，如圖1G中所示。
上述用于制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡101的陣列100的方法具有很多缺陷，首先并且最主要的問(wèn)題是，用于去除薄膜待除層24和薄膜保護(hù)層時(shí)所使用的蝕刻劑的去掉方面，除去這種蝕刻劑使用的是清洗劑，而這些清洗劑是利用蒸發(fā)法去掉的。但是，在去掉清洗劑的過(guò)程中，清洗劑的表面張力會(huì)將彈性件35向下拉向有源矩陣10，而導(dǎo)致彈性件35粘到有源矩陣10上。這將損壞薄膜致動(dòng)的反射鏡101的一體性并且使其性能下降，并會(huì)進(jìn)一步損害到薄膜致動(dòng)的反射鏡101的陣列100的所有性能。
因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種能在光學(xué)投影系統(tǒng)中使用的、在清洗劑的去掉過(guò)程中彈性件不會(huì)粘到有源矩陣上的M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的一個(gè)陣列的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)特點(diǎn)，本發(fā)明提出一種用于制造光學(xué)投影系統(tǒng)中的M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列的方法，其中M、N為整數(shù)；該方法包括如下步驟制備一個(gè)包含一個(gè)基板、M×N個(gè)連接端的一個(gè)陣列及M×N個(gè)晶體管的一個(gè)陣列的有源矩陣，其中各該連接端電連接在晶體管陣列中一個(gè)對(duì)應(yīng)的晶體管上；
在該有源矩陣的頂部淀積一個(gè)薄膜待除層；在薄膜待除層上形成M×N個(gè)空槽的一個(gè)陣列，各該空槽位于連接端的頂部周圍；在薄膜待除層的頂部淀積一個(gè)由絕緣材料構(gòu)成的彈性層同時(shí)使其填在所述空槽中；在各彈性層中構(gòu)成M×N個(gè)導(dǎo)管的一個(gè)陣列，各該導(dǎo)管從彈性層的頂部延伸到一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接端的頂部；在包含導(dǎo)管的彈性層的頂部淀積一個(gè)第二薄膜層、一個(gè)薄膜電致移位層和一個(gè)第一薄膜層，其中第二薄膜層由導(dǎo)電材料構(gòu)成，第一薄膜層由導(dǎo)電并反光的材料構(gòu)成；將第一薄膜層、薄膜電致移位層和第二薄膜層分別制成M×N個(gè)第一薄膜電極、M×N個(gè)薄膜電致移位件的一個(gè)陣列和M×N個(gè)第二薄膜電極的一個(gè)陣列的圖案，直到使彈性層暴露出來(lái)，籍此，構(gòu)成M×N個(gè)半致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)的一個(gè)陣列，各半致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)包括第一薄膜電極、薄膜電致移位件和第二薄膜電極；其中第二薄膜電極通過(guò)導(dǎo)管和連接端電連接到對(duì)應(yīng)的晶體管上，并作為薄膜致動(dòng)的反射鏡中的一個(gè)信號(hào)電極工作，第一薄膜電極作為一塊反射鏡及各薄膜致動(dòng)的反射鏡中的一個(gè)偏壓電極工作；將彈性層在縱向上制成M個(gè)偽彈性件的圖案，直到薄膜待除層暴露出來(lái)，M個(gè)偽彈性件中的每一個(gè)均具有N個(gè)橋形部；制成一個(gè)薄膜保護(hù)層，以將每一個(gè)半致動(dòng)反射鏡結(jié)構(gòu)完全覆蓋起來(lái)；將薄膜待除層去除，從而構(gòu)成多個(gè)驅(qū)動(dòng)空間；將薄膜保護(hù)層去除；以及將M個(gè)偽彈性件在橫向上制成M×N個(gè)彈性件的陣列的圖案，從而構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方案，提出一種用于制造光學(xué)投影系統(tǒng)中的M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列的方法，其中M、N為整數(shù)；該方法包括如下步驟制備一個(gè)包含一個(gè)基板、M×N個(gè)連接端的一個(gè)陣列及M×N個(gè)晶體管的一個(gè)陣列的有源矩陣，其中各該連接端電連接在晶體管陣列中一個(gè)對(duì)應(yīng)的晶體管上；在該有源矩陣的頂部淀積一個(gè)薄膜待除層；在薄膜待除層上形成M×N個(gè)空槽的一個(gè)陣列，各該空槽位于連接端的頂部周圍；在包括該空槽的薄膜待除層的頂部淀積一層由絕緣材料構(gòu)成的彈性層；在各彈性層中構(gòu)成M×N個(gè)導(dǎo)管的一個(gè)陣列，各該導(dǎo)管從彈性層的頂部延伸到一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接端的頂部；在包含導(dǎo)管的彈性層的頂部淀積一個(gè)第二薄膜層、一個(gè)薄膜電致移位層和第一薄膜層，其中第二薄膜層由導(dǎo)電材料構(gòu)成，第一薄膜層由導(dǎo)電并反光的材料構(gòu)成；將第一薄膜層、薄膜電致移位件、第二薄膜層和彈性層制成M×N個(gè)第一薄膜電極的一個(gè)陣列、M×N個(gè)薄膜電致移位件的一個(gè)陣列、M×N個(gè)第二薄膜電極的一個(gè)陣列和M×N個(gè)彈性件的一個(gè)陣列的圖案，直到使薄膜待除層和有源矩陣的多個(gè)部分暴露出來(lái)，籍此，構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)的一個(gè)陣列；各薄膜致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)包括第一薄膜電極、薄膜電致移位件、第二薄膜電極和彈性件，其中，第二薄膜電極通過(guò)導(dǎo)管和連接端電連接到對(duì)應(yīng)的晶體管上，并作為各薄膜致動(dòng)的反射鏡中的一個(gè)信號(hào)電極工作，第一薄膜電極作為一塊反射鏡及各薄膜致動(dòng)的反射鏡中的一個(gè)偏壓電極工作；構(gòu)成一個(gè)薄膜保護(hù)層，以將包括薄膜待除層和有源矩陣的暴露部分的致動(dòng)反射鏡結(jié)構(gòu)完全覆蓋起來(lái)；將薄膜保護(hù)層在縱向上制成M個(gè)偽薄膜保護(hù)件的圖案，直到薄膜待除層暴露出來(lái)；將薄膜待除層去除，從而構(gòu)成一個(gè)驅(qū)動(dòng)空間；將M個(gè)偽薄膜保護(hù)層去除，籍此，構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的一個(gè)陣列。
從下面結(jié)合附圖給出的對(duì)較佳實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的上述及其它目的與特征將是顯而易見(jiàn)的，附圖中圖1A至1G為展示以前公開(kāi)的制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的一個(gè)陣列的方法的示意性剖視圖；圖2A至2F是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列的一種方法的示意性剖視圖；圖3A至3D是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的用于制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列的一種方法的示意性剖視圖。
圖2A至圖2F和圖3A至圖3D分別是根據(jù)本發(fā)明的制造用于光學(xué)投影系統(tǒng)中的M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡301的一個(gè)陣列300的一種方法的示意性剖視圖；其中M、N為整數(shù)。應(yīng)該指出，出現(xiàn)在圖2A至圖2F和圖3A至圖3D中的相同部件是用相同的參照標(biāo)號(hào)表示的。
圖2A至2F是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡301的一個(gè)陣列300的一種方法的示意性剖視圖。
制造陣列300的方法從制備一個(gè)包含一個(gè)基板212、M×N個(gè)連接端214的一個(gè)陣列和M×N個(gè)晶體管的一個(gè)陣列(未示出)的有源矩陣210開(kāi)始，其中各該連接端214電連接在晶體管陣列中一個(gè)對(duì)應(yīng)的晶體管上。
在下一步驟中，在該有源矩陣210的頂部構(gòu)成厚度為0.1-2μm的、由諸如金屬銅(Cu)或鎳(Ni)、硅酸磷玻璃(PSG)或多晶硅制成的一個(gè)薄膜待除層224。如果該薄膜待除層224是用金屬制成的，則用真空噴鍍或蒸發(fā)法形成該薄膜待除層224；如果該薄膜待除層224是用PSG制成的，則用化學(xué)汽相淀積(CVD)法或旋涂法；而如果該薄膜待除層224是用多晶硅制成的，則用CVD法。
然后，用光刻法在薄膜待除層224中形成M×N個(gè)空槽的一個(gè)陣列(未示出)，各該空槽位于連接端214的頂部周圍。
隨后，用蒸發(fā)法、真空噴鍍或CVD法在薄膜待除層224的頂部淀積一層厚度為0.1-2μm的、由例如氮化硅絕緣材料構(gòu)成的彈性層230，同時(shí)使該彈性層填在空槽中。
此后，在各彈性層230中構(gòu)成一個(gè)用諸如金屬鋁(Al)或鎢(W)構(gòu)成的M×N個(gè)導(dǎo)管226的一個(gè)陣列。各該導(dǎo)管226用下述方法構(gòu)成首先用蝕刻法形成M×N個(gè)孔的一個(gè)陣列(未示出)，各孔從彈性層230的頂部延伸到一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接端214的頂部；然后用諸如真空噴鍍或CVD法在其中填充金屬，如圖2A中所示。
然后，用真空噴鍍或真空蒸發(fā)法在包含導(dǎo)管226的彈性層230的頂部形成厚度為0.1-2μm的、用諸如鉑(Pt)或鉑/鈦(Pt/Ti)等導(dǎo)電材料制成的一個(gè)第二薄膜層240。
接著，用蒸發(fā)法、真空噴鍍法或Sol-Gel法在第二薄膜層240的頂部形成厚度為0.1-2μm的用諸如鈦酸鉛鋯(PZT)等壓電材料或諸如鈮酸鉛鎂(PMN)等電致伸縮的材料制成的一個(gè)薄膜電致移位層250。然后熱處理該薄膜電致移位層250以使之產(chǎn)生相變。
在隨后的步驟中，用真空蒸發(fā)法或真空噴鍍法在第一薄膜電致移位層250的頂部淀積一層厚度為0.1-2μm的用諸如金屬鋁(Al)或銀(Ag)等導(dǎo)電并反光材料制成的第一薄膜層260，如圖2B所示。
在上述步驟之后，利用光刻法或激光修剪法分別將第一薄膜層260、薄膜電致移位層250和第二薄膜層240制成M×N個(gè)第一薄膜電極265的一個(gè)陣列、M×N個(gè)薄膜電致移位件255的一個(gè)陣列和M×N個(gè)第二薄膜電極245的一個(gè)陣列的圖案，直到使彈性層230暴露出來(lái)，籍此，構(gòu)成M×N個(gè)半致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)321的一個(gè)陣列。各半致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)321包括第一薄膜電極265、薄膜電致移位件255和第二薄膜電極245。第二薄膜電極245通過(guò)導(dǎo)管226和連接端214電連接到對(duì)應(yīng)的晶體管上，并作為各薄膜致動(dòng)的反射鏡301中的一個(gè)信號(hào)電極工作。第一薄膜電極265作為一塊反射鏡及各薄膜致動(dòng)的反射鏡301中的一個(gè)偏壓電極工作。
由于各薄膜電致移位件255是充分薄的，在它是用壓電材料制成的情況下，沒(méi)有必要推撐(pole)它因?yàn)樵诒∧ぶ聞?dòng)的反射鏡301的工作期間它能被所作用的電信號(hào)推撐。
在隨后的步驟中，利用光刻法或激光修剪法，彈性層230在縱向上被制成M個(gè)偽彈性件233的圖案，直到薄膜待除層224暴露出來(lái)，如圖2C所示。M個(gè)偽彈性件233中的每一個(gè)均具有N個(gè)橋形部。
隨后的步驟是，用一個(gè)薄膜保護(hù)層270將每一個(gè)半致動(dòng)反射鏡結(jié)構(gòu)321完全覆蓋起來(lái)，如圖2D所示。
然后，利用蝕刻劑或其他化學(xué)試劑，將薄膜待除層224去掉，從而構(gòu)成驅(qū)動(dòng)空間280。用于去掉薄膜待除層224的蝕刻劑或化學(xué)試劑由清洗劑去除，然后再將清洗劑去掉。
接著，薄膜保護(hù)層270用一種化學(xué)試劑去除，如圖2E所示。用于去掉薄膜保護(hù)層270的化學(xué)試劑由清洗劑去除，然后再將清洗劑去掉。
最后，利用蝕刻法，例如反應(yīng)離子蝕刻法(reaction ion etching method)，M個(gè)偽彈性件233在橫向上被制成M×N個(gè)彈性件235的一個(gè)陣列的圖案，從而構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡301的一個(gè)陣列300，如圖2F所示。
與制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡101的陣列100的方法相反，在本發(fā)明的方法中，由于在除去清洗劑的過(guò)程中，半致動(dòng)反射鏡結(jié)構(gòu)321由M個(gè)偽彈性件233所支持，M個(gè)偽彈性件233中的每一個(gè)均具有N個(gè)橋形部，彈性件235不會(huì)由于清洗劑的表面張力而粘到有源矩陣210上，從而，提高了薄膜致動(dòng)的反射鏡301的一體性并且使其性能提高，并進(jìn)而提高了薄膜致動(dòng)的反射鏡301的陣列300的整個(gè)性能。
圖3A至3D是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的用于制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡301的陣列300的一種方法的示意性剖視圖。
如圖2B所示，在淀積完第一薄膜層260后，利用光刻法或激光修剪法分別將第一薄膜層260、薄膜電致移位層250、第二薄膜層240和彈性層230制成M×N個(gè)第一薄膜電極265的一個(gè)陣列、M×N個(gè)薄膜電致移位件255的一個(gè)陣列、M×N個(gè)第二薄膜電極245的一個(gè)陣列和M×N個(gè)彈性件235的一個(gè)陣列的圖案，直到使薄膜待除層224和有源矩陣210的多個(gè)部分暴露出來(lái)，籍此，構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)311的一個(gè)陣列310，如圖3A所示。
隨后的步驟是，用由光致抗蝕劑構(gòu)成的薄膜保護(hù)層(未示)將包括薄膜待除層224和有源矩陣210的的暴露部分的致動(dòng)反射鏡結(jié)構(gòu)311完全覆蓋起來(lái)。
在隨后的步驟中，利用光刻法，薄膜保護(hù)層在縱向上被制成M個(gè)偽薄膜保護(hù)件275的圖案，直到薄膜待除層224暴露出來(lái)，如圖3B所示。
然后，利用蝕刻劑或其他化學(xué)試劑，將薄膜待除層224去掉，從而構(gòu)成一個(gè)驅(qū)動(dòng)空間280，如圖3C所示。用于去掉薄膜待除層224的蝕刻劑或其他化學(xué)試劑由清洗劑清洗掉，然后再將清洗劑去掉。
在隨后的步驟中，利用蝕刻法，例如等離子體蝕刻法將M個(gè)偽薄膜保護(hù)層275去掉或灼燒掉，籍此，構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡301的一個(gè)陣列300，如圖3D所示。
在上述用于制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡301的陣列300的方法中，由于在去除清洗劑的過(guò)程中，致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)311由M個(gè)偽薄膜保護(hù)件275所支持，彈性件235不會(huì)粘到有源矩陣210上，從而，提高了薄膜致動(dòng)的反射鏡301的一體性及其性能，并進(jìn)而提高了薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列300的整個(gè)性能。
雖然上面已相對(duì)于一定的較佳實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是，還可以作出其它修正與變型而不脫離下述權(quán)利要求書(shū)中所限定的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于制造光學(xué)投影系統(tǒng)中的M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的一個(gè)陣列的方法，其中M、N為整數(shù)；其特征在于，該方法包括如下步驟制備一個(gè)包含一個(gè)基板、M×N個(gè)連接端的一個(gè)陣列及M×N個(gè)晶體管的一個(gè)陣列的有源矩陣，其中各該連接端電連接在晶體管陣列中一個(gè)對(duì)應(yīng)的晶體管上；在該有源矩陣的頂部淀積一個(gè)薄膜待除層；在薄膜待除層上形成M×N個(gè)空槽的一個(gè)陣列，各該空槽位于連接端的頂部周圍；在薄膜待除層的頂部淀積一個(gè)由絕緣材料構(gòu)成的彈性層同時(shí)使其填在所述空槽中；在各彈性層中構(gòu)成M×N個(gè)導(dǎo)管的一個(gè)陣列，各該導(dǎo)管從彈性層的頂部延伸到一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接端的頂部；在包含導(dǎo)管的彈性層的頂部淀積一個(gè)第二薄膜層、一個(gè)薄膜電致移位層和一個(gè)第一薄膜層，其中第二薄膜層由導(dǎo)電材料構(gòu)成，第一薄膜層由導(dǎo)電并反光的材料構(gòu)成；將第一薄膜層、薄膜電致移位層和第二薄膜層分別制成M×N個(gè)第一薄膜電極的一個(gè)陣列、M×N個(gè)薄膜電致移位件的一個(gè)陣列和M×N個(gè)第二薄膜電極的一個(gè)陣列的圖案，直到使彈性層暴露出來(lái)，籍此，構(gòu)成M×N個(gè)半致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)的一個(gè)陣列，各半致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)包括第一薄膜電極、薄膜電致移位件和第二薄膜電極；其中第二薄膜電極通過(guò)導(dǎo)管和連接端電連接到對(duì)應(yīng)的晶體管上，并作為薄膜致動(dòng)的反射鏡中的一個(gè)信號(hào)電極工作，第一薄膜電極作為一塊反射鏡及各薄膜致動(dòng)的反射鏡中的一個(gè)偏壓電極工作；將彈性層在縱向上制成M個(gè)偽彈性件的圖案，直到薄膜待除層暴露出來(lái)，M個(gè)偽彈性件中的每一個(gè)均具有N個(gè)橋形部；制成一個(gè)薄膜保護(hù)層，以將每一個(gè)半致動(dòng)反射鏡結(jié)構(gòu)完全覆蓋起來(lái)；將薄膜待除層去除，從而構(gòu)成多個(gè)驅(qū)動(dòng)空間；將薄膜保護(hù)層去除；以及將M個(gè)偽彈性件在橫向上制成M×N個(gè)彈性件的陣列的圖案，從而構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，利用光刻法，彈性層被制成M個(gè)偽彈性件的圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，利用激光修剪法，彈性層被制成M個(gè)偽彈性件的圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，利用反應(yīng)離子蝕刻法，M個(gè)偽彈性件在橫向上被制成M×N個(gè)彈性件的陣列的圖案。
5.一種用于制造光學(xué)投影系統(tǒng)中的M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列的方法，其中M、N為整數(shù)；其特征在于，該方法包括如下步驟制備一個(gè)包含一個(gè)基板、M×N個(gè)連接端的一個(gè)陣列及M×N個(gè)晶體管的一個(gè)陣列的有源矩陣，其中各該連接端電連接在晶體管陣列中一個(gè)對(duì)應(yīng)的晶體管上；在該有源矩陣的頂部淀積一個(gè)薄膜待除層；在薄膜待除層上形成M×N個(gè)空槽的一個(gè)陣列，各該空槽位于連接端的頂部周圍；在包括該空槽的薄膜待除層的頂部淀積一層由絕緣材料構(gòu)成的彈性層；在各彈性層中構(gòu)成M×N個(gè)導(dǎo)管的一個(gè)陣列，各該導(dǎo)管從彈性層的頂部延伸到一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接端的頂部；在包含導(dǎo)管的彈性層的頂部淀積一個(gè)第二薄膜層、一個(gè)薄膜電致移位層和一個(gè)第一薄膜層，其中第二薄膜層由導(dǎo)電材料構(gòu)成，第一薄膜層由導(dǎo)電并反光的材料構(gòu)成；將第一薄膜層、薄膜電致移位件、第二薄膜層和彈性層制成M×N個(gè)第一薄膜電極的一個(gè)陣列、M×N個(gè)薄膜電致移位件的一個(gè)陣列、M×N個(gè)第二薄膜電極的一個(gè)陣列和M×N個(gè)彈性件的一個(gè)陣列的圖案，直到使薄膜待除層和有源矩陣的多個(gè)部分暴露出來(lái)，籍此，構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)的一個(gè)陣列；各薄膜致動(dòng)的反射鏡結(jié)構(gòu)包括第一薄膜電極、薄膜電致移位件、第二薄膜電極和彈性件，其中，第二薄膜電極通過(guò)導(dǎo)管和連接端電連接到對(duì)應(yīng)的晶體管上，并作為各薄膜致動(dòng)的反射鏡中的一個(gè)信號(hào)電極工作，第一薄膜電極作為一塊反射鏡及各薄膜致動(dòng)的反射鏡中的一個(gè)偏壓電極工作；構(gòu)成一個(gè)薄膜保護(hù)層，以將包括薄膜待除層和有源矩陣的暴露部分的致動(dòng)反射鏡結(jié)構(gòu)完全覆蓋起來(lái)；將薄膜保護(hù)層在縱向上制成M個(gè)偽薄膜保護(hù)件的圖案，直到薄膜待除層暴露出來(lái)；將薄膜待除層去除，從而構(gòu)成一個(gè)驅(qū)動(dòng)空間；將M個(gè)偽薄膜保護(hù)件去除，籍此，構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的一個(gè)陣列。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該薄膜保護(hù)層由光致抗蝕劑構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，利用光刻法，薄膜保護(hù)層被制成M個(gè)偽薄膜保護(hù)件的圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，利用灼燒法，將M個(gè)偽薄膜保護(hù)件除去。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，利用等離子體蝕刻法，將M個(gè)偽薄膜保護(hù)件除去。
全文摘要
一種用于制造M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列的方法，包括如下步驟制備有源矩陣，在彈性層頂部依次淀積薄膜待除層、彈性層、第二薄膜層、薄膜電致移位層和第一薄膜層，將第一薄膜層、薄膜電致移位層和第二薄膜層分別制成M×N個(gè)第一薄膜電極的一個(gè)陣列、M×N個(gè)薄膜電致移位件的一個(gè)陣列和M×N個(gè)第二薄膜電極的一個(gè)陣列的圖案，將彈性層在縱向上制成M個(gè)偽彈性件的圖案，制成一個(gè)薄膜保護(hù)層，將薄膜待除層和薄膜保護(hù)層去除，以及將M個(gè)偽彈性件制成M×N個(gè)彈性件的陣列的圖案，從而構(gòu)成M×N個(gè)薄膜致動(dòng)的反射鏡的陣列。
文檔編號(hào)G02B7/18GK1160220SQ9610515
公開(kāi)日1997年9月24日 申請(qǐng)日期1996年5月9日 優(yōu)先權(quán)日1995年5月26日
發(fā)明者崔詠畯 申請(qǐng)人:大宇電子株式會(huì)社