專利名稱:母模、母模制造方法，以及利用其制造液晶顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及軟刻印法(soft-lithography)中使用的母模、母模制造方法，以及利用其制造液晶顯示裝置的方法。更具體地說，本發(fā)明涉及利用其可以降低制造工序期間出現(xiàn)缺陷的比率的母模、母模制造方法，以及利用其制造液晶顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示(LCD)裝置是一種平板顯示裝置，并且日益用于可視信息傳輸介質(zhì)中。因此，正在開發(fā)各種類型的LCD裝置。LCD裝置因其功耗量低、結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕、以及優(yōu)異的圖像品質(zhì)而成為所希望的。
LCD裝置還被大量生產(chǎn)，以用于諸如電視機(jī)、交通工具導(dǎo)航系統(tǒng)以及計(jì)算機(jī)監(jiān)視器的各種應(yīng)用中。LCD裝置還被認(rèn)為是陰極射線管(CRT)的替代品。
通常，LCD裝置基于圖像信息向按矩陣排列的液晶單元提供數(shù)據(jù)信號。由此，通過調(diào)節(jié)液晶單元的透光率來顯示希望的圖像。
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置的分解圖，下面，對LCD裝置的示意構(gòu)造進(jìn)行解釋。
如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置包括作為上基板的濾色器基板113、作為下基板的薄膜晶體管(TFT)陣列基板101，以及液晶層109。
濾色器基板113包括多個濾色器117、設(shè)置在各濾色器117之間的黑底(BM)115，以及形成在濾色器基板113的下側(cè)的公共電極111。
TFT陣列基板101包括形成在各像素區(qū)P中的像素電極107、用作開關(guān)器件的多個TFT、多條選通線103以及多條數(shù)據(jù)線105。TFT按矩陣形成在選通線103和數(shù)據(jù)線105的各交叉處。像素區(qū)P形成在選通線103與數(shù)據(jù)線105之間的各區(qū)域處。像素電極107可以是透明導(dǎo)電層。
液晶層109形成在濾色器基板113與TFT陣列基板101之間，并且包括具有有關(guān)光學(xué)折射率的光學(xué)各向異性的液晶材料。
LCD裝置還可以包括與LCD板的上基板和下基板的表面相接觸的偏光器(未示出)。偏光器的位于下基板上的下部可以包括具有燈和光學(xué)片的背光單元(未示出)。LCD裝置還可以包括支承LCD板的頂殼和底殼(未示出)。
圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置中的現(xiàn)有技術(shù)TFT陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置的TFT陣列基板被構(gòu)成為，在基板201上形成有柵電極203。在柵電極203上順序地淀積了柵極絕緣層205、有源層圖案207以及歐姆接觸層209a和209b，使得絕緣層205置于柵電極203與有源層圖案207之間。
在歐姆接觸層209a和209b上，可以按部分地或整體地與歐姆接觸層209a和209b交疊的方式，形成源電極211a和漏電極211b。
在源電極211a和漏電極211b上按部分地暴露漏電極211b的方式形成有中間層213。在中間層213上形成有透明像素電極215，并使其連接到暴露的漏電極211b。
具有這種構(gòu)造的現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置的制造工序需要形成各種圖案。在工序中通常使用光刻技術(shù)。
下面，參照圖3A到3G，對利用現(xiàn)有技術(shù)光刻技術(shù)制造現(xiàn)有技術(shù)TFT陣列基板的方法進(jìn)行解釋。
如圖3A、3B以及3C所示，在絕緣基板301(例如，玻璃)上形成第一金屬層303a(例如，鋁(Al))，并且使用光刻技術(shù)來形成柵電極303。
可以按如下方式執(zhí)行光刻技術(shù)，即，在第一金屬層303a上涂敷光致抗蝕劑，以形成光致抗蝕劑層305a。接著，利用第一光掩模307執(zhí)行曝光工序。如圖3A所示，第一光掩模307包括透射區(qū)A和遮擋區(qū)B。通過透射區(qū)A透射的光使光致抗蝕劑層305a曝光并發(fā)生化學(xué)變化。光致抗蝕劑層305a的化學(xué)變化隨光致抗蝕劑材料的類型而不同。通過顯影液去除正性光致抗蝕劑材料的曝光部分，而通過顯影液去除負(fù)性光致抗蝕劑材料的非曝光部分。如圖所示，使用了正性光致抗蝕劑。
當(dāng)通過顯影液去除了光致抗蝕劑305a的曝光部分時，如圖3B所示，在第一金屬層303a上形成了光致抗蝕劑圖案305。利用光致抗蝕劑圖案305作為掩模來刻蝕第一金屬層303a。在去除剩余的光致抗蝕劑圖案305后，如圖3C所示，形成了具有光致抗蝕劑圖案305的形狀的柵電極303。
如圖3D所示，可以在包括柵電極303的基板301上形成柵極絕緣層309，接著在柵極絕緣層309上順序形成有源層圖案311和歐姆接觸層313。柵極絕緣層309可以由二氧化硅(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。有源層圖案311可以由純非晶硅形成，而歐姆接觸層313可以由其中摻雜了雜質(zhì)的非晶硅形成。接著，利用在形成柵電極303中使用的光刻技術(shù)對有源層圖案311和歐姆接觸層313進(jìn)行構(gòu)圖。這里，在光刻技術(shù)中使用了第二光掩模(未示出)。由此形成了歐姆接觸圖案313a和313b。
如圖3E所示，形成源電極315a和漏電極315b。在這個工序中，在包括有源層圖案311和歐姆接觸圖案313a和313b的基板301上形成了諸如鋁(Al)或鉬(Mo)的第二金屬層。接著，利用第三光掩模(未示出)在第二金屬層上執(zhí)行光刻技術(shù)。結(jié)果，在相互隔開一間隔的歐姆接觸圖案313a和313b上形成了源電極315a和漏電極315b。
如圖3F所示，在包括源電極315a和漏電極315b的基板301上形成中間層317。在中間層317上形成接觸孔319，該接觸孔319部分地暴露下面的漏電極315b。使用了光刻技術(shù)和第四光掩模(未示出)，來形成接觸孔319。
如圖3G所示，在中間層317上形成像素電極321。像素電極321可以由諸如銦錫氧化物或銦鋅氧化物的透明導(dǎo)電層制成。使用光刻技術(shù)，來對透明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成像素電極321。像素電極321可以經(jīng)由形成在中間層317上的接觸孔319連接至漏電極315b。
由此，利用上述工序來制造現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置中包括的現(xiàn)有技術(shù)TFT陣列基板。在所有工序中，使用了五次光刻技術(shù)，即，在形成柵電極303的過程中、接著在形成歐姆接觸圖案313a和313b的過程中、接著在形成源電極315a和漏電極315b的過程中、接著在形成接觸孔319的過程中，以及最后在形成像素電極321的過程中。
然而，光刻技術(shù)需要昂貴的光掩模和諸如曝光和顯影工序的復(fù)雜工序。因而，導(dǎo)致過多的加工成本。而且，難以管理LCD裝置的生產(chǎn)合格率。

發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明致力于提供一種母模、母模制造方法，以及利用其制造液晶顯示裝置的方法，其基本上消除了因現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而造成的一個或更多個問題。
本發(fā)明的一個優(yōu)點(diǎn)是，提供一種不利用光刻技術(shù)的液晶顯示裝置用薄膜晶體管陣列基板和/或?yàn)V色器基板的制造方法。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)是，提供一種使用軟刻印法而非光刻技術(shù)的方法。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)是，在使用軟刻印法中所采用的母模和軟模中提供降低的缺陷率。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)，將在下面的描述中進(jìn)行闡述，并且根據(jù)該描述將部分地清楚，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明而獲知。通過在文字說明及其權(quán)利要求
以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)和方法，將認(rèn)識到并實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體實(shí)施和廣泛描述的，提供了一種母模，其包括主體；形成在主體上的預(yù)定圖案；以及位于主體的表面上的疏水基。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種用于制造母模的方法，其包括以下步驟在主體上層疊材料層，以形成預(yù)定圖案；將該材料層構(gòu)圖成所述預(yù)定圖案；以及將疏水基施加到主體的表面和經(jīng)構(gòu)圖的材料層的表面上。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種用于制造液晶顯示裝置的方法，其包括以下步驟形成薄膜晶體管陣列基板；形成濾色器基板；接合薄膜晶體管陣列基板和濾色器基板；以及在薄膜晶體管陣列基板與濾色器基板之間施加液晶，其中，形成薄膜晶體管陣列基板的步驟和形成濾色器基板的步驟中的至少一個步驟包括利用軟模的圖案形成方法。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種軟刻印法工序，其包括以下步驟通過在其上層疊有材料的基板上淀積液體樹脂來形成緩沖層；使緩沖層的表面接觸具有特定圖案的軟模；向軟模和緩沖層施加恒熱，以將所述特定圖案轉(zhuǎn)印到緩沖層上；以及通過使用所述特定圖案作為掩模來刻蝕層疊在基板上的材料，以形成圖案。
應(yīng)當(dāng)理解，上面的一般描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，旨在提供對如權(quán)利要求
所述的本發(fā)明的進(jìn)一步闡釋。
附圖被包括進(jìn)來，以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入并構(gòu)成本說明書的一部分，其例示了本發(fā)明的實(shí)施例，并與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原理，在附圖中圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置的分解圖；圖2是示出現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置的現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖3A、3B、3C、3D、3E、3F以及3G是示出用于制造現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置的現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管陣列基板的方法的截面圖；圖4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G、4H、4I以及4J是示出根據(jù)本發(fā)明的用于制造LCD裝置的薄膜晶體管陣列基板的方法的截面圖；以及圖5A、5B、5C以及5D是示出根據(jù)本發(fā)明的用于制造母模和軟模的方法的截面圖。
具體實(shí)施方式下面，對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明，在附圖中例示了其示例。
圖4A到4J例示了根據(jù)本發(fā)明的利用軟刻印法制造液晶顯示(LCD)裝置的薄膜晶體管陣列基板的方法的實(shí)施例。軟刻印法工序是利用軟模形成圖案的工序。
如圖4A所示，在基板401上形成第一金屬層403a。在第一金屬層403a上形成緩沖層405a。第一金屬層403a可以由鋁(Al)或諸如AlNd的鋁合金形成。緩沖層405a是通過淀積諸如聚苯乙烯(polystyrene)的液體樹脂來形成的。液體樹脂在向其施加熱時具有降低的粘性和增大的流動性。
接著，在具有第一金屬層403a和緩沖層405a的基板401的上方定位具有凹圖案B和凸圖案A的軟模407a。接著，使軟模407a接觸緩沖層405a。軟模407a可以通過硬化預(yù)聚合物(pre-polymer)來形成。因此，軟模407a具有軟特性。軟模407a可以由諸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚氨酯、以及聚酰亞胺的材料形成。優(yōu)選地，軟模407a由混合有大約10％重量的硬化劑的PDMS形成。
將軟模407a定位得對應(yīng)于要形成圖案的部分。當(dāng)凸圖案A接觸緩沖層405a并且向其施加熱時，緩沖層405a的粘性瞬間下降，從而將緩沖層405a轉(zhuǎn)印到軟模407a的凹圖案B中。
因此，在過去一定時間之后，在將軟模407a與基板401分離后，如圖4B所示，緩沖層405a具有與凹圖案B的形狀相同的形狀，并且保留在第一金屬層403a上。
如圖4C所示，在通過使用經(jīng)構(gòu)圖的緩沖層405a作為掩模來刻蝕第一金屬層403a以形成柵電極403之后，去除經(jīng)構(gòu)圖的緩沖層405a。
可以將軟刻印法工序應(yīng)用于LCD裝置的隨后的構(gòu)圖工序。
如圖4D所示，在包括柵電極403的基板401上順序?qū)盈B柵極絕緣層409和半導(dǎo)體層411和413。接著，在其上形成緩沖層405b。柵極絕緣層409可以由諸如硅氮化物(SiNx)或二氧化硅(SiO2)的無機(jī)絕緣材料形成。半導(dǎo)體層411可以由純非晶硅制成，而半導(dǎo)體層413可以由其中摻雜有雜質(zhì)的非晶硅制成。
在半導(dǎo)體層411和413上層疊了緩沖層405b，而在緩沖層405b的上方定位了具有特定的凸圖案A和凹圖案B的軟模407b。
如圖4E所示，使用軟刻印法，來在緩沖層405b上形成圖案。
如圖4F所示，使用經(jīng)構(gòu)圖的緩沖層405b作為掩模，來對半導(dǎo)體層411和413進(jìn)行構(gòu)圖。將可以由純非晶硅制成的半導(dǎo)體層411構(gòu)圖成有源層415，而將可以由其中摻雜有雜質(zhì)的非晶硅制成的半導(dǎo)體層413構(gòu)圖成歐姆接觸層417。
如圖4G所示，在其上已形成有有源層415和歐姆接觸層417的基板401的整個表面上，形成可以由鋁(Al)或諸如AlNd的鋁合金形成的第二金屬層419。在第二金屬層419上層疊緩沖層405c。在緩沖層405c的上方定位具有特定的凸圖案A和凹圖案B的軟模407c。
接著，執(zhí)行軟刻印法，來在緩沖層405c中形成如圖4H所示的圖案。使用經(jīng)構(gòu)圖的緩沖層405c作為掩模，來刻蝕第二金屬層419，由此形成如圖4I所示的源電極419a和漏電極419b。
通過上述工序，可以形成構(gòu)成有柵電極403、有源層圖案415以及源電極419a和漏電極419b的薄膜晶體管。
如圖4J所示，形成中間層421和像素電極423。中間層421可以通過層疊諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸類樹脂(acryl based resin)的有機(jī)絕緣材料來形成。像素電極423可以通過軟刻印法來形成。
由此，執(zhí)行了利用軟刻印法制造LCD裝置用薄膜晶體管陣列基板的方法。在實(shí)施例中，使用軟刻印法，來形成柵電極403、有源層415、歐姆接觸層417、源電極419a和漏電極419b以及像素電極423。包括軟刻印法的本發(fā)明可以用于形成各種類型圖案的過程中，并且還可以與諸如光刻法的方法一起使用。
形成用于軟刻印法的軟模所需要的母模可以包括主體和形成在主體上的預(yù)定圖案。該預(yù)定圖案由一材料制成。將疏水基施加到該主體的表面和該材料的表面上。
該疏水基可以是氟化物。主體可以是玻璃基板，或者通過在玻璃基板上層疊金屬層來形成。預(yù)定圖案可以由金屬、二氧化硅、硅氮化物、光致抗蝕劑以及蠟中的一種材料形成。
圖5A到5D是示出根據(jù)本發(fā)明的用于制造母模和基于母模結(jié)構(gòu)的軟模的方法的截面圖。
在主體501上層疊用于形成預(yù)定圖案503的材料層。如圖5A所示，接著，對用于形成預(yù)定圖案503的材料層進(jìn)行構(gòu)圖。主體501可以是玻璃基板，或者可以通過在玻璃基板上層疊金屬層來形成。預(yù)定圖案503可以由金屬、二氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、光致抗蝕劑以及蠟中的一種材料形成?？梢允褂霉饪谭?，以將材料層構(gòu)圖成預(yù)定圖案503。
如圖5B所示，將疏水基505施加到主體501的表面和預(yù)定圖案503的表面上。疏水基505可以是氟化物?？梢詧?zhí)行等離子處理，以將疏水基505施加到主體501的表面和預(yù)定圖案503的表面上。包含氟元素的分子(例如，包含諸如CF4或SF6分子的氣體)可以用于該等離子處理。等離子處理可以具有用于形成母模507的下列條件等離子功率＝700W；處理壓力＝200托；CF4的流量＝100sccm；以及處理持續(xù)時間＝30秒。
如圖5C所示，在母模507上淀積預(yù)聚合物509。接著使預(yù)聚合物509硬化。聚二甲基硅氧烷可以用作預(yù)聚合物509。聚氨酯、聚酰亞胺等也可以用作預(yù)聚合物509。硬化后的預(yù)聚合物509形成軟模511。
圖5D示出了從母模507分離軟模511的工序。將形成在母模507上的圖案轉(zhuǎn)印至軟模511的表面。
將疏水基施加到主體的表面和預(yù)定圖案的表面上，來形成母模。之所以施加疏水基，是因?yàn)樵诜蛛x母模和軟模的過程中，母模與軟模之間的粘附力可能造成問題。即，在分離母模和軟模的過程期間，如果母模與軟模之間的粘附力至少阻止部分分離，則軟?？赡芫哂袔毕輬D案。
母模與軟模之間的粘附力取決于其間的親水性。兩種材料之間的強(qiáng)親水性將增大其間的粘附力，而兩種材料之間的弱親水性將減小其間的粘附力。因此，如本發(fā)明所示，當(dāng)將諸如氟化物的疏水基施加到母模的表面上時，削弱了母模與軟模之間的粘附力。因而，容易執(zhí)行母模與軟模之間的分離，并且降低了軟模中的圖案的缺陷率。
可以通過執(zhí)行用于測量指示濕度的與水的接觸角的測試，來確定母模的親水性。
為了測量濕度，針對母模執(zhí)行等離子處理。母模包括通過在玻璃基板上層疊鉻(Cr)所形成的主體，和位于鉻上的具有預(yù)定圖案的光致抗蝕劑。在等離子處理之前和之后測量光致抗蝕劑層的接觸角。等離子處理具有下列條件等離子功率＝700W；處理壓力＝200托；CF4的流量＝100sccm；以及處理持續(xù)時間＝30秒。
關(guān)于測量結(jié)果，在執(zhí)行等離子處理之前，光致抗蝕劑層上的接觸角大約為95°。在等離子處理之后該接觸角大約為110°。因此，在等離子處理之后將氟化物基施加到母模的表面上，由此提高疏水性。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的用于制造LCD裝置的方法使用可以取代光刻法的軟刻印法，以降低加工成本，并提高生產(chǎn)合格率。
另外，根據(jù)本發(fā)明的母模具有施加至其表面的諸如氟化物的疏水基，以降低軟模制造期間的軟模圖案中的缺陷率。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因而，本發(fā)明將覆蓋落入所附權(quán)利要求
及其等同物的范圍內(nèi)的對本發(fā)明的各種修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種母模，包括主體；形成在主體上的預(yù)定圖案；以及在主體的表面上的疏水基。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的母模，其中，疏水基是氟化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的母模，其中，主體是玻璃基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求
3所述的母模，其中，主體是通過在玻璃基板上層疊金屬層來形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求
4所述的母模，其中，金屬層由鉻制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的母模，其中，所述預(yù)定圖案是金屬、二氧化硅、硅氮化物、光致抗蝕劑以及蠟中的一種。
7.一種用于制造母模的方法，包括以下步驟在主體上層疊材料層，以形成預(yù)定圖案；將材料層構(gòu)圖成所述預(yù)定圖案；以及將疏水基施加到主體的表面和經(jīng)構(gòu)圖的材料層的表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求
7所述的用于制造母模的方法，其中，疏水基是氟化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求
7所述的用于制造母模的方法，其中，主體是玻璃基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的用于制造母模的方法，其中，通過在玻璃基板上層疊金屬層來形成主體。
11.根據(jù)權(quán)利要求
7所述的用于制造母模的方法，其中，利用等離子處理來執(zhí)行所述將疏水基施加到主體的表面和經(jīng)構(gòu)圖的材料層的表面上的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11所述的用于制造母模的方法，其中，利用包含具有氟元素的分子的氣體來執(zhí)行所述等離子處理。
13.根據(jù)權(quán)利要求
12所述的用于制造母模的方法，其中，具有氟元素的分子是CF4或SF6。
14.一種用于制造液晶顯示裝置的方法，包括以下步驟形成薄膜晶體管陣列基板；形成濾色器基板；接合薄膜晶體管陣列基板和濾色器基板；以及在薄膜晶體管陣列基板與濾色器基板之間施加液晶，其中，所述形成薄膜晶體管陣列基板的步驟和所述形成濾色器基板的步驟中的至少一個步驟包括利用軟模的圖案形成方法。
15.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，所述圖案形成方法包括以下步驟制造母模；在母模上淀積預(yù)聚合物；硬化預(yù)聚合物，以形成由聚合物形成的軟模；從母模分離軟模；在基板上形成緩沖層；使軟模和緩沖層接觸；向軟模和緩沖層施加熱；從其上已形成有緩沖層的基板分離軟模，由此形成緩沖層圖案；以及使用緩沖層圖案作為掩模來對基板進(jìn)行構(gòu)圖。
16.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，由聚二甲基硅氧烷、聚氨酯以及聚酰亞胺中的一種形成所述聚合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求
15所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，所述制造母模的步驟包括以下步驟在主體上層疊材料層，以形成預(yù)定圖案；對材料層進(jìn)行構(gòu)圖，以形成所述預(yù)定圖案；以及將疏水基施加到主體的表面和經(jīng)構(gòu)圖的材料層的表面上。
18.根據(jù)權(quán)利要求
17所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，疏水基是氟化物。
19.根據(jù)權(quán)利要求
17所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，主體是玻璃基板。
20.根據(jù)權(quán)利要求
19所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，通過在玻璃基板上層疊金屬層來形成所述主體。
21.根據(jù)權(quán)利要求
17所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，通過等離子處理來執(zhí)行所述將疏水基施加到主體的表面和經(jīng)構(gòu)圖的材料層的表面上的步驟。
22.根據(jù)權(quán)利要求
21所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，利用包含具有氟元素的分子的氣體來執(zhí)行所述等離子處理。
23.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，具有氟元素的分子是CF4或SF6。
24.一種軟刻印法工序，包括以下步驟通過在其上層疊有一材料的基板上淀積液體樹脂來形成緩沖層；使具有特定圖案的軟模與緩沖層的表面接觸；向軟模和緩沖層施加恒熱，以將所述特定圖案轉(zhuǎn)印到緩沖層上；以及通過使用所述特定圖案作為掩模來刻蝕層疊在基板上的材料，以形成圖案。
25.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的軟刻印法工序，其中，軟模由聚二甲基硅氧烷、聚氨酯以及聚酰亞胺中的一種制成。
26.根據(jù)權(quán)利要求
24所述的軟刻印法工序，其中，緩沖層是這樣的樹脂，即，該樹脂具有在向其施加熱的時候降低的粘性，并且具有在與軟模起反應(yīng)的時候增大的流動性。
27.根據(jù)權(quán)利要求
26所述的軟刻印法工序，其中，樹脂包括聚苯乙烯材料。
專利摘要
母模、母模制造方法，以及利用其制造液晶顯示裝置的方法。公開了一種用于制造液晶顯示裝置的方法，其中，利用軟刻印法代替了光刻技術(shù)。該方法包括以下步驟形成薄膜晶體管陣列基板；形成濾色器基板；接合薄膜晶體管陣列基板和濾色器基板；以及在薄膜晶體管陣列基板與濾色器基板之間施加液晶，其中，形成薄膜晶體管陣列基板的步驟和形成濾色器基板的步驟中的至少一個步驟包括利用軟模的圖案形成方法。該圖案形成方法可以是軟刻印法工序，該軟刻印法工序包括以下步驟使具有特定圖案的軟模與緩沖層的表面接觸；和向軟模和緩沖層施加恒熱，以將所述特定圖案轉(zhuǎn)印到緩沖層上。
文檔編號G02F1/1333GK1991576SQ200610095969
公開日2007年7月4日 申請日期2006年6月29日
發(fā)明者曺奎哲, 金珍郁, 李昌熙 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan