技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開一種陣列基板，其包括透明襯底、絕緣介質(zhì)層以及金屬像素電極，絕緣介質(zhì)層設(shè)于透明襯底一側(cè)，金屬像素電極包括第一層和第二層，且依次設(shè)于絕緣介質(zhì)層的遠(yuǎn)離透明襯底的一側(cè)，第二層的反射率大于第一層。本實(shí)用新型通過其金屬像素電極采用兩層的結(jié)構(gòu)，替代現(xiàn)有工藝的“鉬/鋁/鉬”的結(jié)構(gòu)，即利用反射率較高的第一層作為反射面，提升了金屬像素電極的反射率，同時(shí)能夠克服現(xiàn)有純鋁制程產(chǎn)線中存在的工藝限制。

技術(shù)研發(fā)人員：馮玉春;王守坤;郭會(huì)斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京京東方顯示技術(shù)有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
文檔號碼：201720179512
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.27
技術(shù)公布日：2017.09.08