本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及包括該陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板包括彩膜基板和陣列基板，在彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置有液晶材料組成的液晶層。為了控制液晶層厚度的穩(wěn)定性，在兩基板之間還設(shè)置有柱狀隔墊物?，F(xiàn)有技術(shù)中通常將柱狀隔墊物設(shè)置在彩膜基板上，這些柱狀隔墊物的高度是相等的，柱狀隔墊物具有能夠消除隔片產(chǎn)生的光散射，能夠有效改善對(duì)比度等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)液晶顯示器的對(duì)比度、響應(yīng)時(shí)間以及視角都有著重要的影響。

彩膜基板上的彩色濾光片各層均為液體光刻膠固化后制作而成，由于液體的流動(dòng)性及黑矩陣與其兩側(cè)高度的差異，導(dǎo)致設(shè)置在彩膜基板上的隔墊物基底表面并不平整(黑矩陣較窄的方向尤其明顯)，對(duì)于接近式曝光機(jī)，其光線平行度對(duì)曝光圖形的均一性有著很大的影響。當(dāng)柱狀隔墊物制作后，其上底形貌發(fā)生變化，各方向尺寸不一致，從而影響對(duì)盒時(shí)的柱狀隔墊物的支撐效果，各方向受力不均也將影響顯示效果，降低品質(zhì)。隨著分辨率的提高，黑矩陣變窄的需求將越來(lái)越明顯，平坦性的差異也將增大，從而導(dǎo)致柱狀隔墊物形變問(wèn)題越來(lái)越突出。

另外，由于柱狀隔墊物僅在垂直液晶顯示面板所在平面的方向上為彩膜基板和陣列基板提供支撐力，并沒有粘貼功能，當(dāng)液晶顯示面板豎向使用時(shí)，受到自身重力影響或者外界的沖擊，柱狀隔墊物在水平或者豎直方向也會(huì)受力，陣列基板和彩膜基板會(huì)發(fā)生錯(cuò)位或者滑動(dòng)，由此引起的對(duì)位不精確造成黑矩陣與薄膜晶體管錯(cuò)位產(chǎn)生漏光或者盒厚不均勻的問(wèn)題，影響液晶顯示器的畫面品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提供一種陣列基板及包括該陣列基板的顯示裝置。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，作為本實(shí)用新型的第一個(gè)方面，提供一種陣列基板，包括襯底、設(shè)置在所述襯底上的導(dǎo)電圖形層、透明電極層以及設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層與所述透明電極層之間的絕緣層，所述導(dǎo)電圖形層包括多個(gè)第一導(dǎo)電圖形，所述透明電極層包括多個(gè)透明電極，各個(gè)所述透明電極分別通過(guò)相應(yīng)的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電圖形電連接，其中，至少一個(gè)所述過(guò)孔能夠暴露出與該過(guò)孔對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電圖形的至少一部分以及所述襯底上與所述第一導(dǎo)電圖形鄰接的一部分，以使得所述陣列基板的上表面與該過(guò)孔對(duì)應(yīng)位置處形成有凹槽。

優(yōu)選地，所述陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置的周邊區(qū)，所述第一導(dǎo)電圖形包括公共電極線，所述透明電極層包括公共電極層，所述公共電極層包括位于所述顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)公共電極。

優(yōu)選地，所述公共電極線位于所述顯示區(qū)內(nèi)的部分包括多個(gè)電極線部和多個(gè)連接部，所述電極線部與所述連接部交替設(shè)置并連接，所述連接部位于所述公共電極線上與所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)的位置，所述連接部的寬度大于所述電極線部的寬度。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電圖形層包括第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形包括柵極和柵線。

優(yōu)選地，所述公共電極線與所述柵線平行。

優(yōu)選地，所述陣列基板具有以下結(jié)構(gòu)中的任意一者：

所述絕緣層位于所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間；

所述陣列基板包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間的柵極絕緣層、設(shè)置在所述有源層上方的源漏圖形層和設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層，所述絕緣層包括所述柵極絕緣層和所述鈍化層，所述公共電極層設(shè)置在所述鈍化層上；

所述陣列基板包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間的柵極絕緣層、設(shè)置在所述有源層上方的源漏圖形層和設(shè)置在所述源漏圖形層上的平坦化層，所述絕緣層包括所述柵極絕緣層和所述平坦化層，所述公共電極層設(shè)置在所述平坦化層上；

所述陣列基板包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間的柵極絕緣層、設(shè)置在所述有源層上方的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層、設(shè)置在所述鈍化層上方的平坦化層，所述絕緣層包括所述柵極絕緣層、所述鈍化層和所述平坦化層，所述公共電極層設(shè)置在所述平坦化層上；

所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述絕緣層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的上方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述絕緣層上方的源漏圖形層，所述公共電極層設(shè)置在所述絕緣層上；

所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層上方的層間絕緣層、設(shè)置在所述層間絕緣層上的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層，所述公共電極層設(shè)置在所述鈍化層上，所述絕緣層包括所述鈍化層和所述層間絕緣層；

所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層上方的層間絕緣層、設(shè)置在所述層間絕緣層上的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的平坦化層，所述公共電極層設(shè)置在所述平坦化層上，所述絕緣層包括所述平坦化層和所述層間絕緣層；

所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層上方的層間絕緣層、設(shè)置在所述層間絕緣層上的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層和設(shè)置在所述鈍化層上的平坦化層，所述公共電極層設(shè)置在所述平坦化層上，所述絕緣層包括層間絕緣層、所述鈍化層和所述平坦化層。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電圖形層還包括第三導(dǎo)電圖形，所述第三導(dǎo)電圖形包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極。

優(yōu)選地，所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線平行。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電圖形層上方設(shè)置有所述絕緣層，所述透明電極設(shè)置在所述絕緣層上。

優(yōu)選地，所述公共電極線的寬度為2μm～50μm。

優(yōu)選地，所述公共電極線的厚度為50nm～1000nm。

優(yōu)選地，所述透明電極層的厚度為10nm～500nm。

優(yōu)選地，所述絕緣層的厚度為50nm～5μm。

優(yōu)選地，所述過(guò)孔的孔徑為1μm～50μm。

優(yōu)選地，所述陣列基板包括與所述導(dǎo)電圖形層絕緣間隔的源漏圖形層和/或與所述導(dǎo)電圖形層和所述源漏圖形層絕緣間隔的柵極圖形層。

作為本實(shí)用新型的第二個(gè)方面，提供一種顯示裝置，包括顯示面板，其中，所述顯示面板包括陣列基板和與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)盒基板，所述陣列基板包括前文所述的陣列基板，所述對(duì)盒基板上設(shè)置有多個(gè)柱狀隔墊物，至少一個(gè)所述柱狀隔墊物與所述陣列基板的所述凹槽對(duì)應(yīng)，且該所述柱狀隔墊物的朝向所述陣列基板的一端插入與之對(duì)應(yīng)的凹槽中。

優(yōu)選地，所述柱狀隔墊物朝向所述陣列基板的一端的形狀與所述凹槽的形狀匹配。

本實(shí)用新型提供的陣列基板，將至少一個(gè)過(guò)孔內(nèi)部由于暴露的公共電極線和襯底之間形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)，使得陣列基板的上表面對(duì)應(yīng)位置處形成凹槽，當(dāng)具有該過(guò)孔的陣列基板與帶有柱狀隔墊物的對(duì)盒基板對(duì)盒時(shí)，柱狀隔墊物插入所述凹槽中能夠阻擋柱狀隔墊物的滑移，防止陣列基板和對(duì)盒基板的錯(cuò)位移動(dòng)，同時(shí)柱狀隔墊物插入到凹槽內(nèi)還能夠提高陣列基板與對(duì)盒基板對(duì)盒后的盒厚均勻度。另外，公共電極線與襯底之間形成的臺(tái)階結(jié)構(gòu)有利于容納柱狀隔墊物的形變，避免因柱狀隔墊物不均勻而導(dǎo)致的顯示面板形變和漏光，以及由于柱狀隔墊物形變后其支撐應(yīng)力方向偏移而對(duì)陣列基板的表面造成破壞。當(dāng)該陣列基板應(yīng)用于顯示裝置中時(shí)，能夠提高顯示裝置的畫面品質(zhì)。

附圖說(shuō)明

附圖是用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1為本實(shí)用新型提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型提供的公共電極線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型提供的柱狀隔墊物插入到陣列基板的凹槽中的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，10、襯底；11、公共電極線；12、絕緣層；121、鈍化層；122、柵極絕緣層；13、公共電極層；14、凹槽；15、柵極；16、有源層；17、源極；18、漏極；19、平坦化層；20、柱狀隔墊物。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型中提到的方位詞“上”、“下”等，均是指附圖中所示的方向。

作為本實(shí)用新型的第一個(gè)方面，提供一種陣列基板，包括襯底、設(shè)置在所述襯底上的導(dǎo)電圖形層、透明電極層以及設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層與所述透明電極層之間的絕緣層，所述導(dǎo)電圖形層包括多個(gè)第一導(dǎo)電圖形，所述透明電極層包括多個(gè)透明電極，各個(gè)所述透明電極分別通過(guò)相應(yīng)的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電圖形電連接，其中，至少一個(gè)所述過(guò)孔能夠暴露出與該過(guò)孔對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)電圖形的至少一部分以及所述襯底上與所述第一導(dǎo)電圖形鄰接的一部分，以使得所述陣列基板的上表面與該過(guò)孔對(duì)應(yīng)位置處形成有凹槽。

本實(shí)用新型提供的陣列基板，通過(guò)將導(dǎo)電圖形層中的至少一個(gè)導(dǎo)電圖形與透明電極對(duì)應(yīng)的過(guò)孔形成凹槽，當(dāng)具有該凹槽的陣列基板與對(duì)盒基板對(duì)盒時(shí)，位于對(duì)盒基板上的柱狀隔墊物能夠插入到該凹槽內(nèi)，能夠阻擋柱狀隔墊物的滑移，防止陣列基板和對(duì)盒基板的錯(cuò)位移動(dòng)，同時(shí)柱狀隔墊物插入到凹槽內(nèi)還能夠提高陣列基板與對(duì)盒基板對(duì)盒后的盒厚均勻度。

具體地，所述導(dǎo)電圖形層可以有多種實(shí)施方式，例如，所述導(dǎo)電圖形層為源漏極層，則所述導(dǎo)電圖形為源漏極，所述透明電極則為像素電極，所述過(guò)孔為連接所述像素電極和所述漏極的過(guò)孔；所述導(dǎo)電圖形層若為公共電極線層，則所述導(dǎo)電圖形為公共電極線，所述透明電極則為公共電極，所述過(guò)孔則為連接所述公共電極與所述公共電極線的過(guò)孔。

作為本實(shí)用新型的一種具體地實(shí)施方式，所述陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置的周邊區(qū)，所述第一導(dǎo)電圖形包括公共電極線，所述透明電極層包括公共電極層，所述公共電極層包括位于所述顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)公共電極。

具體地，如圖1所示，以所述第一導(dǎo)電圖形為所述公共電極線為例，此時(shí)，由于所述導(dǎo)電圖形層包括多個(gè)第一導(dǎo)電圖形，所以所述導(dǎo)電圖形層包括多條公共電極線，所述透明電極層包括公共電極層，所述陣列基板包括襯底10、設(shè)置在襯底10上的導(dǎo)電圖形層、公共電極層13、設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層與公共電極層13之間的絕緣層12，所述導(dǎo)電圖形層包括多條公共電極線11，公共電極層13包括多個(gè)公共電極，各個(gè)所述公共電極分別通過(guò)相應(yīng)的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的公共電極線11電連接，其中，至少一個(gè)所述過(guò)孔能夠暴露出與該過(guò)孔對(duì)應(yīng)的公共電極線11的至少一部分以及襯底10上與公共電極線11鄰接的一部分，以使得所述陣列基板的上表面對(duì)應(yīng)位置處形成有凹槽14。

需要說(shuō)明的是，與公共電極線11通過(guò)所述過(guò)孔電連接的所述公共電極均是位于所述陣列基板的顯示區(qū)域的公共電極。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中，位于對(duì)盒基板上的柱狀隔墊物的基底表面不平整，使得對(duì)盒后的顯示面板的表面受力不均影響顯示效果的問(wèn)題，經(jīng)發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，在不改變現(xiàn)有柱狀隔墊物以及對(duì)盒基板的結(jié)構(gòu)的前提下，在陣列基板上與柱狀隔墊物對(duì)應(yīng)位置處形成凹槽，當(dāng)陣列基板與對(duì)盒基板對(duì)盒時(shí)，至少一個(gè)柱狀隔墊物位于凹槽內(nèi)，不僅能夠防止對(duì)盒基板與陣列基板對(duì)盒后的滑動(dòng)和錯(cuò)位，還能夠緩解柱狀隔墊物基底不平整的問(wèn)題，以起到有效支撐。

本實(shí)用新型提供的陣列基板，將至少一個(gè)過(guò)孔內(nèi)部由于暴露的公共電極線和襯底之間形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)，使得陣列基板的上表面對(duì)應(yīng)位置處形成凹槽，當(dāng)具有該過(guò)孔的陣列基板與帶有柱狀隔墊物的對(duì)盒基板對(duì)盒時(shí)，柱狀隔墊物位于該凹槽中能夠阻擋柱狀隔墊物的滑移，防止陣列基板和對(duì)盒基板的錯(cuò)位移動(dòng)，同時(shí)柱狀隔墊物插入到凹槽內(nèi)還能夠提高陣列基板與對(duì)盒基板對(duì)盒后的盒厚均勻度。另外，公共電極線與襯底之間形成的臺(tái)階結(jié)構(gòu)有利于容納柱狀隔墊物的形變，且該臺(tái)階結(jié)構(gòu)還能夠有效緩解對(duì)盒基板上液體光刻膠固化后由于液體流動(dòng)性導(dǎo)致的柱狀隔墊物的基底不平整現(xiàn)象，避免因柱狀隔墊物不均勻而導(dǎo)致的顯示面板形變和漏光，以及由于柱狀隔墊物形變后其支撐應(yīng)力方向偏移而對(duì)陣列基板的表面造成破壞。

具體地，本實(shí)用新型中，所述導(dǎo)電圖形包括多條公共電極線11，絕緣層12覆蓋公共電極線11，公共電極層13位于絕緣層12上方，絕緣層12上有多個(gè)貫穿絕緣層12的過(guò)孔，公共電極層13中的至少一個(gè)公共電極與所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)?？梢岳斫獾氖?，所述過(guò)孔貫穿絕緣層12時(shí)能夠暴露與該過(guò)孔對(duì)應(yīng)的公共電極線11的一部分，且由于公共電極線11位于襯底10上，所以所述過(guò)孔還能夠暴露與公共電極線11鄰接的部分襯底10，這樣所述過(guò)孔的內(nèi)部由于公共電極線11與襯底10不在同一層，所以形成有臺(tái)階結(jié)構(gòu)，即所述陣列基板的上表面與所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)位置處形成有凹槽14，以便于當(dāng)該陣列基板與對(duì)盒基板對(duì)盒時(shí)，位于對(duì)盒基板上的柱狀隔墊物能夠插入到該凹槽14內(nèi)，使得對(duì)盒后的陣列基板和對(duì)盒基板之間不會(huì)發(fā)生錯(cuò)位或滑動(dòng)。

可以理解的是，所述柱狀隔墊物能夠插入到凹槽14內(nèi)，凹槽14的上端口的尺寸稍微大于所述柱狀隔墊物的朝向凹槽14的一端的尺寸。

還可以理解的是，至少一個(gè)所述過(guò)孔能夠暴露出與該過(guò)孔對(duì)應(yīng)的公共電極線11的至少一部分以及襯底10上與公共電極線11鄰接的一部分，當(dāng)與該陣列基板對(duì)盒的對(duì)盒基板上的多個(gè)柱狀隔墊物中有一個(gè)柱狀隔墊物的基底不平整時(shí)，該陣列基板上形成有與該柱狀隔墊物對(duì)應(yīng)的凹槽14，則所述柱狀隔墊物插入到凹槽14內(nèi)，即便柱狀隔墊物的基底不平整，也不會(huì)影響對(duì)盒，此外，柱狀隔墊物插入凹槽14中還能夠防止對(duì)盒基板與陣列基板之間滑動(dòng)。當(dāng)然，所述陣列基板上也可以包括多個(gè)上述過(guò)孔以形成凹槽14，與每個(gè)凹槽14對(duì)應(yīng)的柱狀隔墊物均插入到凹槽14內(nèi)，在有效支撐的同時(shí)防止對(duì)盒基板與所述陣列基板之間的錯(cuò)位。

需要說(shuō)明的是，襯底10可以是在透明基板上形成有圖形結(jié)構(gòu)的襯底，也可以是沒有圖形的透明基板。

為了保證過(guò)孔的良率，作為一種具體地實(shí)施方式，如圖2所示，公共電極線11位于所述顯示區(qū)內(nèi)的部分包括多個(gè)電極線部111和多個(gè)連接部112，電極線部111與連接部112交替設(shè)置并連接，連接部112位于公共電極線11上與所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)的位置，連接部112的寬度大于電極線部111的寬度。

可以理解的是，由前文所述可知，位于所述陣列基板的顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)公共電極通過(guò)所述過(guò)孔與公共電極線11電連接，因此，為了保證所述過(guò)孔的良率，公共電極線11位于所述陣列基板的顯示區(qū)內(nèi)的部分包括多個(gè)電極線部111和多個(gè)連接部112，公共電極線11在與所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置為連接部112，并將連接部112的寬度設(shè)置的大于電極線部111的寬度，能夠提高公共電極線11與所述過(guò)孔的接觸面積，保證所述過(guò)孔的良率。通常，所述公共電極線的寬度為2μm～50μm，即電極線部111和連接部112的寬度均在該范圍內(nèi)。優(yōu)選地，連接部112的寬度是電極線部111的寬度的兩倍。

另外，公共電極線11可以是單層金屬薄膜，也可以是合金金屬薄膜，包含鉬、鎢、鈦、鉻、鋁、銅、鎳、釹、鈮等其中一種或多種金屬材料，例如鉬鈮合金、鋁釹合金等，還可以是多層金屬薄膜，例如鉬/鋁/鉬、鈦/鋁/鈦等多層金屬薄膜結(jié)構(gòu)。

作為所述導(dǎo)電圖形層的一種具體地實(shí)施方式，所述導(dǎo)電圖形層包括第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形包括柵極和柵線。

此處可以理解的是，所述導(dǎo)電圖形層在包括第一導(dǎo)電圖形時(shí)還包括第二導(dǎo)電圖形，由于所述第一導(dǎo)電圖形包括公共電極線，所述第二導(dǎo)電圖形包括柵極和柵線，所以公共電極線11與所述柵極和所述柵線同層設(shè)置。公共電極線11的厚度與所述柵極圖形的厚度相同，優(yōu)選地，所述公共電極線11的厚度為50nm～1000nm。

公共電極線11與所述柵線的位置關(guān)系的一種優(yōu)選地實(shí)施方式，公共電極線11與所述柵線平行。

在所述導(dǎo)電圖形層包括第二導(dǎo)電圖形時(shí)，所述陣列基板具有以下結(jié)構(gòu)中的任意一者：

(1)絕緣層12位于所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間。

可以理解的是，在該實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電圖形層與公共電極線11所在的層為同一層。在這種情況中，絕緣層12是陣列基板的柵極絕緣層，公共電極層13設(shè)置在所述柵極絕緣層上且由前文所述可知，絕緣層12位于所述導(dǎo)電圖形層的上方，而所述有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的上方，則可知該陣列基板的結(jié)構(gòu)為底柵型結(jié)構(gòu)。此時(shí)的所述過(guò)孔貫穿絕緣層12。

(2)所述陣列基板包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間的柵極絕緣層、設(shè)置在所述有源層上方的源漏圖形層和設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層，絕緣層12包括所述柵極絕緣層和所述鈍化層，公共電極層13設(shè)置在所述鈍化層上。

可以理解的是，在所述陣列基板的結(jié)構(gòu)為底柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，所述陣列基板的結(jié)構(gòu)如上所述，此時(shí)絕緣層12可以是所述柵極絕緣層和所述鈍化層，此時(shí)的所述過(guò)孔貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層。由前文所述可知，公共電極層13設(shè)置在絕緣層12的上方，所以此結(jié)構(gòu)下的公共電極層13設(shè)置在所述鈍化層上。

(3)所述陣列基板包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間的柵極絕緣層、設(shè)置在所述有源層上方的源漏圖形層和設(shè)置在所述源漏圖形層上的平坦化層，絕緣層12包括所述柵極絕緣層和所述平坦化層，公共電極層13設(shè)置在所述平坦化層上。

具體地，所述陣列基板在為底柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，絕緣層12可以包括所述柵極絕緣層和所述平坦化層，此時(shí)的所述過(guò)孔貫穿所述柵極絕緣層和所述平坦化層。相應(yīng)的，公共電極層13設(shè)置在所述平坦化層上。

(4)所述陣列基板包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間的柵極絕緣層、設(shè)置在所述有源層上方的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層、設(shè)置在所述鈍化層上方的平坦化層，絕緣層12包括所述柵極絕緣層、所述鈍化層和所述平坦化層，公共電極層13設(shè)置在所述平坦化層上

(5)所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，絕緣層12設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的上方，所述陣列基板還包括設(shè)置在絕緣層12上方的源漏圖形層，公共電極層13設(shè)置在絕緣層12上。

具體地，所述陣列基板的結(jié)構(gòu)中所述有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，具有此結(jié)構(gòu)的所述陣列基板為頂柵型結(jié)構(gòu)。由前文所述可知，絕緣層12位于所述導(dǎo)電圖形層與公共電極層13之間，所述過(guò)孔貫穿絕緣層12，因此，公共電極層13位于絕緣層12上。

(6)所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層上方的層間絕緣層、設(shè)置在所述層間絕緣層上的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層，公共電極層13設(shè)置在所述鈍化層上，絕緣層12包括所述鈍化層和所述層間絕緣層。

具體地，在所述陣列基板的結(jié)構(gòu)為頂柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，所述陣列基板的絕緣層12可以是上述的鈍化層和層間絕緣層，此時(shí)所述過(guò)孔貫穿所述鈍化層和所述層間絕緣層。

(7)所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層上方的層間絕緣層、設(shè)置在所述層間絕緣層上的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的平坦化層，公共電極層13設(shè)置在所述平坦化層上，絕緣層12包括所述平坦化層和所述層間絕緣層。

具體地，在所述陣列基板的結(jié)構(gòu)為頂柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，所述陣列基板的絕緣層12可以是上述的平坦化層和層間絕緣層，此時(shí)的所述過(guò)孔貫穿所述平坦化層和所述層間絕緣層。

(8)所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層上方的層間絕緣層、設(shè)置在所述層間絕緣層上的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層和設(shè)置在所述鈍化層上的平坦化層，公共電極層13設(shè)置在所述平坦化層上，絕緣層12包括層間絕緣層、所述鈍化層和所述平坦化層。

作為所述導(dǎo)電圖形的另一種實(shí)施方式，所述導(dǎo)電圖形還包括第三導(dǎo)電圖形，所述第三導(dǎo)電圖形包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極。

具體地，所述導(dǎo)電圖形層在包括第一導(dǎo)電圖形時(shí)還包括第三導(dǎo)電圖形，由于所述第一導(dǎo)電圖形包括公共電極線11，所述第三導(dǎo)電圖形包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極，所以公共電極線11與所述數(shù)據(jù)電極圖形同層設(shè)置，即公共電極線11與所述數(shù)據(jù)線以及所述源極和漏極同層設(shè)置。

可以理解的是，所述第三導(dǎo)電圖形包括多條數(shù)據(jù)線和多個(gè)源極和多個(gè)漏極。具體地，公共電極線11與所述數(shù)據(jù)電極圖形同層設(shè)置，公共電極線11與所述數(shù)據(jù)線的厚度、材料和組成均相同，公共電極線11的厚度如前文所述為50nm～1000nm。

優(yōu)選地，公共電極線11與所述數(shù)據(jù)線平行。

具體地，所述導(dǎo)電圖形層、所述絕緣層以及所述透明電極層的具體關(guān)系為，所述導(dǎo)電圖形層上方設(shè)置有所述絕緣層，所述透明電極設(shè)置在所述絕緣層上。

以圖1所示為例，所述導(dǎo)電圖形層上方設(shè)置有絕緣層12，所述公共電極設(shè)置在絕緣層12上。

當(dāng)所述公共電極線11與所述數(shù)據(jù)電極圖形同層設(shè)置時(shí)，例如，此時(shí)的陣列基板的結(jié)構(gòu)可以包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層下方的有源層，所述導(dǎo)電圖形層的上方設(shè)置層間絕緣層，所述層間絕緣層的上方設(shè)置有柵極圖形，所述柵極圖形上方設(shè)置鈍化層，所述公共電極設(shè)置在所述鈍化層上，此時(shí)絕緣層12為所述層間絕緣層和所述鈍化層，所述過(guò)孔貫穿所述層間絕緣層和所述鈍化層。可以理解的是，上述鈍化層還可以是平坦化層，即所述平坦化層設(shè)置在所述柵極圖形的上方，此時(shí)絕緣層12為所述層間絕緣層和所述平坦化層，所述過(guò)孔貫穿所述層間絕緣層和所述平坦化層。

本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，此處的陣列基板的結(jié)構(gòu)可以與前文中所述的所述導(dǎo)電圖形包括柵極圖形時(shí)的陣列基板的結(jié)構(gòu)相同，只是此處由于公共電極線11與所述數(shù)據(jù)電極圖形同層設(shè)置，所以絕緣層12有所不同。例如，此實(shí)施方式中的陣列基板為上述陣列基板的結(jié)構(gòu)(2)時(shí)，絕緣層12包括所述鈍化層；為上述陣列基板的結(jié)構(gòu)(3)時(shí)，絕緣層12包括所述平坦化層等。

需要說(shuō)明的是，所述透明電極層的厚度為10nm～500nm。以圖1為例，前文中所述透明電極層的厚度為10nm～500nm。公共電極層13由透明導(dǎo)電薄膜構(gòu)成，透明導(dǎo)電薄膜的厚度為10nm～500nm。公共電極層13的制作材料可以是氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鎘、氧化銦鎘、氧化錫鎘、氧化鋅錫等的一種或多種。

前文中所述的絕緣層12的厚度為50nm～5μm。絕緣層12的制作材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氧化釩等氧化物中的一種或多種組合，也可以包含亞克力、或聚酰亞胺等有機(jī)物薄膜，還可以是上述無(wú)機(jī)氧化物和有機(jī)物薄膜的組合。

作為凹槽的一種具體實(shí)施方式，如前文所述，凹槽14底部的形狀為臺(tái)階狀。

為了起到更好的緩沖作用，優(yōu)選地，凹槽14包括至少一個(gè)臺(tái)階，當(dāng)凹槽14包括多個(gè)所述臺(tái)階時(shí)，每個(gè)所述臺(tái)階的寬度可以均勻設(shè)置。

通過(guò)在凹槽內(nèi)設(shè)置多個(gè)臺(tái)階，當(dāng)陣列基板與對(duì)盒基板對(duì)盒時(shí)，位于對(duì)盒基板上的柱狀隔墊物插入到凹槽內(nèi)時(shí)能夠起到緩沖作用，并且由于多個(gè)臺(tái)階的存在，柱狀隔墊物插入到凹槽內(nèi)時(shí)，還能夠?qū)χ鶢罡魤|物起到有力的支撐作用，從而使得柱狀隔墊物能夠?qū)﹃嚵谢搴蛯?duì)盒基板起到穩(wěn)定的支撐作用。

可以理解的是，為了使得對(duì)盒基板上的柱狀隔墊物與陣列基板上的凹槽更加匹配，以及能夠起到更好的制成作用，可以將柱狀隔墊物朝向凹槽的一端設(shè)置成與凹槽內(nèi)的臺(tái)階相匹配的臺(tái)階狀，這樣，當(dāng)同樣具有臺(tái)階狀的所述柱狀隔墊物的一端插入到所述凹槽內(nèi)時(shí)，能夠與所述凹槽內(nèi)的臺(tái)階相匹配，起到更加穩(wěn)定的支撐作用。

作為所述過(guò)孔的一種具體的實(shí)施方式，所述過(guò)孔的孔徑為1μm～50μm。

作為所述導(dǎo)電圖形層的再一種實(shí)施方式，所述陣列基板包括與所述導(dǎo)電圖形層絕緣間隔的源漏圖形層和/或與所述導(dǎo)電圖形層和所述源漏圖形層絕緣間隔的柵極圖形層。

可以理解的是，在該實(shí)施方式中，由于所述導(dǎo)電圖形層與所述源漏圖形層絕緣間隔，且所述柵極圖形層與所述源漏圖形層和所述導(dǎo)電圖形層均絕緣間隔，所以絕緣層12可以有多種情況。例如絕緣層12可以為前文中所述的絕緣層12，可以是柵極絕緣層、或者柵極絕緣層和鈍化層、或者柵極絕緣層和平坦化層、或者層間絕緣層、或者層間絕緣層和鈍化層、或者層間絕緣層和平坦化層。另外，還可以為柵極絕緣層和層間絕緣層、或者柵極絕緣層、層間絕緣層和鈍化層、或者柵極絕緣層、層間絕緣層和平坦化層、或者鈍化層、或者柵極絕緣層、層間絕緣層、鈍化層和平坦化層。

作為本實(shí)用新型的第二個(gè)方面，提供一種顯示裝置，包括顯示面板，其中，所述顯示面板包括陣列基板和與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)盒基板，所述陣列基板包括前文所述的陣列基板，所述對(duì)盒基板上設(shè)置有多個(gè)柱狀隔墊物，至少一個(gè)所述柱狀隔墊物與所述陣列基板的所述凹槽對(duì)應(yīng)，且該所述柱狀隔墊物的朝向所述陣列基板的一端插入與之對(duì)應(yīng)的凹槽中。

優(yōu)選地，所述柱狀隔墊物朝向所述陣列基板的一端的形狀與所述凹槽的形狀匹配。

如圖3所示為柱狀隔墊物20插入到陣列基板的凹槽14中的結(jié)構(gòu)示意圖，其中所述陣列基板的結(jié)構(gòu)以前文中所述的(2)為例，其中所述陣列基板的結(jié)構(gòu)為底柵型結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在襯底10上的柵極15，公共電極線11與柵極15同層設(shè)置，絕緣層12為柵極絕緣層122和鈍化層121，柵極絕緣層122覆蓋柵極15和公共電極線11所在的層，有源層16位于柵極絕緣層122上，源極17和漏極18位于有源層16的上方，鈍化層121覆蓋源極17和漏極18所在的層，公共電極層13位于鈍化層121上，公共電極層13上方設(shè)置平坦化層19，與貫穿柵極絕緣層122和鈍化層121的所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)位置處形成的凹槽14如圖中所示，位于所述對(duì)盒基板上的柱狀隔墊物20插入到所述陣列基板上的凹槽14中，當(dāng)所述對(duì)盒基板與所述陣列基板對(duì)盒后，即使液晶面板豎向使用，所述陣列基板和所述對(duì)盒基板之間也不會(huì)發(fā)生錯(cuò)位或滑動(dòng)。為了使得柱狀隔墊物20與凹槽14的配合更加穩(wěn)定，優(yōu)選地，柱狀隔墊物20朝向所述陣列基板的一端的形狀與凹槽14的形狀匹配。具體地，凹槽14為臺(tái)階狀時(shí)，柱狀隔墊物20的頂部也為相配合的臺(tái)階狀。

因此，通過(guò)此方式對(duì)盒后的顯示面板不會(huì)存在漏光或者盒厚不均勻的問(wèn)題，且顯示的畫面品質(zhì)較高。

因此，本實(shí)用新型提供的顯示裝置克服了柱狀隔墊物在顯示面板內(nèi)由于發(fā)生形變而影響支撐，以及陣列基板和對(duì)盒基板錯(cuò)位移動(dòng)的問(wèn)題，能夠防止顯示面板由于自身重力影響或者受到外界的沖擊時(shí)柱狀隔墊物發(fā)生移位或損毀，解決了對(duì)位工藝不精確和盒厚不均勻的問(wèn)題，從而提供了顯示裝置的畫面品質(zhì)。

具體地，所述顯示裝置具體可以是手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。