1.一種陣列基板，包括襯底、設(shè)置在所述襯底上的導(dǎo)電圖形層、透明電極層以及設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層與所述透明電極層之間的絕緣層，所述導(dǎo)電圖形層包括多個(gè)第一導(dǎo)電圖形，所述透明電極層包括多個(gè)透明電極，各個(gè)所述透明電極分別通過相應(yīng)的過孔與對應(yīng)的所述第一導(dǎo)電圖形電連接，其特征在于，至少一個(gè)所述過孔能夠暴露出與該過孔對應(yīng)的所述第一導(dǎo)電圖形的至少一部分以及所述襯底上與所述第一導(dǎo)電圖形鄰接的一部分，以使得所述陣列基板的上表面與該過孔對應(yīng)位置處形成有凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置的周邊區(qū)，所述第一導(dǎo)電圖形包括公共電極線，所述透明電極層包括公共電極層，所述公共電極層包括位于所述顯示區(qū)內(nèi)的多個(gè)公共電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線位于所述顯示區(qū)內(nèi)的部分包括多個(gè)電極線部和多個(gè)連接部，所述電極線部與所述連接部交替設(shè)置并連接，所述連接部位于所述公共電極線上與所述過孔對應(yīng)的位置，所述連接部的寬度大于所述電極線部的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形層包括第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形包括柵極和柵線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與所述柵線平行。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板具有以下結(jié)構(gòu)中的任意一者：
所述絕緣層位于所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間；
所述陣列基板包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間的柵極絕緣層、設(shè)置在所述有源層上方的源漏圖形層和設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層，所述絕緣層包括所述柵極絕緣層和所述鈍化層，所述公共電極層設(shè)置在所述鈍化層上；
所述陣列基板包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間的柵極絕緣層、設(shè)置在所述有源層上方的源漏圖形層和設(shè)置在所述源漏圖形層上的平坦化層，所述絕緣層包括所述柵極絕緣層和所述平坦化層，所述公共電極層設(shè)置在所述平坦化層上；
所述陣列基板包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層和所述陣列基板的有源層之間的柵極絕緣層、設(shè)置在所述有源層上方的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層、設(shè)置在所述鈍化層上方的平坦化層，所述絕緣層包括所述柵極絕緣層、所述鈍化層和所述平坦化層，所述公共電極層設(shè)置在所述平坦化層上；
所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述絕緣層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的上方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述絕緣層上方的源漏圖形層，所述公共電極層設(shè)置在所述絕緣層上；
所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層上方的層間絕緣層、設(shè)置在所述層間絕緣層上的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層，所述公共電極層設(shè)置在所述鈍化層上，所述絕緣層包括所述鈍化層和所述層間絕緣層；
所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層上方的層間絕緣層、設(shè)置在所述層間絕緣層上的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的平坦化層，所述公共電極層設(shè)置在所述平坦化層上，所述絕緣層包括所述平坦化層和所述層間絕緣層；
所述陣列基板的有源層設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層的下方，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形層上方的層間絕緣層、設(shè)置在所述層間絕緣層上的源漏圖形層、設(shè)置在所述源漏圖形層上的鈍化層和設(shè)置在所述鈍化層上的平坦化層，所述公共電極層設(shè)置在所述平坦化層上，所述絕緣層包括層間絕緣層、所述鈍化層和所述平坦化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形層還包括第三導(dǎo)電圖形，所述第三導(dǎo)電圖形包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線平行。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電圖形層上方設(shè)置有所述絕緣層，所述透明電極設(shè)置在所述絕緣層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求2至8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線的寬度為2μm～50μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求2至8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線的厚度為50nm～1000nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述透明電極層的厚度為10nm～500nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的厚度為50nm～5μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔的孔徑為1μm～50μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括與所述導(dǎo)電圖形層絕緣間隔的源漏圖形層和/或與所述導(dǎo)電圖形層和所述源漏圖形層絕緣間隔的柵極圖形層。
16.一種顯示裝置，包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括陣列基板和與所述陣列基板對盒設(shè)置的對盒基板，所述陣列基板包括權(quán)利要求1至15中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，所述對盒基板上設(shè)置有多個(gè)柱狀隔墊物，至少一個(gè)所述柱狀隔墊物與所述陣列基板的所述凹槽對應(yīng)，且該所述柱狀隔墊物的朝向所述陣列基板的一端插入與之對應(yīng)的凹槽中。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在于，所述柱狀隔墊物朝向所述陣列基板的一端的形狀與所述凹槽的形狀匹配。