本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種陣列基板。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管-液晶顯示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，tft-lcd)是目前在亮度、對(duì)比度、功耗、壽命、體積和重量等綜合性能均表現(xiàn)良好的顯示器件，它的性能優(yōu)良、大規(guī)模生產(chǎn)特性好，自動(dòng)化程度高，發(fā)展空間廣闊，已經(jīng)逐漸占據(jù)了顯示器領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。tft-lcd由薄膜晶體管陣列基板(array基板)、彩色濾光陣列基板(cf基板)和夾在兩基板間的液晶構(gòu)成。

目前的液晶顯示面板為了滿足低色彩偏移(lowcolorshift)的要求，把子像素(subpixel)電極的電荷通過(guò)增加第三個(gè)tft開關(guān)和深淺孔單元導(dǎo)入陣列公共線(arraycomline)，從而拉低子像素(subpixel)電位，達(dá)到子像素(subpixel)與主像素(mainpixel)不同電位而實(shí)現(xiàn)低色移目的。但是目前深淺孔單元在制程過(guò)程中，第一金屬層與第二金屬層之間的第一絕緣層的錐度角常常存在倒角現(xiàn)象，導(dǎo)致浮置導(dǎo)電層(通常采用銦錫氧化物ito制成)爬坡出現(xiàn)斷裂，從而影響深孔與淺孔之間的電荷傳輸，從而導(dǎo)致在高垂直配向(cellhvacuring)過(guò)程中出現(xiàn)配向異常，導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。

現(xiàn)有技術(shù)公開的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)中，如圖2所示，是該陣列基板的深淺孔單元4′的薄膜堆疊層的俯視圖，圖2種a區(qū)域?yàn)樯羁缀蜏\孔交界位置。圖3為該深淺孔單元的浮置導(dǎo)電層42′的俯視圖，浮置導(dǎo)電層42′覆蓋整個(gè)薄膜堆疊層41。圖4是圖2的c-c向剖視圖，該深淺孔單元4上的浮置導(dǎo)電層42′覆蓋整個(gè)薄膜堆疊層41，從而在第一絕緣層412的錐度角不佳位置出現(xiàn)浮置導(dǎo)電層42′的斷裂，進(jìn)而影響深孔和淺孔之間信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，導(dǎo)致高垂直配向出現(xiàn)異常的風(fēng)險(xiǎn)增高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，通過(guò)在浮置導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)深孔和淺孔交界的位置設(shè)置開孔，避免了浮置導(dǎo)電層在該深孔和淺孔位置出現(xiàn)斷裂，并通過(guò)在浮置電極層對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界的位置兩側(cè)設(shè)置加寬的凸出部，保證了深孔和淺孔之間電荷傳輸?shù)乃俾?，彌補(bǔ)了設(shè)置開孔造成的電荷傳輸速率降低的缺陷。保證了信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過(guò)程中出現(xiàn)的配向異常。

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：

基板；

位于所述基板上的多個(gè)像素單元，每一像素單元包括主像素電極、子像素電極和用于拉低所述子像素電極電位的深淺孔單元；

其中，所述深淺孔單元包括具有深孔和淺孔的薄膜堆疊層和位于所述薄膜堆疊層上的浮置導(dǎo)電層，所述浮置導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界的位置具有開孔，且所述浮置導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界位置的兩側(cè)具有凸出部。

所述深淺孔單元通過(guò)拉低所述子像素電極的電位，使得所述主像素電極和子像素電極的電位不相等，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)低色彩偏移的目的。通過(guò)在所述浮置導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界位置設(shè)置開孔和凸出部，避免了浮置導(dǎo)電層在該深孔和淺孔位置出現(xiàn)斷裂，保證了深孔和淺孔之間信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過(guò)程中出現(xiàn)的配向異常。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述薄膜堆疊層包括：

第一金屬層，形成于所述基板上；

第一絕緣層，位于所述第一金屬層上，且所述第一絕緣層形成有暴露所述第一金屬層的表面的接觸孔，所述接觸孔具有臺(tái)階，使得所述接觸孔構(gòu)造成第一接觸孔和第二接觸孔；

第二金屬層，位于所述接觸孔一側(cè)的第一絕緣層上且靠近所述接觸孔的一側(cè)暴露第一絕緣層的表面，使得所述第二金屬層與所述第一絕緣層的暴露的表面構(gòu)造成第三接觸孔；

第二絕緣層，位于所述第二金屬層上且靠近所述接觸孔的一側(cè)暴露第二金屬層的表面，以及位于所述第一絕緣層上。

所述第一接觸孔和第二接觸孔之間構(gòu)成深孔和淺孔結(jié)構(gòu)，也即第一接觸孔為相對(duì)于第二接觸孔的深孔，第二接觸孔為相對(duì)于第一接觸孔的淺孔?？梢岳斫獾?，所述第二接觸孔和所述第三接觸孔之間也構(gòu)成深孔和淺孔結(jié)構(gòu)，也即第二接觸孔為相對(duì)于第三接觸孔的深孔，第三接觸孔為相對(duì)于第二接觸孔的淺孔。由于所述深孔和淺孔交界處(也即第一接觸孔和第二接觸孔以及第二接觸孔和第三接觸孔交界的臺(tái)階處)常常出現(xiàn)倒角不良，從而導(dǎo)致浮置導(dǎo)電層在該深孔和淺孔交界處的位置容易出現(xiàn)斷裂，造成該處位置信號(hào)傳輸不穩(wěn)定，導(dǎo)致高垂直配向過(guò)程出現(xiàn)異常。本發(fā)明通過(guò)在所述薄膜堆疊層上設(shè)置具有開孔的浮置電極層，并在在浮置電極層對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界的位置兩側(cè)設(shè)置加寬的凸出部，避免了上述斷裂造成的信號(hào)傳輸不穩(wěn)定現(xiàn)象。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述每一像素單元還包括陣列基板公共電極線，所述深淺孔單元將所述子像素電極的電荷導(dǎo)入所述陣列基板公共電極線，拉低所述子像素電極的電位。

優(yōu)選的，所述凸出部的寬度大于或等于所述開孔的寬度。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述每一像素單元還包括數(shù)據(jù)線，位于所述子像素電極和所述主像素電極之間的柵極線，所述數(shù)據(jù)線通過(guò)第一tft開關(guān)連接所述柵極線和所述子像素電極，且所述數(shù)據(jù)線通過(guò)第二tft開關(guān)連接所述柵極線和所述主像素電極。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述深淺孔單元通過(guò)第三tft開關(guān)連接所述陣列基板公共電極線和所述子像素電極。所述子像素電極的電荷即是通過(guò)第三tft開關(guān)和深淺孔單元導(dǎo)入了陣列基板公共電極，從而拉低了子像素電極的電位，達(dá)到子像素電極和主像素電極的電位不相等，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)低色彩偏移的目的。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述浮置導(dǎo)電層采用銦錫氧化物制成。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一絕緣層采用g-sinx材料制成，所述第二絕緣層采用有機(jī)樹脂材料制成。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述子像素電極和所述主像素電極均采用銦錫氧化物制成。

作為對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述每一像素單元還包括將所述浮置導(dǎo)電層連接至所述第一金屬層的過(guò)孔。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)在浮置導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)深孔和淺孔交界的位置設(shè)置開孔，避免了浮置導(dǎo)電層在該深孔和淺孔位置出現(xiàn)斷裂，并通過(guò)在浮置電極層對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界的位置兩側(cè)設(shè)置加寬的凸出部，保證了深孔和淺孔之間電荷傳輸?shù)乃俾?，彌補(bǔ)了設(shè)置開孔造成的電荷傳輸速率降低的缺陷。保證了信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過(guò)程中出現(xiàn)的配向異常。

附圖說(shuō)明

下面將結(jié)合附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)地描述。在圖中：

圖1是本發(fā)明的實(shí)施例所述的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是現(xiàn)有技術(shù)所公開的陣列基板的深淺孔單元的薄膜堆疊層的俯視圖。

圖3是圖2的浮置導(dǎo)電層的俯視圖。

圖4為圖2的c-c向剖視圖。

圖5是本發(fā)明的實(shí)施例所述的陣列基板的深淺孔單元的薄膜堆疊層的俯視圖。

圖6是圖5的浮置導(dǎo)電層的俯視圖。

圖7是圖5的b-b向剖視圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例繪制。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖1，顯示了一種陣列基板，包括：

基板(圖中未顯示)；

位于所述基板上的多個(gè)像素單元1，每一像素單元1包括主像素電極2、子像素電極3和用于拉低所述子像素電極3電位的深淺孔單元4；

如圖7所示，所述深淺孔單元4包括具有深孔和淺孔的薄膜堆疊層41和位于所述薄膜堆疊層41上的浮置導(dǎo)電層42。如圖5和圖6所示，所述浮置導(dǎo)電層42對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界的位置(如圖5中a所示位置)具有開孔421，且所述浮置導(dǎo)電層42對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界位置的兩側(cè)具有凸出部422。所述凸出部422加寬了浮置導(dǎo)電層42兩側(cè)的寬度，彌補(bǔ)了在浮置導(dǎo)電層42上設(shè)置開孔421所導(dǎo)致的傳輸速率降低的缺陷。優(yōu)選的，如圖5和圖6所示，所述凸出部422的寬度大于或等于所述開孔421的寬度。優(yōu)選的，所述浮置導(dǎo)電層42采用ito制成。

所述深淺孔單元4通過(guò)拉低所述子像素電極3的電位，使得所述主像素電極2和子像素電極3的電位不相等，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)低色彩偏移的目的。并通過(guò)在所述浮置導(dǎo)電層42對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界位置設(shè)置開孔421和凸出部422，避免了浮置導(dǎo)電層42在該深孔和淺孔位置出現(xiàn)斷裂，保證了深孔和淺孔之間信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過(guò)程中出現(xiàn)的配向異常。

在一個(gè)實(shí)施例中，如圖7所示，所述薄膜堆疊層41包括：

第一金屬層411，形成于所述基板上；

第一絕緣層412，位于所述第一金屬層411上，且所述第一絕緣層412形成有暴露所述第一金屬層411的表面的接觸孔5，所述接觸孔5具有臺(tái)階53，使得所述接觸孔5構(gòu)造成第一接觸孔51和第二接觸孔52；

第二金屬層413，位于所述接觸孔5一側(cè)的第一絕緣層412上且靠近所述接觸孔5的一側(cè)暴露第一絕緣層412的表面，使得所述第二金屬層413與所述第一絕緣層412的暴露的表面構(gòu)造成第三接觸孔6；

第二絕緣層414，位于所述第二金屬層413上且靠近所述接觸孔5的一側(cè)暴露第二金屬層413的表面，以及位于所述第一絕緣層412上。

所述第一接觸孔51和第二接觸孔51之間構(gòu)成深孔和淺孔結(jié)構(gòu)，也即第一接觸孔51為相對(duì)于第二接觸孔52的深孔，第二接觸孔52為相對(duì)于第一接觸孔51的淺孔。可以理解的，所述第二接觸孔52和所述第三接觸孔6之間也構(gòu)成深孔和淺孔結(jié)構(gòu)，也即第二接觸孔52為相對(duì)于第三接觸孔6的深孔，第三接觸孔6為相對(duì)于第二接觸孔52的淺孔。由于所述深孔和淺孔交界處(也即第一接觸孔51和第二接觸孔52以及第二接觸孔52和第三接觸孔6交界的臺(tái)階處)常常出現(xiàn)倒角7，從而導(dǎo)致浮置導(dǎo)電層42在該深孔和淺孔交界處的位置容易出現(xiàn)斷裂，造成該處位置信號(hào)傳輸不穩(wěn)定，導(dǎo)致高垂直配向過(guò)程出現(xiàn)異常。本發(fā)明通過(guò)在所述薄膜堆疊層41上設(shè)置具有開孔421的浮置電極層42，并在在浮置電極層42對(duì)應(yīng)所述深孔和淺孔交界的位置兩側(cè)設(shè)置加寬的凸出部422，避免了上述斷裂造成的信號(hào)傳輸不穩(wěn)定現(xiàn)象。

在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述每一像素單元1還包括陣列基板公共電極線8，所述深淺孔單元4將所述子像素電極3的電荷導(dǎo)入所述陣列基板公共電極線8，拉低所述子像素電極3的電位。

在一個(gè)實(shí)施例中，再次參見圖1，所述每一像素單元1還包括數(shù)據(jù)線9，位于所述子像素電極3和所述主像素電極2之間的柵極線10，所述數(shù)據(jù)線9通過(guò)第一tft開關(guān)(圖中未顯示)連接所述柵極線10和所述子像素電極3，且所述數(shù)據(jù)線9通過(guò)第二tft開關(guān)(圖中未顯示)連接所述柵極線10和所述主像素電極2。

在一個(gè)實(shí)施例中，參見圖1，所述深淺孔單元4通過(guò)第三tft開關(guān)(圖中未顯示)連接所述陣列基板公共電極線8和所述子像素電極3。所述子像素電極3的電荷即是通過(guò)第三tft開關(guān)和深淺孔單元4導(dǎo)入了陣列基板公共電極8，從而拉低了子像素電極3的電位，達(dá)到子像素電極3和主像素電極2的電位不相等，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)低色彩偏移的目的。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述浮置導(dǎo)電層42采用銦錫氧化物制成。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一絕緣層412采用g-sinx材料制成，所述第二絕緣層414采用有機(jī)樹脂材料制成。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述子像素電極3和所述主像素電極2均采用銦錫氧化物制成。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述每一像素單元1還包括將所述浮置導(dǎo)電層42連接至所述第一金屬層411的過(guò)孔11。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)在浮置導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)深淺孔交界的位置設(shè)置開孔，避免了浮置導(dǎo)電層在該深淺孔位置出現(xiàn)斷裂，并通過(guò)在浮置電極層對(duì)應(yīng)所述深淺孔交界的位置兩側(cè)設(shè)置加寬的凸出部，保證了深孔和淺孔之間電荷傳輸?shù)乃俾剩瑥浹a(bǔ)了設(shè)置開孔造成的電荷傳輸速率降低的缺陷。保證了信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定，降低了高垂直配向過(guò)程中出現(xiàn)的配向異常。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但本發(fā)明保護(hù)范圍并不局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明公開的技術(shù)范圍內(nèi)，可容易地進(jìn)行改變或變化，而這種改變或變化都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。