本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)、顯示面板、顯示裝置及像素結(jié)構(gòu)制作方法。
背景技術(shù):
現(xiàn)有技術(shù)的液晶面板進行顯示時需要背光源(backlight)提供光源,背光源是位于液晶顯示器(liquidcrystaldisplay,lcd)背后的一種光源,它的發(fā)光效果將直接影響到液晶顯示模塊(lcm)的視覺效果。
背光源主要由光源、導光板、光學用模片、結(jié)構(gòu)件組成,其中:
光源:主要有面光源(el)、線光源(ccfl)及點光源(led)三種背光源類型;
導光板:分為印刷、化學蝕刻(etching)、精密機械刻畫法(v-cut)、光微影(stamper)、內(nèi)部擴散、熱壓;
光學用模片:增光膜/片、擴散膜/片、反射片、黑/白膠;
結(jié)構(gòu)件中有:背板(鐵背板、鋁背板、塑膠背板)、膠框、燈管架、鋁型材、鋁基條。
但是,現(xiàn)有技術(shù)中的背光源的功耗較大。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本申請實施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)、顯示面板、顯示裝置及像素結(jié)構(gòu)制作方法,用以將實現(xiàn)光的反射功能的反射結(jié)構(gòu)設置于像素結(jié)構(gòu)底部基板上,從而節(jié)省了背光源結(jié)構(gòu),降低了整體功耗。
本申請實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)包括:基板、位于所述基板之上的像素柵極、像素電極,在所述像素柵極和所述像素電極之間設置有第一絕緣層,在所述基板之上,所述第一絕緣層、所述像素柵極之下,還設置有滿足光的反射條件的反射結(jié)構(gòu)。
本申請實施例提供的該像素結(jié)構(gòu),由于在所述基板之上,所述第一絕緣層、所述像素柵極之下,還設置有滿足光的反射條件的反射結(jié)構(gòu),因此,設置的反射結(jié)構(gòu),用以實現(xiàn)光的反射功能,從而節(jié)省了背光源結(jié)構(gòu),降低了整體功耗。
可選地,所述反射結(jié)構(gòu)為滿足光的漫反射條件的漫反射結(jié)構(gòu)。
本申請實施例中所述漫反射結(jié)構(gòu)的設置,用以實現(xiàn)光的漫反射功能,從而有利于增大側(cè)向的可視角度。
可選地,所述漫反射結(jié)構(gòu)包括設置在所述基板之上的至少一個凸起和覆蓋在所述凸起之上的反射層;
所述像素結(jié)構(gòu)還包括設置在所述反射層之上的用于將所述像素柵極與所述反射層絕緣的第二絕緣層。
本申請實施例中所述的凸起,用于破壞反射層的鏡面結(jié)構(gòu),使反射層表面不再光滑,滿足光的漫反射條件;所述反射層用于進行光的漫反射;所述的第二絕緣層,隔離反射層和像素柵極的信號,保證像素的正常驅(qū)動。
可選地,所述凸起位于所述基板的顯示區(qū)內(nèi)。
可選地,每一所述凸起包括多層子凸起。
本申請實施例中的所述多層子凸起,使凹凸結(jié)構(gòu)明顯,從而更好地實現(xiàn)光的漫反射。
可選地,在所述凸起與所述基板之間還設置有用于提高所述凸起與所述基板之間的粘附力的基底層。
本申請實施例中的所述基底層可以是設置在凸起與所述基板之間,起到了平坦膜層的作用,從而可以提高所述凸起與所述基板之間的粘附力,并且可以很好地實現(xiàn)各個凸起的一致性,使得每一凸起對應的漫反射效果一致。
本申請實施例提供的一種顯示面板,包括本申請實施例提供的任一所述的像素結(jié)構(gòu)。
本申請實施例提供的一種顯示裝置,包括本申請實施例提供的所述的顯示面板。
本申請實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法,包括:
在基板上形成漫反射結(jié)構(gòu);
在形成有漫反射結(jié)構(gòu)的基板之上分別形成像素柵極、第一絕緣層、像素電極。
可選地,所述在基板上形成漫反射結(jié)構(gòu),具體包括:
在所述基板之上形成至少一個凸起;
形成覆蓋在所述凸起之上的反射層;
在所述反射層之上形成用于將所述像素柵極與所述反射層絕緣的第二絕緣層。
可選地,所述反射層和所述像素電極是采用同一掩膜板形成的。
本申請實施例提供的該像素結(jié)構(gòu)制作方法,所述反射層與所述像素電極使用同一張掩膜板制作,因此所述反射層的設置無需增加新的掩膜板。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些圖獲得其他的附圖。
圖1為本申請實施例提供的第一種像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本申請實施例提供的第二種像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本申請實施例提供的第三種像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖中的標記說明:1-基板;2-凸起;3-反射層;4-第二絕緣層;5-像素柵極;6-第一絕緣層;7-tft活化層;8-像素源漏極;9-像素電極;10-像素電極;11-基板;12-液晶;2a-第一層子凸起;2b-第二層子凸起;20-漫反射結(jié)構(gòu)。
具體實施方式
本申請實施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)、顯示面板、顯示裝置及像素結(jié)構(gòu)制作方法,用以將實現(xiàn)光的反射功能的反射結(jié)構(gòu)設置于像素結(jié)構(gòu)底部基板上,從而節(jié)省了背光源結(jié)構(gòu),降低了整體功耗。
下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒旧暾堉械膶嵤├?,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本申請保護的范圍。
參見圖1,本申請實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)包括:基板1、位于所述基板1之上的像素柵極5、像素電極9,在所述像素柵極5和所述像素電極9之間設置有第一絕緣層6,在所述基板1之上,所述第一絕緣層6、所述像素柵極5之下,還設置有滿足光的反射條件的反射結(jié)構(gòu)20。
其中,所述的基板1的材料不進行限制,例如可以是玻璃基板也可以是其他材質(zhì)的基板,其厚度也不進行限制,可以根據(jù)實際需要而定。
本申請實施例提供的該像素結(jié)構(gòu),由于在所述基板1之上,所述第一絕緣層6、所述像素柵極5之下,還設置有滿足光的反射條件的反射結(jié)構(gòu)20,因此,設置的反射結(jié)構(gòu)實現(xiàn)光的反射功能,從而節(jié)省了背光源結(jié)構(gòu),降低了整體功耗。
可選地,為了進一步增大側(cè)向可視角度,所述反射結(jié)構(gòu)20為滿足光的漫反射條件的漫反射結(jié)構(gòu)20。
可選地,所述漫反射結(jié)構(gòu)20包括設置在所述基板1之上的至少一個凸起2和覆蓋在所述凸起2之上的反射層3;
所述像素結(jié)構(gòu)還包括設置在所述反射層3之上的用于將所述像素柵極5與所述反射層3絕緣的第二絕緣層4。
本申請實施例中由于凸起2的存在使得覆蓋在凸起2上的反射層3表面凹凸不平,從而滿足光的漫反射條件,實現(xiàn)了光的漫反射功能。
本申請實施例中所述凸起2的材料包括氮化硅,當然也可以采用樹脂材料,但是,氮化硅相比樹脂材料,成本更低,且氮化硅與玻璃基板1的粘附力更強,從而采用氮化硅制作凸起2不僅可以節(jié)約成本,還可以省去在制作漫反射結(jié)構(gòu)20之前的平坦化操作。
本申請實施例中對所述凸起2的高度也不進行限制,例如,為了使得所述凸起2的高度能更好地滿足光的漫反射條件,可以將每一凸起2的高度設置在3000至4000埃的范圍內(nèi)。
本申請實施例中所述反射層3的材料,例如可以是金屬材質(zhì),當然也可以是其他材質(zhì),或者是其他材質(zhì)和金屬材質(zhì)的混合。其中,所述金屬材質(zhì)例如可以是銅、鐵、鋁或多種金屬材料的化合物等。所述反射層3可以是單層金屬材質(zhì),也可以由多層金屬材質(zhì)組成。
本申請實施例中所述第二絕緣層4的材料可以是氮化硅也可以是樹脂,所述第二絕緣層4用來隔離反射層3和像素柵極5的信號,保證像素的正常驅(qū)動。
可選地,所述凸起2位于所述基板的顯示區(qū)內(nèi)。
本申請實施例中所述凸起2起位于顯示區(qū)內(nèi),覆蓋于凸起2之上的反射層3,可以滿足光的漫反射條件,從而使漫反射結(jié)構(gòu)20在顯示區(qū)內(nèi)形成光的漫反射。
可選地,參見圖2,每一所述凸起2包括第一層子凸起2a和第二層子凸起2b,多層子凸起的設置可以使得反射層3的凹凸結(jié)構(gòu)更加明顯,更好地滿足光的漫反射條件,從而可以使得光線更好地實現(xiàn)漫反射,進一步增大側(cè)向的可視角度。
可選地,參見圖3,在所述凸起2與所述基板1之間還設置有用于提高所述凸起2與所述基板1之間的粘附力的基底層13。
可選地,所述基底層13的材料與凸起2的材料一致,例如都是氮化硅,其厚度不進行限制,根據(jù)具體需要而定?;讓?3可以覆蓋基板1整面,從而使得所述基底層13不僅可以進一步起到了平坦凸起2所設置的膜層的作用,還可以進一步提高凸起2與基板1之間的粘附力,避免凸起2脫落。
上述基板1為像素結(jié)構(gòu)的下基板,上述的像素電極9為設置在下基板一側(cè)的第一像素電極,如圖1或圖2所示,本申請實施例中所述的像素結(jié)構(gòu),還包括上基板11,設置在上基板11面向下基板1一側(cè)的第二像素電極10,以及設置在第一像素電極9和第二像素電極10之間的液晶12。另外,在第一絕緣層6之上,非顯示區(qū)中,還設置有薄膜晶體管(thinfilmtransistor,tft)活化層7,以及位于tft活化層7之上的像素源/漏極8。
可選地,所述的上基板11和/或下基板1,可以是玻璃基板。
除此之外,本申請實施例提供的像素結(jié)構(gòu)還可以包括其他現(xiàn)有層結(jié)構(gòu),在此不再贅述。
本申請實施例提供的一種顯示面板,包括本申請實施例提供的任一所述的像素結(jié)構(gòu)。
本申請實施例提供的一種顯示裝置,包括本申請實施例提供的所述的顯示面板。
所述顯示裝置,例如可以是智能手機、液晶電視機、平板電腦、發(fā)光二極管(lightemittingdiode,led)顯示屏、lcd等任何具有顯示功能的產(chǎn)品。
下面結(jié)合附圖給出本申請實施例的一種像素結(jié)構(gòu)制作方法的舉例說明。
例如,參見圖3,本申請實施例提供的像素結(jié)構(gòu)的制作方法包括:
步驟一:在像素結(jié)構(gòu)底部的下基板1制作一層基底層13作為基底,當然,也可以不用制作基底層13,直接使用下基板1作為基底,即本步驟可以省略;
步驟二:在所述基底層13之上,制作反射結(jié)構(gòu)20。
其中,反射結(jié)構(gòu)的制作包括:
在所述基底層13上通過使用第一掩膜板并加以刻蝕,在顯示區(qū)形成多個凸起2,凸起之間的間隔、每一凸起的高度都可以根據(jù)實際需要而定;
在所述的凸起2之上,使用第二掩膜板制作反射層3。
步驟三:在所述的反射層3上制作第二絕緣層4;
步驟四:在第二絕緣層4之上,非顯示區(qū)部分,制作像素柵極5;
步驟五:在像素柵極5和第二絕緣層4之上制作第一絕緣層6;
步驟六:在第一絕緣層6之上,非顯示區(qū),形成tft活化層7;
步驟七:在tft活化層7之上,形成像素源/漏極8;
步驟八:在第一絕緣層6之上,顯示區(qū)內(nèi),采用所述第二掩膜板形成第一像素電極9;
步驟九:將形成有第二像素電極10的上基板11,與上述步驟形成的結(jié)構(gòu)對盒封裝,并且在第一像素電極9和第二像素電極10之間填充液晶12。
其中,反射層3和像素電極9共用同一張掩膜板制作,未增加新的掩膜板,并且還可以避開像素柵極5,不會對像素驅(qū)動造成影響。另外,由于反射層3和像素電極9共用同一掩模板,在像素設計中像素電極9不會和像素柵極5存在交疊,反射層3也不會和像素柵極5存在交疊,即像素柵極5可以在較低的平坦區(qū)域完成制作。另外,第二絕緣層4和第二絕緣層6交疊后,其厚度可以使得膜層變得平坦,不影響制作像素電極9。
另外,為了將凸起的高度滿足要求,例如做到
綜上所述,本申請實施例提供的技術(shù)方案,在下基板1上設置有滿足光的反射條件的反射結(jié)構(gòu)20,設置的反射結(jié)構(gòu)20實現(xiàn)光的反射功能,從而節(jié)省了背光源結(jié)構(gòu),降低了整體功耗;進一步,將反射結(jié)構(gòu)20設置為用以實現(xiàn)光的漫反射功能的漫反射結(jié)構(gòu),有利于增大側(cè)向的可視角度;進一步,將基底層13設置在凸起2與下基板1之間,起到了平坦膜層的作用,從而可以提高凸起的粘附力,避免凸起脫落,并且可以很好地實現(xiàn)各個凸起的一致性,使得每一凸起對應的漫反射效果一致;進一步,所述凸起2的材料采用氮化硅,可以使得成本更低,且氮化硅與玻璃基板1的粘附力更強,從而采用氮化硅制作凸起不僅可以節(jié)約成本,還可以省去在制作漫反射結(jié)構(gòu)之前的平坦化操作;另外,反射層3與像素電極9使用同一張掩膜板制作,因此反射層的設置無需增加新的掩膜板。
顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本申請進行各種改動和變型而不脫離本申請的精神和范圍。這樣,倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本申請也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。