本發(fā)明涉及顯示
技術領域：
，特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示裝置。
背景技術：
：液晶顯示裝置(liquidcrystaldisplay,lcd)具有畫質好、體積小、重量輕、低驅動電壓、低功耗、無輻射和制造成本相對較低的優(yōu)點，在平板顯示領域占主導地位。液晶顯示裝置包括相對設置的彩色濾光片基板和薄膜晶體管陣列基板以及夾置在兩者之間的液晶層。傳統(tǒng)扭曲向列型(twistednematic,tn)的液晶顯示裝置，第一電極和第二電極分別形成在上下兩個不同的基板上，但tn型液晶顯示裝置的視角比較窄。為實現(xiàn)寬視角，采用邊緣電場的邊緣電場切換型(fringefieldswitching,ffs)的液晶顯示裝置被開發(fā)出來。ffs型的液晶顯示裝置中，第一電極和第二電極是形成在同一基板(即薄膜晶體管陣列基板)上，液晶在與基板大致平行的平面內(nèi)旋轉從而獲得更廣的視角。針對ffs型的液晶顯示裝置，第一電極和第二電極之間產(chǎn)生的邊緣電場可以分解為水平方向的電場分量和垂直方向的電場分量。水平方向的電場分量是有效電場，用于驅動液晶在水平面內(nèi)旋轉，實現(xiàn)顯示目的。而垂直方向的電場分量會使液晶在豎直面內(nèi)偏轉，降低液晶顯示裝置在顯示時的穿透率，并容易產(chǎn)生tracemura現(xiàn)象，因此要盡量避免在垂直方向上產(chǎn)生較大電場?，F(xiàn)有技術中為了降低ffs型液晶顯示裝置在垂直方向的電場分量，采取的方法有：(1)、通過調(diào)整液晶參數(shù)，提高液晶△n；(2)、調(diào)整第二電極的電極線寬以及線距；(3)、使用帶有增亮效果的偏光板、使用帶有增亮效果的背光源。但是采用這些技術方案，存在實施較困難、成本較高、功耗大等問題。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示裝置，以降低ffs型液晶顯示裝置的垂直方向電場分量，提升正性液晶的光透過率，改善正性液晶的tracemura現(xiàn)象。本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括設置在襯底上的第一電極、第一絕緣層和第二電極，該第二電極位于該第一電極上方，該第一絕緣層夾在該第一電極和該第二電極之間，該第一電極為面狀結構，該第二電極為條狀結構且包括相互間隔的多個電極條，該第二電極上設有第二絕緣層，該第二絕緣層包括相互間隔的多個絕緣條，該多個絕緣條一一對應分別設置在該多個電極條上，每個絕緣條沿著對應的電極條的長度方向延伸。進一步地，每個絕緣條在對應的電極條上居中設置。進一步地，每個絕緣條的寬度等于對應的電極條的寬度，每個絕緣條剛好將對應的電極條完全覆蓋。進一步地，每個絕緣條的寬度小于對應的電極條的寬度，每個絕緣條未將對應的電極條的兩側區(qū)域覆蓋，使每個電極條的兩側區(qū)域露出。進一步地，每個絕緣條的任意一側的邊緣與對應的電極條的同一側邊緣之間的距離在0～0.9um之間。進一步地，該第二絕緣層的厚度在0.02um～0.3um之間。進一步地，該第一電極為公共電極，該第二電極為像素電極。進一步地，該第一電極為像素電極，該第二電極為公共電極。進一步地，該第一絕緣層形成在該第一電極上并覆蓋該第一電極，該第二電極形成在該第一絕緣層上，該第二絕緣層形成在該第二電極上。本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示裝置，包括相對設置的彩色濾光片基板和薄膜晶體管陣列基板以及夾在兩者之間的液晶層，該薄膜晶體管陣列基板為上述的薄膜晶體管陣列基板。本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示裝置，通過在第二電極上方制作一層絕緣保護層(即第二絕緣層)，絕緣保護層可以削弱第二電極上方的垂直電場，減小ffs型液晶顯示裝置顯示時正性液晶在第二電極上方的站立角度，提升正性液晶的光透過率，改善正性液晶的tracemura現(xiàn)象，且節(jié)省功耗。附圖說明圖1為本發(fā)明第一實施例中液晶顯示裝置的截面結構示意圖。圖2為圖1中液晶顯示裝置的電路示意圖。圖3為圖1中第二電極與絕緣保護層的平面結構示意圖。圖4a至圖4b為本發(fā)明第一實施例與一個比較實施例的顯示效果示意圖。圖5為本發(fā)明第二實施例中液晶顯示裝置的截面結構示意圖。圖6為圖5中液晶顯示裝置的電路示意圖。圖7為圖5中第二電極與絕緣保護層的平面結構示意圖。具體實施方式為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術方式及功效，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明的具體實施方式、結構、特征及其功效，詳細說明如后。[第一實施例]圖1為本發(fā)明第一實施例中液晶顯示裝置的截面結構示意圖，該液晶顯示裝置包括相對設置的彩色濾光片基板10和薄膜晶體管陣列基板20以及夾在兩者之間的液晶層30。為了清楚起見，圖1中僅示意了該液晶顯示裝置與其中一個子像素對應的截面結構示意圖(圖中以r子像素為例示意)。彩色濾光片基板10的結構可以不做限制，本實施例中，彩色濾光片基板10包括第一襯底11，第一襯底11在朝向液晶層30的一側設有r、g、b三色的濾光膜12和遮光層(bm)13，遮光層13設置在不同顏色的濾光膜12之間，在濾光膜12和遮光層13上設置有平坦層(oc)14。圖2為圖1中液晶顯示裝置的電路示意圖，請結合圖2，薄膜晶體管陣列基板20包括第二襯底21，第二襯底21在朝向液晶層30的一側設有掃描線27、數(shù)據(jù)線28、薄膜晶體管(tft)29、第一電極22、第一絕緣層23、第二電極24和第二絕緣層25。第一電極22與第二電極24位于不同層中，其中第二電極24位于第一電極22上方，第一絕緣層23夾在第二電極24與第一電極22之間，使第二電極24與第一電極22之間通過第一絕緣層23間隔開且相互絕緣。為了圖示簡潔，在圖1中未示出掃描線27、數(shù)據(jù)線28和薄膜晶體管29等膜層結構。本實施例提供的液晶顯示裝置為采用邊緣電場切換型(ffs)模式的液晶顯示裝置，像素電極(pixelelectrode)和公共電極(commonelectrode)均形成在薄膜晶體管陣列基板20上，而且像素電極和公共電極之間通過絕緣層隔開。當在像素電極和公共電極之間施加顯示用的電場時，液晶在與基板大致平行的平面內(nèi)旋轉以獲得較廣的視角。如圖2所示，多條掃描線27與多條數(shù)據(jù)線28相互交叉限定形成多個子像素sp(sub-pixel)。每個子像素可為r、g或b子像素。r、g和b三個子像素可以構成一個像素(pixel)。每個子像素內(nèi)設有像素電極和薄膜晶體管(tft)29。本實施例中，第一電極22為公共電極，第二電極24為像素電極，即設置在每個子像素內(nèi)的像素電極為第二電極24。每個薄膜晶體管29包括柵極、源極及漏極(圖未示)，其中柵極電連接對應的掃描線27，源極電連接對應的數(shù)據(jù)線28，漏極電連接對應的像素電極(本實施例中為第二電極24)。第一電極22為面狀結構，但是第二電極24為條狀結構。本實施例中，作為像素電極的第二電極24包括相互間隔的多個電極條24a，相鄰的電極條24a之間形成狹縫24b。由于第二電極24作為像素電極，該多個電極條24a在端部連接在一起并與tft29的漏極電連接。圖3為圖1中第二電極與絕緣保護層的平面結構示意圖，請結合圖3，第二電極24上設有第二絕緣層25，第二絕緣層25包括相互間隔的多個絕緣條25a，該多個絕緣條25a一一對應分別設置在第二電極24的多個電極條24a上，而且每個絕緣條25a沿著對應的電極條24a的長度方向延伸。優(yōu)選地，每個絕緣條25a在對應的電極條24a上居中設置，每個絕緣條25a的寬度小于或等于對應的電極條24a的寬度。當每個絕緣條25a的寬度等于對應的電極條24a的寬度時，每個絕緣條25a剛好將對應的電極條24a完全覆蓋。當每個絕緣條25a的寬度小于對應的電極條24a的寬度時，每個絕緣條25a未將對應的電極條24a的兩側區(qū)域覆蓋，從而使每個電極條24a的兩側區(qū)域露出，如圖1-2所示。用“x”表示每個絕緣條25a的任意一側的邊緣與對應的電極條24a的同一側邊緣之間的距離，則x的取值范圍優(yōu)選地在0～0.9um之間。其中，當x＝0時，表示每個絕緣條25a的寬度正好等于對應的電極條24a的寬度。本實施例的液晶顯示裝置，可以在襯底21上先制作掃描線27、數(shù)據(jù)線28和薄膜晶體管29等膜層結構，然后形成第一電極22，之后第一絕緣層23形成在第一電極22上并覆蓋第一電極22，第二電極24形成在第一絕緣層23上，第二絕緣層25形成在第二電極24上。針對條狀結構的第二電極24，可以通過濺射或pecvd的方式先沉積成膜，然后再進行黃光制程和刻蝕工藝，最終圖案化形成各個電極條24a，同理可以制作形成第二絕緣層25的各個絕緣條25a。第一電極22與第二電極24例如采用ito(氧化銦錫)、izo(氧化銦鋅)等透明導電材質制成。第一絕緣層23和第二絕緣層25例如采用siox(氧化硅)、sinx(氮化硅)、sioxny(氮氧化硅)等材質制成，這些無機絕緣材料的絕緣性能好且介電常數(shù)小。第二絕緣層25的厚度優(yōu)選地控制在0.02um～0.3um之間。每個子像素內(nèi)的該多個絕緣條25a可以各自相互獨立設置，或者每個子像素內(nèi)的該多個絕緣條25a也可以在端部連為一體。液晶分為正性液晶和負性液晶。如果液晶層30使用正性液晶，當在第二電極24上方存在較大的垂直方向電場時，由于正性液晶在電場作用下將沿著平行于電場線的方向旋轉，因此正性液晶在該垂直方向電場作用下將發(fā)生偏轉，液晶的傾斜角度增大，使正性液晶的穿透率降低。本實施例中，在第二電極24上方再制作一層絕緣保護層(第二絕緣層25)，絕緣保護層的主要作用是削弱第二電極24上方的垂直電場，減小正性液晶在第二電極24表面上方的垂直站立角度，使得液晶的有效△n增加，提高顯示面板的光透過率。而且絕緣保護層不完全覆蓋第二電極24，而是露出第二電極24的兩邊區(qū)域，不會影響第一電極22與第二電極24之間產(chǎn)生水平電場，對正常顯示不造成影響?？梢岳斫獾?，如果液晶層30使用負性液晶，負性液晶的特性是在電場作用下將沿著垂直于電場線的方向旋轉，負性液晶在該垂直方向電場作用下將保持在水平面內(nèi)，不發(fā)生傾斜方向偏轉，即垂直方向電場不會對使用負性液晶的液晶顯示裝置造成影響，因此本發(fā)明同時適應于使用正性液晶和負性液晶的液晶顯示裝置。針對使用正性液晶的液晶顯示裝置，則可以通過絕緣保護層(第二絕緣層25)削弱第二電極24上方的垂直電場，減小正性液晶在第二電極24上方的站立角度，提升正性液晶的光透過率，并改善正性液晶的tracemura現(xiàn)象。圖4a至圖4b為本發(fā)明第一實施例與一個比較實施例的顯示效果示意圖，其中圖4a為該比較實施例中的液晶顯示裝置的顯示效果示意圖，圖4b為本發(fā)明第一實施例中的液晶顯示裝置的顯示效果示意圖。在該比較實施例中，除了在第二電極24上方未設置第二絕緣層25之外，其余結構與本發(fā)明第一實施例完全相同。請參圖4a，在該比較實施例中，由于在第二電極24上方未設置第二絕緣層25，在各電極條24a上方存在較強的垂直電場，與各個電極條24a相對應位置的液晶會產(chǎn)生較大角度偏轉，影響液晶在顯示時的穿透率，其中曲線c1為該比較實施例的穿透率曲線，與各個電極條24a相對應位置處(如圖4a中虛線框b1所示)的穿透率較低。請參圖4b，本發(fā)明第一實施例中，由于在第二電極24的各個電極條24a上方分別設置有絕緣條25a，由于各個絕緣條25a的存在，削弱了各個電極條24a上方的垂直電場，減小了液晶在第二電極24上方的站立角度，從而提高液晶在顯示時的穿透率，其中曲線c2為本發(fā)明第一實施例的穿透率曲線，與各個電極條24a相對應位置處(如圖4b中虛線框b2所示)的穿透率有了提高。下面表格中列出了本發(fā)明不同實例中通過模擬實驗獲得的穿透率數(shù)據(jù)。模擬條件為電極條24a的寬度為2.6um，狹縫24b的寬度為3.2um，第二絕緣層25的厚度為0.06um。通過試驗分別模擬在絕緣條25a的邊緣與電極條24a的邊緣距離不同(即x取值不同)下的tr(穿透率)情況，其中“常規(guī)”代表未設置第二絕緣層；x的取值為+0.3代表絕緣條的寬度大于電極條的寬度且絕緣條每側還超出電極條0.3um；x的取值為0代表絕緣條的寬度等于電極條的寬度；x的取值為-0.3、-0.6、-0.9代表絕緣條的寬度小于電極條的寬度且電極條每側分別露出0.3、0.6、0.9um。x的取值/um常規(guī)+0.30-0.3-0.6-0.9飽和電壓/v3.43.63.43.43.43.4tr(穿透率)2.74％2.73％2.81％2.83％2.83％2.82％ratio100％99.76％102.68％103.35％103.44％103.12％從表中數(shù)據(jù)可看出，本發(fā)明在絕緣條25a的寬度和x取值不同的各個實例中，只要絕緣條25a不完全包裹電極條24a，液晶顯示裝置的透過率都會有不同程度的提升。本發(fā)明實施例提出的薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示裝置，通過在第二電極24上方制作一層絕緣保護層(即第二絕緣層25)，絕緣保護層可以削弱第二電極24上方的垂直電場，降低ffs型液晶顯示裝置顯示時在垂直方向電場分量，減小正性液晶在第二電極24上方的站立角度，提升正性液晶的光透過率，改善正性液晶的tracemura現(xiàn)象，而且節(jié)省功耗。[第二實施例]圖5為本發(fā)明第二實施例中液晶顯示裝置的截面結構示意圖，圖6為圖5中液晶顯示裝置的電路示意圖，請參圖5與圖6，本實施例與上述第一實施例的主要區(qū)別在于，本實施例中的第一電極22為像素電極，第二電極24為公共電極，即設置在每個子像素內(nèi)的像素電極為呈面狀結構的第一電極22，第一電極22與tft29的漏極電連接。圖7為圖5中第二電極與絕緣保護層的平面結構示意圖，請結合圖7，本實施例中，作為公共電極的第二電極24在每個子像素內(nèi)包括相互間隔的多個電極條24a，相鄰的電極條24a之間形成狹縫24b。該多個電極條24a的端部還連接有公共連接線24c，位于不同子像素內(nèi)的電極條24a通過公共連接線24c連接為一體。設置在第二電極24上方的第二絕緣層25包括相互間隔的多個絕緣條25a，第二絕緣層25的多個絕緣條25a一一對應分別設置在第二電極24的多個電極條24a上，每個絕緣條25a沿著對應的電極條24a的長度方向延伸。優(yōu)選地，每個絕緣條25a在對應的電極條24a上居中設置，每個絕緣條25a的寬度小于或等于對應的電極條24a的寬度。關于本實施例的其他結構與工作原理，可以參見上述第一實施例，在此不再贅述。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。當前第1頁12