本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示面板的多元化發(fā)展，人們對(duì)手機(jī)、電腦等顯示裝置的需求也越來越嚴(yán)格。為了能滿足大眾的需求，面板廠商也對(duì)顯示面板的設(shè)計(jì)做出相應(yīng)調(diào)整，例如，改變?cè)O(shè)計(jì)以降低面板的功耗，改用其他色阻材料以提高面板的顯示效果等等。在降低面板功耗的設(shè)計(jì)上，可以通過減小陣列基板行驅(qū)動(dòng)技術(shù)(gatedriveronarray,goa)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(thinfilmtransisor，tft)及改變像素的設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)，隨之而產(chǎn)生的改變像素設(shè)計(jì)的方案就有例如rgbw面板設(shè)計(jì)。雖然選用rgbw像素設(shè)計(jì)能降低面板的功耗，然而，在顯示純色或者是彩色畫面時(shí)，與rgb顯示面板相比，在同樣的背景顯示畫面下，采用rgbw像素設(shè)計(jì)的面板所顯示的純色亮度就會(huì)偏低，畫面顯示可能會(huì)失真，甚至?xí)谝欢ǔ潭壬嫌绊懏嬅娴那逦燃帮@示效果。

針對(duì)上述問題，在設(shè)計(jì)rgbw像素的面板時(shí)，為了能夠降低面板的功耗，同時(shí)又能提升面板的顯示效果，大多采用了非對(duì)稱rgbw像素設(shè)計(jì)及異形rgbw像素設(shè)計(jì)等解決方案。在具體設(shè)計(jì)過程中，可以通過增加rgb像素的所占比，對(duì)應(yīng)降低w像素的所占比來實(shí)現(xiàn)，從而降低w像素引起的rgbw面板彩色畫面的失真度，進(jìn)而提升彩色畫面的光學(xué)顯示效果。由于rgb像素與w像素的設(shè)計(jì)不同即非對(duì)稱像素設(shè)計(jì)，其存儲(chǔ)電容也有差異，而r、g、b、w四色子像素的寄生電容與tft卻相同，如此將會(huì)導(dǎo)致w像素與r、g、b像素的feedthrough電壓、充電和漏電的不同，從而會(huì)導(dǎo)致面板出現(xiàn)串?dāng)_(crosstalk)、閃爍(flicker)等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置，可以消除由于各像素中存儲(chǔ)電容不同、tft與寄生電容卻相同而引起的feedthrough電壓、充電、漏電的不同，最終引起的串?dāng)_(crosstalk)、閃爍(flicker)現(xiàn)象。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示像素結(jié)構(gòu)，包括呈矩陣排列的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括第一子像素、第二子像素、第三子像素以及第四子像素，每一子像素均包括一tft開關(guān)；所述第一子像素、所述第二子像素與所述第三子像素之一的tft開關(guān)的寬/長(zhǎng)比與所述第四子像素的tft開關(guān)的寬/長(zhǎng)比之間的比值，與所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素之一的存儲(chǔ)電容與所述第四子像素的存儲(chǔ)電容之間的比值相等；或者，所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素中至少兩個(gè)的tft開關(guān)的寬/長(zhǎng)比的平均值與所述第四子像素的tft開關(guān)的寬/長(zhǎng)比之間的比值等于所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素中至少兩個(gè)的存儲(chǔ)電容的平均值與所述第四子像素的存儲(chǔ)電容之間的比值。

其中，所述第一子像素、第二子像素與第三子像素的存儲(chǔ)電容均相等，所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素的tft開關(guān)的寬/長(zhǎng)比均相同，且所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)的寬/長(zhǎng)比與所述第四子像素的tft開關(guān)的寬/長(zhǎng)比之間的比值，與所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素中任意一個(gè)的存儲(chǔ)電容與所述第四子像素的存儲(chǔ)電容之間的比值相等。

其中，當(dāng)所述第一子像素、第二子像素、第三子像素的存儲(chǔ)電容相同時(shí)，所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)的長(zhǎng)度與所述第四子像素的tft開關(guān)的長(zhǎng)度相同，所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)的寬度與所述第四子像素的tft開關(guān)的寬度之間的比值與所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一個(gè)的存儲(chǔ)電容與所述第四子像素的存儲(chǔ)電容之間的比值相等。

其中，當(dāng)所述第一子像素、第二子像素、第三子像素的存儲(chǔ)電容相同時(shí)，所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)的寬度與所述第四子像素的tft開關(guān)的寬度相同，所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)的長(zhǎng)度與所述第四子像素的tft開關(guān)的長(zhǎng)度之間的比值與所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一個(gè)的存儲(chǔ)電容與所述第四子像素的存儲(chǔ)電容之間的比值相等。

其中，當(dāng)所述第一子像素、第二子像素、第三子像素的存儲(chǔ)電容相同時(shí)，所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)與所述第四子像素的tft開關(guān)的長(zhǎng)度與寬度均不相同，而分別對(duì)應(yīng)于所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)的寬/長(zhǎng)比與所述第四子像素的tft開關(guān)的寬/長(zhǎng)比之間的比值與所述第一子像素、第二子像素、第三子像素中任意一個(gè)的存儲(chǔ)電容與所述第四子像素的存儲(chǔ)電容之間的比值相等。

其中，所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素與所述第四子像素的面積相同，并且所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素與所述第四子像素的tft開關(guān)一并設(shè)置于所述第四子像素中。

其中，每一所述像素單元中的第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素采用兩行兩列的矩陣方式排列；所述第一子像素、第二子像素、第三子像素分別為紅色子像素、綠色子像素與藍(lán)色子像素中的一種，所述第四子像素為白色子像素或者黃色子像素。

其中，所述顯示像素結(jié)構(gòu)還包括多條平行設(shè)置的柵極線以及多條垂直于所述柵極線設(shè)置的數(shù)據(jù)線，所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線圍成所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素以及所述第四子像素。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括上述顯示像素結(jié)構(gòu)。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述陣列基板。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例中提供的顯示像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置，可以消除非對(duì)稱rgbw像素設(shè)計(jì)或異形rgbw像素設(shè)計(jì)中由于各像素中存儲(chǔ)電容不同、tft與寄生電容卻相同而引起的反饋電壓、充電、漏電的不同，最終引起的串?dāng)_與閃爍現(xiàn)象。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明顯示像素結(jié)構(gòu)的像素排列示意圖。

圖2為本發(fā)明顯示像素結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施方式是本發(fā)明的一部分實(shí)施方式，而不是全部實(shí)施方式。基于本發(fā)明中的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施方式，都應(yīng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

此外，以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明中所提到的方向用語，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語是為了更好、更清楚地說明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接；可以是機(jī)械連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。若本說明書中出現(xiàn)“工序”的用語，其不僅是指獨(dú)立的工序，在與其它工序無法明確區(qū)別時(shí)，只要能實(shí)現(xiàn)所述工序所預(yù)期的作用則也包括在本用語中。另外，本說明書中用“～”表示的數(shù)值范圍是指將“～”前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值包括在內(nèi)的范圍。在附圖中，結(jié)構(gòu)相似或相同的單元用相同的標(biāo)號(hào)表示。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示像素結(jié)構(gòu)，可以消除異形或者非對(duì)稱像素設(shè)計(jì)中由于各像素的反饋電壓、充電、漏電的不同而引起的串?dāng)_與閃爍現(xiàn)象。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。

請(qǐng)同時(shí)參閱圖1及圖2，圖1為本發(fā)明顯示像素結(jié)構(gòu)的像素排列示意圖，圖2為本發(fā)明顯示像素結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例中提供一種顯示像素結(jié)構(gòu)，其包括呈矩陣排列的多個(gè)像素單元10，每個(gè)像素單元10包括顏色各不相同的第一子像素、第二子像素、第三子像素與第四子像素，其中，所述第一子像素、第二子像素、第三子像素可分別為紅色子像素r、綠色子像素g與藍(lán)色子像素b中的一種，所述第四子像素為白色子像素w或者黃色子像素y。在本發(fā)明的實(shí)施例中，以白色子像素w作為第四子像素為例進(jìn)行說明。

每個(gè)所述像素單元10中的紅色子像素r、綠色子像素g與藍(lán)色子像素b(以下將上述三個(gè)顏色的子像素一起統(tǒng)稱為r、g、b三色子像素)的存儲(chǔ)電容可以相同，也可以不同，所述白色子像素w的存儲(chǔ)電容通常小于r、g、b三色子像素中的任意一個(gè)子像素的存儲(chǔ)電容。其中，每一所述子像素均包括一薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)開關(guān)11以及像素電極13，并且該r、g、b三色子像素其中一個(gè)的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比與白色子像素w的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比之間的比值，與所述r、g、b三色子像素其中一個(gè)的存儲(chǔ)電容與白色子像素w的存儲(chǔ)電容之間的比值相等；或者所述r、g、b三色子像素中至少兩個(gè)的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比的平均值與所述白色子像素w的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比之間的比值，與所述r、g、b三色子像素中至少兩個(gè)的存儲(chǔ)電容的平均值與所述白色子像素w的存儲(chǔ)電容之間的比值相等。其中，所述tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比指的是該tft開關(guān)11的溝道部分的寬度與長(zhǎng)度的比值。

由于子像素的寄生電容與寬/長(zhǎng)比成正比，通過上述方式設(shè)置了各子像素的寬/長(zhǎng)比后，則各子像素的寄生電容也要相應(yīng)調(diào)整，如此可有效防止由于各子像素之間的存儲(chǔ)電容不同而寄生電容卻相同進(jìn)而引起由于feedthrough電壓差異而導(dǎo)致的顯示不良。

本實(shí)施例的顯示像素結(jié)構(gòu)，將白色子像素w的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比與r、g、b三色子像素中至少一個(gè)的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比之間的比值對(duì)應(yīng)所述白色子像素w的存儲(chǔ)電容與r、g、b三色子像素中至少一個(gè)的存儲(chǔ)電容之間的比值進(jìn)行設(shè)置，可消除現(xiàn)有技術(shù)中由于白色子像素w與r、g、b三色子像素中任意一個(gè)存儲(chǔ)電容不同、而tft開關(guān)以及寄生電容卻相同而引起的串?dāng)_(crosstalk)和閃爍(flicker)等現(xiàn)象。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述r、g、b三色子像素的存儲(chǔ)電容相同，所述r、g、b三色子像素的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比也都相同，對(duì)應(yīng)的，所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比與所述白色子像素w的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比的比值，與所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的存儲(chǔ)電容與白色子像素w的存儲(chǔ)電容之間的比值相等。

進(jìn)一步的，當(dāng)所述r、g、b三色子像素的存儲(chǔ)電容相同時(shí)，將所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)與白色子像素w二者的tft開關(guān)11的長(zhǎng)度設(shè)置為相同，則r、g、b三色子像素中任意一個(gè)與白色子像素w二者的tft開關(guān)11的寬度的比值與所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)與白色子像素w二者的存儲(chǔ)電容的比值相等。請(qǐng)一并結(jié)合圖2，在本實(shí)施例中，所述r、g、b三色子像素中任一個(gè)與所述白色子像素w的tft開關(guān)11的長(zhǎng)度相同，即均為l，而r、g、b三色子像素的tft開關(guān)11的寬度都為w1，白色子像素w的tft開關(guān)11的寬度為w2，并且所述w1大于w2，所述r、g、b三色子像素中任一個(gè)的tft開關(guān)11的寬長(zhǎng)比w1/l與白色子像素w的tft開關(guān)11的寬長(zhǎng)比w2/l的比值為w1/w2，與所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的存儲(chǔ)電容與白色子像素w的存儲(chǔ)電容的比值相等。

可以理解，相應(yīng)地，當(dāng)所述r、g、b三色子像素的存儲(chǔ)電容相同時(shí)，也可以將所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)與白色子像素w二者的tft開關(guān)11的寬度設(shè)置為相同，則r、g、b三色子像素中任意一個(gè)與白色子像素w二者的tft開關(guān)11的長(zhǎng)度的比值與所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)與白色子像素w二者的存儲(chǔ)電容的比值相等。

可以理解，當(dāng)所述r、g、b三色子像素的存儲(chǔ)電容相同時(shí)，也可以設(shè)置所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)與白色子像素w二者的tft開關(guān)11的寬度與長(zhǎng)度均不同，但所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比與白色子像素w的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比的比值與所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的存儲(chǔ)電容與白色子像素w的存儲(chǔ)電容之間的比值相等。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比與所述白色子像素w的tft開關(guān)11的寬/長(zhǎng)比之間的比值，與所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的存儲(chǔ)電容與所述白色子像素w的存儲(chǔ)電容之間的比值相等。

具體的，上述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)與白色子像素w的tft開關(guān)11的寬度與長(zhǎng)度的設(shè)置，綜合了子像素的開口率(apertureratio)進(jìn)行考量，以最大化所有子像素的開口率為設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)。因此，本實(shí)施例中，為了最大化所有子像素的開口率，將各子像素的tft開關(guān)11的長(zhǎng)度設(shè)置為相同，r、g、b三色子像素中任意一個(gè)與白色子像素w的tft開關(guān)11的寬度之間的比值可對(duì)應(yīng)所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)與白色子像素w的存儲(chǔ)電容之間的比值進(jìn)行設(shè)定。通過上述設(shè)計(jì)，不僅可以盡可能地增大各子像素的開口率，還可以簡(jiǎn)化所述tft開關(guān)11的加工制程。

在本發(fā)明的一個(gè)本實(shí)施例中，所述r、g、b三色子像素與所述白色子像素w的面積相同，且二者均可采用2*2(即兩行兩列)矩陣的方式排列，并且每一像素單元中的r、g、b三色子像素的tft開關(guān)11以及白色子像素w的tft開關(guān)11一起設(shè)置于該像素單元的白色子像素w中。因此，所述白色子像素w的像素電極13所占的面積小于所述r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的像素電極13所占的面積，以提供足夠的空間容納該r、g、b三色子像素以及白色子像素w的tft開關(guān)。

可以理解的是，每一所述像素單元10中的四個(gè)子像素的tft開關(guān)11以環(huán)繞該像素單元10中的白色子像素w的像素電極13的方式設(shè)置于該白色子像素w中。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，像素單元中的紅色子像素r、綠色子像素g子像素排列設(shè)置于第一行，藍(lán)色子像素b、白色子像素w像素排列設(shè)置于紅色子像素r、綠色子像素g的下一行，對(duì)應(yīng)的，紅色子像素r、綠色子像素g的tft開關(guān)11設(shè)置于白色子像素w的像素電極13的一端，藍(lán)色子像素b、白色子像素w的tft開關(guān)11設(shè)置于白色子像素w的像素電極13的另一端。

進(jìn)一步的，所述r、g、b三色子像素以及白色子像素w這四個(gè)子像素的像素電極13形狀相同，并且白色子像素w的像素電極13尺寸偏小(即白色子像素w的像素電極13小于上述紅色子像素r、綠色子像素g或藍(lán)色子像素b的像素電極)，因此能夠提供足夠的空間容納該像素單元10中的四個(gè)tft開關(guān)11的同時(shí)，也使得白色子像素w的存儲(chǔ)電容小于r、g、b三色子像素中任意一個(gè)的存儲(chǔ)電容。其中，每一子像素的像素電極13均包括鏤空的條狀電極主體(圖未標(biāo))以及由所述電極主體末端延伸形成連接部(圖未標(biāo))，在本發(fā)明實(shí)施例中，該連接部可為塊狀，如圓形或方形塊狀，以便于通過一過孔連接至所述tft開關(guān)11。

進(jìn)一步的，所述顯示像素結(jié)構(gòu)還包括多條平行設(shè)置的柵極線20以及多條垂直于所述柵極線20設(shè)置的數(shù)據(jù)線30，所述柵極線20與數(shù)據(jù)線30圍成像素單元10的各個(gè)子像素，每一所述子像素的tft開關(guān)11連接至所述柵極線20與所述數(shù)據(jù)線30。

請(qǐng)一并結(jié)合圖3，進(jìn)一步的，所述tft開關(guān)11包括有源層111、柵極112、源極113以及漏極115，其中，所述柵極112設(shè)于有源層111溝道區(qū)域的正上方，所述源極113與漏極115連接至所述有源層111兩端的接觸區(qū)。具體的，所述有源層111通過第一過孔50連接至數(shù)據(jù)線30，所述源極113與所述漏極115形成于所述第一過孔50中；所述像素電極13通過第二過孔60和所述第一過孔50連接至所述有源層111。該tft開關(guān)11的結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的像素電路中的tft開關(guān)的結(jié)構(gòu)相同，在此就不再詳細(xì)擴(kuò)展描述。

可以理解的是，所述柵極線20、數(shù)據(jù)線30、柵極112、源極113、漏極115以及所述像素電極13等的材料均可為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。

可以理解的是，所述第一過孔50與所述第二過孔60的形狀均為矩形。

由紅色子像素r、綠色子像素g、藍(lán)色子像素b和黃色子像素y形成的像素單元與由所述紅色子像素r、綠色子像素g、藍(lán)色子像素b和所述白色子像素w形成的像素單元的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)原理相同，即，基于rgby像素設(shè)計(jì)的顯示像素結(jié)構(gòu)與上述基于rgbw像素設(shè)計(jì)的顯示像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理相同，在此不再重復(fù)描述。

本發(fā)明提出一種適用于rgbw或者rgby顯示面板的新型像素設(shè)計(jì)，可以適用于各種非對(duì)稱像素設(shè)計(jì)、異形像素設(shè)計(jì)，如rgbw面板像素設(shè)計(jì)，通過對(duì)異常像素選用相對(duì)應(yīng)的寬/長(zhǎng)比的tft來補(bǔ)償因像素結(jié)構(gòu)不同而造成的顯示不良，從而能提升異形rgbw或者rgby像素設(shè)計(jì)的面板的穩(wěn)定性，達(dá)到產(chǎn)品能耗與顯示效果的均衡。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，其包括上述的顯示像素結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示裝置，起包括上述的陣列基板。

該陣列基板的具體結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。

該液晶顯示裝置具體可以為：液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、電子紙、數(shù)碼相框、手機(jī)等等。

本實(shí)施例中液晶顯示裝置，在采用rgbw或者rgby像素設(shè)計(jì)的面板中，通過對(duì)異常像素設(shè)計(jì)或者非對(duì)稱像素設(shè)計(jì)選用相對(duì)應(yīng)的寬/長(zhǎng)比的tft來補(bǔ)償因像素結(jié)構(gòu)不同而造成的顯示不良，從而能提升異形rgbw或者rgby像素設(shè)計(jì)的面板的穩(wěn)定性，達(dá)到產(chǎn)品能耗與顯示效果的均衡。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。