本發(fā)明涉及光學(xué)薄膜技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種雙波段冷鏡的制作方法及裝置。

背景技術(shù)：

lyman-α線是氫元素的發(fā)射譜線，波長(zhǎng)121.6nm，它是太陽(yáng)色球?qū)蛹吧驅(qū)雍腿彰岬倪^渡區(qū)域最強(qiáng)的譜線。通過研究lyman-α線的hanle效應(yīng)，人們可以揭示太陽(yáng)色球?qū)哟艌?chǎng)結(jié)構(gòu)的奧秘。太陽(yáng)色球?qū)哟艌?chǎng)結(jié)構(gòu)是太陽(yáng)物理學(xué)領(lǐng)域極富挑戰(zhàn)性的一項(xiàng)科學(xué)研究。2015年，美國(guó)宇航局發(fā)射了拉曼阿爾法光譜偏振計(jì)(clasp1)探空火箭，成功探測(cè)到121.6nm譜線的散射過程和hanle效應(yīng)導(dǎo)致的線偏振現(xiàn)象。他們?cè)诜治霁@取的數(shù)據(jù)時(shí)遇到了這樣一個(gè)問題：局域輻射場(chǎng)影響了散射偏振，這阻礙了hanle效應(yīng)的研究。他們后來發(fā)現(xiàn)，在對(duì)121.6nm譜線觀測(cè)的同時(shí)，再增加一個(gè)280nm的觀測(cè)譜線，就能夠解決之一問題。280nm是mgⅱ的h和k發(fā)射譜線。因此，美國(guó)宇航局提出了clasp2項(xiàng)目。在這個(gè)項(xiàng)目中，需要用到雙波段反射鏡，它能夠反射121.6nm和280nm的譜線，并且透射可見光。

這種雙波段反射鏡也被稱作雙波段冷鏡，冷鏡是指能夠反射目標(biāo)譜線，同時(shí)能夠透過可見光的窄帶多層膜。冷鏡已經(jīng)在clasp1、sumi和iris等型號(hào)上獲得了成功的應(yīng)用。在clasp1，它的目標(biāo)反射譜線是121.6nm,在sumi上是155nm和280nm，在iris上是133-140nm和278-283nm。clasp2、sumi和iris等型號(hào)上使用的雙波段冷鏡，使用了兩組多層膜，它們先后被鍍?cè)诹嘶耐粋?cè)。首先沉積hfo2/sio2多層膜，它被用來反射280nm譜線,然后沉積laf3/mgf2多層膜，它被用來反射其它譜線，如121.6nm，155nm或133-140nm。

為了保證探測(cè)譜線的光譜純度，冷鏡反射帶的旁帶波紋需要盡可能的低。很多學(xué)者針對(duì)這一問題做了大量的研究，perilloux系統(tǒng)的提出了一種剪裁的膜厚調(diào)制方法來抑制旁帶波紋。這種方法的思路起源于rugate濾光片的設(shè)計(jì)，在設(shè)計(jì)rugate濾光片時(shí)，調(diào)制的是折射率，而剪裁的膜厚調(diào)制方法調(diào)制的是薄膜厚度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了滿足太陽(yáng)色球?qū)哟艌?chǎng)結(jié)構(gòu)研究的需要，本發(fā)明的目的之一在于提供一種雙波段冷鏡的制作方法，目的之二在于提供一種雙波段冷鏡制作裝置，該冷鏡在121.6nm和280nm處具有較高的反射率，在121.6nm處帶寬4nm，可見波段反射率低，兩個(gè)反射帶帶外波紋得到了有效的抑制。

本發(fā)明提供的一種雙波段冷鏡的制作方法，所述方法包括：

選取高階121.6nm多層膜作為基礎(chǔ)膜系；

使用寬波段減反射膜對(duì)所述121.6nm多層膜的反射帶旁帶振蕩進(jìn)行抑制得到第一過程冷鏡；

使用非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法對(duì)所述第一過程冷鏡進(jìn)行280nm反射帶旁帶波紋的抑制得到第二過程冷鏡；

對(duì)所述第二過程冷鏡的121.6nm反射帶利用高斯型目標(biāo)曲線進(jìn)行處理得到雙波段冷鏡。

可選地，所述選取高階121.6nm多層膜作為基礎(chǔ)膜系之前，還包括：

獲取所述121.6nm多層膜對(duì)應(yīng)的中心波長(zhǎng)。

可選地，所述獲取所述121.6nm多層膜對(duì)應(yīng)的中心波長(zhǎng)，包括：

使用一階exp指數(shù)衰減法擬合光學(xué)常數(shù)，根據(jù)預(yù)設(shè)第一關(guān)系確定中心波長(zhǎng)為279nm，所述第一關(guān)系為：

其中，σm,n是高階截止帶(波數(shù)，nm^-1)，σ0是一階反射帶，m和n是整數(shù)，δnl是低折射率材料折射率變化，δnh是高折射率材料折射率變化，nl0是參考波長(zhǎng)處低折射率材料折射率，nh0是參考波長(zhǎng)處高折射率材料折射率，fm是調(diào)制頻率。

可選地，所述選取高階121.6nm多層膜作為基礎(chǔ)膜系，包括：

確定初始膜系為(hl)^11h，將所述121.6nm多層膜配置為具有基本的目標(biāo)光譜特性且在在121.6nm處的反射帶帶寬是6nm已完成基礎(chǔ)膜系的制備，其中、h和l分別是高、低折射率材料的光學(xué)厚度。

可選地，所述使用寬波段減反射膜對(duì)所述121.6nm多層膜的反射帶旁帶振蕩進(jìn)行抑制得到第一過程冷鏡，包括：

在所述121.6nm多層膜上加鍍一個(gè)寬帶減反射膜2hl得到第一過程冷鏡，其中、h和l分別是高、低折射率材料的光學(xué)厚度。

可選地，使用非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法對(duì)所述第一過程冷鏡進(jìn)行280nm反射帶旁帶波紋的抑制得到第二過程冷鏡，包括：

利用預(yù)設(shè)第三關(guān)系對(duì)第一過程冷鏡進(jìn)行裁剪厚度調(diào)制多層膜每一層薄膜，所述第三關(guān)系為：

t(l)＝tavg[1+ka(l)cos(2πfml)]；

其中，h和l分別是高、低折射率材料的光學(xué)厚度，t(l)是第l層膜的光學(xué)厚度，tavg是四分之一波長(zhǎng)膜厚，fm是調(diào)制頻率，這里取fm＝0.5，k是調(diào)制振幅，a(l)是裁剪振幅函數(shù)。

當(dāng)所述裁剪振幅函數(shù)為高斯函數(shù)時(shí)，所述高斯函數(shù)為：

a(l)＝exp(-(l-ltotal)²/(2c²))；

其中，c為常數(shù)，

可選地，所述對(duì)所述第二過程冷鏡的121.6nm反射帶利用高斯型目標(biāo)曲線進(jìn)行處理得到雙波段冷鏡，包括：

利用高斯型目標(biāo)曲線對(duì)所述第二過程冷鏡的121.6nm反射帶進(jìn)行處理得到在121.6nm的反射率是37.4％，帶寬4nm，在280nm的反射率是81.4％的雙波段冷鏡。

可選地，所述121.6nm多層膜采用的鍍膜材料是氟化鑭和氟化鎂，基底是熔石英，氟化鑭和氟化鎂交替疊加在所述基底上，靠近所述基底側(cè)膜層為氟化鎂，最外層為氟化鑭。

可選地，所述裁剪振幅函數(shù)包括正旋函數(shù)、線性函數(shù)、五次函數(shù)或高斯函數(shù)中至少一種。

本發(fā)明還提供一種雙波段冷鏡的制作裝置，所述裝置包括：

選取單元，用于選取高階121.6nm多層膜作為基礎(chǔ)膜系；

第一抑制單元，用于使用寬波段減反射膜對(duì)所述121.6nm多層膜的反射帶旁帶振蕩進(jìn)行抑制得到第一過程冷鏡；

第二抑制單元，用于使用非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法對(duì)所述第一過程冷鏡進(jìn)行280nm反射帶旁帶波紋的抑制得到第二過程冷鏡；

處理單元，用于對(duì)所述第二過程冷鏡的121.6nm反射帶利用高斯型目標(biāo)曲線進(jìn)行處理得到雙波段冷鏡。

本發(fā)明還提供了一種雙波段冷鏡，應(yīng)用上述方法制得，該雙波段冷鏡只由一種多層膜組成，laf3/mgf2，基底是熔石英，laf3和mgf2交替疊加在基底上，靠近基底側(cè)膜層為laf3，最外層是mgf2。入射角45°。該冷鏡有兩個(gè)反射帶，分別位于121.6nm和280nm處，121.6nm處的反射帶帶寬4nm，兩個(gè)反射帶的旁帶振蕩較低，而且在可見光波段，反射率較低，兩個(gè)反射帶旁帶波紋得到了有效的抑制，有力的保證了探測(cè)光譜的譜線純度。；多層膜的膜系層數(shù)少于30層，選用的材料為常用的材料，且層數(shù)少，易于制備。

從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供了一種雙波段冷鏡的制作方法及裝置，所述方法克服了遠(yuǎn)紫外波段材料色散現(xiàn)象嚴(yán)重和材料吸收不可忽略等設(shè)計(jì)難點(diǎn)，采用的非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法有創(chuàng)新性，在計(jì)算機(jī)光學(xué)薄膜軟件優(yōu)化過程中，用高斯型曲線來表示121.6nm反射帶的目標(biāo)曲線，有助于具有帶寬4nm的反射帶的獲得，該方法簡(jiǎn)單，容易操作，能夠得到較好的設(shè)計(jì)結(jié)果。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明的雙波段冷鏡的制作方法的流程圖；

圖1b為本發(fā)明的雙波段冷鏡的制作方法的初始膜系(hl)^11h的理論反射率曲線入射角45°的示意圖；

圖2為本發(fā)明的雙波段冷鏡的制作方法的在初始膜系上加鍍寬帶減反射膜2hl后，多層膜的理論反射率曲線,入射角45°的示意圖；

圖3為本發(fā)明的雙波段冷鏡的制作方法的在0、6、9層左側(cè)高斯函數(shù)包絡(luò)裁剪膜厚調(diào)制的多層膜理論反射率曲線,入射角45°的示意圖；

圖4為本發(fā)明的雙波段冷鏡的制作方法的經(jīng)光學(xué)薄膜軟件optilayer的constrainedoptimization功能模塊優(yōu)化后的多層膜反射率曲線，入射角45°的示意圖；

圖5為本發(fā)明的雙波段冷鏡的制作方法的在光學(xué)薄膜軟件優(yōu)化過程中使用的目標(biāo)光譜曲線的示意圖；

圖6為本發(fā)明的雙波段冷鏡的制作裝置的結(jié)構(gòu)框圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的內(nèi)容以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

本發(fā)明提供的一種雙波段冷鏡的制作方法，所述方法包括：

s101、選取高階121.6nm多層膜作為基礎(chǔ)膜系；

可選地，所述選取高階121.6nm多層膜作為基礎(chǔ)膜系，包括：

確定初始膜系為(hl)^11h，將所述121.6nm多層膜配置為具有基本的目標(biāo)光譜特性且在在121.6nm處的反射帶帶寬是6nm已完成基礎(chǔ)膜系的制備，其中、h和l分別是高、低折射率材料的光學(xué)厚度。

s102、使用寬波段減反射膜對(duì)所述121.6nm多層膜的反射帶旁帶振蕩進(jìn)行抑制得到第一過程冷鏡；

可選地，所述使用寬波段減反射膜對(duì)所述121.6nm多層膜的反射帶旁帶振蕩進(jìn)行抑制得到第一過程冷鏡，包括：

在所述121.6nm多層膜上加鍍一個(gè)寬帶減反射膜2hl得到第一過程冷鏡，其中、h和l分別是高、低折射率材料的光學(xué)厚度。

s103、使用非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法對(duì)所述第一過程冷鏡進(jìn)行280nm反射帶旁帶波紋的抑制得到第二過程冷鏡；

可選地，使用非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法對(duì)所述第一過程冷鏡進(jìn)行280nm反射帶旁帶波紋的抑制得到第二過程冷鏡，包括：

利用預(yù)設(shè)第三關(guān)系對(duì)第一過程冷鏡進(jìn)行裁剪厚度調(diào)制多層膜每一層薄膜，所述第三關(guān)系為：

t(l)＝tavg[1+ka(l)cos(2πfml)]；

其中，h和l分別是高、低折射率材料的光學(xué)厚度，t(l)是第l層膜的光學(xué)厚度，tavg是四分之一波長(zhǎng)膜厚，fm是調(diào)制頻率，這里取fm＝0.5，k是調(diào)制振幅，a(l)是裁剪振幅函數(shù)。

當(dāng)所述裁剪振幅函數(shù)為高斯函數(shù)時(shí)，所述高斯函數(shù)為：

a(l)＝exp(-(l-ltotal)²/(2c²))；

其中，c為常數(shù)，

s104、對(duì)所述第二過程冷鏡的121.6nm反射帶利用高斯型目標(biāo)曲線進(jìn)行處理得到雙波段冷鏡。

可選地，所述對(duì)所述第二過程冷鏡的121.6nm反射帶利用高斯型目標(biāo)曲線進(jìn)行處理得到雙波段冷鏡，包括：

利用高斯型目標(biāo)曲線對(duì)所述第二過程冷鏡的121.6nm反射帶進(jìn)行處理得到在121.6nm的反射率是37.4％，帶寬4nm，在280nm的反射率是81.4％的雙波段冷鏡。

可選地，所述選取高階121.6nm多層膜作為基礎(chǔ)膜系之前，還包括：

獲取所述121.6nm多層膜對(duì)應(yīng)的中心波長(zhǎng)。

可選地，所述獲取所述121.6nm多層膜對(duì)應(yīng)的中心波長(zhǎng)，包括：

使用一階exp指數(shù)衰減法擬合光學(xué)常數(shù)，根據(jù)預(yù)設(shè)第一關(guān)系確定中心波長(zhǎng)為279nm，所述第一關(guān)系為：

其中，σm,n是高階截止帶(波數(shù)，nm^-1)，σ0是一階反射帶，m和n是整數(shù)，δnl是低折射率材料折射率變化，δnh是高折射率材料折射率變化，nl0是參考波長(zhǎng)處低折射率材料折射率，nh0是參考波長(zhǎng)處高折射率材料折射率，fm是調(diào)制頻率。

可選地，所述121.6nm多層膜采用的鍍膜材料是氟化鑭和氟化鎂，基底是熔石英，氟化鑭和氟化鎂交替疊加在所述基底上，靠近所述基底側(cè)膜層為氟化鎂，最外層為氟化鑭。

可選地，所述裁剪振幅函數(shù)包括正旋函數(shù)、線性函數(shù)、五次函數(shù)或高斯函數(shù)中至少一種。

本發(fā)明提供了一種雙波段冷鏡的制作方法，所述方法克服了遠(yuǎn)紫外波段材料色散現(xiàn)象嚴(yán)重和材料吸收不可忽略等設(shè)計(jì)難點(diǎn)，采用的非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法有創(chuàng)新性，在計(jì)算機(jī)光學(xué)薄膜軟件優(yōu)化過程中，用高斯型曲線來表示121.6nm反射帶的目標(biāo)曲線，有助于具有帶寬4nm的反射帶的獲得，該方法簡(jiǎn)單，容易操作，能夠得到較好的設(shè)計(jì)結(jié)果。

結(jié)合圖1b至圖5所示，下面提供一種具體的實(shí)現(xiàn)方式對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行介紹：

1.選取高階121.6nm周期多層膜作為基礎(chǔ)膜系

在遠(yuǎn)紫外波段，薄膜材料具有較大的色散，中心波長(zhǎng)會(huì)有較大的偏離。使用公式1來確定中心波長(zhǎng)：

其中，σm,n是高階截止帶(波數(shù)，nm^-1)，σ0是一階反射帶，m和n是整數(shù)，δni是由于材料具有色散導(dǎo)致的折射率變化，ni0是基準(zhǔn)截止帶處薄膜材料的折射率，fm是調(diào)制頻率，α是入射角。這里，fm＝0.5，σm,n＝1/121.6nm^-1，fm取值0.5是因?yàn)橹挥性谶@種情況下，一階和二階反射帶之間的反射帶最少。我們需要計(jì)算m和n來確定反射帶階數(shù)。難點(diǎn)是計(jì)算δni/ni0。薄膜材料的折射率用公式2來擬合，它是一階exp指數(shù)衰減函數(shù)。通過試錯(cuò)法，我們得出m＝2,n＝0,入射角45°。相應(yīng)計(jì)算出的中心波長(zhǎng)為279nm，即121.6nm反射帶是280nm反射帶的三階反射帶，這符合設(shè)計(jì)要求。確定初始膜系為(hl)^11h。

圖1b給出了初始膜系的理論反射率曲線，該膜系具有基本的目標(biāo)光譜特性，在121.6nm處的反射帶帶寬是6nm，兩個(gè)反射帶的旁帶波紋都需要作進(jìn)一步的抑制。

y＝a1exp(-x/t)+y0(2)

2.使用寬波段減反射膜對(duì)121.6nm反射帶旁帶振蕩做抑制

針對(duì)121.6nm反射帶，我們?cè)诙鄬幽ど霞渝円粋€(gè)寬帶減反射膜2hl，這里的薄膜光學(xué)厚度是相對(duì)于121.6nm這個(gè)波長(zhǎng)來表征的。圖2給出了在初始膜系上加鍍寬帶減反射膜2hl后，多層膜的理論反射率曲線。從圖2可以看出，121.6nm處的反射率有所下降，旁帶波紋得到了較好的抑制，對(duì)280nm反射帶幾乎沒有影響。

3.使用非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法對(duì)280nm反射帶旁帶波紋做抑制

公式3是裁剪厚度調(diào)制多層膜每一層薄膜的計(jì)算公式：

t(l)＝tavg[1+ka(l)cos(2πfml)](3)

其中t(l)是第l層膜的光學(xué)厚度，tavg是四分之一波長(zhǎng)膜厚，k是調(diào)制振幅，a(l)是裁剪振幅函數(shù)，它可以是振幅函數(shù)(正旋函數(shù)、線性函數(shù)、五次函數(shù))或者高斯函數(shù)。這里我們選用高斯函數(shù)，其他三種函數(shù)具有和高斯函數(shù)類似的調(diào)制效果。高斯函數(shù)用公式4表示，常數(shù)c用公式5計(jì)算。

a(l)＝exp(-(l-ltotal)²/(2c²))(4)

如果采用對(duì)稱的高斯函數(shù)包絡(luò)裁剪膜厚調(diào)制，將在一階和三階反射帶之間產(chǎn)生二階反射帶。所以，這里我們采用了非對(duì)稱(單邊)的高斯函數(shù)包絡(luò)裁剪，實(shí)驗(yàn)表明左側(cè)(靠近基底側(cè))的高斯函數(shù)包絡(luò)裁剪膜厚調(diào)制方法對(duì)280nm反射帶旁帶波紋的抑制效果最好。圖3給出了0、6、9層左側(cè)高斯函數(shù)包絡(luò)裁剪膜厚調(diào)制的多層膜理論反射率曲線。從3可以看出，280nm反射帶旁帶的一級(jí)峰得到了有效的抑制，對(duì)121.6nm反射帶幾乎沒有影響。但總體效果還是不理想，需要用光學(xué)薄膜軟件做一步優(yōu)化。

4.用計(jì)算機(jī)光學(xué)薄膜軟件做進(jìn)一步的優(yōu)化

用計(jì)算機(jī)光學(xué)薄膜軟件optilayer的constrainedoptimization功能模塊對(duì)步驟3的多層膜做進(jìn)一步的優(yōu)化。圖4給出了優(yōu)化后的多層膜理論反射率曲線。為了比較，圖4也給出了步驟1和步驟2多層膜經(jīng)光學(xué)薄膜軟件優(yōu)化的結(jié)果。在優(yōu)化過程中，121.6nm反射帶使用了高斯型目標(biāo)曲線，如圖5所示。高斯型目標(biāo)曲線有助于具有4nm窄帶反射帶(121.6nm)的獲得。從圖4可以看出，只有經(jīng)過完整設(shè)計(jì)步驟的多層膜優(yōu)化效果最好，在121.6nm的反射率是37.4％，帶寬4nm，在280nm的反射率是81.4％，反射帶旁帶波紋振蕩小，可見光波段反射率小。

本發(fā)明提供了一種雙波段冷鏡的制作方法，所述方法克服了遠(yuǎn)紫外波段材料色散現(xiàn)象嚴(yán)重和材料吸收不可忽略等設(shè)計(jì)難點(diǎn)，采用的非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法有創(chuàng)新性，在計(jì)算機(jī)光學(xué)薄膜軟件優(yōu)化過程中，用高斯型曲線來表示121.6nm反射帶的目標(biāo)曲線，有助于具有帶寬4nm的反射帶的獲得。該方法簡(jiǎn)單，容易操作，能夠得到較好的設(shè)計(jì)結(jié)果。

結(jié)合圖6所示，本發(fā)明還提供一種雙波段冷鏡的制作裝置，所述裝置包括：

選取單元601，用于選取高階121.6nm多層膜作為基礎(chǔ)膜系；

第一抑制單元602，用于使用寬波段減反射膜對(duì)所述121.6nm多層膜的反射帶旁帶振蕩進(jìn)行抑制得到第一過程冷鏡；

第二抑制單元603，用于使用非對(duì)稱高斯包絡(luò)剪裁膜厚調(diào)制方法對(duì)所述第一過程冷鏡進(jìn)行280nm反射帶旁帶波紋的抑制得到第二過程冷鏡；

處理單元604，用于對(duì)所述第二過程冷鏡的121.6nm反射帶利用高斯型目標(biāo)曲線進(jìn)行處理得到雙波段冷鏡。

本發(fā)明還提供了一種雙波段冷鏡，應(yīng)用上述方法制得，該雙波段冷鏡只由一種多層膜組成，laf3/mgf2，基底是熔石英，laf3和mgf2交替疊加在基底上，靠近基底側(cè)膜層為laf3，最外層是mgf2。入射角45°。該冷鏡有兩個(gè)反射帶，分別位于121.6nm和280nm處，121.6nm處的反射帶帶寬4nm，兩個(gè)反射帶的旁帶振蕩較低，而且在可見光波段，反射率較低，兩個(gè)反射帶旁帶波紋得到了有效的抑制，有力的保證了探測(cè)光譜的譜線純度。；多層膜的膜系層數(shù)少于30層，選用的材料為常用的材料，且層數(shù)少，易于制備。

本發(fā)明提供了一種設(shè)計(jì)的雙波段冷鏡。該冷鏡只由一種多層膜組成，制備工藝簡(jiǎn)單，容易控制；121.6nm處反射帶帶寬較窄，僅4nm，兩個(gè)反射帶旁帶波紋得到了有效的抑制，有力的保證了探測(cè)光譜的譜線純度。膜系層數(shù)少于30層，選用的材料為常用的材料，且層數(shù)少，易于制備。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過程，在此不再贅述。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)，裝置和方法，可以通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實(shí)施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，該程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括：只讀存儲(chǔ)器(rom，readonlymemory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram，randomaccessmemory)、磁盤或光盤等。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種雙波段冷鏡的制作方法及裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。