本申請(qǐng)要求于2016年4月4日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)no.10-2016-0041128的優(yōu)先權(quán)，以及從中產(chǎn)生的所有益處，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及顯示裝置，并且更具體地，涉及在孔徑比方面改進(jìn)的顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置是最廣泛使用的類型的平板顯示(“fpd”)裝置之一。lcd裝置通常包括兩個(gè)基板和插入其間的液晶層，兩個(gè)基板包括分別設(shè)置在其上的兩個(gè)電極。在分別向兩個(gè)電極施加電壓時(shí)，液晶層的液晶分子被重新排列，使得在lcd裝置中控制透射光的量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及在孔徑比方面改進(jìn)的顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顯示裝置包括彼此交叉的第一柵極線和數(shù)據(jù)線、像素電極、開關(guān)元件和連接部分，開關(guān)元件包括連接到第一柵極線的柵電極、連接到數(shù)據(jù)線的源電極和連接到像素電極的漏電極，連接部分連接漏電極和像素電極。在垂直于數(shù)據(jù)線的第一方向上，數(shù)據(jù)線和連接部分之間的距離小于數(shù)據(jù)線和柵電極之間的距離。

在示例性實(shí)施例中，連接部分可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線和柵電極之間。

在示例性實(shí)施例中，連接部分可以設(shè)置在由數(shù)據(jù)線、柵電極、第一柵極線和源電極包圍的區(qū)域中。

在示例性實(shí)施例中，漏電極和像素電極可以通過(guò)位于與連接部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的接觸孔彼此連接。

在示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括從第一柵極線延伸并與漏電極重疊的補(bǔ)償圖案。

在示例性實(shí)施例中，源電極可以包括與柵電極重疊的電極部分以及連接電極部分和數(shù)據(jù)線的延伸部分。

在示例性實(shí)施例中，延伸部分可以與第一柵極線重疊。

在示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括第二柵極線，其與數(shù)據(jù)線交叉并且在顯示裝置中的柵極線之中最接近第一柵極線。

在示例性實(shí)施例中，第一柵極線和第二柵極線之間的距離可以在約30微米(μm)至約41μm的范圍內(nèi)。

在示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括光阻擋層，其與第一柵極線和第二柵極線重疊，并且設(shè)置在第一柵極線和第二柵極線之間。

在示例性實(shí)施例中，光阻擋層可以具有從約35μm至約38μm或從約40μm至約47μm的寬度。

柵電極可以從第一柵極線朝向第二柵極線突出。

在示例性實(shí)施例中，顯示裝置還可以包括與第一柵極線和第二柵極線交叉的公共線。

在示例性實(shí)施例中，開關(guān)元件可以設(shè)置在由第一柵極線、第二柵極線、數(shù)據(jù)線和公共線包圍的區(qū)域中。

在示例性實(shí)施例中，像素電極可以與柵電極、漏電極、公共線和第一柵極線重疊。

在示例性實(shí)施例中，像素電極可以與第一柵極線重疊。

在示例性實(shí)施例中，像素電極可以與柵電極、源電極、公共線和第二柵極線重疊。

在示例性實(shí)施例中，像素電極可以與源電極和第二柵極線重疊。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顯示裝置包括彼此交叉的第一柵極線和數(shù)據(jù)線以及第一開關(guān)元件，第一開關(guān)元件包括連接到第一柵極線的第一柵電極、連接到數(shù)據(jù)線的第一源電極以及包括設(shè)置在第一柵電極和數(shù)據(jù)線之間的部分的第一漏電極。

上述內(nèi)容僅僅是說(shuō)明性的，并不旨在以任何方式進(jìn)行限制。除了說(shuō)明性示例性實(shí)施例以及上述特征之外，另外的示例性實(shí)施例和特征將通過(guò)參考附圖和以下詳細(xì)描述而變得顯而易見。

附圖說(shuō)明

從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中，將更清楚地理解本公開的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中：

圖1是示出了顯示裝置的示例性實(shí)施例的平面視圖；

圖2是示出了圖1的區(qū)域a的示例性實(shí)施例的詳細(xì)視圖；

圖3是沿圖2的線i-i'截取的橫截面視圖；

圖4是示出了圖2的開關(guān)元件區(qū)域的示例性實(shí)施例的放大視圖；

圖5a、5b、5c、5d、5e、5f、5g、5h、5i、5j、5k和5l是示出了用于制造圖3的顯示裝置的工藝的示例性實(shí)施例的橫截面視圖；

圖6是示出了圖1的區(qū)域a的可替代示例性實(shí)施例的詳細(xì)視圖；

圖7是示出了圖1的區(qū)域a的另一可替代示例性實(shí)施例的詳細(xì)視圖；

圖8是示出了顯示裝置的可替代示例性實(shí)施例的平面視圖；以及

圖9是示出了圖8的區(qū)域b的示例性實(shí)施例的詳細(xì)視圖。

具體實(shí)施方式

將參考附圖從下面詳細(xì)描述的示例性實(shí)施例清楚地了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征以及用于實(shí)現(xiàn)它們的方法。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為限于本文所闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開將是徹底和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。本發(fā)明僅由權(quán)利要求的范圍限定。因此，在示例性實(shí)施例中不詳細(xì)描述公知的組成元件、操作和技術(shù)，以便防止本發(fā)明被模糊地解釋。在整個(gè)說(shuō)明書中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。

在附圖中，可以以放大方式或以簡(jiǎn)化方式示出某些元件或形狀，以更好地示出本發(fā)明，并且也可以省略實(shí)際產(chǎn)品中存在的其他元件。因此，附圖旨在便于理解本發(fā)明。

當(dāng)層、區(qū)域或板被稱為在另一層、區(qū)域或板“上”時(shí)，其可以直接在另一層、區(qū)域或板上，或者可以在其間存在中間層、區(qū)域或板。相反，當(dāng)層、區(qū)域或板被稱為“直接在”另一層、區(qū)域或板“上”時(shí)，其間可以不存在中間層、區(qū)域或板。此外，當(dāng)層、區(qū)域或板被稱為在另一層、區(qū)域或板“下方”時(shí)，它可以直接在另一層、區(qū)域或板下方，或者可以存在其間存在中間層、區(qū)域或板。相反，當(dāng)層、區(qū)域或板被稱為“直接在”另一層、區(qū)域或板“下方”時(shí)，其間可以不存在中間層、區(qū)域或板。

為了便于描述，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)“下方”，“下面”，“更少”，“上方”，“上面”等在本文被用來(lái)描述一個(gè)元件或部件與另一元件或部件之間的關(guān)系，如附圖所示。應(yīng)當(dāng)理解，除了附圖中所描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在涵蓋使用或操作中的裝置的不同方位。例如，在附圖中所示的裝置翻轉(zhuǎn)的情況下，位于另一裝置“下方”或“下面”的裝置可以放置在另一裝置“上方”。因此，說(shuō)明性術(shù)語(yǔ)“下方”可以包括下部和上部位置。裝置還可以沿另一方向定向，因此空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)可以根據(jù)方向被不同地解釋。

在整個(gè)說(shuō)明書中，當(dāng)元件被稱為“連接”到另一元件時(shí)，該元件是“直接連接”到另一元件，或“電連接”到另一元件，其間插入一個(gè)或多個(gè)中間元件。還將理解，當(dāng)在本說(shuō)明書中使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“包括”指定所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或添加。本文使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例的目的，并且不旨在限制。如本文使用的，除非內(nèi)容清楚地另有說(shuō)明，否則單數(shù)形式“一個(gè)”及其變體旨在包括復(fù)數(shù)形式，包括“至少一個(gè)”?！爸辽僖粋€(gè)”不被解釋為限制“一個(gè)”。“或者”是指“和/或”。如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目的任何和所有組合。

應(yīng)當(dāng)理解，盡管在本文中可以使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述各個(gè)元件，但是這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件與另一個(gè)元件區(qū)分開。因此，在不脫離本文的教導(dǎo)的情況下，下面討論的“第一元件”可以被稱為“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以同樣被稱呼。

本文使用的“大約”或“近似”包括所述值和本領(lǐng)域普通技術(shù)人員確定的特定值的可接受的偏差范圍內(nèi)的平均值，考慮到所討論的測(cè)量和與特定值的測(cè)量相關(guān)的誤差(即測(cè)量系統(tǒng)的限制)。例如，“大約”可以表示在所述值的一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi)，或在±30％，20％，10％，5％內(nèi)。

除非另有定義，否則本文使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。還應(yīng)當(dāng)理解，諸如在通常使用的字典中定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)的上下文中的含義一致的含義，并且不會(huì)以理想的或過(guò)度形式的含義來(lái)解釋，除非在本說(shuō)明書中清楚地定義。

在下文中，將參考圖1至圖9詳細(xì)描述液晶顯示裝置(lcd)及制造lcd裝置的方法。

圖1是示出了顯示裝置的示例性實(shí)施例的平面視圖。

如圖1所示，顯示裝置的示例性實(shí)施例可以包括多個(gè)柵極線gl1，gl2，...、多個(gè)數(shù)據(jù)線dl1至dlj、多個(gè)公共線cl1至clj-1、多個(gè)像素rp、gp和bp、多個(gè)第一虛擬像素dp1以及多個(gè)第二虛擬像素dp2。

多個(gè)像素dp1、rp、gp、bp和dp2包括表示紅色圖像的紅色像素rp、表示綠色圖像的綠色像素gp、表示藍(lán)色圖像的藍(lán)色像素bp、第一虛擬像素dp1和第二虛擬像素dp2。

雖然圖1中未示出，但是像素dp1、rp、gp、bp和dp2中的每一個(gè)包括開關(guān)元件和連接到開關(guān)元件的像素電極。每個(gè)開關(guān)元件連接到柵極線中的相應(yīng)一個(gè)和數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一個(gè)，并且圖1示出了像素的各個(gè)開關(guān)元件連接到哪個(gè)柵極線和哪個(gè)數(shù)據(jù)線。換句話說(shuō)，圖1示出了像素的每個(gè)開關(guān)元件與相應(yīng)的柵極線之間的電連接關(guān)系以及像素的每個(gè)開關(guān)元件與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線之間的電連接關(guān)系。在示例性實(shí)施例中，例如，第一水平線hl1的像素中的包含在第一虛擬像素dp1中的開關(guān)元件可以連接到第一柵極線gl1和第二數(shù)據(jù)線dl2。

在示例性實(shí)施例中，圖1中的像素的位置基本上對(duì)應(yīng)于包括在對(duì)應(yīng)像素中的部件之中的像素的像素電極的位置。在示例性實(shí)施例中，例如，在第二水平線hl2的像素中，連接到第一數(shù)據(jù)線dl1的從左側(cè)的第一紅色像素rp可以設(shè)置在第三柵極線gl3和第四柵極線gl4之間。然而，第一紅色像素rp的開關(guān)元件不設(shè)置在第三柵極線gl3和第四柵極線gl4之間，而是設(shè)置在第四柵極線gl4和第五柵極線gl5之間。下文中，參考圖1描述的像素或虛擬像素的位置指的是包含在對(duì)應(yīng)像素中的部件中的像素的像素電極的位置。例如，參考圖1的描述“預(yù)定像素設(shè)置在第一柵極線gl1和第二柵極線gl2之間”意味著預(yù)定像素的像素電極設(shè)置在第一柵極線gl1和第二柵極線gl2之間。再例如，參考圖1的描述“預(yù)定像素設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線dl1和第一公共線cl1之間”意味著預(yù)定像素的像素電極設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線dl1和第一公共線cl1之間。

第一虛擬像素dp1和第二虛擬像素dp2中的每一個(gè)可以是表示藍(lán)色的像素。第一虛擬像素dp1設(shè)置在相應(yīng)水平線的最左部。第二虛擬像素dp2設(shè)置在相應(yīng)水平線的最右部。第一虛擬像素dp1和第二虛擬像素dp2由光阻擋層376(參考圖3)覆蓋。

第一虛擬像素dp1設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線dl1和第一公共線cl1之間，第一數(shù)據(jù)線是多個(gè)數(shù)據(jù)線dl1至dlj中的最左側(cè)數(shù)據(jù)線，第一公共線是多個(gè)公共線cl1至clj-1中的最左側(cè)公共線。第二虛擬像素dp2的像素電極設(shè)置在第j數(shù)據(jù)線dlj和第(j-1)公共線之間，第j數(shù)據(jù)線是多個(gè)數(shù)據(jù)線dl1至dlj中的最右側(cè)數(shù)據(jù)線，第(j-1)公共線是多個(gè)公共線cl1至clj-1中的最右側(cè)公共線。

沿第k(k為自然數(shù))水平線布置的像素dp1、rp、gp、bp和dp2設(shè)置在第(2k-1)柵極線和第2k柵極線之間。在示例性實(shí)施例中，例如，沿第三水平線hl3布置的像素可以設(shè)置在第五柵極線gl5和第六柵極線gl6之間。

公共線cl1至clj-1中的每一個(gè)設(shè)置在兩個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)線之間。在示例性實(shí)施例中，例如，第一公共線cl1可以設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2之間。公共線cl1至clj-1中的每一個(gè)傳輸公共電壓。公共線cl1至clj-1中的每一個(gè)連接到公共電極330(參見圖3)。從公共線cl1至clj-1中的每一個(gè)傳輸?shù)墓搽妷罕皇┘拥焦搽姌O330。

像素dp1、rp、gp、bp和dp2中的每一個(gè)設(shè)置在由兩個(gè)柵極線、一個(gè)數(shù)據(jù)線和一個(gè)公共線包圍的區(qū)域中。在示例性實(shí)施例中，例如，在第一水平線hl1中的像素dp1、rp、gp、bp和dp2中，連接到第二數(shù)據(jù)線dl2的紅色像素rp可以設(shè)置在由第一柵極線gl1、第二柵極線gl2、第一公共線cl1和第二數(shù)據(jù)線dl2包圍的區(qū)域中。

紅色像素rp連接到在接近紅色像素rp下部的兩個(gè)柵極線之中更接近紅色像素rp的像素電極的柵極線。在示例性實(shí)施例中，例如，第三水平線hl3中的紅色像素rp可以連接到第六柵極線gl6，第六柵極線gl6在紅色像素rp下方的第六和第七柵極線gl6和gl7之中更接近紅色像素rp的像素電極。然而，在最后水平線中的紅色像素rp下方僅設(shè)置一個(gè)柵極線，因此最后水平線中的紅色像素rp連接到該一個(gè)柵極線。

綠色像素gp連接到在接近綠色像素gp上部的兩個(gè)柵極線之中更接近綠色像素gp的像素電極的柵極線。在示例性實(shí)施例中，例如，第三水平線hl3中的綠色像素gp可以連接到第五柵極線gl5，第五柵極線gl5在綠色像素gp上方的第四和第五柵極線gl4和gl5之中更接近綠色像素gp的像素電極。然而，在示例性實(shí)施例中，在第一水平線hl1中，僅一個(gè)柵極線(例如第一柵極線gl1)設(shè)置在綠色像素gp上方，因此第一水平線hl1中的綠色像素gp連接到該一個(gè)柵極線，例如第一柵極線gl1。

藍(lán)色像素bp連接到在接近藍(lán)色像素bp下部的兩個(gè)柵極線之中更接近藍(lán)色像素bp的像素電極的柵極線，或者連接到在接近藍(lán)色像素bp上部的兩個(gè)柵極線之中更接近藍(lán)色像素bp的像素電極的柵極線。在示例性實(shí)施例中，例如，第三水平線hl3中的藍(lán)色像素bp中的一個(gè)可以連接到第六柵極線gl6，第六柵極線gl6在藍(lán)色像素bp下方的第六和第七柵極線gl6和gl7之中更接近藍(lán)色像素bp的像素電極。在可替代示例性實(shí)施例中，第三水平線hl3中的藍(lán)色像素bp中的另一個(gè)連接到第五柵極線gl5，第五柵極線gl5在藍(lán)色像素bp上方的第四和第五柵極線gl4和gl5之中更接近藍(lán)色像素bp的像素電極。

沿奇數(shù)編號(hào)的水平線hl1、hl3，...布置的像素dp1、rp、gp、bp和dp2中的每一個(gè)連接到在對(duì)應(yīng)像素右側(cè)的數(shù)據(jù)線之中最接近對(duì)應(yīng)像素的數(shù)據(jù)線。在示例性實(shí)施例中，例如，第三水平線hl3中的最左側(cè)綠色像素gp可以連接到在該綠色像素gp右側(cè)的數(shù)據(jù)線之中最接近該綠色像素gp的第三數(shù)據(jù)線dl3。

沿偶數(shù)編號(hào)的水平線hl2、hl4，...布置的像素dp1、rp、gp、bp和dp2中的每一個(gè)連接到在對(duì)應(yīng)像素左側(cè)的數(shù)據(jù)線之中最接近對(duì)應(yīng)像素的數(shù)據(jù)線。在示例性實(shí)施例中，例如，第四水平線hl4中的最左側(cè)綠色像素gp可以連接到在該綠色像素gp左側(cè)的數(shù)據(jù)線之中最接近該綠色像素gp的第二數(shù)據(jù)線dl2。

圖2是示出了圖1的區(qū)域a的示例性實(shí)施例的詳細(xì)視圖，并且3是沿圖2的線i-i'截取的橫截面視圖。

在下文中，在圖1的區(qū)域a中的像素中，第二水平線hl2中的紅色像素rp被稱為第一像素，在區(qū)域a中的像素中，設(shè)置在第三水平線hl3中并連接到第四數(shù)據(jù)線dl4的像素被稱為第二像素。

如圖2和3所示，顯示裝置包括第一基板301、多個(gè)柵極線gl3，gl4和gl5、多個(gè)柵電極ge1和ge2、柵極絕緣層311、多個(gè)數(shù)據(jù)線dl4和dl5、多個(gè)源電極se1和se2、多個(gè)漏電極de1和de2、多個(gè)公共線cl3，cl4和cl5、第一鈍化層321、絕緣中間層352、多個(gè)像素電極pe1和pe2、第二鈍化層322、公共電極330、第二基板302、光阻擋層376、濾色器354和液晶層333。

如圖2和3所示，第一像素包括第一開關(guān)元件tft1和第一像素電極pe1。

第一開關(guān)元件tft1設(shè)置在由第四柵極線gl4、第五柵極線gl5、第四數(shù)據(jù)線dl4和第四公共線cl4包圍的區(qū)域中。第一開關(guān)元件tft1可以是薄膜晶體管。在下文中，由第四柵極線gl4、第五柵極線gl5、第一數(shù)據(jù)線dl1和第j數(shù)據(jù)線dlj包圍的區(qū)域被稱為開關(guān)元件區(qū)域。

第一開關(guān)元件tft1包括第一柵電極ge1、第一源電極se1和第一漏電極de1。第一柵電極ge1連接到第四柵極線gl4，第一源電極se1連接到第四數(shù)據(jù)線dl4，第一漏電極de1連接到第一像素電極pe1。

第一柵電極ge1和第四柵極線gl4可以是一體的。第一柵電極ge1可以具有從第四柵極線gl4朝向第五柵極線gl5突出的形狀。第五柵極線gl5設(shè)置為在柵極線之中最接近第四柵極線gl4。

在示例性實(shí)施例中，雖然未示出，但是例如，第四柵極線gl4的端部可以連接到另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路。盡管未示出，但是第四柵極線gl4的端部可以包括比其另一部分的平面面積更大的平面面積。

第一源電極se1和第四數(shù)據(jù)線dl4可以是一體的。第一源電極se1可以具有朝向第一柵電極ge1突出的形狀。

第一像素電極pe1設(shè)置在由第三柵極線gl3、第四柵極線gl4、第四公共線cl4和第五數(shù)據(jù)線dl5包圍的區(qū)域中。在下文中，由第三柵極線gl3、第四柵極線gl4、第一數(shù)據(jù)線dl1和第j數(shù)據(jù)線dlj包圍的區(qū)域被稱為像素電極區(qū)域。

如圖2所示，第一像素電極pe1可以包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極440。每個(gè)分支電極440的一個(gè)端部連接到第一連接電極771。每個(gè)分支電極440可以與相鄰的柵極線重疊，該相鄰的柵極線與對(duì)應(yīng)的一個(gè)分支電極440相鄰。在示例性實(shí)施例中，例如，每個(gè)分支電極440的端部可以與第三和第四柵極線gl3和gl4重疊。在每個(gè)分支電極440以及第三和第四柵極線gl3和gl4中的相應(yīng)重疊區(qū)域中提供存儲(chǔ)電容器。

第一像素電極pe1連接到第一開關(guān)元件tft1。詳細(xì)地，第一像素電極pe1連接到第一開關(guān)元件tft1的第一漏電極de1。第一像素電極pe1和第一漏電極de1可以通過(guò)第一連接電極771彼此連接。第一連接電極771從第一像素電極pe1延伸到第一漏電極de1上。如圖2所示，第一連接電極771和第一像素電極pe1可以是一體的。第一連接電極771可以是第一像素電極pe1的一部分。

第一連接電極771與第四公共線cl4和第四柵極線gl4重疊。

第一連接部分651是第一開關(guān)元件tft1的第一漏極de1與第一像素電極pe1之間的連接部分。如圖2和3所示，第一連接部分651是指第一漏電極de1和第一像素電極pe1之間的接觸界面。第一像素電極pe1可以通過(guò)限定在第一鈍化層321、絕緣中間層352和第二鈍化層322中的第一漏極接觸孔901與第一漏電極de1物理接觸。

第一連接部分651設(shè)置為與第一柵電極ge1相比更接近第四數(shù)據(jù)線dl4。在示例性實(shí)施例中，例如，如圖2和圖3所示，從第四數(shù)據(jù)線dl4到第一連接部分651的距離d1可以小于從第四數(shù)據(jù)線dl4到第一柵電極ge1的距離d2。如本說(shuō)明書中所使用的兩個(gè)對(duì)象之間的“距離”是指對(duì)象的最接近另一個(gè)對(duì)象的相應(yīng)端部之間的距離。這里，距離d1和d2中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于圖3中的水平方向上的線段的長(zhǎng)度。也就是說(shuō)，在圖3的水平方向上的第四數(shù)據(jù)線dl4和第一連接部分651之間的線段的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于距離d1，在圖3的水平方向上的第四數(shù)據(jù)線dl4和第一柵電極ge1之間的線段的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于距離d2。

如圖2所示，第一連接部分651和漏電極de1的一部分可以設(shè)置在第四數(shù)據(jù)線dl4和第一柵電極ge1之間。在示例性實(shí)施例中，例如，如圖2所示，第一連接部分651可以設(shè)置在由第四數(shù)據(jù)線dl4、第一柵電極ge1、第四柵極線gl4和第一源電極se1包圍的區(qū)域中。

第一漏極接觸孔901的位置可以對(duì)應(yīng)于第一連接部分651的位置。

由于第一連接部分651設(shè)置在第四數(shù)據(jù)線dl4和第一柵電極ge1之間，所以第一柵電極ge1可以設(shè)置為相對(duì)遠(yuǎn)離第四數(shù)據(jù)線dl4。因此，彼此相鄰且其間具有第四數(shù)據(jù)線dl4的兩個(gè)柵電極ge1和ge2之間的距離可以相對(duì)增大。因此，在示例性實(shí)施例中，相鄰的柵電極(例如第一柵電極ge1和第二柵電極ge2)可以不彼此接觸，即使當(dāng)柵極線(例如柵電極ge1和ge2所分別連接到的第四和第五柵極線gl4和gl5)之間的距離d1減小也如此。由于這種結(jié)構(gòu)，在示例性實(shí)施例中，限定開關(guān)元件區(qū)域的長(zhǎng)度的柵極線gl4和gl5之間的距離d1可以減小而不使第一柵電極ge1和第二柵電極ge2接觸，并且限定像素電極區(qū)域的長(zhǎng)度的柵極線(例如第三和第四柵極線gl3和gl4)之間的距離d2可以增加距離d1的減小量。隨著距離d2增加，像素的孔徑比可以增加。

在示例性實(shí)施例中，第四柵極線gl4和第五柵極線gl5之間的距離d1可以在大約30微米(μm)至大約41μm的范圍內(nèi)。在示例性實(shí)施例中，例如，距離d1可以是大約35μm。

在下文中，將參考圖3詳細(xì)描述第一像素的部件之間的垂直關(guān)系。

第四柵極線gl4和第一柵電極ge1設(shè)置在第一基板301上。

在示例性實(shí)施例中，例如，第四柵極線gl4和第一柵電極ge1中的至少一個(gè)可以包括鋁(al)或其合金、銀(ag)或其合金、銅(cu)或其合金和/或鉬(mo)或其合金，或者由這些組成。在可替代示例性實(shí)施例中，例如，第四柵極線gl4和第一柵電極ge1中的至少一個(gè)可以包括鉻(cr)、鉭(ta)和鈦(ti)中的一種，或者由其組成。在另一可替代示例性實(shí)施例中，例如，第四柵極線gl4和第一柵電極ge1中的至少一個(gè)可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括彼此具有不同物理性質(zhì)的至少兩個(gè)導(dǎo)電層。

柵極絕緣層311設(shè)置在第四柵極線gl4和第一柵電極ge1上。在示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層311設(shè)置在包括第四柵極線gl4和第一柵電極ge1的第一基板301整個(gè)表面上。

在示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層311可以包括氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)，或者由其組成。柵極絕緣層311可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理性質(zhì)的至少兩個(gè)絕緣層。

第四數(shù)據(jù)線dl4、第四公共線cl4和半導(dǎo)體層344設(shè)置在柵極絕緣層311上。雖然未示出，但是在示例性實(shí)施例中，例如，第四數(shù)據(jù)線dl4的端部可以連接到另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路。第四數(shù)據(jù)線dl4的端部可以包括比第四數(shù)據(jù)線dl4的另一部分的平面面積更大的平面面積。

為了確保顯示裝置的顯著高透射率，例如最大透射率，如圖2所示，在示例性實(shí)施例中，例如，第四數(shù)據(jù)線dl4的中心部分可以彎曲成v形形狀。在示例性實(shí)施例中，例如，第一像素電極pe1和第四公共線cl4的中心部分可以彎曲成v形形狀。

在示例性實(shí)施例中，第四數(shù)據(jù)線dl4可以包括難熔金屬(例如鉬、鉻、鉭和鈦)或其合金，或者由其組成。第四數(shù)據(jù)線dl4可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括難熔金屬層和低電阻導(dǎo)電層。在示例性實(shí)施例中，例如，多層結(jié)構(gòu)可以包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)包括鉻或鉬或其任何合金的下層以及鋁或其任何合金的上層，或者多層結(jié)構(gòu)包括三層結(jié)構(gòu)，該三層結(jié)構(gòu)包括鉬或其任何合金的下層、鋁或其任何合金的中間層以及鉬或其任何合金的上層。在可替代示例性實(shí)施例中，例如，第四數(shù)據(jù)線dl4可以包括除前述材料以外的任何合適的金屬或?qū)w，或者由其組成。

第四公共線cl4可以包括與包含在第四數(shù)據(jù)線dl4中的材料相同的材料。

半導(dǎo)體層344與第一柵電極ge1的至少一部分重疊。

在示例性實(shí)施例中，例如，半導(dǎo)體層344可以包括非晶硅、多晶硅等。

第一歐姆接觸層321a和第二歐姆接觸層321b設(shè)置在半導(dǎo)體層344上。第一歐姆接觸層321a和第二歐姆接觸層321b相對(duì)于第一開關(guān)元件tft1在其間的溝道區(qū)域彼此面對(duì)。

在示例性實(shí)施例中，第一歐姆接觸層321a和第二歐姆接觸層321b中的至少一個(gè)可以包括以高濃度摻雜有n型雜質(zhì)離子(例如磷(p)或磷化氫(ph3))的硅化物或n+氫化非晶硅。

第一源電極se1設(shè)置在第一歐姆接觸層321a上。在示例性實(shí)施例中，盡管未示出，但是第一源電極se1可以進(jìn)一步設(shè)置在柵極絕緣層311上。第一源電極se1的至少一部分與半導(dǎo)體層344和第一柵電極ge1重疊。第一源電極se1可以包括與第四數(shù)據(jù)線dl4的材料基本相同的材料，并且可以具有與第四數(shù)據(jù)線dl4的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，例如多層結(jié)構(gòu)。第一源電極se1和第四數(shù)據(jù)線dl4可以在相同的制造工藝中同時(shí)提供。

第一漏電極de1設(shè)置在第二歐姆接觸層321b和柵極絕緣層311上。第一漏電極de1的至少一部分與半導(dǎo)體層344和第一柵電極ge1重疊。第一漏電極de1連接到第一像素電極pe1。第一漏電極de1可以包括與第四數(shù)據(jù)線dl4的材料基本相同的材料，并且可以具有與第四數(shù)據(jù)線dl4的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)，例如多層結(jié)構(gòu)。第一漏電極de1和第四數(shù)據(jù)線dl4可以在相同的制造工藝中同時(shí)提供。

第一鈍化層321設(shè)置在第四數(shù)據(jù)線dl4、第一源電極se1和第一漏電極de1上。在示例性實(shí)施例中，第一鈍化層321可以設(shè)置在第一基板301的除了第一漏極接觸孔901和公共接觸孔904之外的包含第四數(shù)據(jù)線dl4、第一源電極se1和第一漏電極de1的整個(gè)表面上。第一漏極接觸孔901限定在第一連接部分651上方，并且公共接觸孔904限定在第四公共線cl4上方。

在示例性實(shí)施例中，第一鈍化層321可以包括無(wú)機(jī)絕緣材料，例如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)，并且在示例性實(shí)施例中，例如，可以使用具有感光性且具有約4.0的介電常數(shù)的無(wú)機(jī)絕緣材料。在示例性實(shí)施例中，第一鈍化層321可以具有包括下無(wú)機(jī)層和上有機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)。在示例性實(shí)施例中，例如，在圖3中的垂直方向上，第一鈍化層321可以具有大于或等于大約5000埃的厚度，例如在大約至大約的范圍內(nèi)。

絕緣中間層352設(shè)置在第一鈍化層321上。絕緣中間層352限定第一漏極接觸孔901和公共接觸孔904。第一漏極接觸孔901限定在第一連接部分651上方，并且公共接觸孔904限定在第四公共線cl4上方。

絕緣中間層352可以包括具有低介電常數(shù)的有機(jī)層。在示例性實(shí)施例中，例如，絕緣中間層352可以包括具有比第一鈍化層321的介電常數(shù)低的介電常數(shù)的光敏有機(jī)層。

公共電極330設(shè)置在絕緣中間層352上。公共電極330通過(guò)公共接觸孔904連接到第四公共線cl4。

在示例性實(shí)施例中，公共電極330可以包括透明金屬層，該透明金屬層例如包括氧化銦鋅(“izo”)或氧化銦錫(“ito”)。

第二鈍化層322設(shè)置在公共電極330、絕緣中間層352、第一鈍化層321和第一漏電極de1上。

第二鈍化層322可以包括與包含在第一鈍化層321中的材料相同的材料。

第一像素電極pe1和第一連接電極771設(shè)置在第二鈍化層322上。第一像素電極pe1連接到第一漏電極de1。詳細(xì)地，第一像素電極pe1通過(guò)第一漏極接觸孔901上的第一連接電極771連接到第一漏電極de1。

在示例性實(shí)施例中，第一像素電極pe1可以包括例如透明金屬層，諸如izo或ito。在第一像素電極pe1包括izo的情況下，公共電極330可以包括ito。

光阻擋層376設(shè)置在第二基板302上。光阻擋層376設(shè)置在與柵極線、數(shù)據(jù)線和公共線的區(qū)域以及開關(guān)元件區(qū)域(參考圖4)對(duì)應(yīng)的區(qū)域上。光阻擋層376在對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域的區(qū)域中限定出一孔徑。隨著像素電極區(qū)域的距離d2增大，光阻擋層376的孔徑的尺寸也可以增大。雖然未示出，但是光阻擋層376可以設(shè)置在第一基板301上而不是第二基板302上。在示例性實(shí)施例中，光阻擋層376設(shè)置在第二鈍化層322上。在示例性實(shí)施例中，光阻擋層376還設(shè)置在與柵極線、數(shù)據(jù)線和公共線的區(qū)域以及開關(guān)元件區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域上。

濾色器354設(shè)置在第二基板302上。在示例性實(shí)施例中，濾色器354設(shè)置在與像素區(qū)域?qū)?yīng)的孔徑區(qū)域的一部分中。在示例性實(shí)施例中，濾色器354的邊緣部分設(shè)置在圖3中的孔徑上。

保護(hù)層722設(shè)置在光阻擋層376和濾色器354上。保護(hù)層722可以設(shè)置在包括光阻擋層376的第二基板302的大致整個(gè)表面上。在示例性實(shí)施例中，保護(hù)層722可以有效地防止第二基板302的部件(即光阻擋層376和濾色器354)之間的高度差被傳遞到液晶層333。在可替代示例性實(shí)施例中，可以省略保護(hù)層722。

液晶層333設(shè)置在第一基板301和第二基板302之間。在示例性實(shí)施例中，液晶層333可以包括例如具有負(fù)介電各向異性的各向同性液晶分子。在可替代示例性實(shí)施例中，液晶層333可以包括光聚合材料，并且在可替代示例性實(shí)施例中，例如，光聚合材料可以是反應(yīng)性單體或反應(yīng)性基團(tuán)。

如圖2所示，第二像素包括第二開關(guān)元件tft2和第二像素電極pe2。

第二開關(guān)元件tft2設(shè)置在由第四柵極線gl4、第五柵極線gl5、第三公共線cl3和第四數(shù)據(jù)線dl4包圍的區(qū)域中。在示例性實(shí)施例中，第二開關(guān)元件tft2可以是例如薄膜晶體管。

第二開關(guān)元件tft2包括第二柵電極ge2、第二源電極se2和第二漏電極de2。第二柵電極ge2連接到第五柵極線gl5，第二源電極se2連接到第四數(shù)據(jù)線dl4，第二漏電極de2連接到第二像素電極pe2。

第二柵電極ge2和第五柵極線gl5可以是一體的。第二柵電極ge2可以具有從第五柵極線gl5朝向第四柵極線gl4突出的形狀。

在示例性實(shí)施例中，雖然未示出，但是例如，第五柵極線gl5的端部可以連接到另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路。盡管未示出，但是第五柵極線gl5的端部可以包括比其另一部分的平面面積更大的平面面積。

第二源電極se2和第四數(shù)據(jù)線dl4可以是一體的。第二源電極se2可以具有從第四數(shù)據(jù)線dl4朝向第二柵電極ge2突出的形狀。

第二像素電極pe2設(shè)置在由第五柵極線gl5、第六柵極線gl6、第三公共線cl3和第四數(shù)據(jù)線dl4包圍的區(qū)域中。

如圖2所示，第二像素電極pe2可以包括彼此間隔開的多個(gè)分支電極450。每個(gè)分支電極450的一個(gè)端部連接到第二連接電極772。每個(gè)分支電極450可以與相鄰的柵極線重疊，該相鄰的柵極線與對(duì)應(yīng)的一個(gè)分支電極450相鄰。在示例性實(shí)施例中，例如，每個(gè)分支電極450的端部可以與第五和第六柵極線gl5和gl6重疊。在每個(gè)分支電極450以及第五和第六柵極線gl5和gl6中的相應(yīng)重疊區(qū)域中提供存儲(chǔ)電容器。

第二像素電極pe2連接到第二開關(guān)元件tft2。詳細(xì)地，第二像素電極pe2連接到第二開關(guān)元件tft2的第二漏電極de2。第二像素電極pe2和第二漏電極de2可以通過(guò)第二連接電極772彼此連接。第二連接電極772從第二像素電極pe2延伸到第二漏電極de2上。如圖2所示，第二連接電極772和第二像素電極pe2可以是一體的。第二連接電極772可以是第二像素電極pe2的一部分。

第二連接電極772與第五柵極線gl5重疊。

第二連接部分652是第二開關(guān)元件tft2的第二漏極de2與第二像素電極pe2之間的連接部分。如圖2所示，第二連接部分652是指第二漏電極de2和第二像素電極pe2之間的接觸界面。第二像素電極pe2可以通過(guò)限定在第一鈍化層321、絕緣中間層352和第二鈍化層322中的第二漏極接觸孔902與第二漏電極de2物理接觸。

第二連接部分652設(shè)置為與第二柵電極ge2相比更接近第四數(shù)據(jù)線dl4。在示例性實(shí)施例中，例如，從第四數(shù)據(jù)線dl4到第二連接部分652的距離可以小于從第四數(shù)據(jù)線dl4到第二柵電極ge2的距離。這里，距離中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于圖3中的水平方向上的線段的長(zhǎng)度。

如圖2所示，第二連接部分652設(shè)置在第四數(shù)據(jù)線dl4和第二柵電極ge2之間。在示例性實(shí)施例中，例如，如圖2所示，第二連接部分652可以設(shè)置在由第四數(shù)據(jù)線dl4、第二柵電極ge2、第五柵極線gl5和第二源電極se2包圍的區(qū)域中。

第二漏極接觸孔902的位置可以對(duì)應(yīng)于第二連接部分652的位置。

由于第一連接部分651和第二連接部分652分別設(shè)置在第四數(shù)據(jù)線dl4和柵電極ge1之間以及在第四數(shù)據(jù)線dl4和柵電極ge2之間，并且柵電極ge1和ge2分別設(shè)置為與第四數(shù)據(jù)線dl4的相對(duì)兩側(cè)相鄰，第一柵電極ge1和第二柵電極ge2可以設(shè)置為相對(duì)遠(yuǎn)離第四數(shù)據(jù)線dl4。因此，彼此相鄰且其間具有第四數(shù)據(jù)線dl4的兩個(gè)柵電極ge1和ge2之間的距離可以相對(duì)增大。因此，在示例性實(shí)施例中，相鄰柵電極，例如第一柵電極ge1和第二柵電極ge2，可以不彼此接觸，即使當(dāng)柵極線(例如柵電極ge1和ge2所分別連接到的第四和第五柵極線gl4和gl5)之間的距離d1減小也如此。由于這種結(jié)構(gòu)，在示例性實(shí)施例中，限定開關(guān)元件區(qū)域的長(zhǎng)度的柵極線gl4和gl5之間的距離d1可以減小而不使第一電極ge1和第二電極ge2接觸，并且限定像素電極區(qū)域的長(zhǎng)度的柵極線(例如第三和第四柵極線gl3和gl4)之間的距離d2可以增加距離d1的減小量。隨著距離d2增加，像素的孔徑比可以增加。

每個(gè)柵極線和每個(gè)柵電極包括與包含在第一柵電極ge1中的材料相同的材料。每個(gè)源電極、每個(gè)漏電極、每個(gè)數(shù)據(jù)線和每個(gè)公共線包括與包含在第一源電極se1中的材料相同的材料。每個(gè)像素電極和每個(gè)連接電極包括與包含在第一像素電極pe1中的材料相同的材料。

盡管未示出，但是顯示裝置的示例性實(shí)施例還可以包括第一偏振器和第二偏振器。在彼此面對(duì)的第一基板301表面和第二基板302表面分別被定義為對(duì)應(yīng)基板的上表面，并且與上表面相對(duì)的表面分別被定義為對(duì)應(yīng)基板的下表面的情況下，第一偏振器設(shè)置在第一基板301的下表面上，并且第二偏振器設(shè)置在第二基板302的下表面上。

第一偏振器的透射軸線垂直于第二偏振器的透射軸線，其透射軸線之一平行于柵極線gl取向。在可替代示例性實(shí)施例中，例如，lcd裝置可以僅包括第一偏振器和第二偏振器中的一個(gè)。

雖然未示出，但是顯示裝置的示例性實(shí)施例可以進(jìn)一步包括例如光阻擋電極。光阻擋電極可以設(shè)置在第二鈍化層322上，以與每個(gè)數(shù)據(jù)線(例如第五數(shù)據(jù)線dl5)重疊。光阻擋電極沿著數(shù)據(jù)線設(shè)置。光阻擋電極包括與包含在第一像素電極pe1中的材料相同的材料。

光阻擋電極接收公共電壓。光阻擋電極防止在數(shù)據(jù)線(例如第五數(shù)據(jù)線dl5)和像素電極(例如第一像素電極pe1)之間形成電場(chǎng)。由于接收相同公共電壓的光阻擋電極和公共電極330是等電位的，因此透射通過(guò)液晶層333的在光阻擋電極和公共電極330之間的一部分的光被第二偏振器阻擋。因此，在示例性實(shí)施例中，防止在與數(shù)據(jù)線(例如第五數(shù)據(jù)線dl5)對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的光泄漏。另外，由于光阻擋電極可以代替數(shù)據(jù)線(例如第五數(shù)據(jù)線dl5)上的光阻擋層376的一部分，所以在顯示裝置中使用光阻擋電極的情況下，可以去除數(shù)據(jù)線(例如第五數(shù)據(jù)線dl5)上的光阻擋層376的該部分。因此，在設(shè)置光阻擋電極的情況下，像素的孔徑比可以進(jìn)一步增大。

圖4是示出了圖2的開關(guān)元件區(qū)域的示例性實(shí)施例的放大視圖。

如圖4所示，光阻擋層376設(shè)置在柵極線gl4和gl5、數(shù)據(jù)線dl4和dl5、公共線cl3，cl4和cl5的區(qū)域上以及開關(guān)元件區(qū)域上。光阻擋層376與柵極線gl4和gl5中的每一個(gè)、數(shù)據(jù)線dl4和dl5中的每一個(gè)、公共線cl3，cl4和cl5中的每一個(gè)以及開關(guān)元件區(qū)域重疊。

在示例性實(shí)施例中，例如，柵極線gl4和gl5中的每一個(gè)和開關(guān)元件區(qū)域上的光阻擋層376的寬度d可以在約40μm至約47μm的范圍內(nèi)。在示例性實(shí)施例中，例如，光阻擋層376的寬度d可以為大約41μm。

圖5a、5b、5c、5d、5e、5f、5g、5h、5i、5j、5k和5l是示出了用于制造圖3的顯示裝置的工藝的示例性實(shí)施例的橫截面視圖。

在示例性實(shí)施例中，雖然未示出，但是柵極金屬層可以設(shè)置在第一基板301的整個(gè)表面上。在示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層可以通過(guò)物理氣相沉積(“pvd”)方法(例如濺射)來(lái)設(shè)置。

隨后，如圖5a所示，柵極金屬層通過(guò)光刻工藝和蝕刻工藝進(jìn)行圖案化，使得柵極線gl4和柵電極ge1設(shè)置在第一基板301上。

在示例性實(shí)施例中，例如，柵極金屬層可以通過(guò)使用蝕刻溶液的濕蝕刻方法去除。

柵極金屬層可以包括包含在柵極線中的材料，或者由其組成。

隨后，如圖5b所示，柵極絕緣層311設(shè)置在包括柵極線gl4和柵電極ge1的第一基板301整個(gè)表面上。在示例性實(shí)施例中，例如，柵極絕緣層311可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(“cvd”)方法設(shè)置。

柵極絕緣層311可以包括包含在前述柵極絕緣層311中的材料，或者由其組成。

隨后，盡管未示出，半導(dǎo)體材料和雜質(zhì)半導(dǎo)體材料順序地設(shè)置在包括柵極絕緣層311的第一基板301整個(gè)表面上。在示例性實(shí)施例中，例如，半導(dǎo)體材料和雜質(zhì)半導(dǎo)體材料可以通過(guò)cvd方法設(shè)置。

半導(dǎo)體材料可以包括包含在半導(dǎo)體層344中的材料，或者由其組成。

雜質(zhì)半導(dǎo)體材料可以包括包含在第一和第二歐姆接觸層321a和321b中的材料，或者由其組成。

隨后，半導(dǎo)體材料和雜質(zhì)半導(dǎo)體材料通過(guò)光刻工藝和蝕刻工藝進(jìn)行圖案化，使得與柵電極ge1重疊的半導(dǎo)體層344設(shè)置在柵極絕緣層311上，并且第一雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案841設(shè)置在半導(dǎo)體層344上，如圖5c所示。

在示例性實(shí)施例中，例如，半導(dǎo)體材料和雜質(zhì)半導(dǎo)體材料可以通過(guò)使用蝕刻氣體的干蝕刻方法去除。

隨后，盡管未示出，但是源極金屬層設(shè)置在包括半導(dǎo)體層344和雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案841的第一基板301整個(gè)表面上。

源極金屬層可以使用包含在數(shù)據(jù)線dl4中的材料制成。

隨后，源極金屬層通過(guò)光刻工藝和蝕刻工藝進(jìn)行圖案化，使得與柵極線gl4相交的數(shù)據(jù)線dl4設(shè)置在柵極絕緣層311上，并且與半導(dǎo)體層344的相對(duì)兩側(cè)重疊的源電極se1和漏電極de1設(shè)置在雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案841上，如圖5d所示。

隨后，在將源電極se1和漏電極de1用作掩模的狀態(tài)下，通過(guò)蝕刻工藝對(duì)雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案841進(jìn)行圖案化，并且如圖5e所示，提供第一歐姆接觸層321a和第二歐姆接觸層321b。第一歐姆接觸層321a設(shè)置在源電極se1和半導(dǎo)體層344之間，第二歐姆接觸層321b設(shè)置在漏電極de1和半導(dǎo)體層344之間。

在示例性實(shí)施例中，在雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案841的蝕刻過(guò)程中，去除半導(dǎo)體層344在雜質(zhì)半導(dǎo)體圖案841下方的一部分。因此，與半導(dǎo)體層344的溝道區(qū)域?qū)?yīng)的一部分的厚度減小。

隨后，如圖5f所示，第一鈍化層321設(shè)置在包括數(shù)據(jù)線dl4、源電極se1、漏電極de1和公共線cl4的第一基板301整個(gè)表面上。

第一鈍化層321可以包括包含在前述第一鈍化層321中的材料。

隨后，盡管未示出，但是光敏有機(jī)材料設(shè)置在包括第一鈍化層321的第一基板301整個(gè)表面上。

隨后，隨著光敏有機(jī)材料通過(guò)光刻工藝進(jìn)行圖案化，具有第一漏極接觸孔901和公共接觸孔904的絕緣中間層352設(shè)置在第一鈍化層321上，如圖5g所示。

隨后，在將絕緣中間層用作掩模的狀態(tài)下，第一鈍化層321通過(guò)蝕刻工藝進(jìn)行圖案化，使得第一漏極接觸孔901和公共接觸孔904限定在第一鈍化層321中，如圖5h所示。漏電極de1的一部分和公共線cl4的一部分分別通過(guò)第一鈍化層321的第一漏極接觸孔901和公共接觸孔904暴露。

隨后，如圖5i所示，執(zhí)行灰化工藝。通過(guò)灰化工藝，絕緣中間層352在圖5i的垂直方向上的厚度和在圖5i的水平方向上的寬度減小。因此，在水平方向上的絕緣中間層352的第一漏極接觸孔901的寬度和公共接觸孔904的寬度相對(duì)增加，并且隨著寬度增加，第一鈍化層321的一部分通過(guò)絕緣中間層352的第一漏極接觸孔901和公共接觸孔904暴露。隨著絕緣中間層352的厚度減小，第一漏極接觸孔901和公共接觸孔904的內(nèi)壁的高度減小，并且隨著絕緣中間層352的寬度減小，第一漏極接觸孔901和公共接觸孔904的內(nèi)壁形成臺(tái)階形狀，盡管未示出。執(zhí)行絕緣中間層352的灰化工藝，以便有效地減小由于第一漏極接觸孔901和公共接觸孔904而產(chǎn)生的絕緣中間層352的高度差。因此，可以有效地防止公共電極330的短路缺陷和像素電極pe1的短路缺陷。

隨后，盡管未示出，但是透明金屬層設(shè)置在包括絕緣中間層352的第一基板301整個(gè)表面上。

隨后，隨著透明金屬層通過(guò)光刻工藝和蝕刻工藝進(jìn)行圖案化，經(jīng)由公共接觸孔904與公共線cl4接觸的公共電極330設(shè)置在絕緣中間層352和第一鈍化層321上，如圖5j所示。

透明金屬層可以包括包含在公共電極330中的材料。

隨后，如圖5k所示，第二鈍化層322設(shè)置在公共電極330、第一鈍化層321和漏電極de1上。隨后，第二鈍化層322通過(guò)光刻工藝和蝕刻工藝進(jìn)行圖案化。因此，暴露漏電極de1的第一漏極接觸孔901被限定在第二鈍化層322中。

第二鈍化層322可以包括包含在前述第二鈍化層322中的材料。

隨后，盡管未示出，透明金屬層設(shè)置在包括第二鈍化層322和漏電極de1的第一基板301整個(gè)表面上。

透明金屬層可以包括包含在像素電極pe1中的材料。

隨后，透明金屬層通過(guò)光刻工藝和蝕刻工藝進(jìn)行圖案化，并且設(shè)置經(jīng)由第一漏極接觸孔901連接到漏電極de1的像素電極pe1和第一連接電極771，如圖5l所示。

圖6是示出了圖1的區(qū)域a的可替代示例性實(shí)施例的詳細(xì)視圖。

第一開關(guān)元件tft1的第一源電極se1包括第一源極延伸部分841a和第一源極電極部分841b。

第一源極電極部分841b設(shè)置在第一柵電極ge1和第四柵極線gl4上。第一源極電極部分841b的整個(gè)區(qū)域可以與第一柵電極ge1和第四柵極線gl4重疊。

第一源極延伸部分841a從第四數(shù)據(jù)線dl4朝向第一源極電極部分841b延伸。第一源極延伸部分841a連接第四數(shù)據(jù)線dl4和第一源極電極部分841b。在示例性實(shí)施例中，第一源極延伸部分841a可以與彼此相鄰設(shè)置并在其間包括第一源極延伸部分841a的兩個(gè)柵極線gl4和gl5中的一個(gè)重疊。在示例性實(shí)施例中，例如，如圖6所示，第一源極延伸部分841a可以與第四柵極線gl4重疊。在示例性實(shí)施例中，第四柵極線gl4可以與第一源極延伸部分841a的整個(gè)區(qū)域重疊。在可替代示例性實(shí)施例中，盡管未示出，但是第一源極延伸部分841a可以與第五柵極線gl5重疊。在示例性實(shí)施例中，第五柵極線gl5可以與第一源極延伸部分841a的整個(gè)區(qū)域重疊。

第二開關(guān)元件tft2的第二源電極se2包括第二源極延伸部分842a和第二源極電極部分842b。

第二源極電極部分842b設(shè)置在第二柵電極ge2和第五柵極線gl5上。第二源極電極部分842b的整個(gè)區(qū)域可以與第二柵電極ge2和第五柵極線gl5重疊。

第二源極延伸部分842a從第四數(shù)據(jù)線dl4朝向第二源極電極部分842b延伸。第二源極延伸部分842a連接第四數(shù)據(jù)線dl4和第二源極電極部分842b。在示例性實(shí)施例中，第二源極延伸部分842a可以與彼此相鄰設(shè)置并在其間包括第二源極延伸部分842a的兩個(gè)柵極線gl4和gl5中的一個(gè)重疊。在示例性實(shí)施例中，例如，如圖6所示，第二源極延伸部分842a可以與第五柵極線gl5重疊。在示例性實(shí)施例中，第五柵極線gl5可以與第二源極延伸部分842a的整個(gè)區(qū)域重疊。在可替代示例性實(shí)施例中，盡管未示出，但是第二源極延伸部分842a可以與第四柵極線gl4重疊。在示例性實(shí)施例中，第四柵極線gl4可以與第二源極延伸部分842a的整個(gè)區(qū)域重疊。

因此，在示例性實(shí)施例中，在源極電極部分與柵極線重疊的情況下，限定開關(guān)元件區(qū)域的長(zhǎng)度的柵極線(例如第四和第五柵極線gl4和gl5)之間的距離d3可以進(jìn)一步減小，并且限定像素電極區(qū)域的柵極線(例如第三和第四柵極線gl3和gl4)之間的距離d4可以進(jìn)一步增加所減小的長(zhǎng)度。隨著距離d4增加，像素的孔徑比可以進(jìn)一步增加。這里，距離d3小于距離d1，距離d4大于距離d2。

在示例性實(shí)施例中，第四柵極線gl4和第五柵極線gl5之間的距離d3例如可以在約30μm至約41μm的范圍內(nèi)。在示例性實(shí)施例中，例如，距離d3可以是大約31μm。在示例性實(shí)施例中，光阻擋層376的寬度d可以在約35μm至約38μm的范圍內(nèi)。在示例性實(shí)施例中，例如，寬度d可以是大約37μm。

在示例性實(shí)施例中，圖2所示的第一源電極se1的第一源極延伸部分和第二源電極se2的第二源極延伸部分不與任何柵極線重疊。除了第一源極延伸部分841a和第二源極延伸部分841b的位置之外，圖2所示的顯示裝置的構(gòu)造和圖6所示的顯示裝置的構(gòu)造彼此相同，因此關(guān)于圖6的構(gòu)造的描述將參考圖2、3和4以及其相關(guān)描述。

圖7是示出了圖1的區(qū)域a的另一可替代示例性實(shí)施例的詳細(xì)視圖。

如圖7所示，顯示裝置的可替代示例性實(shí)施例可以進(jìn)一步包括例如第一補(bǔ)償圖案931和第二補(bǔ)償圖案932中的至少一個(gè)。

第一補(bǔ)償圖案931從第四柵極線gl4延伸以與第一漏電極de1重疊。第一補(bǔ)償圖案931和第四柵極線gl4可以是一體的。第一補(bǔ)償圖案931包括與包含在第四柵極線gl4中的材料相同的材料。

第一補(bǔ)償圖案931可以顯著減小(例如最小化)第一柵電極ge1和第一漏電極de1之間的重疊區(qū)域的尺寸變化，該尺寸變化由掩模未對(duì)準(zhǔn)引起。在示例性實(shí)施例中，例如，在第一漏電極de1由于掩模未對(duì)準(zhǔn)而從正常位置向右移動(dòng)的情況下，第一漏電極de1和第一柵電極ge1之間的重疊區(qū)域可以增加，而第一漏電極de1與第一補(bǔ)償圖案931之間的重疊區(qū)域減小。在可替代示例性實(shí)施例中，在第一漏電極de1由于掩模未對(duì)準(zhǔn)而從正常位置向左移動(dòng)的情況下，第一漏電極de1和第一柵電極ge1之間的重疊區(qū)域減小，而第一漏電極de1和第一補(bǔ)償圖案931之間的重疊區(qū)域增加。因此，雖然第一漏電極de1由于掩模未對(duì)準(zhǔn)而向左或向右移動(dòng)，但是第一柵電極ge1和第一漏電極de1之間的重疊區(qū)域的總尺寸可以基本上恒定。

第二補(bǔ)償圖案932從第五柵極線gl5延伸，以與第二漏電極de2重疊。第二補(bǔ)償圖案932和第五柵極線gl5可以是一體的。第二補(bǔ)償圖案932可以包括與包含在第五柵極線gl5中的材料相同的材料。

第二補(bǔ)償圖案932可以顯著地減小(例如最小化)第二柵電極ge2和第二漏電極de2之間的重疊區(qū)域的尺寸變化，該尺寸變化由掩模未對(duì)準(zhǔn)引起。

第一開關(guān)元件tft1的寄生電容的大小可以通過(guò)第一補(bǔ)償圖案931來(lái)穩(wěn)定，并且第二開關(guān)元件tft2的寄生電容的大小可以通過(guò)第二補(bǔ)償圖案932來(lái)穩(wěn)定。

除了第一和第二補(bǔ)償圖案931和932，圖2所示的顯示裝置的構(gòu)造和圖7所示的顯示裝置的構(gòu)造彼此相同，因此關(guān)于圖7的構(gòu)造的描述將參考圖2、3和4以及其相關(guān)描述。

圖8是示出了顯示裝置的可替代示例性實(shí)施例的平面視圖。

如圖8所示，顯示裝置的可替代示例性實(shí)施例可以包括多個(gè)柵極線gl1，gl2，...、多個(gè)數(shù)據(jù)線dl1至dlj、多個(gè)公共線cl1至clj-1、多個(gè)像素rp，gp和bp、多個(gè)第一虛擬像素dp1以及多個(gè)第二虛擬像素dp2。

多個(gè)像素dp1、rp、gp、bp和dp2包括表示紅色圖像的紅色像素rp、表示綠色圖像的綠色像素gp、表示藍(lán)色圖像的藍(lán)色像素bp、第一虛擬像素dp1和第二虛擬像素dp2。

雖然圖8中未示出，但是像素dp1、rp、gp、bp和dp2中的每一個(gè)包括開關(guān)元件和連接到開關(guān)元件的像素電極。每個(gè)開關(guān)元件連接到對(duì)應(yīng)的一個(gè)柵極線和對(duì)應(yīng)的一個(gè)數(shù)據(jù)線，并且圖8示出了像素的每個(gè)開關(guān)元件連接到哪個(gè)柵極線和哪個(gè)數(shù)據(jù)線。換句話說(shuō)，圖8示出了像素的每個(gè)開關(guān)元件與對(duì)應(yīng)的柵極線之間的電連接關(guān)系以及像素的每個(gè)開關(guān)元件與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線之間的電連接關(guān)系。在示例性實(shí)施例中，例如，在第一水平線hl1的像素之中，包含在第一虛擬像素dp1中的開關(guān)元件可以連接到第一柵極線gl1和第二數(shù)據(jù)線dl2。

在示例性實(shí)施例中，圖8中的像素的位置基本上對(duì)應(yīng)于包含在對(duì)應(yīng)像素中的部件之中的像素的像素電極的位置。在示例性實(shí)施例中，例如，在第二水平線hl2的像素中，連接到第一數(shù)據(jù)線dl1的從左側(cè)的第一紅色像素rp可以設(shè)置在第三柵極線gl3和第四柵極線gl4之間。然而，第一紅色像素rp的開關(guān)元件不設(shè)置在第三柵極線gl3和第四柵極線gl4之間，而是設(shè)置在第四柵極線gl4和第五柵極線gl5之間。下文中，參考圖8描述的像素或虛擬像素的位置指的是包含在對(duì)應(yīng)像素中的部件之中的像素的像素電極的位置。例如，參考圖8的描述“預(yù)定像素設(shè)置在第一柵極線gl1和第二柵極線gl2之間”意味著預(yù)定像素的像素電極設(shè)置在第一柵極線gl1和第二柵極線gl2之間。再例如，參考圖8的描述“預(yù)定像素設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線dl1和第一公共線cl1之間”意味著預(yù)定像素的像素電極設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線dl1和第一公共線cl1之間。

紅色像素rp連接到在接近紅色像素rp下部的兩個(gè)柵極線之中更遠(yuǎn)離紅色像素rp的像素電極設(shè)置的柵極線。在示例性實(shí)施例中，例如，第三水平線hl3中的紅色像素rp可以連接到第七柵極線gl7，第七柵極線gl7在紅色像素rp下方的第六和第七柵極線gl6和gl7之中更遠(yuǎn)離紅色像素rp的像素電極。然而，在最后水平線中的紅色像素rp下方僅設(shè)置一個(gè)柵極線，因此最后水平線中的紅色像素rp連接到該一個(gè)柵極線。

綠色像素gp連接到在接近綠色像素gp上部的兩個(gè)柵極線之中更遠(yuǎn)離綠色像素gp的像素電極設(shè)置的柵極線。在示例性實(shí)施例中，例如，第三水平線hl3中的綠色像素gp可以連接到第四柵極線gl4，第四柵極線gl4在綠色像素gp上方的第四和第五柵極線gl4和gl5之中更遠(yuǎn)離綠色像素gp的像素電極。然而，在示例性實(shí)施例中，在第一水平線hl1中，僅一個(gè)柵極線(例如第一柵極線gl1)設(shè)置在綠色像素gp上方，因此第一水平線hl1中的綠色像素gp連接到該一個(gè)柵極線，例如第一柵極線gl1。

在示例性實(shí)施例中，例如，藍(lán)色像素bp連接到在接近藍(lán)色像素bp下部的兩個(gè)柵極線之中更遠(yuǎn)離藍(lán)色像素bp的像素電極設(shè)置的柵極線，或者連接到在接近藍(lán)色像素bp上部的兩個(gè)柵極線之中更遠(yuǎn)離藍(lán)色像素bp的像素電極設(shè)置的柵極線。在示例性實(shí)施例中，例如，第三水平線hl3中的藍(lán)色像素bp中的一個(gè)可以連接到第七柵極線gl7，第七柵極線gl7在藍(lán)色像素bp下方的第六和第七柵極線gl6和gl7之中更遠(yuǎn)離藍(lán)色像素bp的像素電極。在可替代示例性實(shí)施例中，第三水平線hl3中的藍(lán)色像素bp中的另一個(gè)連接到第四柵極線gl4，第四柵極線gl4在藍(lán)色像素bp上方的第四和第五柵極線gl4和gl5之中更遠(yuǎn)離藍(lán)色像素bp的像素電極。

除了柵極線的連接位置，圖1所示的顯示裝置的構(gòu)造和圖8所示的顯示裝置的構(gòu)造彼此相同，因此關(guān)于圖8的構(gòu)造的描述將參考圖1和其相關(guān)描述。

圖9是示出了圖8的區(qū)域b的示例性實(shí)施例的詳細(xì)視圖。

如圖9所示，第一開關(guān)元件tft1的第一柵電極ge1和第五柵極線gl5可以是一體的。第一開關(guān)元件tft1的第一柵電極ge1可以具有從第五柵極線gl5朝向第四柵極線gl4突出的形狀。

也就是說(shuō)，參考圖9，第一開關(guān)元件tft1的第一柵電極ge1可以與兩個(gè)柵極線gl4和gl5之中更遠(yuǎn)離第一像素電極pe1的第五柵極線gl5是一體的。相比之下，參考圖2，第一開關(guān)元件tft1的第一柵電極ge1與兩個(gè)柵極線gl4和gl5之中更接近第一像素電極pe1的第四柵極線gl4是一體的。

如圖9所示，第二開關(guān)元件tft2的第二柵電極ge2與第四柵極線gl4是一體的。第二開關(guān)元件tft2的第二柵電極ge2可以具有從第四柵極線gl4朝向第五柵極線gl5突出的形狀。

也就是說(shuō)，參考圖9，第二開關(guān)元件tft2的第二柵電極ge2可以與兩個(gè)柵極線gl4和gl5之中更遠(yuǎn)離第二像素電極pe2設(shè)置的第四柵極線gl4是一體的。相比之下，參考圖2，第二開關(guān)元件tft2的第二柵電極ge2與兩個(gè)柵極線gl4和gl5之中更接近第二像素電極pe2的第五柵極線gl5是一體的。

根據(jù)圖9所示的結(jié)構(gòu)，由于第一連接部分651和第二連接部分652分別設(shè)置在第四數(shù)據(jù)線dl4和柵電極ge1之間以及在第四數(shù)據(jù)線dl4和柵電極ge2之間，并且柵電極ge1和ge2分別設(shè)置為與第四數(shù)據(jù)線dl4的相對(duì)兩側(cè)相鄰，因此第一柵電極ge1和第二柵電極ge2可以設(shè)置為相對(duì)遠(yuǎn)離第四數(shù)據(jù)線dl4。因此，如上所述，像素的孔徑比可以增大。

根據(jù)圖9所示的結(jié)構(gòu)，第一連接電極771與第四公共線cl4和第四柵極線gl4重疊，并且第二連接電極772與第五柵極線gl5重疊。

除了柵極線的連接位置，圖2所示的顯示裝置的構(gòu)造和圖9所示的顯示裝置的構(gòu)造彼此相同，因此關(guān)于圖9的構(gòu)造的描述將參考圖2、3和4以及其相關(guān)描述。

顯示裝置的示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)可以適用于各種顯示裝置，例如lcd裝置和有機(jī)發(fā)光二極管(“oled”)顯示裝置。

如上所述，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例，顯示裝置可以提供以下效果。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例，開關(guān)元件的漏電極和像素電極之間的連接部分設(shè)置為比柵電極到數(shù)據(jù)線更接近數(shù)據(jù)線。因此，鄰近數(shù)據(jù)線的相對(duì)兩側(cè)設(shè)置的柵電極之間的距離可以增加。由于這種結(jié)構(gòu)，限定開關(guān)元件區(qū)域的長(zhǎng)度的柵極線之間的距離可以減小，并且限定像素電極區(qū)域的長(zhǎng)度的柵極線之間的距離可以增加所減小的距離。隨著像素電極區(qū)域的長(zhǎng)度增加，像素的孔徑比可以增加。

從前述內(nèi)容，將了解，在本文中出于說(shuō)明的目的而描述根據(jù)本發(fā)明的各種示范性實(shí)施例，且各種修改可以在不脫離本教導(dǎo)的范圍和精神的情況下做出。因此，本文公開的各種示例性實(shí)施例并不旨在限制本教導(dǎo)的真實(shí)范圍和精神。上述和其他示例性實(shí)施例的各種特征可以以任何方式混合和匹配，以產(chǎn)生與本發(fā)明一致的另外的示例性實(shí)施例。