本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)以及具有該像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

psva(polmerstabilizedvertivallyaligned，聚合物穩(wěn)定的垂直排列液晶)模式的液晶顯示屏是利用垂直方向的縱向電場，來驅(qū)動垂直配置于玻璃基板上的液晶分子，從而形成聚合物穩(wěn)定并垂直排列的液晶顯示屏。該模式的液晶顯示屏在不施加電壓時為黑色顯示狀態(tài)；在施加一定電壓后，液晶顯示屏的液晶分子倒向水平方向，該模式的液晶顯示屏為白色顯示狀態(tài)。

目前，為了避免黑矩陣彎曲造成的液晶顯示屏側(cè)面漏光，現(xiàn)有的psva模式的曲面液晶顯示屏在柵極線上形成了一層遮光電極，該遮光電極有效的減少曲面液晶顯示屏的側(cè)面漏光現(xiàn)象。然而，曲面液晶顯示屏柵極線上遮光電極的設(shè)置還存在如下問題：

1、柵極線與遮光電極之間產(chǎn)生電容，使得柵極線的寄生電容變大，使得柵極線的rc延遲現(xiàn)象嚴(yán)重，影響像素的充電率；

2、由于遮光電極完全覆蓋于柵極線上，因此遮光電極很容易受到柵極線上的高低電位信號的影響，使得遮光電極與彩膜基板上的公共電極之間產(chǎn)生電壓差，仍然會導(dǎo)致液晶顯示屏的側(cè)面漏光。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的柵極線上設(shè)置的遮光電極增大了柵極線的寄生電容，從而使得柵極線上產(chǎn)生的rc延遲現(xiàn)象嚴(yán)重，影響像素的充電率，且遮光電極很容易受到柵極線上高低電位的影響，因此會使得曲面液晶顯示屏的柵極線處出現(xiàn)側(cè)面漏光現(xiàn)象。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)以及具有該像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括

襯底基板；

形成于所述襯底基板上的第一金屬層，其包括柵極線的圖案；

形成于所述第一金屬層上的第一絕緣層；

形成于所述第一絕緣層上的透明電極層，其包括第一透明電極的圖案，所述第一透明電極被配置為使其位置所對應(yīng)的液晶不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，所述第一透明電極在所述柵極線上的投影位于所述柵極線的局部區(qū)域內(nèi)。

優(yōu)選地是，所述投影位于所述柵極線的軸線的兩側(cè)。

優(yōu)選地是，所述第一透明電極與公共電極的電位相同。

優(yōu)選地是，所述投影面積占柵極線的水平方向的最大橫截面積的40-60％。

優(yōu)選地是，所述第一透明電極為長方形，所述第一透明電極沿柵極線的軸線方向間隔設(shè)置有多個鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域相對于柵極線的軸線對稱設(shè)置。

優(yōu)選地是，所述第一透明電極為長方形，所述第一透明電極具有長方形鏤空區(qū)域，所述長方形鏤空區(qū)域相對于柵極線的軸線對稱設(shè)置。

優(yōu)選地是，所述像素結(jié)構(gòu)還包括：

形成于所述第一絕緣層上的第二金屬層，其包括數(shù)據(jù)線的圖案；以及

形成于所述第二金屬層上的第二絕緣層；

所述透明電極層還包括像素電極的圖案，所述像素電極與所述第一透明電極絕緣設(shè)置。

優(yōu)選地是，所述透明電極層還包括第二透明電極的圖案，所述第二透明電極在所述第二金屬層上的投影位于所述數(shù)據(jù)線上，所述像素電極與所述第二透明電極絕緣設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種液晶顯示面板，其包括上述像素結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，上述液晶顯示面板為psva模式的液晶顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案中的一個或多個實施例可以具有如下優(yōu)點或有益效果：

本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)的柵極線的上方覆蓋有透明電極，而透明電極的正投影只位于柵極線的局部區(qū)域內(nèi)，也就是說，透明電極與柵極線相對應(yīng)的部分不完全覆蓋于柵極線上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的透明電極減少了與柵極線的覆蓋面，一方面減少了柵極線與透明電極在接通后產(chǎn)生的寄生電容，降低了柵極線上的rc負(fù)載，使得柵極線上提供的電壓更加穩(wěn)定，提高像素的充電率，另一方面，降低了柵極線在接通后產(chǎn)生的高低電位對透明電極的影響，以保證透明電極與公共電極之間所對應(yīng)的液晶不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，即對應(yīng)的像素處于暗態(tài)，以起到使像素結(jié)構(gòu)的柵極線處不發(fā)生側(cè)漏光，提高了像素的開口率，同時還提高了具有該像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏的顯示性能。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1示出了本發(fā)明實施例一像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了本發(fā)明實施例一像素結(jié)構(gòu)的俯視圖；

圖3示出了本發(fā)明實施例二像素結(jié)構(gòu)的俯視圖；

圖4示出了具備實施例一的像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5示出了具備實施例二的像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

現(xiàn)有的液晶顯示屏，通常在柵極線的上方設(shè)置有黑矩陣，而該黑矩陣可以實現(xiàn)液晶顯示屏的柵極線處的側(cè)遮光。然而在曲面液晶顯示屏的制作過程中，顯示屏的彎曲設(shè)置往往會使黑矩陣位置發(fā)生偏移，從而導(dǎo)致曲面液晶顯示屏的柵極線處發(fā)生側(cè)漏光，影響曲面液晶顯示屏的顯示效果。為了解決上述問題，psva模式的曲面液晶顯示屏將柵極線位置對應(yīng)的黑矩陣去掉，在柵極線的上方形成一層遮光電極，通過控制遮光電極與公共電極處于相同電位，來使得柵極線位置對應(yīng)的液晶不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，避免柵極線位置出現(xiàn)側(cè)漏光問題，以達(dá)到曲面液晶顯示屏側(cè)面遮光的目的。然而，由于遮光電極設(shè)置為完全覆蓋于柵極線上，在柵極線和遮光電極通電后，他們之間很容易產(chǎn)生寄生電容，從而使柵極線上的rc負(fù)載增加，影響柵極線提供的電壓的穩(wěn)定性。并且，遮光電極完全覆蓋于柵極線上，柵極線在接通后產(chǎn)生的高低電位很容易影響遮光電極的電位，使得遮光電極與公共電極之間產(chǎn)生電壓差，從而導(dǎo)致液晶顯示屏的柵極線處出現(xiàn)側(cè)面漏光的問題。

實施例一

為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例一的像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2示出了圖1中所示的像素結(jié)構(gòu)的俯視圖。

參照圖1和圖2，本實施例像素結(jié)構(gòu)包括襯底基板1、第一金屬層2、第一絕緣層3、透明電極層、第二金屬層4以及第二絕緣層5。

具體地，第一金屬層2形成于襯底基板1上，第一金屬層2包括柵極線13的圖案。第一絕緣層3形成于第一金屬層2上。第二金屬層4形成于第一絕緣層3上。第二金屬層4包括數(shù)據(jù)線14的圖案。第二絕緣層5形成于第二金屬層4上。透明電極層形成于第二絕緣層5上，透明電極層包括第一透明電極15的圖案以及不與第一透明電極15電連接的像素電極9的圖案。優(yōu)選地，第一透明電極和像素電極9的材料均為摻錫氧化銦(ito)。

第一透明電極15在柵極線13上的投影位于柵極線13的局部區(qū)域內(nèi)，第一透明電極15在柵極線上的投影面積占柵極線13的水平方向的最大橫截面積的50％，具體地，由于該實施例中的柵極線13形狀為長方體，因此柵極線13的水平方向的最大橫截面積即為柵極線13的上表面的面積。第一透明電極15在水平方向的橫截面的形狀也為長方形，在第一透明電極15上沿柵極線13的軸線方向間隔設(shè)置有多個鏤空區(qū)域16，每個鏤空區(qū)域16為等大的小長方形。并且，所有的鏤空區(qū)域16均相對于柵極線13的軸線對稱設(shè)置。優(yōu)選地，鏤空區(qū)域16的寬度為4μm。對鏤空區(qū)域16的面積和寬度進行限定，可以降低鏤空區(qū)域16與公共電極之間產(chǎn)生的電壓差，使第一透明電極15與公共電極之間液晶的翻轉(zhuǎn)情況不被該電壓差影響。

需要說明的是，鏤空區(qū)域16的形狀不限于長方形，且第一透明電極15與柵極線相對應(yīng)的部分不完全覆蓋于柵極線13上的形式也不限于上述使其具有鏤空區(qū)域16的方式。上述方式只為減少第一透明電極15與柵極線13的覆蓋面積的一種形式。

更進一步地，第一透明電極15被配置為使其位置所對應(yīng)的液晶不發(fā)生翻轉(zhuǎn)。具體地，將第一透明電極15和公共電極設(shè)置為相同的電位。在像素結(jié)構(gòu)處于工作狀態(tài)時，由于第一透明電極15與公共電極的電位相同，因此第一透明電極15與公共電極之間對應(yīng)的液晶分子兩端沒有電壓差，從而該液晶分子不會發(fā)生偏轉(zhuǎn)，對應(yīng)的像素處于暗態(tài)。另外，由于第一透明電極15上設(shè)置有鏤空區(qū)域16，因此該鏤空區(qū)域16在一定程度上減少了第一透明電極15與柵極線13的覆蓋面積。因此，在第一透明電極15與柵極線13通電后，相應(yīng)地降低了它們之間產(chǎn)生的寄生電容，從而降低了柵極線13處于工作狀態(tài)時的rc負(fù)載，使柵極線13能夠提供更加穩(wěn)定的電壓。應(yīng)用本實施例，第一透明電極15在山柵極線上的正投影只位于柵極線13的局部區(qū)域內(nèi)，也就是說，第一透明電極15與柵極線相對應(yīng)的部分不完全覆蓋于柵極線13上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的第一透明電極15減少了與柵極線13的覆蓋面，一方面降低了柵極線13與第一透明電極15在接通后產(chǎn)生的寄生電容，降低了柵極線13上的rc負(fù)載，使得柵極線13上提供的電壓更加穩(wěn)定，另一方面，降低了柵極線13在接通后產(chǎn)生的高低電位對第一透明電極15的影響，以保證第一透明電極15與公共電極之間所對應(yīng)的液晶不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，對應(yīng)的像素處于暗態(tài)，以起到使像素結(jié)構(gòu)的柵極線13處不發(fā)生側(cè)漏光，提高了具有該像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏的顯示性能。

第一透明電極15與公共電極設(shè)置為相同電位，可以使第一透明電極15與柵極線13之間所對應(yīng)的液晶兩端不產(chǎn)生電壓差，從而使得該處液晶不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，對應(yīng)的像素處于暗態(tài)。第一透明電極15在柵極線上的投影面積占柵極線13的水平方向的最大橫截面積的50％，鏤空區(qū)域16的設(shè)置有效地減少了第一透明電極15與柵極線13的覆蓋面積。像素電極9與第一透明電極15絕緣設(shè)置，便于本領(lǐng)域技術(shù)人員向其施加不同的電壓，以使得像素結(jié)構(gòu)能夠正常工作。第一透明電極15和像素電極9設(shè)置為相同的材料，在制作像素結(jié)構(gòu)的工藝過程中兩者可以同時形成，簡化了該像素結(jié)構(gòu)的制作過程。

實施例二

相應(yīng)地，圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖3，本實施例在實施例一的基礎(chǔ)上對像素結(jié)構(gòu)的色阻層6、第三絕緣層7以及透明電極層的結(jié)構(gòu)進行限定。

具體地，色阻層6形成于第二絕緣層5上，起濾光作用。第三絕緣層7形成于色阻層6和透明電極層之間，用于使色阻層6和透明電極層之間絕緣。同時，透明電極層還包括第二透明電極8的圖案，第二透明電極8在第二金屬層4上的投影覆蓋于數(shù)據(jù)線14上，像素電極9與第二透明電極8絕緣設(shè)置。

因此，該像素結(jié)構(gòu)由下到上依次地設(shè)置為：襯底基板1、第一金屬層2、第一絕緣層3、第二金屬層4、第二絕緣層5、色阻層6、第三絕緣層7和透明電極層。其中，第一金屬層2包括柵極線13的圖案，第二金屬層4包括數(shù)據(jù)線14的圖案，透明電極層包括第一透明電極15和第二透明電極8的圖案、以及與第一透明電極和第二透明電極8均絕緣設(shè)置的像素電極9的圖案。

第一透明電極15在柵極線2上的投影位于柵極線13的局部區(qū)域內(nèi)，第一透明電極15在柵極線2上的投影面積占柵極線13的水平最大橫截面積的40％。具體地，由于該實施例中的柵極線13形狀為長方體，所以柵極線13的水平方向的最大橫截面積即為柵極線13的上表面的面積。第一透明電極15為長方形，第一透明電極15沿柵極線13的軸線方向具有一個長方形的鏤空區(qū)域16，該鏤空區(qū)域16相對于柵極線13的軸線對稱設(shè)置。且優(yōu)選地，該鏤空區(qū)域16的寬度為5μm。對鏤空區(qū)域16的面積和寬度的限定作用與實施例一相同，在此不再對其進行贅述。

需要說明的是，鏤空區(qū)域16的形狀不限于長方形，且第一透明電極15與柵極線相對應(yīng)的部分不完全覆蓋于柵極線13上的形式也不限于上述使其具有鏤空區(qū)域16的方式。上述方式只為減少第一透明電極15與柵極線13的覆蓋面積的一種形式。

第二透明電極8在第二金屬層4上的投影位于數(shù)據(jù)線14上，第二透明電極8被配置為使其位置所對應(yīng)的液晶不發(fā)生翻轉(zhuǎn)。具體地，將第二透明電極8和公共電極設(shè)置為相同的電位。第二透明電極8與公共電極之間對應(yīng)的液晶分子不發(fā)生翻轉(zhuǎn)。

應(yīng)用本實施例，第一透明電極15在柵極線上的正投影也只位于柵極線13的局部區(qū)域內(nèi)，也就是說，第一透明電極15與柵極線相對應(yīng)的部分不完全覆蓋于柵極線13上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的第一透明電極15減少了與柵極線13的覆蓋面，一方面減少了柵極線13與第一透明電極15在接通后產(chǎn)生的寄生電容，降低了柵極線13上的rc負(fù)載，使得柵極線13上提供的電壓更加穩(wěn)定，另一方面，降低了柵極線13在接通后產(chǎn)生的高低電位對第一透明電極15的影響，以保證第一透明電極15與公共電極之間所對應(yīng)的液晶不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，以起到使像素結(jié)構(gòu)的柵極線13處不發(fā)生側(cè)漏光。

色阻層6的設(shè)置可以改善該像素結(jié)構(gòu)使用于曲面液晶顯示屏上時出現(xiàn)的濾光效果不好的問題。第一透明電極15在柵極線上的投影面積占柵極線13的水平方向的最大橫截面積的40％，鏤空區(qū)域16的設(shè)置有效地減少了第一透明電極15與柵極線13的覆蓋面積。鏤空區(qū)域16的形狀設(shè)計成長方形，結(jié)合對長方形的面積及寬度的限定，鏤空區(qū)域16在一定程度上減少第一透明電極15與柵極線13的覆蓋面積。

實施例三

相應(yīng)地，圖4示出了具備上述實施例一的像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照圖4，本實施例液晶顯示屏為psva模式的液晶顯示屏，且該液晶顯示屏為曲面液晶顯示屏。該液晶顯示屏包括多個上述實施例一結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明液晶顯示屏的像素結(jié)構(gòu)還包括液晶層10、公共電極層11、色阻層6以及上玻璃基板12。

透明電極層上方形成有上玻璃基板12，色阻層6形成于上玻璃基板12的下側(cè)面上，色阻層6的下側(cè)面上形成有公共電極層11，液晶層10設(shè)置于透明電極層與公共電極層11之間。

應(yīng)用本實施例，其中像素結(jié)構(gòu)的第一透明電極15在柵極線上的正投影只位于柵極線13的局部區(qū)域內(nèi)，也就是說，第一透明電極15與柵極線相對應(yīng)的部分不完全覆蓋于柵極線13上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的第一透明電極15減少了與柵極線13的覆蓋面，一方面減少了柵極線13與第一透明電極15在接通后產(chǎn)生的寄生電容，降低了柵極線13上的rc負(fù)載，使得柵極線13上提供的電壓更加穩(wěn)定，另一方面，降低了柵極線13在接通后產(chǎn)生的高低電位對第一透明電極15的影響，以保證第一透明電極15與公共電極之間所對應(yīng)的液晶不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，以起到使像素結(jié)構(gòu)的柵極線13處不發(fā)生側(cè)漏光，提高了該液晶顯示屏的顯示性能，使液晶顯示屏的顯示效果更佳。

實施例四

相應(yīng)的，圖5示出了具備上述實施例二的像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照圖5，本實施例與實施例三不同之處在于：本發(fā)明液晶顯示屏的像素結(jié)構(gòu)還包括液晶層10、公共電極層11以及上玻璃基板12。

透明電極層上方形成有上玻璃基板12，上玻璃基板12的下側(cè)面上形成有公共電極層11，液晶層10設(shè)置于透明電極層與公共電極層11之間。

本實施例與實施例三的基本原理相同，以及所得到的有益效果也相同，因此在此處對上述內(nèi)容不再進行贅述。

雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的保護范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。