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一種陣列基板及制造方法、觸控顯示面板和觸控顯示裝置與流程

文檔序號(hào):12660498閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種陣列基板,其特征在于,包括:

襯底基板;

位于所述襯底基板上的多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線,所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線絕緣交叉限定多個(gè)像素單元;

與所述多條掃描線同層平行設(shè)置的多條觸控線;

相互獨(dú)立的多個(gè)觸控電極,一個(gè)所述觸控電極連接至少一條所述觸控線。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,

每行像素單元對(duì)應(yīng)一條所述掃描線;

一條所述觸控線位于第一行像素單元和第二行像素單元之間,其中,所述第一行像素單元和所述第二行像素單元為相鄰的兩行像素單元。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一行像素單元對(duì)應(yīng)的掃描線位于所述第一行像素單元和所述第二行像素單元之間;所述掃描線位于靠近所述第一行像素單元的一側(cè);所述觸控線位于靠近所述第二行像素單元的一側(cè)。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述多個(gè)觸控電極為呈陣列排布的多個(gè)塊狀電極,所述觸控電極在顯示階段復(fù)用為公共電極。

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,每個(gè)所述像素單元包括一個(gè)像素電極,所述像素電極與所述觸控電極所在層面同層設(shè)置,且與所述觸控電極的材料相同。

6.如權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,每個(gè)所述像素單元包括一個(gè)像素電極,所述像素電極與所述多條掃描線所在層面同層設(shè)置,且與所述多條掃描線的材料相同。

7.如權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,每個(gè)所述像素單元包括一個(gè)像素電極,所述像素電極與所述多條數(shù)據(jù)線所在層面同層設(shè)置,且與所述多條數(shù)據(jù)線的材料相同。

8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述多條掃描線與所述多個(gè)像素單元的短邊側(cè)平行設(shè)置。

9.一種觸控顯示面板,其特征在于,包括:

權(quán)利要求1至8中任一所述的陣列基板;

彩膜基板;

液晶層;

其中,所述彩膜基板和所述陣列基板相對(duì)設(shè)置,所述液晶層設(shè)置在所述彩膜基板和所述陣列基板之間。

10.一種觸控顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求10所述的觸控顯示面板。

11.一種陣列基板的制造方法,其特征在于,包括:

在襯板基板上形成多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線,所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線絕緣交叉限定多個(gè)像素單元;

在所述襯底基板上形成與所述多條掃描線同層平行設(shè)置的多條觸控線;

在所述襯底基板上形成相互獨(dú)立的多個(gè)觸控電極;

其中,一個(gè)所述觸控電極連接至少一條所述觸控線。

12.如權(quán)利要求11所述的制造方法,其特征在于,

每行像素單元對(duì)應(yīng)一條所述掃描線形成;

一條所述觸控線形成在第一行像素單元和第二行像素單元之間,其中,所述第一行像素單元和所述第二行像素單元為相鄰的兩行像素單元。

13.如權(quán)利要求12所述的制造方法,其特征在于,所述第一行像素單元對(duì)應(yīng)的掃描線形成在所述第一行像素單元和所述第二行像素單元之間;所述掃描線形成在靠近所述第一行像素單元的一側(cè);所述觸控線形成在靠近所述第二行像素單元的一側(cè)。

14.如權(quán)利要求11所述的制造方法,其特征在于,

所述多個(gè)觸控電極形成為呈陣列排布的多個(gè)塊狀電極,所述觸控電極在顯示階段復(fù)用為公共電極。

15.如權(quán)利要求14所述的制造方法,其特征在于,還包括:

在每個(gè)所述像素單元中形成一個(gè)像素電極,所述像素電極形成在所述觸控電極所在層面,且與所述觸控電極的材料相同。

16.如權(quán)利要求14所述的制造方法,其特征在于,還包括:

在每個(gè)所述像素單元中形成一個(gè)像素電極,所述像素電極形成在所述多條掃描線所在層面,且與所述多條掃描線的材料相同。

17.如權(quán)利要求14所述的制造方法,其特征在于,還包括:

在每個(gè)所述像素單元中形成一個(gè)像素電極,所述像素電極形成在所述多條數(shù)據(jù)線所在層面,且與所述多條數(shù)據(jù)線的材料相同。

18.如權(quán)利要求11所述的陣列基板,其特征在于,所述多條掃描線與所述多個(gè)像素單元的短邊側(cè)平行形成。

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