本發(fā)明涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

內(nèi)嵌式電容觸摸屏將觸控電極結(jié)構(gòu)集成在顯示屏中，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、輕、薄、成本低的優(yōu)點(diǎn)，越來(lái)越成為觸摸屏的主流技術(shù)，例如，越來(lái)越廣泛應(yīng)用于各種便攜智能終端(諸如手機(jī))中。

在內(nèi)嵌式電容觸摸屏中，可以分為On-Cell觸摸屏和In-Cell觸控屏，其中In-Cell觸控屏又可分為復(fù)合內(nèi)嵌式(Hybrid In-Cell，HIC)電容觸摸屏和完全內(nèi)嵌式(Full In-Cell，F(xiàn)IC)電容觸摸屏。

目前內(nèi)嵌式電容觸摸屏主要是完全內(nèi)嵌式(Full In-Cell，F(xiàn)IC)電容觸摸屏，現(xiàn)有的FIC電容觸摸屏，觸控電極和公共電極共用，使得在顯示的過(guò)程中，公共電極電壓均一性不好。在此基礎(chǔ)上，由于觸控信號(hào)并不是以基準(zhǔn)電壓為中心的正負(fù)反轉(zhuǎn)信號(hào)，容易使液晶長(zhǎng)時(shí)間的相對(duì)偏向一側(cè)，導(dǎo)致電壓殘留，從而出現(xiàn)顯示畫(huà)面的閃爍偏大且極易漂移等現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致所述顯示裝置，尤其是LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅技術(shù))等高分辨率高頻率的顯示裝置的信賴(lài)度降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，可提高電壓均一性以及顯示裝置的信賴(lài)度。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種陣列基板，包括襯底，設(shè)置在所述襯底上的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉限定子像素；所述子像素包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第一透明電極和第二透明電極；所述第一薄膜晶體管的柵極與所述柵線電連接，源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，漏極與所述第一透明電極電連接；所述第二薄膜晶體管的柵極與觸控掃描線電連接，源極與觸控引線電連接，漏極與所述第二透明電極電連接；其中，所述第一透明電極和所述第二透明電極絕緣，且在所述襯底的正投影無(wú)交疊。

優(yōu)選的，所述第二透明電極繞所述第一透明電極一周設(shè)置；或者，所述第一透明電極繞所述第二透明電極一周設(shè)置。

優(yōu)選的，所述子像素還包括公共電極，所述公共電極在所述襯底上的正投影與所述第一透明電極和所述第二透明電極在所述襯底上的正投影存在重疊區(qū)域。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述公共電極設(shè)置在所述第一透明電極和所述第二透明電極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；其中，所述公共電極包括多個(gè)電連接的條形電極；或者，所述公共電極設(shè)置在所述第一透明電極和所述第二透明電極靠近所述襯底的一側(cè)；其中，所述第一透明電極包括多個(gè)電連接的條形電極；所述第二透明電極包括多個(gè)電連接的條形電極；或者，所述公共電極設(shè)置在所述第一透明電極和所述第二透明電極靠近所述襯底的一側(cè)；其中，所述第一透明電極包括多個(gè)電連接的條形電極；所述第二透明電極為面狀電極。

基于上述優(yōu)選的，所述柵線與所述觸控掃描線平行設(shè)置，且同步形成；所述數(shù)據(jù)線與所述觸控引線平行設(shè)置，且同步形成。

優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管同步形成；所述第一透明電極和所述第二透明電極同步形成。

第二方面，提供一種顯示裝置，包括第一方面所述的陣列基板。

第三方面，提供一種第二方面所述的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，包括：在每一幀，柵線逐行輸入第一掃描信號(hào)，數(shù)據(jù)線輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第一透明電極用于顯示；同時(shí)，觸控掃描線逐行輸入第二掃描信號(hào)，觸控引線輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二透明電極用于觸控；其中，相鄰幀，所述觸控引線分別輸出第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)，第一電壓高于公共電壓，第二電壓低于公共電壓。

優(yōu)選的，至少在第N+1行所述柵線輸入第一掃描信號(hào)后，向第N行所述觸控掃描線輸入第二掃描信號(hào)；其中，第N+1行所述柵線與第N+1行子像素中的第一薄膜晶體管連接，第N行所述觸控掃描線與第N行所述子像素中的第二薄膜晶體管連接。

優(yōu)選的，在一幀時(shí)間內(nèi)，當(dāng)觸控掃描結(jié)束后，所述方法還包括：所述觸控掃描線逐行輸入第二掃描信號(hào)，所述觸控引線輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二透明電極用于顯示。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，通過(guò)在每個(gè)子像素中設(shè)置第一薄膜晶體管、與第一薄膜晶體管的漏極連接的第一透明電極，并使第一薄膜晶體管的柵極連接?xùn)啪€、源極連接數(shù)據(jù)線，當(dāng)陣列基板用于顯示裝置時(shí)，可實(shí)現(xiàn)所述子像素的顯示發(fā)光；在此基礎(chǔ)上，通過(guò)在每個(gè)子像素中設(shè)置第二薄膜晶體管、與第二薄膜晶體管的漏極連接的第二透明電極，并使第二薄膜晶體管的柵極連接觸控掃描線、源極連接觸控引線，可在觸控掃描線上施加觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，使第二透明電極基于自容方式，或與公共電極一起基于互容方式，可實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控位置的識(shí)別?；诖?，一方面，當(dāng)使第二透明電極基于自容方式對(duì)觸控位置識(shí)別時(shí)，可使顯示與觸控相互獨(dú)立，從而在顯示的同時(shí)，可進(jìn)行觸控位置的識(shí)別，不會(huì)導(dǎo)致顯示充電時(shí)間的減??；另一方面，由于無(wú)需采用觸控電極和公共電極共用，因而可不影響公共電極電壓的均一性；再一方面，在顯示充電的同時(shí)進(jìn)行觸控掃描，可以為觸控掃描提供基準(zhǔn)電壓，從而在相鄰幀，可以調(diào)整所述觸控掃描的電壓分別高于公共電壓或低于公共電壓，因而可避免出現(xiàn)顯示畫(huà)面的閃爍偏大且極易漂移等現(xiàn)象；基于上述，本發(fā)明可提高所述顯示裝置的信賴(lài)度，提高所述顯示裝置的顯示品質(zhì)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖一；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖二；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖三；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖四；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖五；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖六；

圖7為圖6中AA′向剖視示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖七；

圖9為圖8中BB′向剖視示意圖；

圖10為圖8中CC′向剖視示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖八；

圖12為圖11中DD′向剖視示意圖；

圖13為圖11中EE′向剖視示意圖；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種驅(qū)動(dòng)顯示裝置的時(shí)序圖一；

圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種驅(qū)動(dòng)顯示裝置的時(shí)序圖二。

附圖標(biāo)記：

10-襯底；20-柵線；30-數(shù)據(jù)線；40-觸控掃描線；50-觸控引線；60-第一薄膜晶體管；70-第二薄膜晶體管；81-第一透明電極；82-第二透明電極；83-公共電極。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1-5所示，包括襯底10，設(shè)置在襯底10上的柵線20和數(shù)據(jù)線30，柵線20和數(shù)據(jù)線30交叉限定子像素；所述子像素包括第一薄膜晶體管60、第二薄膜晶體管70、第一透明電極81和第二透明電極82；第一薄膜晶體管60的柵極與柵線20電連接，源極與數(shù)據(jù)線30電連接，漏極與第一透明電極81電連接；第二薄膜晶體管70的柵極與觸控掃描線40電連接，源極與觸控引線50電連接，漏極與第二透明電極82電連接；其中，第一透明電極81和第二透明電極82絕緣，且在襯底10的正投影無(wú)交疊。

其中，由第一薄膜晶體管60的柵極與柵線20電連接，源極與數(shù)據(jù)線30電連接，漏極與第一透明電極81電連接，可知，第一透明電極81用作像素電極。在此基礎(chǔ)上，當(dāng)陣列基板用于液晶顯示裝置時(shí)，第一透明電極81與公共電極共同驅(qū)動(dòng)液晶，以實(shí)現(xiàn)每個(gè)子像素的顯示發(fā)光。此處，公共電極可設(shè)置在陣列基板上，也可不設(shè)置在陣列基板上。

對(duì)于第二透明電極82，其主要用作觸控。在此基礎(chǔ)上，考慮到一幀顯示的掃描時(shí)間大于一幀觸控的掃描時(shí)間，因而，也可在一幀觸控掃描完之后，將第二透明電極82用作輔助像素電極，以擴(kuò)大每個(gè)子像素的顯示面積。當(dāng)然，也可不將第二透明電極82用作輔助像素電極。第二透明電極82用作觸控電極或用作輔助像素電極時(shí)，由觸控引線50上施加的信號(hào)來(lái)進(jìn)行區(qū)分。

其中，當(dāng)?shù)诙该麟姌O82用作觸控的識(shí)別時(shí)，可基于自容方式實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控位置的識(shí)別，此時(shí)，可將第二透明電極82作為觸控電極。即，通過(guò)觸控掃描線40逐行輸入掃描信號(hào)，使相應(yīng)的第二薄膜晶體管70打開(kāi)，觸控引線50向第二透明電極82輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并接收觸控反饋信號(hào)，從而可根據(jù)觸控位置處，第二透明電極82上電容的變化，使得相應(yīng)觸控引線50接收到的反饋信號(hào)發(fā)生變化，以此確定觸控位置。

當(dāng)?shù)诙该麟姌O82用作觸控的識(shí)別時(shí)，也可基于互容方式實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控位置的識(shí)別，此時(shí)，可將第二透明電極82作為驅(qū)動(dòng)電極，將公共電極(可設(shè)置在陣列基板上，或當(dāng)所述陣列基板用于液晶顯示裝置時(shí)，可設(shè)置在對(duì)盒基板上)分時(shí)用作感應(yīng)電極。即，通過(guò)觸控掃描線40逐行輸入掃描信號(hào)，使相應(yīng)的第二薄膜晶體管70打開(kāi)，觸控引線50向第二透明電極82輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而可根據(jù)觸控位置處，第二透明電極82上電容的變化，使得觸控位置處的公共電極輸出觸控感應(yīng)信號(hào)，以此確定觸控位置。在此情況下，對(duì)于公共電極的結(jié)構(gòu)，在保證每個(gè)子像素能進(jìn)行顯示的基礎(chǔ)上，需能與第二透明電極82配合，以實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控位置的識(shí)別。

在此基礎(chǔ)上，由于觸控引線50和數(shù)據(jù)線30相互獨(dú)立，因此通過(guò)與觸控引線50連接的IC(集成電路)，在第二透明電極82用作觸控的識(shí)別時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別。這樣，相對(duì)將指紋識(shí)別的功能制作在顯示裝置的邊框，使得邊框?qū)挾仍黾?，本發(fā)明更有利于實(shí)現(xiàn)顯示裝置的窄邊框化。

需要說(shuō)明的是，第一，第一薄膜晶體管60和第二薄膜晶體管70的源極、漏極是對(duì)稱(chēng)的，所以其源極、漏極是沒(méi)有區(qū)別的?；诖?，為區(qū)分薄膜晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱(chēng)為源極，另一極稱(chēng)為漏極。

第二，第一薄膜晶體管60和第二薄膜晶體管70的具體結(jié)構(gòu)可以相同，當(dāng)然也可以不同，在此不做具體限定。

第一薄膜晶體管60、第二薄膜晶體管70可以為非晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管等。

其中，第一薄膜晶體管60、第二薄膜晶體管70可以為底柵型，也可以為頂柵型結(jié)構(gòu)。

第三，為了保證顯示性能，第一透明電極81的尺寸應(yīng)盡可能大，相應(yīng)的，在第二透明電極82能實(shí)現(xiàn)觸控位置識(shí)別的基礎(chǔ)上，其尺寸應(yīng)盡可能小。

基于此，不對(duì)第一透明電極81和第二透明電極82的具體設(shè)置位置和結(jié)構(gòu)進(jìn)行限定，只要兩者絕緣，且在襯底10上的正投影無(wú)交疊即可。例如，在同一子像素中，如圖1和圖5所示，第一透明電極81和第二透明電極82可以沿?cái)?shù)據(jù)線30的延伸方向設(shè)置；或者，如圖2所示，第一透明電極81和第二透明電極82可以沿柵線20的延伸方向設(shè)置；當(dāng)然，也可以如圖3所示，第二透明電極82繞第一透明電極81一周設(shè)置，或者，如圖4所示，第一透明電極81繞第二透明電極82一周設(shè)置。

其中，對(duì)于圖3中，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，由于第一薄膜晶體管60的漏極需跨過(guò)第二透明電極82與位于第二透明電極82內(nèi)側(cè)的第一透明電極81電連接，因此，需保證第一薄膜晶體管60與第二透明電極82絕緣。同理，圖4中，由于第二薄膜晶體管70的漏極需跨過(guò)第一透明電極81與位于第一透明電極81內(nèi)側(cè)的第二透明電極82電連接，因此，需保證第二薄膜晶體管70與第一透明電極81絕緣。

此外，第一透明電極81和第二透明電極82可以同層設(shè)置(即，通過(guò)同一次構(gòu)圖工藝形成)，也可以不同層設(shè)置。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，通過(guò)在每個(gè)子像素中設(shè)置第一薄膜晶體管60、與第一薄膜晶體管60的漏極連接的第一透明電極81，并使第一薄膜晶體管60的柵極連接?xùn)啪€20、源極連接數(shù)據(jù)線30，當(dāng)陣列基板用于顯示裝置時(shí)，可實(shí)現(xiàn)所述子像素的顯示發(fā)光；在此基礎(chǔ)上，通過(guò)在每個(gè)子像素中設(shè)置第二薄膜晶體管70、與第二薄膜晶體管70的漏極連接的第二透明電極82，并使第二薄膜晶體管70的柵極連接觸控掃描線40、源極連接觸控引線50，可在觸控引線50上施加觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，使第二透明電極82基于自容方式，或與公共電極一起基于互容方式，可實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控位置的識(shí)別。

基于此，一方面，當(dāng)使第二透明電極82基于自容方式對(duì)觸控位置識(shí)別時(shí)，可使顯示與觸控相互獨(dú)立，從而在顯示的同時(shí)，可進(jìn)行觸控位置的識(shí)別，不會(huì)導(dǎo)致顯示充電時(shí)間的減??；另一方面，由于無(wú)需采用觸控電極和公共電極共用，因而可不影響公共電極電壓的均一性；再一方面，在顯示充電的同時(shí)進(jìn)行觸控掃描，可以為觸控掃描提供基準(zhǔn)電壓，從而在相鄰幀，可以調(diào)整觸控掃描的電壓分別高于公共電壓或低于公共電壓，因而可避免出現(xiàn)顯示畫(huà)面的閃爍偏大且極易漂移等現(xiàn)象；基于上述，本發(fā)明可提高所述顯示裝置的信賴(lài)度，提高所述顯示裝置的顯示品質(zhì)。

優(yōu)選的，如圖2-5所示，針對(duì)任一個(gè)所述子像素，與該子像素中的第一薄膜晶體管60連接的數(shù)據(jù)線30、以及與該子像素中的第二薄膜晶體管70連接的觸控引線50分別設(shè)置在所述子像素沿柵線20方向的兩側(cè)。

本發(fā)明實(shí)施例將與同一個(gè)子像素中的第一薄膜晶體管60和第二薄膜晶體管70分別連接的數(shù)據(jù)線30和觸控引線50，分別設(shè)置在所述子像素沿柵線20方向的兩側(cè)，使數(shù)據(jù)線30與觸控引線50之間無(wú)交叉，可避免數(shù)據(jù)線30與觸控引線50之間產(chǎn)生影響。

優(yōu)選的，如圖3所示，第二透明電極82繞第一透明電極81一周設(shè)置。

由于第二透明電極82設(shè)置在第一透明電極81的外圍，因此，第二透明電極82可起到屏蔽位于其外部的金屬線等對(duì)第一透明電極81的干擾作用，從而使得顯示效果更好。

或者，如圖4所示，第一透明電極81繞第二透明電極82一周設(shè)置。

由于第一透明電極81設(shè)置在第二透明電極82的外圍，因此，第一透明電極81可起到屏蔽位于其外部的金屬線等對(duì)第二透明電極82的干擾作用，從而使得第二透明電極82在用于精細(xì)識(shí)別例如指紋識(shí)別時(shí)的識(shí)別效果更佳。

優(yōu)選的，如圖6-圖13所示，所述子像素還包括公共電極83，公共電極83在襯底10上的正投影與第一透明電極81和第二透明電極82在襯底10上的正投影存在重疊區(qū)域。

需要說(shuō)明的是，第一透明電極81和第二透明電極82與公共電極83絕緣設(shè)置。

此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，由于第一透明電極81是用作像素電極的，且第二透明電極82也可用作輔助像素電極，因此，公共電極83結(jié)構(gòu)的設(shè)置，需能在第一透明電極81與公共電極83之間產(chǎn)生電場(chǎng)的作用下，驅(qū)動(dòng)二者對(duì)應(yīng)區(qū)域的液晶進(jìn)行相應(yīng)的偏轉(zhuǎn)。在此基礎(chǔ)上，在第二透明電極82用作輔助像素電極時(shí)，與公共電極83之間產(chǎn)生電場(chǎng)的作用下，驅(qū)動(dòng)二者對(duì)應(yīng)區(qū)域的液晶進(jìn)行相應(yīng)的偏轉(zhuǎn)。

其中，需要特別說(shuō)明的是，由于相對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)，觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)很小，因此，在第二透明電極82用于觸控時(shí)，第二透明電極82和公共電極83形成的電場(chǎng)，不會(huì)對(duì)第二透明電極82對(duì)應(yīng)區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生影響，即該區(qū)域不會(huì)漏光。

本發(fā)明實(shí)施例將公共電極83設(shè)置在所述陣列基板上，可使顯示裝置具有可視角度大、響應(yīng)速度快、色彩還原準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)。

進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖6和圖7所示，公共電極83可設(shè)置在第一透明電極81和第二透明電極82遠(yuǎn)離襯底10的一側(cè)；其中，公共電極83包括多個(gè)電連接的條形電極。

基于此，第一透明電極81和第二透明電極82的結(jié)構(gòu)可以相同，例如，第一透明電極81和第二透明電極82可以是均包括多個(gè)電連接的條形電極，或者均為面狀電極；第一透明電極81和第二透明電極82也可以不相同，例如，第一透明電極81和第二透明電極82分別為面狀電極和包括多個(gè)電連接的條形電極。

在此情況下，當(dāng)觸控掃描結(jié)束后，第二透明電極82可作為輔助像素電極用于顯示，以擴(kuò)大每個(gè)子像素的顯示面積。

需要說(shuō)明的是，所有子像素中的公共電極83可同步形成且連為一體。

或者，如圖8-圖10所示，公共電極83可設(shè)置在第一透明電極81和第二透明電極82靠近襯底10的一側(cè)；其中，第一透明電極81包括多個(gè)電連接的條形電極；第二透明電極82包括多個(gè)電連接的條形電極。

基于此，公共電極83可以為面狀電極或包括多個(gè)電連接的條形電極。

在此情況下，當(dāng)觸控掃描結(jié)束后，第二透明電極82可作為輔助像素電極用于顯示，以擴(kuò)大每個(gè)子像素的顯示面積。

或者，如圖11-13所示，公共電極83可設(shè)置在第一透明電極81和第二透明電極82靠近襯底10的一側(cè)；其中，第一透明電極81包括多個(gè)電連接的條形電極；第二透明電極82為面狀電極。

在此情況下，第二透明電極82僅作為觸控電極使用。

需要說(shuō)明的是，基于上述對(duì)公共電極83設(shè)置位置的描述，當(dāng)?shù)诙该麟姌O82基于自容方式對(duì)觸控位置的識(shí)別時(shí)，位于所有子像素對(duì)應(yīng)位置處的公共電極83可電連接在一起。

基于上述優(yōu)選的，如圖1-6、圖8和圖11所示，柵線20與觸控掃描線40平行設(shè)置，且同步形成；數(shù)據(jù)線30與觸控引線50平行設(shè)置，且同步形成。

其中，柵線20與觸控掃描線40同步形成，即，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵線20和觸控掃描線40。數(shù)據(jù)線30與觸控引線50同步形成，即，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線30和觸控引線50。

本發(fā)明實(shí)施例將柵線20與觸控掃描線40同步形成、數(shù)據(jù)線30與觸控引線50同步形成，可減少構(gòu)圖工藝，降低制備成本。

基于上述優(yōu)選的，第一薄膜晶體管60和第二薄膜晶體管70同步形成；第一透明電極81和第二透明電極82同步形成。

其中，當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管60和第二薄膜晶體管70同步形成時(shí)，第一薄膜晶體管60和第二薄膜晶體管70的結(jié)構(gòu)相同。

此外，第一薄膜晶體管60和第二薄膜晶體管70同步形成，即，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第一薄膜晶體管60的柵極與第二薄膜晶體管70的柵極、第一薄膜晶體管60的有源層與第二薄膜晶體管70的有源層、第一薄膜晶體管60的源極和漏極與第二薄膜晶體管70的源極和漏極。第一透明電極81和第二透明電極82同步形成，即，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一透明電極81和第二透明電極82。

本發(fā)明實(shí)施例將第一薄膜晶體管60和第二薄膜晶體管70同步形成、第一透明電極81和第二透明電極82同步形成，可進(jìn)一步減少構(gòu)圖工藝，降低制備成本。

基于上述，若第一透明電極81和第二透明電極82位于柵金屬層靠近襯底10一側(cè)，則可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵線20、觸控掃描線40、第一透明電極81和第二透明電極82。當(dāng)公共電極83設(shè)置在第一透明電極81和第二透明電極82靠近襯底10的一側(cè)時(shí)，此時(shí)，若公共電極83位于所述柵金屬層靠近所述襯底10一側(cè)時(shí)，則可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵線20、觸控掃描線40和公共電極83。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

其中，所述顯示裝置還包括對(duì)盒基板。

此外，當(dāng)公共電極83設(shè)置在所述對(duì)盒基板上時(shí)，不論第二透明電極82包括多個(gè)電連接的條形電極還是為面狀電極，觸控掃描結(jié)束后，第二透明電極82均可作為輔助像素電極進(jìn)行顯示。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，具有與所述陣列基板相同的技術(shù)效果，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種如上述顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，如圖14所示，包括：在每一幀，柵線20逐行輸入第一掃描信號(hào)，數(shù)據(jù)線30輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第一透明電極81用于顯示；同時(shí)，觸控掃描線40逐行輸入第二掃描信號(hào)，觸控引線50輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二透明電極82用于觸控；其中，相鄰幀，觸控引線50分別輸出第一電壓信號(hào)和第二電壓信號(hào)，第一電壓高于公共電壓，第二電壓低于公共電壓。

其中，所述公共電壓為所述顯示裝置顯示時(shí)，公共電極83上施加的電壓。

此外，驅(qū)動(dòng)第二透明電極82用于觸控的識(shí)別，可基于自容方式實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控位置的識(shí)別，此時(shí)，可將第二透明電極82作為觸控電極。即，通過(guò)觸控掃描線40逐行輸入掃描信號(hào)，使相應(yīng)的第二薄膜晶體管70打開(kāi)，觸控引線50向第二透明電極82輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并接收觸控反饋信號(hào)，從而可根據(jù)觸控位置處，第二透明電極82上電容的變化，使得相應(yīng)觸控引線50接收到的反饋信號(hào)發(fā)生變化，以此確定觸控位置。

當(dāng)?shù)诙该麟姌O82用于觸控的識(shí)別，也可基于互容方式實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控位置的識(shí)別，此時(shí)，可將第二透明電極82作為驅(qū)動(dòng)電極，將公共電極83分時(shí)用作感應(yīng)電極。即，通過(guò)觸控掃描線40逐行輸入掃描信號(hào)，使相應(yīng)的第二薄膜晶體管70打開(kāi)，觸控引線50向第二透明電極82輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而可根據(jù)觸控位置處，第二透明電極82上電容的變化，使得觸控位置處的公共電極83輸出觸控感應(yīng)信號(hào)，以此確定觸控位置。在此情況下，對(duì)于公共電極83的結(jié)構(gòu)，在保證每個(gè)子像素能進(jìn)行顯示的基礎(chǔ)上，需能與第二透明電極82配合，以實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控位置的識(shí)別。

在此基礎(chǔ)上，由于觸控引線50和數(shù)據(jù)線30相互獨(dú)立，因此通過(guò)與觸控引線50連接的IC，在第二透明電極82用作觸控的識(shí)別時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別。

需要說(shuō)明的是，不對(duì)第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)進(jìn)行限定，只要分別能控制第一薄膜晶體管60和第二薄膜晶體管70打開(kāi)即可。在此基礎(chǔ)上，所述第一掃描信號(hào)和所述第二掃描信號(hào)可以相同，也可以不相同。

此外，由于相對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)，觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)很小，因此，在驅(qū)動(dòng)第二透明電極82用于觸控時(shí)，第二透明電極82和公共電極83形成的電場(chǎng)，不會(huì)對(duì)第二透明電極82對(duì)應(yīng)區(qū)域的液晶偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生影響，即該區(qū)域不會(huì)漏光。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種上述顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，在每一幀，通過(guò)向柵線20逐行輸入第一掃描信號(hào)，向數(shù)據(jù)線30輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第一透明電極81用于顯示，可實(shí)現(xiàn)所述子像素的顯示發(fā)光；在此基礎(chǔ)上，通過(guò)向觸控掃描線40逐行輸入第二掃描信號(hào)，觸控引線50輸入觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，使第二透明電極82基于自容方式，或與公共電極83一起基于互容方式，可實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控位置的識(shí)別。

基于此，一方面，當(dāng)使第二透明電極82基于自容方式對(duì)觸控位置識(shí)別時(shí)，可使顯示與觸控相互獨(dú)立，從而在顯示的同時(shí)，可進(jìn)行觸控位置的識(shí)別，不會(huì)導(dǎo)致顯示充電時(shí)間的減?。涣硪环矫?，由于無(wú)需采用觸控電極和公共電極共用，因而可不影響公共電極電壓的均一性；再一方面，在顯示充電的同時(shí)進(jìn)行觸控掃描，可以為觸控掃描提供基準(zhǔn)電壓，從而在相鄰幀，可以調(diào)整所述觸控掃描上的電壓分別高于公共電壓或低于公共電壓，進(jìn)而可以提高所述顯示裝置的信賴(lài)度，提高所述顯示裝置的顯示品質(zhì)。

優(yōu)選的，至少在第N+1行柵線20輸入第一掃描信號(hào)后，向第N行觸控掃描線40輸入第二掃描信號(hào)；其中，第N+1行柵線20與第N+1行子像素中的第一薄膜晶體管60連接，第N行觸控掃描線40與第N行所述子像素中的第二薄膜晶體管70連接。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于柵線20和觸控掃描線40的行數(shù)的計(jì)數(shù)(即，第一行、第二行…)，與其所連接的子像素所在的行數(shù)的計(jì)數(shù)一致。示例的，以第五行子像素為例，與第五行子像素中的第一薄膜晶體管60連接的柵線20，即為第五行柵線20；與第五行子像素中的第二薄膜晶體管70連接的觸控掃描線40，即為第五行觸控掃描線40。

本發(fā)明實(shí)施例至少在第N+1行柵線20輸入第一掃描信號(hào)后，向第N行觸控掃描線40輸入第二掃描信號(hào)，使在同一子像素內(nèi)，向柵線20輸入第一掃描信號(hào)和向觸控掃描線40輸入第二掃描信號(hào)在不同的時(shí)刻進(jìn)行，從而使第一透明電極81和第二透明電極82之間不會(huì)產(chǎn)生耦合電容，進(jìn)而避免了對(duì)所述顯示裝置子像素的顯示帶來(lái)影響。

優(yōu)選的，如圖15所示，在一幀時(shí)間內(nèi)，當(dāng)觸控掃描結(jié)束后，所述方法還包括：觸控掃描線40逐行輸入第二掃描信號(hào)，觸控引線50輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二透明電極82用于顯示。

相較于顯示掃描，觸控掃描耗費(fèi)的時(shí)間很短，因此，可以在觸控掃描結(jié)束后，向觸控掃描線40輸入第二掃描信號(hào)，觸控引線50輸入數(shù)據(jù)信號(hào)，此時(shí)，第二透明電極82作為輔助像素電極，以擴(kuò)大每個(gè)子像素的顯示面積。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。