本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶像素電路及液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著技術(shù)的發(fā)展，人們對液晶顯示裝置的要求越來越高，而現(xiàn)有的VA(Vertical Alignment，垂直排列)模式液晶顯示裝置具有非常高的正面對比度，但在側(cè)面觀看時，由于VA模式液晶分子在垂直方向轉(zhuǎn)動的特點，導(dǎo)致液晶顯示裝置的對比度下降十分明顯，不同視野角下會出現(xiàn)明顯的色偏現(xiàn)象。

而現(xiàn)有的解決低色偏現(xiàn)象的常見方法為：將液晶顯示裝置上的每個像素分為主區(qū)和子區(qū)，通過一分享電容，使得主區(qū)與子區(qū)獲得不一樣的電壓，液晶分子受電壓驅(qū)使有兩種不同的轉(zhuǎn)向，在大視角觀看時可以起到視角補償?shù)淖饔?，以實現(xiàn)改善大視角色偏的目的。但是，采用這種方法是以犧牲子區(qū)的亮度為代價，面板整體的亮度會下降，穿透率也變低。

故，有必要提供一種液晶像素電路及液晶顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種液晶像素電路及液晶顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，VA型液晶顯示裝置為解決大視角色偏問題，從而造成的液晶顯示裝置整體亮度的降低，致使穿透率降低的問題。

本發(fā)明提供一種液晶像素電路，其包括：多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線限定的多個像素，每個所述像素包括：第一像素區(qū)、第二像素區(qū)以及電容耦合模塊；

所述第一像素區(qū)與第二像素區(qū)同時電性連接至一所述掃描線與一所述數(shù)據(jù)線；所述電容耦合模塊具有一控制端、一輸入端、第一通路端以及第二通路端，所述控制端與另一所述掃描線連接，所述輸入端與另一所述像素的第一像素區(qū)連接，所述第一通路端與所述第一像素區(qū)連接，所述第二通路端與所述第二像素區(qū)連接，

當所述掃描線開啟時，所述第一像素區(qū)與第二像素區(qū)充電至第一電位值；當另一所述掃描線開啟時，所述第一像素區(qū)充電至第二電位值，所述第二像素區(qū)充電至第三電位值，其中，所述第一電位值小于所述第二電位值以及所述第三電位值。

在本發(fā)明的液晶像素電路中，所述電容耦合模塊包括：第一薄膜晶體管、第一耦合電容以及第二耦合電容；

所述第一薄膜晶體管的柵極與所述控制端連接，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第一耦合電容的一端連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第二通路端連接，所述第一耦合電容的另一端與所述輸入端連接；所述第二耦合電容的一端與所述第二通路端連接，所述第二耦合電容的另一端與所述第一通路端連接。

在本發(fā)明的液晶像素電路中，所述第一像素區(qū)包括：第二薄膜晶體管以及第一存儲組件；

所述第二薄膜晶體管的柵極與所述掃描線連接，所述第二薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第一存儲組件以及所述第一通路端連接。

在本發(fā)明的液晶像素電路中，所述第一存儲組件包括：第一液晶電容以及第一存儲電容；

所述第一液晶電容與第一存儲電容的一端與所述第二薄膜晶體管的漏極連接，所述第一液晶電容的另一端與公共電極連接，所述第一存儲電容的另一端與公共線連接。

在本發(fā)明的液晶像素電路中，所述輸入端與另一所述像素的第二薄膜晶體管的漏極連接。

在本發(fā)明的液晶像素電路中，所述第二像素區(qū)包括：第三薄膜晶體管以及第二存儲組件；

所述第三薄膜晶體管的柵極與所述掃描線連接，所述第三薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第三薄膜晶體管的漏極與所述第二存儲組件以及所述第二通路端連接。

在本發(fā)明的液晶像素電路中，所述第二存儲組件包括：第二液晶電容以及第二存儲電容；

所述第二液晶電容與第二存儲電容的一端與所述第三薄膜晶體管的漏極連接，所述第二液晶電容的另一端與公共電極連接，所述第二存儲電容的另一端與公共線連接。

在本發(fā)明的液晶像素電路中，同一列上的所述像素的極性相同。

在本發(fā)明的液晶像素電路中，相鄰列上的所述像素的極性相反。

依據(jù)本發(fā)明的上述目的，還提供一種液晶顯示裝置，其包括上述的液晶像素電路。

本發(fā)明的液晶像素電路及液晶顯示裝置，通過一電容耦合模塊的電容耦合作用，將第一像素區(qū)上的第一電位值提升至第二電位值以及將第二像素區(qū)上的第一電位值提升至第三電位值，并且可以通過調(diào)整第一耦合電容與第二耦合電容的電容值，使得第一像素區(qū)與第二像素區(qū)之間具有一定電位值壓差，在改善大視角色偏問題的同時不會降低液晶顯示裝置的整體亮度，提高了穿透率；解決了現(xiàn)有技術(shù)中，VA型液晶顯示裝置為解決大視角色偏問題，從而造成的液晶顯示裝置整體亮度的降低，致使穿透率降低的問題。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為本發(fā)明液晶像素電路優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示像素10以及像素11的電路圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

參閱圖1，圖1為本發(fā)明液晶像素電路優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖1所示，本優(yōu)選實施例的液晶像素電路，包括：多條掃描線G(1)、G(2)、……、G(n)，多條數(shù)據(jù)線D(1)、D(2)、……、D(n)以及掃描線G(1)、G(2)、……、G(n)與數(shù)據(jù)線G(1)、G(2)、……、G(n)限定的多個像素10，每個像素10包括：第一像素區(qū)101、第二像素區(qū)102以及電容耦合模塊103。

進一步的，該像素10的第一像素區(qū)101與第二像素區(qū)102同時電性連接至一掃描線G(1)與一數(shù)據(jù)線D(1)；該電容耦合模塊103具有一控制端a、一輸入端b、第一通路端c以及第二通路端d，該控制端a與另一掃描線連接G(2)，該輸入端b與另一像素11的第一像素區(qū)101連接，該第一通路端c與該像素10的第一像素區(qū)101連接，該第二通路端d與該像素10的第二像素區(qū)102連接。

特別地，位于同一列上的像素的極性相同，相鄰列上的像素的極性相反。

本發(fā)明的液晶像素電路工作時，先開啟該掃描線G(1)，將該像素10的第一像素區(qū)101以及第二像素區(qū)102充電至第一電位值；然后再開啟另一掃描線G(2)，通過電容耦合模塊103的電容耦合作用，將該像素10的第一像素區(qū)101充電至第二電位值，該像素10的第二像素區(qū)102充電至第三電位值，其中，第一電位值小于第二電位值以及第三電位值。

具體的，參閱圖2，圖2為圖1所示像素10以及像素11的電路圖；如圖2所示，該電容耦合模塊103包括：第一薄膜晶體管TFT1、第一耦合電容C1以及第二耦合電容C2；第一薄膜晶體管TFT1的柵極與控制端a連接，第一薄膜晶體管TFT1的源極與第一耦合電容C1的一端連接，第一薄膜晶體管TFT1的漏極與第二通路端d連接，第一耦合電容C1的另一端與輸入端a連接；第二耦合電容C2的一端與第二通路端d連接，第二耦合電容C2的另一端與第一通路端c連接。

該第一像素區(qū)101包括：第二薄膜晶體管TFT2以及第一存儲組件；第二薄膜晶體管TFT2的柵極與掃描線G(1)連接，第二薄膜晶體管TFT2的源極與數(shù)據(jù)線D(1)連接，第二薄膜晶體管TFT2的漏極與第一存儲組件以及第一通路端C連接。其中，該第一存儲組件包括：第一液晶電容Clc1以及第一存儲電容Cst1；第一液晶電容Clc1與第一存儲電容Cst1的一端與第二薄膜晶體管TFT2的漏極連接，第一液晶電容Clc1的另一端與公共電極連接，第一存儲電容Cst1的另一端與公共線Acom連接。進一步地，該輸入端a與另一像素11的第二薄膜晶體管TFT2的漏極連接。

該第二像素區(qū)102包括：第三薄膜晶體管TFT3以及第二存儲組件；第三薄膜晶體管TFT3的柵極與掃描線G(1)連接，第三薄膜晶體管TFT3的源極與數(shù)據(jù)線D(1)連接，第三薄膜晶體管TFT3的漏極與第二存儲組件以及第二通路端d連接。其中，該第二存儲組件包括：第二液晶電容Clc2以及第二存儲電容Cst2；第二液晶電容Clc2與第二存儲電容Cst2的一端與第三薄膜晶體管TFT3的漏極連接，第二液晶電容Clc2的另一端與公共電極連接，第二存儲電容Cst2的另一端與公共線Acom連接。

本優(yōu)選實施例的工作原理如下所述：

當該掃描線G(1)輸出高電平掃描信號時，第二薄膜晶體管TFT2與第三薄膜晶體管TFT3導(dǎo)通，此時，數(shù)據(jù)線D(1)輸出數(shù)據(jù)信號對第一像素區(qū)101與第二像素區(qū)102進行充電。具體地，數(shù)據(jù)信號經(jīng)第二薄膜晶體管對第一液晶電容Clc1與第一存儲電容Cst1進行充電，使得第一像素區(qū)具有第一電位值；同樣，數(shù)據(jù)信號經(jīng)第三薄膜晶體管對第二液晶電容Clc2與第一存儲電容Cst2進行充電，使得第二像素區(qū)具有第一電位值。

隨后，該掃描線G(1)輸出低電平掃描信號，第二薄膜晶體管TFT2與第三薄膜晶體管TFT3斷開。此時，另一掃描線G(2)輸出高電平掃描信號，使得第三薄膜晶體管TFT3、另一像素11的第二薄膜晶體管TFT2以及另一像素的第三薄膜晶體管TFT3打開，數(shù)據(jù)線D(1)輸出數(shù)據(jù)信號對另一像素11的第一像素區(qū)101以及第二像素區(qū)102進行充電。而此時另一像素11的第一像素區(qū)101的電位值為上一幀畫面的極性電壓，而當前該數(shù)據(jù)線D(1)將該第一像素區(qū)第電位值由上一幀的電位值充電至當前幀電位值，從而使得第一耦合電容與第二耦合電容產(chǎn)生電容耦合效應(yīng)，將該像素10的第一像素區(qū)101的第一電位值進一步拉升至第二電位值，該像素10的第二像素區(qū)102的第一電位值進一步拉升至第三電位值，從而提高液晶顯示裝置的亮度，提高穿透率。

另外，第一像素區(qū)101的第二電位值與第二像素區(qū)102的第三電位值可通過調(diào)整第一耦合電容與第二耦合電容的電容值，從而使得第一像素區(qū)101與第二像素區(qū)102獲得不同的電位值，使得第一像素區(qū)與第二像素區(qū)的液晶發(fā)生不同偏轉(zhuǎn)，改善了大視角色偏問題，提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。

本優(yōu)發(fā)明的液晶像素電路，通過一電容耦合模塊的電容耦合作用，將第一像素區(qū)上的第一電位值提升至第二電位值以及將第二像素區(qū)上的第一電位值提升至第三電位值，并且可以通過調(diào)整第一耦合電容與第二耦合電容的電容值，使得第一像素區(qū)與第二像素區(qū)之間具有一定電位值壓差，在改善大視角色偏問題的同時不會降低液晶顯示裝置的整體亮度，提高了穿透率；解決了現(xiàn)有技術(shù)中，VA型液晶顯示裝置為解決大視角色偏問題，從而造成的液晶顯示裝置整體亮度的降低，致使穿透率降低的問題。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置，包括上述實施例的液晶像素電路，該液晶像素電路已經(jīng)在上述實施例中進行了詳細的論述，在此不再贅述。

本發(fā)明的液晶顯示裝置，通過一電容耦合模塊的電容耦合作用，將第一像素區(qū)上的第一電位值提升至第二電位值以及將第二像素區(qū)上的第一電位值提升至第三電位值，并且可以通過調(diào)整第一耦合電容與第二耦合電容的電容值，使得第一像素區(qū)與第二像素區(qū)之間具有一定電位值壓差，在改善大視角色偏問題的同時不會降低液晶顯示裝置的整體亮度，提高了穿透率；解決了現(xiàn)有技術(shù)中，VA型液晶顯示裝置為解決大視角色偏問題，從而造成的液晶顯示裝置整體亮度的降低，致使穿透率降低的問題。

綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準。