本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種線柵偏振器及制備方法、液晶顯示面板。
背景技術(shù):
線柵偏振器(Wire Grid Polarizer,WGP)由衍射光柵構(gòu)成,其具有使透射的光線成為偏振光的功能,例如,在玻璃基板上以短于光的波長(zhǎng)的間距平行地配置作為光柵線的多個(gè)金屬線,使得線柵偏振器對(duì)從光源射出的電場(chǎng)在與光柵線平行的方向上振動(dòng)的光進(jìn)行反射,同時(shí)針對(duì)電場(chǎng)在與光柵線垂直的方向上振動(dòng)的光進(jìn)行透射,從而將光源射出的光轉(zhuǎn)換為偏振光。
目前,有些液晶顯示器(LCD)中采用線柵偏振器取代傳統(tǒng)的偏光片(POL),并且還將線柵偏振器內(nèi)置到顯示面板中,以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的超薄化。參見圖1,目前的線柵偏振器包括襯底基板1和設(shè)置于襯底基板上的線柵結(jié)構(gòu)2,在現(xiàn)有技術(shù)中通常采用納米壓印技術(shù)制作線柵結(jié)構(gòu),參見圖2,線柵結(jié)構(gòu)的制作方法包括如下步驟:
在襯底基板01上形成金屬薄膜02;
在金屬薄膜02上形成納米壓印材料薄膜03;
采用納米壓印模板04,對(duì)納米壓印材料薄膜03進(jìn)行壓印,形成壓印圖形。
對(duì)于大尺寸的LCD,需要大尺寸的線柵偏振器,而現(xiàn)有的納米壓印模板的尺寸通常小于大尺寸的線柵偏振器的線柵結(jié)構(gòu)的尺寸,要形成該線柵結(jié)構(gòu),至少需要進(jìn)行兩次壓印,每一次壓印對(duì)應(yīng)一個(gè)線柵單元,相應(yīng)地,線柵結(jié)構(gòu)可分為至少兩個(gè)線柵單元。然而,在多次壓印過程中,若采用在整面襯底基板上形成納米壓印材料薄膜的方式,在第一次壓印后,整面襯底基板上的納米壓印材料薄膜都已固化,無法再進(jìn)行下一次的壓印,故無法制作出所需的線柵結(jié)構(gòu);若采用在局部襯底基板上形成納米壓印材料薄膜的方式,壓印區(qū)域外圍的納米壓印材料薄膜也會(huì)固化,使得相鄰壓印圖形之間存在縫隙,即形成的線柵結(jié)構(gòu)中相鄰線柵單元之間會(huì)存在縫隙,該縫隙一般在毫米量級(jí),因此,自然光會(huì)從縫隙中透射過去,即形成的線柵偏振器存在漏光的情況,如果將該漏光的線柵偏振器應(yīng)用到LCD中,將無法滿足LCD的質(zhì)量要求。
綜上,無論采取何種方式,現(xiàn)有技術(shù)中都無法實(shí)現(xiàn)不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而無法實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種線柵偏振器及制備方法、液晶顯示面板,用以實(shí)現(xiàn)不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種線柵偏振器,包括:襯底基板和設(shè)置于所述襯底基板上的至少兩個(gè)線柵單元層,每一個(gè)所述線柵單元層包括至少一個(gè)線柵單元,任意一個(gè)所述線柵單元層中的各線柵單元之間相互獨(dú)立且相互間隔設(shè)置,全部線柵單元在所述襯底基板上的正投影構(gòu)成線柵結(jié)構(gòu)。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供的線柵偏振器,包括:襯底基板和設(shè)置于所述襯底基板上的至少兩個(gè)線柵單元層,每一個(gè)所述線柵單元層包括至少一個(gè)線柵單元,任意一個(gè)所述線柵單元層中的各線柵單元之間相互獨(dú)立且相互間隔設(shè)置,全部線柵單元在所述襯底基板上的正投影構(gòu)成線柵結(jié)構(gòu),由于在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元分布在不同線柵單元層,故各個(gè)線柵單元的制作均不受與其在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元的影響,因此,可以制作出不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而可以實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
較佳地,在所述襯底基板上的正投影相鄰的所述線柵單元之間存在重疊區(qū)域。
由于在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元之間存在重疊區(qū)域,從而可以進(jìn)一步避免在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元之間存在縫隙,因此,可以制作出更好的不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而可以實(shí)現(xiàn)更好的包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
較佳地,在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域的兩個(gè)所述線柵單元,在所述重疊區(qū)域中的各柵線在所述襯底基板上的正投影相互重合。
由于在襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域的兩個(gè)線柵單元,在重疊區(qū)域中的各柵線在襯底基板上的正投影相互重合,這樣就不會(huì)影響線柵偏振器的透過率。
較佳地,所述重疊區(qū)域的寬度小于1微米。
由于重疊區(qū)域的寬度小于1微米,這樣就不會(huì)影響線柵偏振器的特性。
較佳地,相鄰的所述線柵單元層之間設(shè)置有平坦層。
由于相鄰的線柵單元層之間設(shè)置有平坦層,這樣在制作線柵偏振器的過程中便于制作線柵單元層。
較佳地,所述平坦層的厚度不小于所述線柵單元中柵線的深度。
由于平坦層的厚度不小于線柵單元中柵線的深度,這樣平坦層可以蓋住先前制作的線柵單元,以便于在平坦層上再制作線柵單元。
本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板,包括:陣列基板、對(duì)向基板、以及位于所述陣列基板和所述對(duì)向基板之間的液晶層,還包括設(shè)置于所述陣列基板側(cè)和/或所述對(duì)向基板側(cè)的本申請(qǐng)任意實(shí)施例提供的線柵偏振器。
由于本申請(qǐng)實(shí)施例提供的液晶顯示面板在陣列基板側(cè)和/或?qū)ο蚧鍌?cè),采用了上述的線柵偏振器,而上述的線柵偏振器包括:襯底基板和設(shè)置于所述襯底基板上的至少兩個(gè)線柵單元層,每一個(gè)所述線柵單元層包括至少一個(gè)線柵單元,任意一個(gè)所述線柵單元層中的各線柵單元之間相互獨(dú)立且相互間隔設(shè)置,全部線柵單元在所述襯底基板上的正投影構(gòu)成線柵結(jié)構(gòu),由于在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元分布在不同線柵單元層,故各個(gè)線柵單元的制作均不受與其在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元的影響,因此,可以制作出不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而可以實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
較佳地,所述線柵偏振器中在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元之間的水平間隙或重疊區(qū)域所在的位置,與所述液晶顯示面板中的像素單元之間的間隙位置相對(duì)應(yīng)。
較佳地,所述線柵偏振器中在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元之間的水平間隙或重疊區(qū)域的尺寸,不大于與其對(duì)應(yīng)的像素單元之間的間隙的尺寸。
由于將線柵偏振器中在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元之間的水平間隙或重疊區(qū)域設(shè)置在與像素單元之間的間隙相對(duì)應(yīng)的位置,因此能夠不影響LCD的顯示效果。
本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種線柵偏振器的制備方法,該方法包括:采用納米壓印技術(shù)在襯底基板上形成至少兩個(gè)包括至少一個(gè)線柵單元的線柵單元層;其中,任意一個(gè)所述線柵單元層中的各線柵單元相互獨(dú)立且相互間隔設(shè)置,全部線柵單元在所述襯底基板上的正投影構(gòu)成線柵結(jié)構(gòu),采用的納米壓印技術(shù)中的一次壓印對(duì)應(yīng)一個(gè)所述線柵單元。
采用該方法制備線柵偏振器,由于采用的納米壓印技術(shù)中的一次壓印對(duì)應(yīng)一個(gè)線柵單元,且在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元形成在不同線柵單元層,故各個(gè)線柵單元的制作均不受與其在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元的影響,因此,可以制作出不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而可以實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
較佳地,在形成任意兩個(gè)所述線柵單元層之間,該方法還包括:在該兩個(gè)所述線柵單元層之間形成平坦層。
由于相鄰的線柵單元層之間還形成有平坦層,這樣在制作線柵偏振器的過程中便于制作線柵單元層。
較佳地,所述形成一個(gè)線柵單元層,包括:
在所述襯底基板或所述平坦層上用于形成每一所述線柵單元的位置上形成一個(gè)金屬薄膜區(qū)域;
在全部金屬薄膜區(qū)域上形成納米壓印材料薄膜;
采用納米壓印模板,對(duì)每一個(gè)所述金屬薄膜區(qū)域上的所述納米壓印材料薄膜進(jìn)行一次壓印,形成壓印圖形;
將所述壓印圖形作為刻蝕掩膜板,對(duì)全部金屬薄膜區(qū)域進(jìn)行刻蝕,形成一個(gè)線柵單元層。
較佳地,所述金屬薄膜區(qū)域的尺寸不大于所述納米壓印模板的尺寸。
由于金屬薄膜區(qū)域的尺寸不大于納米壓印模板的尺寸,這樣一次壓印正好可以制作一個(gè)線柵單元,不會(huì)由于多出金屬薄膜而對(duì)LCD的顯示效果造成影響。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中線柵偏振器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏振器的方法示意圖;
圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種線柵偏振器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的線柵偏振器中線柵單元的第一種分布示意圖;
圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的線柵偏振器中線柵單元的第二種分布示意圖;
圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的線柵偏振器中線柵單元的第三種分布示意圖;
圖7(a)~圖7(j)為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的線柵偏振器的制備工藝流程示意圖;
圖8為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種線柵偏振器及制備方法、液晶顯示面板,用以實(shí)現(xiàn)不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖,對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。
需要說明的是,本申請(qǐng)附圖中各層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例,目的只是示意說明本申請(qǐng)內(nèi)容。
參見圖3,本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種線柵偏振器,包括:襯底基板11和設(shè)置于襯底基板11上的至少兩個(gè)線柵單元層12,每一個(gè)線柵單元層12包括至少一個(gè)線柵單元121(如圖3中虛線框所示),任意一個(gè)線柵單元層12中的各線柵單元121之間相互獨(dú)立且相互間隔設(shè)置,全部線柵單元121在襯底基板11上的正投影構(gòu)成線柵結(jié)構(gòu)。
由于在襯底基板11上的正投影相鄰的線柵單元121分布在不同線柵單元層12,故各個(gè)線柵單元121的制作均不受與其在襯底基板11上的正投影相鄰的線柵單元121的影響,因此,可以制作出不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而可以實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
其中,各個(gè)線柵單元121的大小可以一致,也可以不一致,只要在襯底基板11上的正投影相鄰的線柵單元121不位于同一線柵單元層12即可,本申請(qǐng)實(shí)施例并不對(duì)其進(jìn)行限定。
需要說明的是,上述線柵偏振器的線柵結(jié)構(gòu)可以通過一個(gè)線柵單元層12分布一個(gè)線柵單元121的方式實(shí)現(xiàn),如果該線柵結(jié)構(gòu)包含多個(gè)線柵單元121,采用這種結(jié)構(gòu)的線柵偏振器會(huì)比較厚,例如:如圖4所示,線柵偏振器的線柵結(jié)構(gòu)分為9個(gè)線柵單元121,這9個(gè)線柵單元121分布在9個(gè)線柵單元層中,對(duì)于具體哪個(gè)線柵單元121分布哪個(gè)線柵單元層中,本申請(qǐng)實(shí)施例并不限定;上述線柵偏振器的線柵結(jié)構(gòu)還可以通過至少一個(gè)線柵單元層12分布兩個(gè)以上線柵單元121的方式實(shí)現(xiàn),采用這種結(jié)構(gòu)可以減少制作的層數(shù),從而可以減薄線柵偏振器,進(jìn)而可以減薄LCD,例如:線柵偏振器的線柵結(jié)構(gòu)分為9個(gè)線柵單元,這9個(gè)線柵單元中可以是四個(gè)在襯底基板上的正投影不相鄰的線柵單元1211分布在第一線柵單元層中,兩個(gè)在襯底基板上的正投影不相鄰的線柵單元1212分布在第二線柵單元層中,兩個(gè)在襯底基板上的正投影不相鄰的線柵單元1213分布在第三線柵單元層中,一個(gè)線柵單元1214分布在第四線柵單元層中,如圖5所示;這9個(gè)線柵單元中還可以是三個(gè)在襯底基板上的正投影不相鄰的線柵單元1215分布在第一線柵單元層中,三個(gè)在襯底基板上的正投影不相鄰的線柵單元1216分布在第二線柵單元層中,兩個(gè)在襯底基板上的正投影不相鄰的線柵單元1217分布在第三線柵單元層中,一個(gè)線柵單元1218分布在第四線柵單元層中,如圖6所示;本申請(qǐng)實(shí)施例對(duì)第一線柵單元層、第二線柵單元層、第三線柵單元層和第四線柵單元層的位置并不進(jìn)行限定。
在一較佳實(shí)施方式中,如圖3所示,為了進(jìn)一步避免在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元之間存在縫隙,在襯底基板11上的正投影相鄰的線柵單元121之間可以設(shè)置成存在重疊區(qū)域。
當(dāng)然,在襯底基板11上的正投影相鄰的線柵單元121之間也可不存在重疊區(qū)域,只要在襯底基板11上的正投影相鄰的線柵單元121分布在不同線柵單元層12就可,本申請(qǐng)實(shí)施例并不對(duì)其進(jìn)行限定。
在一較佳實(shí)施方式中,如圖3所示,為了不影響線柵偏振器的透過率,在襯底基板11上的正投影存在重疊區(qū)域的兩個(gè)線柵單元121,在該重疊區(qū)域中的各柵線13在襯底基板11上的正投影可以設(shè)置成相互重合。
當(dāng)然,在襯底基板11上的正投影存在重疊區(qū)域的兩個(gè)線柵單元121,在該重疊區(qū)域中的各柵線13在襯底基板11上的正投影也可以不相互重合,例如:在重疊區(qū)域中的各柵線13在襯底基板11上的正投影部分重合,只是這種設(shè)置會(huì)影響線柵偏振器的透過率,本申請(qǐng)實(shí)施例并不對(duì)其進(jìn)行限定。
在一較佳實(shí)施方式中,如圖3所示,為了不影響線柵偏振器的特性,重疊區(qū)域的寬度L可以設(shè)置成小于1微米。
在一較佳實(shí)施方式中,如圖3所示,為了在制作線柵偏振器的過程中便于制作線柵單元,相鄰的線柵單元層12之間可以設(shè)置有平坦層14。
在一較佳實(shí)施方式中,如圖3所示,為了使平坦層可以蓋住先前制作的線柵單元,以便于在該平坦層上再制作線柵單元,平坦層14的厚度可以設(shè)置成不小于線柵單元121中柵線13的深度。
在一較佳實(shí)施方式中,如圖3所示,在最上層的線柵單元層12之上還可設(shè)置有一平坦層14,以保護(hù)該線柵單元層12中的線柵單元121。
基于同一發(fā)明構(gòu)思,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種線柵偏振器的制備方法,該方法包括如下步驟:采用納米壓印技術(shù)在襯底基板上形成至少兩個(gè)包括至少一個(gè)線柵單元的線柵單元層;其中,任意一個(gè)所述線柵單元層中的各線柵單元相互獨(dú)立且相互間隔設(shè)置,全部線柵單元在所述襯底基板上的正投影構(gòu)成線柵結(jié)構(gòu),采用的納米壓印技術(shù)中的一次壓印對(duì)應(yīng)一個(gè)所述線柵單元。
由于采用的納米壓印技術(shù)中的一次壓印對(duì)應(yīng)一個(gè)線柵單元,且在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元形成在不同線柵單元層,故各個(gè)線柵單元的制作均不受與其在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元的影響,因此,可以制作出不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而可以實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
在一較佳實(shí)施方式中,為了在制作線柵偏振器的過程中便于制作線柵單元層,在形成任意兩個(gè)所述線柵單元層之間,該方法還可以包括:在該兩個(gè)所述線柵單元層之間形成平坦層。
其中,平坦層例如可以通過沉積氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)而成。
在一較佳實(shí)施方式中,上述形成一個(gè)線柵單元層,可以包括:
在所述襯底基板或所述平坦層上用于形成每一所述線柵單元的位置上形成一個(gè)金屬薄膜區(qū)域;
在全部金屬薄膜區(qū)域上形成納米壓印材料薄膜;
采用納米壓印模板,對(duì)每一個(gè)所述金屬薄膜區(qū)域上的所述納米壓印材料薄膜進(jìn)行一次壓印,形成壓印圖形;
將所述壓印圖形作為刻蝕掩膜板,對(duì)全部金屬薄膜區(qū)域進(jìn)行刻蝕,形成一個(gè)線柵單元層。
其中,金屬薄膜例如可以為鋁薄膜、銀薄膜、鉻薄膜、銅薄膜、或者鋁、銀、鉻、銅的合金形成的合金薄膜。
本申請(qǐng)實(shí)施例中,采用的納米壓印技術(shù)可以是熱壓印,也可以是紫外固化壓印,或者是其它的壓印方式,本申請(qǐng)實(shí)施例并不對(duì)其進(jìn)行限定。
需要指出的是,本申請(qǐng)實(shí)施例中,納米壓印模板的尺寸小于線柵偏振器的線柵結(jié)構(gòu)的尺寸,因此需要進(jìn)行至少兩次壓印以形成該線柵結(jié)構(gòu),且每一次的壓印對(duì)應(yīng)一個(gè)線柵單元。
在一較佳實(shí)施方式中,為了使得一次壓印正好可以制作一個(gè)線柵單元,不會(huì)由于多出金屬薄膜而影響LCD的顯示效果,金屬薄膜區(qū)域的尺寸可以設(shè)置成不大于納米壓印模板的尺寸。
在一較佳實(shí)施方式中,在最上層的線柵單元層之上還可形成一個(gè)平坦層,以保護(hù)該線柵單元層中的線柵單元。
下面以線柵偏振器包括兩個(gè)線柵單元層,一個(gè)線柵單元層包括兩個(gè)線柵單元,另一個(gè)線柵單元層包括一個(gè)線柵單元為例,結(jié)合附圖7(a)~7(j)來具體說明本申請(qǐng)實(shí)施例提供的線柵偏振器的制備工藝流程。
步驟一、參見圖7(a),在襯底基板101上用于形成第一線柵單元102和第二線柵單元103的位置上各形成一個(gè)第一鋁薄膜區(qū)域104;
步驟二、參見圖7(b),在第一鋁薄膜區(qū)域104上形成第一納米壓印材料薄膜105;
其中,第一納米壓印材料薄膜105為在室溫下通過紫外(UV)光照可以固化的壓印膠。
步驟三、參見圖7(c),采用納米壓印模板106,對(duì)上述兩個(gè)第一鋁薄膜區(qū)域104上的第一納米壓印材料薄膜105各進(jìn)行一次壓印以及UV固化,形成第一壓印圖形107;
步驟四、參見圖7(d),將第一壓印圖形107作為刻蝕掩膜板,對(duì)上述兩個(gè)第一鋁薄膜區(qū)域104進(jìn)行刻蝕,形成第一線柵單元102和第二線柵單元103(如圖7(d)中虛線框所示);
步驟五、參見圖7(e),在第一線柵單元102和第二線柵單元103上形成第一平坦層108;
步驟六、參見圖7(f),在第一平坦層108上用于形成第三線柵單元109的位置上形成一個(gè)第二鋁薄膜區(qū)域201;
步驟七、參見圖7(g),在第二鋁薄膜區(qū)域201上形成第二納米壓印材料薄膜202;
其中,第二納米壓印材料薄膜202為在室溫下通過紫外(UV)光照可以固化的壓印膠。
步驟八、參見圖7(h),采用納米壓印模板106,對(duì)第二鋁薄膜區(qū)域201上的第二納米壓印材料薄膜202進(jìn)行一次壓印以及UV固化,形成第二壓印圖形203;
步驟九、參見圖7(i),將第二壓印圖形203作為刻蝕掩膜板,對(duì)第二鋁薄膜區(qū)域201進(jìn)行刻蝕,形成第三線柵單元109(如圖7(i)中虛線框所示);
步驟十、參見圖7(j),在第三線柵單元109上形成第二平坦層204。
基于同一發(fā)明構(gòu)思,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板,參見圖8,包括:陣列基板81、對(duì)向基板82、以及位于陣列基板81和對(duì)向基板82之間的液晶層83,還包括設(shè)置于陣列基板81側(cè)的本申請(qǐng)任意實(shí)施例提供的線柵偏振器84。其中,線柵偏振器84內(nèi)置于液晶顯示面板中,這樣可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的超薄化。
當(dāng)然,線柵偏振器84也可位于對(duì)向基板82側(cè),或者陣列基板81側(cè)和對(duì)向基板82側(cè)都設(shè)置有線柵偏振器84,本申請(qǐng)實(shí)施例并不對(duì)其進(jìn)行限定。
由于液晶顯示面板中的線柵偏振器84中在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元分布在不同線柵單元層,故各個(gè)線柵單元的制作均不受與其在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元的影響,因此,可以制作出不漏光的大尺寸的線柵偏振器84,從而可以實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器84的大尺寸的LCD。
在一較佳實(shí)施方式中,如圖8所示,線柵偏振器84中在襯底基板841上的正投影相鄰的線柵單元842(如圖8中虛線框所示)之間的水平間隙或重疊區(qū)域所在的位置,與液晶顯示面板中的像素單元之間的間隙位置相對(duì)應(yīng)。
在一較佳實(shí)施方式中,如圖8所示,為了不影響LCD的顯示效果,線柵偏振器84中在襯底基板841上的正投影相鄰的線柵單元842之間的水平間隙或重疊區(qū)域的尺寸,可以設(shè)置成不大于與其對(duì)應(yīng)的像素單元之間的間隙的尺寸。
綜上所述,本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案中,線柵偏振器包括:襯底基板和設(shè)置于所述襯底基板上的至少兩個(gè)線柵單元層,每一個(gè)所述線柵單元層包括至少一個(gè)線柵單元,任意一個(gè)所述線柵單元層中的各線柵單元之間相互獨(dú)立且相互間隔設(shè)置,全部線柵單元在所述襯底基板上的正投影構(gòu)成線柵結(jié)構(gòu),由于在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元分布在不同線柵單元層,故各個(gè)線柵單元的制作均不受與其在襯底基板上的正投影相鄰的線柵單元的影響,因此,可以制作出不漏光的大尺寸的線柵偏振器,從而可以實(shí)現(xiàn)包含線柵偏振器的大尺寸的LCD。
顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍。這樣,倘若本申請(qǐng)的這些修改和變型屬于本申請(qǐng)權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本申請(qǐng)也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。