技術(shù)特征：

1.一種顯示基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，其特征在于，在所述非顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有用于通過形成電勢差吸附帶電離子的殘像消除裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示區(qū)包括柵線，所述殘像消除裝置包括：從所述顯示區(qū)內(nèi)的柵線延長出來的柵線延長線、第一電壓線、第二電壓線，以及連接在第一電壓線和第二電壓線之間并且與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述殘像消除裝置還包括：第一分壓模塊、第二分壓模塊和控制開關(guān)，其中，所述導(dǎo)線串聯(lián)在第一分壓模塊和第二分壓模塊之間，所述控制開關(guān)包括三個端，分別為第一端、第二端和控制端；

所述第一分壓模塊的一端與第一電壓線相連，另一端與所述導(dǎo)線相連，所述第二分壓模塊的一端與所述導(dǎo)線相連，另一端與所述控制開關(guān)的第一端相連，所述控制開關(guān)的第二端與第二電壓線相連，控制端與柵線延長線相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述控制開關(guān)導(dǎo)通時，所述控制端施加的電壓不等于所述導(dǎo)線上的電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，

所述第一電壓線為正電壓線，所述第二電壓線為負電壓線，所述控制端為高電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為N型薄膜晶體管；

或者，所述第一電壓線為正電壓線，所述第二電壓線為負電壓線，所述控制端為低電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為P型薄膜晶體管；

或者，所述第一電壓線為負電壓線，所述第二電壓線為正電壓線，所述控制端為高電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為N型薄膜晶體管；

或者，所述第一電壓線為負電壓線，所述第二電壓線為正電壓線，所述控制端為低電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為P型薄膜晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述第一分壓模塊為第一電阻，所述第二分壓模塊為第二電阻。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述第一電阻和所述第二電阻的阻值滿足如下條件：

$VL=\frac{R_2*V^{+}}{R_1+R_2}+\frac{R_1*V^{-}}{R_1+R_2}$

其中，VL表示所述第一端與所述第二端導(dǎo)通時所述導(dǎo)線上的電壓，R₁、R₂分別表示所述第一電阻和所述第二電阻的阻值，V⁺、V^-分別表示所述正電壓線上的正電壓和所述負電壓線上的負電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述殘像消除裝置包括：正電壓線、負電壓線、從所述顯示區(qū)內(nèi)的柵線延長出來的柵線延長線，以及與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中，每一薄膜晶體管的柵極均與所述柵線延長線電連接，所述導(dǎo)線串聯(lián)在所述第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的漏極之間，第一薄膜晶體管的漏極與所述正電壓線相連，第二薄膜晶體管的源極與所述負電壓線相連。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的顯示基板，其特征在于，每一所述導(dǎo)線與對應(yīng)的所述柵線延長線相互平行。

10.一種顯示設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1～9任一權(quán)項所述的顯示基板。