本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及顯示基板及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有機身輕薄、耗電低、無輻射、使用壽命長等優(yōu)點。正是具有上述優(yōu)點，液晶顯示器作為一種平板顯示裝置，被廣泛應(yīng)用于手機、計算機、電視、數(shù)碼相機等電子產(chǎn)品中，已占據(jù)平板顯示市場的主導(dǎo)地位。液晶面板(LCD面板)作為液晶顯示器的重要組成部分，包括陣列基板和彩膜基板，通過對盒工藝將陣列基板和彩膜基板對盒后形成液晶面板。

隨著平板顯示技術(shù)的快速發(fā)展，對LCD面板畫面品質(zhì)的需求越來越高。殘像作為畫面品質(zhì)評價的重要內(nèi)容，長期以來得到廣泛關(guān)注。在LCD面板長期保持一個畫面顯示的情況下，因為長時間電場的影響，切換到其他畫面時，畫面會有殘留影像。造成畫面的主要原因是LCD面板在制造過程中及制造材料中，會引入一些帶電離子進(jìn)入LCD面板中，在長期保持一個畫面顯示的情況下，這些帶電離子會在外部電場的作用下分離，形成內(nèi)部電場。當(dāng)切換畫面時，由帶電粒子產(chǎn)生的內(nèi)部電場使LCD面板仍然保持上一個畫面，在顯示區(qū)周邊造成殘留影像，簡稱周邊殘像。

周邊殘像是在LCD面板中經(jīng)常出現(xiàn)的一種殘像。產(chǎn)生周邊殘像的一個主要原因是LCD面板周邊的封框膠與液晶造成污染，污染產(chǎn)生的帶電離子分布在LCD面板周邊，在LCD面板顯示時，帶電離子產(chǎn)生內(nèi)部電場，從而形成周邊殘像。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請實施例提供了一種顯示基板及顯示設(shè)備，用以消除或緩解顯示區(qū)的周邊殘像問題。

本申請實施例提供的一種顯示基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，在所述非顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置有用于通過形成電勢差吸附帶電離子的殘像消除裝置。

殘像是由帶電離子形成的，本申請實施例通過在非顯示區(qū)設(shè)置的殘像消除裝置形成電勢差的方式吸附帶電離子，從而可以消除或緩解顯示區(qū)的周邊殘像問題，提高了顯示品質(zhì)。

可選地，所述顯示區(qū)包括柵線，所述殘像消除裝置包括：從所述顯示區(qū)內(nèi)的柵線延長出來的柵線延長線、第一電壓線、第二電壓線，以及連接在第一電壓線和第二電壓線之間并且與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線。

可選地，所述殘像消除裝置還包括：第一分壓模塊、第二分壓模塊和控制開關(guān)，其中，所述導(dǎo)線串聯(lián)在第一分壓模塊和第二分壓模塊之間，所述控制開關(guān)包括三個端，分別為第一端、第二端和控制端；所述第一分壓模塊的一端與第一電壓線相連，另一端與所述導(dǎo)線相連，所述第二分壓模塊的一端與所述導(dǎo)線相連，另一端與所述控制開關(guān)的第一端相連，所述控制開關(guān)的第二端與第二電壓線相連，控制端與柵線延長線相連。

可選地，所述控制開關(guān)導(dǎo)通時，所述控制端施加的電壓不等于所述導(dǎo)線上的電壓。

可選地，

所述第一電壓線為正電壓線，所述第二電壓線為負(fù)電壓線，所述控制端為高電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為N型薄膜晶體管；

或者，所述第一電壓線為正電壓線，所述第二電壓線為負(fù)電壓線，所述控制端為低電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為P型薄膜晶體管；

或者，所述第一電壓線為負(fù)電壓線，所述第二電壓線為正電壓線，所述控制端為高電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為N型薄膜晶體管；

或者，所述第一電壓線為負(fù)電壓線，所述第二電壓線為正電壓線，所述控制端為低電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為P型薄膜晶體管。

可選地，所述第一分壓模塊為第一電阻，所述第二分壓模塊為第二電阻。

可選地，所述第一電阻和所述第二電阻的阻值滿足如下條件：

其中，VL表示所述第一端與所述第二端導(dǎo)通時所述導(dǎo)線上的電壓，R₁、R₂分別表示所述第一電阻和所述第二電阻的阻值，V⁺、V^-分別表示所述正電壓線上的正電壓和所述負(fù)電壓線上的負(fù)電壓。

可選地，所述殘像消除裝置包括：正電壓線、負(fù)電壓線、從所述顯示區(qū)內(nèi)的柵線延長出來的柵線延長線，以及與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中，每一薄膜晶體管的柵極均與所述柵線延長線電連接，所述導(dǎo)線串聯(lián)在所述第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的漏極之間，第一薄膜晶體管的漏極與所述正電壓線相連，第二薄膜晶體管的源極與所述負(fù)電壓線相連。

可選地，每一所述導(dǎo)線與對應(yīng)的所述柵線延長線相互平行。

本申請實施例提供的一種顯示設(shè)備，包括本申請實施例提供的所述的顯示基板。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本申請實施例提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本申請實施例提供的顯示基板上的非顯示區(qū)中的柵線延長線和新增導(dǎo)線、電阻、TFT的連接關(guān)系示意圖；

圖4為本申請實施例提供的顯示基板上的非顯示區(qū)中的柵線延長線和新增導(dǎo)線的電壓時序關(guān)系示意圖；

圖5為本申請實施例提供的顯示基板上的非顯示區(qū)中的柵線延長線和新增導(dǎo)線之間形成電勢差吸附帶電離子的示意圖；

圖6為本申請實施例提供的顯示基板上的非顯示區(qū)中的柵線延長線和新增導(dǎo)線之間形成電勢差吸附帶電離子的示意圖；

圖7為本申請實施例提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

本申請實施例提供了一種顯示基板及顯示設(shè)備，用以消除或緩解顯示區(qū)的周邊殘像問題。

本申請實施例提出了一種具有改善或消除周邊殘像功能的液晶顯示器(LCD)的顯示基板結(jié)構(gòu)。針對LCD面板經(jīng)常出現(xiàn)的周邊殘像的問題，在LCD面板的顯示區(qū)(Active Area，AA)周邊，具體的，在非AA區(qū)的封框膠和顯示區(qū)之間的區(qū)域(以下稱為顯示面板的Dummy區(qū)域)，設(shè)置用于通過形成電勢差吸附帶電離子的殘像消除裝置。

本申請實施例中所述的殘像消除裝置的具體實現(xiàn)方式，可以有多種，只要能形成電勢差吸附帶電離子即可達(dá)到發(fā)明目的。

例如，本申請實施例中所述的顯示基板，在顯示區(qū)包括柵線，所述殘像消除裝置包括：從所述顯示區(qū)內(nèi)的柵線延長出來的柵線延長線、第一電壓線、第二電壓線，以及連接在第一電壓線和第二電壓線之間并且與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線。

通過第一電壓線和第二電壓線給連接在第一電壓線和第二電壓線之間并且與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線施加電壓信號，從而在該導(dǎo)線和柵線延長線之間形成電勢差。

進(jìn)一步，所述殘像消除裝置還包括：第一分壓模塊、第二分壓模塊和控制開關(guān)，其中，所述導(dǎo)線串聯(lián)在第一分壓模塊和第二分壓模塊之間，所述控制開關(guān)包括三個端，分別為第一端、第二端和控制端；所述第一分壓模塊的一端與第一電壓線相連，另一端與所述導(dǎo)線相連，所述第二分壓模塊的一端與所述導(dǎo)線相連，另一端與所述控制開關(guān)的第一端相連，所述控制開關(guān)的第二端與第二電壓線相連，控制端與柵線延長線相連。

其中，所述控制開關(guān)導(dǎo)通時，所述控制端施加的電壓不等于所述導(dǎo)線上的電壓，從而在該導(dǎo)線和柵線延長線之間形成電勢差。

進(jìn)一步，

所述第一電壓線為正電壓線，所述第二電壓線為負(fù)電壓線，所述控制端為高電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為N型薄膜晶體管；

或者，所述第一電壓線為正電壓線，所述第二電壓線為負(fù)電壓線，所述控制端為低電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為P型薄膜晶體管；

或者，所述第一電壓線為負(fù)電壓線，所述第二電壓線為正電壓線，所述控制端為高電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為N型薄膜晶體管；

或者，所述第一電壓線為負(fù)電壓線，所述第二電壓線為正電壓線，所述控制端為低電壓，所述控制開關(guān)導(dǎo)通，所述控制開關(guān)為P型薄膜晶體管。

第一電壓線和第二電壓線可以同為正電壓線，也可以同為負(fù)電壓線，只要保證所述控制端施加的電壓不等于所述導(dǎo)線上的電壓，就可以實現(xiàn)在所述導(dǎo)線和柵線延長線之間形成電勢差。

例如，參見圖1，本申請實施例中所述殘像消除裝置包括：正電壓線203、負(fù)電壓線204、從所述顯示區(qū)201內(nèi)的柵線延長出來的柵線延長線202，以及與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線205，第一分壓模塊206、第二分壓模塊207和控制開關(guān)208，其中，所述導(dǎo)線串聯(lián)在第一分壓模塊206和第二分壓模塊207之間，所述控制開關(guān)208包括三個端，分別為第一端、第二端和控制端；所述控制開關(guān)208在所述柵線延長線202的正負(fù)電壓的作用下，控制所述第一端與所述第二端導(dǎo)通或斷開。

至于正電壓線203、負(fù)電壓線204、第一分壓模塊206、第二分壓模塊207和控制開關(guān)208之間的連接關(guān)系，可以有多種。例如，如圖1所示，所述第一分壓模塊206的一端與正電壓線203相連，另一端與所述導(dǎo)線相連，所述第二分壓模塊207的一端與所述導(dǎo)線相連，另一端與所述控制開關(guān)208的第一端相連，所述控制開關(guān)208的第二端與負(fù)電壓線204相連，控制端與柵線延長線相連。

需要說明的是，圖1所示結(jié)構(gòu)僅作為一個舉例說明，基于該結(jié)構(gòu)可以想到很多種其他類似結(jié)構(gòu)，例如還可以：所述第一分壓模塊206的一端與負(fù)電壓線204相連，另一端與所述導(dǎo)線相連，所述第二分壓模塊207的一端與所述導(dǎo)線相連，另一端與所述控制開關(guān)208的第一端相連，所述控制開關(guān)208的第二端與正電壓線203相連，控制端與柵線延長線相連。

AA區(qū)內(nèi)有很多柵線(或者稱為柵極驅(qū)動線)，圖1中僅示出一根柵線引出柵線延長線的情況，同理，每一柵線都可以引出柵線延長線，每一柵線延長線都可以對應(yīng)有一個導(dǎo)線、兩個分壓模塊和一個控制開關(guān)。即，每一柵線延長線都可以單獨與一導(dǎo)線形成電場，以吸附正負(fù)帶電離子，從而消除或緩解顯示區(qū)周邊殘像。

可選地，所述控制開關(guān)208為薄膜晶體管，所述控制端為柵極，所述第一端為源極，所述第二端為漏極；或者，所述第一端為漏極，所述第二端為源極。也就是說，薄膜晶體管可以是PMOS，也可以是NMOS。只要能在柵線延長線以及負(fù)電壓線的作用下，導(dǎo)通或斷開、以實現(xiàn)在柵線延長線和導(dǎo)線之間形成正負(fù)電勢差即可。

可選地，所述正電壓線與所述負(fù)電壓線相互平行，且與所述柵線垂直。

當(dāng)然，正電壓線與所述負(fù)電壓線相互平行，且與所述柵線垂直，僅是一種較佳的實現(xiàn)方式，這種方式可以使得電路結(jié)構(gòu)更加規(guī)整，占用的空間更少，制作工藝更簡單。若正電壓線與負(fù)電壓線都是彎曲的線或者不相互平行，與柵線不垂直也是可以的，不會影響發(fā)明目的的實現(xiàn)。

可選地，所述第一分壓模塊為第一電阻，所述第二分壓模塊為第二電阻。

實施例一：

以圖1所示結(jié)構(gòu)為例，所述殘像消除裝置，具體地，參見圖2，例如包括：導(dǎo)線(本申請實施例中還可以稱之為Dummy Line)105結(jié)構(gòu)，每條Dummy Line上設(shè)置2個電阻和1個薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)開關(guān)，TFT開關(guān)與Dummy Line對應(yīng)的柵線延長線106相連。通過柵極線的控制，使得每條Dummy Line與相對應(yīng)的Gate Line形成相反的電壓，造成電勢差，吸附LCD面板周邊液晶內(nèi)部的正負(fù)帶電離子，從而有效解決LCD面板周邊殘像的問題，提高了LCD面板的顯示品質(zhì)。

參見圖2，所述的顯示面板包括橫縱交叉的柵線(Gate Line)和數(shù)據(jù)線(Date Line)，像素單元位于所述顯示面板的AA區(qū)104，AA區(qū)104內(nèi)每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與柵線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極與像素電極連接。

圖2中的101為基板的柵極掃描驅(qū)動電路，102為基板的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，103為基板上的Dummy區(qū)域，104為基板上的AA區(qū)域，106為顯示區(qū)中柵線延長出來的柵線延長線(也可以理解為柵極掃描線)。105為在Dummy區(qū)域103設(shè)置的Dummy Line，Dummy Line 105兩端各連接一電阻，一個電阻連接控制開關(guān)，另一電阻連接正電壓線(圖2中未示出)，控制開關(guān)還與負(fù)電壓線相連(圖2中未示出)。具體的顯示基板Dummy區(qū)域設(shè)計詳見圖3所示。

圖3中，在所述的顯示面板AA區(qū)外圍的Dummy區(qū)(可以是一側(cè)，也可以是多側(cè))形成柵線延長線Gate1、Gate2、Gate3、Gate4……GateN，在每條柵極掃描線相對應(yīng)的平行位置(平行不是必要條件，僅是較佳的實現(xiàn)方式)設(shè)置一條Dummy Line，在每條Dummy Line上分別設(shè)置2個電阻R1(i)、R2(i)和一個TFT(i)，其中，i表示柵線延長線的編號，為正整數(shù)，且小于或等于N，即任一柵線延長線i對應(yīng)的Dummy Line(i)上設(shè)置有電阻R1(i)、R2(i)和一個TFT(i)，Dummy Line(i)連接在R1(i)和R2(i)之間。R1(i)和R2(i)在TFT(i)導(dǎo)通的情況下，起到分壓作用。

所述的TFT為NMOS時，TFT開關(guān)的柵極(Gate)與Dummy Line對應(yīng)的柵線延長線相連控制，TFT開關(guān)的漏極(Drain)與R2(i)相連，源極(Source)與負(fù)電壓線(V-)相連。R1(i)與正電壓線(V+)相連。

需要說明的是，圖3所示結(jié)構(gòu)僅作為一個舉例說明，每一柵線延長線對應(yīng)的兩個電阻、Dummy Line和TFT的位置關(guān)系也可以調(diào)整，例如兩個電阻和Dummy Line也可以設(shè)置在TFT的源極一側(cè)，TFT的漏極直接與正電壓線(V+)相連。另外，TFT也可以是PMOS，相應(yīng)的，對兩個電阻、Dummy Line和TFT的位置關(guān)系、連接關(guān)系進(jìn)行調(diào)整，使得在柵線延長線、正電壓線、負(fù)電壓線、TFT、以及兩個分壓電阻的共同作用下，實現(xiàn)柵線延長線與Dummy Line之間可以形成正負(fù)電勢差，即可實現(xiàn)吸附顯示區(qū)周邊的正電離子和負(fù)電離子，具體的連接關(guān)系與上述實現(xiàn)方式同理，在此不再贅述。

較佳地，參見圖4，若能滿足柵線延長線的電壓和Dummy Line的電壓在同一時刻是正負(fù)相反的即可形成電勢差，吸附正、負(fù)帶電離子，則可以更好的減輕或消除顯示區(qū)周邊殘像。

下面以殘像消除裝置中的TFT為NMOS，采用圖2、圖3所示結(jié)構(gòu)為例，說明本申請實施例是具體如何在柵線延長線和Dummy Line之間形成圖4所示電勢差的。

在正常顯示條件下，每條柵極掃描線輸出如圖4所示的正常的掃描脈沖，掃描脈沖的高電平一般稱作Vgh(正電壓)，低電平稱作Vgl(低電壓)。下面以第N根柵極掃描線為例進(jìn)行說明(其余柵極掃描線同理)。此時在與第N根柵極掃描線平行的相對位置設(shè)置第N根Dummy Line(N)，開關(guān)TFT(N)和兩個電阻R1(N)和R2(N)。

當(dāng)?shù)贜根柵極掃描線處于低電平(Vgl負(fù)電壓)的情況下，由NMOS原理可知，此時TFT(N)關(guān)閉，即開關(guān)的源極和漏極是斷開的，Dummy Line(N)此時的電壓為VH＝V+。此時在Dummy區(qū)域的柵線延長線與相應(yīng)設(shè)置的Dummy Line上分別具有正、負(fù)相反電壓，如圖4所示，形成正負(fù)電勢差，將LCD面板AA區(qū)周邊液晶內(nèi)部的正、負(fù)帶電離子吸附到Dummy區(qū)域內(nèi)，具體吸附離子示意圖參考圖5，其中401為玻璃(Glass)基板，402為柵線延長線，403為柵極絕緣層(GI層)，404為鈍化層(PVX層)，405為對應(yīng)的Dummy Line。

當(dāng)?shù)贜根柵極掃描線處于高電平(Vgh正電壓)的情況下，根據(jù)NOMS工作原理，此時TFT(N)打開，即TFT(N)的源極和漏極是導(dǎo)通的，Dummy Line(N)此時的電壓用VL表示，如圖4所示，VL具體值通過V+、V-、R1(N)和R2(N)確定，即：

其中，VL表示TFT(N)的源極和漏極導(dǎo)通時Dummy Line(N)上的電壓，R₁、R₂分別表示R1(N)和R2(N)的阻值，V⁺、V^-分別表示所述正電壓線上的正電壓和所述負(fù)電壓線上的負(fù)電壓。

通過R1(N)、R2(N)阻值以及V+和V-上的電壓的合理配置，可以得到VL電壓為負(fù)電壓，如圖4所示，即Dummy區(qū)域的柵線延長線與相應(yīng)設(shè)置的Dummy Line形成正、負(fù)相反電壓，形成正負(fù)電勢差，將LCD面板AA區(qū)周邊液晶內(nèi)部的正、負(fù)帶電離子吸附到Dummy區(qū)域內(nèi)，具體吸附離子示意圖參考圖6。

以此類推，其余柵極掃描線及其對應(yīng)的Dummy Line信號同上可以推理得到。

綜上，在柵極掃描線正常驅(qū)動AA區(qū)像素單元工作的同時，在LCD面板的Dummy區(qū)域內(nèi)，每條柵線延長線與對應(yīng)設(shè)置的Dummy Line形成正負(fù)相反電壓，造成正負(fù)電勢差，LCD面板AA區(qū)周邊液晶內(nèi)部的正、負(fù)帶電離子吸附到Dummy區(qū)域內(nèi)，可以明顯改善或消除LCD面板周邊殘像的問題，提高了LCD面板的顯示品質(zhì)。

在本申請實施例中，每條Dummy Line若需要V+和V-兩種電壓，則只需在每一側(cè)的Dummy區(qū)域設(shè)置兩條信號傳輸線即可完成電壓傳輸。同時對應(yīng)第i條Dummy Line需要R1(i)和R2(i)兩個電阻，電阻的設(shè)置可以通過外圍電路設(shè)置，也可以通過在TFT顯示基板上排布不同寬長比的TFT開關(guān)即可完成R1(N)和R2(N)兩個電阻配比(寬長比越大的TFT，電阻越小)，這一工序在TFT顯示基板制造過程中完成，無需增加額外工序。

實施例二：

上述電阻R1(N)和R2(N)可以通過TFT等價得到，也就是說，無需設(shè)置兩個分壓電阻，通過設(shè)置兩個TFT也可以達(dá)到同樣的效果。因此，可選地，本申請實施例提供的殘像消除裝置包括：正電壓線、負(fù)電壓線、從所述顯示區(qū)內(nèi)的柵線延長出來的柵線延長線，以及與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中，每一薄膜晶體管的柵極均與所述柵線延長線電連接，所述導(dǎo)線串聯(lián)在所述第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的漏極之間，第一薄膜晶體管的漏極與所述正電壓線相連，第二薄膜晶體管的源極與所述負(fù)電壓線相連。

例如，參見圖7，所述殘像消除裝置包括：正電壓線203、負(fù)電壓線204、從所述顯示區(qū)內(nèi)的柵線延長出來的柵線延長線202，以及與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線205，第一薄膜晶體管301和第二薄膜晶體管302，其中，每一薄膜晶體管的柵極均與所述柵線延長線電連接，所述導(dǎo)線串聯(lián)在所述第一薄膜晶體管301的源極和第二薄膜晶體管302的漏極之間，第一薄膜晶體管301的漏極與所述正電壓線203相連，第二薄膜晶體管302的源極與所述負(fù)電壓線204相連。

其中，所述的第一薄膜晶體管301和第二薄膜晶體管302可以均為NMOS。當(dāng)然，同理，所述的第一薄膜晶體管301和第二薄膜晶體管302也可以用PMOS實現(xiàn)，并相應(yīng)地改變源、漏極與正電壓線203、負(fù)電壓線204的連接關(guān)系，同樣也可以達(dá)到消除或減輕周邊殘像的效果，在此不再贅述。

設(shè)置兩個TFT等效成兩個電阻，只要滿足上面公式要求，即Gate延長線在正負(fù)電壓狀態(tài)下，Dummy Line時刻處于相反的電壓狀態(tài)，使得Gate延長線與Dummy Line時刻有電勢差，這樣就能消除或減輕周邊殘像。

本申請實施例中，Dummy Line上的TFT同Panel面板內(nèi)的TFT開關(guān)的制造工藝相同，在制造Panel內(nèi)部TFT開關(guān)的同時完成Dummy Line上的TFT線上TFT開關(guān)的制作即可，只是Dummy Line上的TFT的長寬比需要合理配置。另外，Dummy Line上的TFT可以保持開啟狀態(tài)，即TFT上的Gate極不需要單獨控制，一直給高電壓保持TFT打開狀態(tài)以滿足上面的公式即可，假設(shè)V⁺＝5V，V^-＝-5V，此時若滿足上述公式，此時若滿足上述公式，則R2<R1，即代表R1的TFT(可以理解為第一TFT)的長寬比，要小于代表R2的TFT(可以理解為第二TFT)長寬比。

設(shè)置TFT主要考慮到制作工藝簡單，Dummy區(qū)域的TFT可以與Panel內(nèi)部的TFT同時制作，只需改變Mask即可，不需要增加額外的工序，所以可以選擇用TFT代替電阻。

較佳地，以上實施例中，可以將負(fù)電壓線接地，以將吸附的帶電離子釋放(導(dǎo)走)，可以更好的起到消除殘像的效果，避免后續(xù)帶電離子再次影響顯示效果。

實施例三：

本申請實施例提供的殘像消除裝置中，不限于要采用正、負(fù)電壓線、第一分壓模塊、第二分壓模塊和控制開關(guān)，以在柵線延長線和Dummy Line之間形成正負(fù)電勢差。用于吸附帶電離子的電勢差，也可以是同極性的電勢差。例如，在柵線延長線上為10v，Dummy Line上為1v，柵線延長線和Dummy Line之間同樣可以形成電勢差，此時柵線延長線上吸附的負(fù)電荷會比Dummy Line上吸附的負(fù)電荷多。電勢差交替變換后，若柵線延長線變?yōu)?v，Dummy Line上變?yōu)?0v，柵線延長線和Dummy Line之間同樣可以形成電勢差，那么此時Dummy Line吸附的負(fù)電荷變得比柵線延長線多了。進(jìn)一步地，可以將Dummy Line接地，吸附的電荷就可以釋放掉了。同理，若柵線延長線和Dummy Line上都是負(fù)電壓，也能形成電勢差，此時吸附的是正電離子。

因此，可選地，本申請實施例中，所述顯示區(qū)包括柵線，所述殘像消除裝置包括：從所述顯示區(qū)內(nèi)的柵線延長出來的柵線延長線、第一電壓線、第二電壓線，以及連接在第一電壓線和第二電壓線之間并且與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線。由于若無需形成正負(fù)電勢差，上述實施例中所述的分壓模塊，以及控制開關(guān)，也都可以省略。只要通過第一電壓線和第二電壓線上施加的電壓，使得連接在第一電壓線和第二電壓線之間并且與所述柵線延長線相對設(shè)置的導(dǎo)線，與柵線延長線之間形成電勢差即可，該電勢差可以是正電勢差、負(fù)電勢差，也可以是正負(fù)電勢差。

需要說明的是，為了工藝簡單，本申請實施例中利用了現(xiàn)有顯示區(qū)中的柵線延伸出來的柵線延長線，以形成電勢差吸附帶電離子。但本申請實施例并不限于此，也可以單獨設(shè)置另一Dummy Line，即設(shè)置多條Dummy Line，并對應(yīng)輸入相應(yīng)的電壓信號，在多條Dummy Line之間形成電勢差同樣可以吸附帶電離子，起到消除或減輕殘像的效果。也就是說，本申請實施例中所述的用于通過形成電勢差吸附帶電離子的殘像消除裝置，可以有很多種實現(xiàn)方式。

以上本申請實施例中所述的顯示基板，還可以包括用于為殘像消除裝置中的正電壓線、負(fù)電壓線提供相應(yīng)電壓信號的模塊。

本申請實施例提供的一種顯示面板，包括本申請實施例提供的所述的顯示基板。

例如，所述顯示面板為液晶顯示面板。所述的顯示基板，例如陣列基板。

本申請實施例提供的一種顯示設(shè)備，包括本申請實施例提供的所述的顯示面板。例如，該顯示設(shè)備為手機、電視、電腦、PAD等產(chǎn)品。

綜上所述，本申請實施例中，作為優(yōu)選方式，在LCD面板陣列(Array)基板上的AA區(qū)(Active Area)周邊設(shè)置Dummy區(qū)域，對應(yīng)的LCD的彩膜(CF)基板的Dummy區(qū)域部分覆蓋黑矩陣(Black Matrix，BM)，Dummy區(qū)域不用來顯示，只用來吸附正負(fù)帶電離子；在Dummy區(qū)域內(nèi)部設(shè)置多條掃描線延長線及對應(yīng)的Dummy Line，每條Dummy Line上設(shè)置2個電阻和1個TFT開關(guān)，或者設(shè)置兩個TFT開關(guān)，TFT開關(guān)與Dummy Line對應(yīng)的柵極驅(qū)動線相連；通過柵極線的控制，使得每條Dummy Line與相對應(yīng)的Gate Line形成相反的電壓，造成正負(fù)電勢差，吸附LCD面板周邊液晶內(nèi)部的正、負(fù)帶電離子，從而有效解決LCD面板周邊殘像的問題，提高了LCD面板的顯示品質(zhì)；每條Dummy Line需要正負(fù)兩種電壓，只需在Dummy區(qū)域設(shè)置兩條信號傳輸線即可完成電壓傳輸，對窄邊框設(shè)計無較大影響；對應(yīng)第i條Dummy Line需要R1(i)和R1(i)兩個電阻，電阻的設(shè)置可以通過外圍電路設(shè)置，也可以通過在TFT顯示基板上排布不同寬長比的TFT開關(guān)即可完成R1(i)和R1(i)兩個電阻配比(寬長比越大的TFT，電阻越小)，這一工序在TFT顯示基板制造過程中完成，無需增加額外工序。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本申請進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本申請的精神和范圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。