本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示面板，且特別是有關(guān)于使用光配向技術(shù)的液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板具有輕、薄、且壽命長的優(yōu)點(diǎn)，使得液晶顯示面板已成為顯示科技的一大主流。在液晶顯示面板中，是由數(shù)個(gè)像素組成畫面。各個(gè)像素的透光率影響到畫面的品質(zhì)。業(yè)界均致力于像素透光率的研究，期許能夠提供更好的畫面品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例是有關(guān)于一種液晶顯示面板，其利用像素電極層與共同電極層的設(shè)計(jì)，使得液晶顯示面板的透光率能夠有效提升。

根據(jù)一實(shí)施例的一種液晶顯示面板。液晶顯示面板包括數(shù)個(gè)像素。各個(gè)像素包含一第一基板、一第二基板及一液晶層。第一基板包括一第一電極層及一第一配向膜。第一配向膜覆蓋于第一電極層。第二基板包括一第二電極層及一第二配向膜。第二電極層具有一第一電極圖案及一第二電極圖案。第一電極圖案與第二電極圖案間隔設(shè)置。第一電極圖案具有一凸出邊緣。第二電極圖案具有一凹陷邊緣。凸出邊緣與凹陷邊緣相鄰且形狀互補(bǔ)。第一電極圖案包括依四個(gè)象限區(qū)排列的一第一區(qū)、一第二區(qū)、一第三區(qū)及一第四區(qū)。第二電極圖案包括依四個(gè)象限區(qū)排列一第五區(qū)、一第六區(qū)、一第七區(qū)及一第八區(qū)。第三區(qū)鄰近于第六區(qū)。第四區(qū)鄰近于第五區(qū)。第二電極層還具有數(shù)個(gè)枝干電極分別位于第一區(qū)至第八區(qū)。此些枝干電極于第一區(qū)至該第八區(qū)中相互間隔排列。第三區(qū)中的枝干電極排列方向與第六區(qū)中的枝干電極的排列方向相同。第四區(qū)中的枝干電極的排列方向與第五區(qū)中的枝干電極的排列方向相同。第三區(qū)中的枝干電極 的排列方向與第四區(qū)中的枝干電極的排列方向不相同。第二配向膜覆蓋于第二電極層。液晶層設(shè)置于第一基板及第二基板之間。

根據(jù)另一實(shí)施例的一種液晶顯示面板。液晶顯示面板包括數(shù)個(gè)像素。各個(gè)像素包含一第一基板、一第二基板及一液晶層。第一基板包括一第一電極層及一第一配向膜。第一配向膜覆蓋于第一電極層。第二基板包括一第二電極層及一第二配向膜。第二電極層包括依四個(gè)象限區(qū)排列的一第一區(qū)、一第二區(qū)、一第三區(qū)及一第四區(qū)。第二電極層還包括區(qū)隔出第一區(qū)至第四區(qū)的一第一主干、一第二主干、一第三主干及一第四主干。第一主干與第二主干沿一第一直線的方向延伸，且第一主干的中心軸與第二主干的中心軸分別位于第一直線的兩側(cè)。第三主干與第四主干沿一第二直線的方向延伸，且第三主干的中心軸與第四主干的中心軸分別位于第二直線的兩側(cè)。第一直線與第二直線彼此相交。第二配向膜覆蓋于第二電極層。液晶層設(shè)置于第一基板及第二基板之間。

根據(jù)再一實(shí)施例的一種液晶顯示面板。液晶顯示面板包括數(shù)個(gè)像素。各個(gè)像素包含一第一基板、一第二基板及一液晶層。第一基板包括一第一電極層及一第一配向膜。第一配向膜覆蓋于第一電極層。第二基板包括一第二電極層及一第二配向膜。第二電極層包括依四個(gè)象限區(qū)排列的一第一區(qū)、一第二區(qū)、一第三區(qū)及一第四區(qū)。第二電極層還具有數(shù)個(gè)枝干電極分別位于第一區(qū)至第四區(qū)。此些枝干電極相互間隔排列。第一區(qū)及第三區(qū)中的枝干電極的排列方向相同。第二區(qū)及第四區(qū)中的枝干電極的排列方向相同。枝干電極的其中之一與枝干電極的其中的另二連接且相互垂直。此些枝干電極的交界處為鋸齒狀。第二配向膜覆蓋于第二電極層。液晶層設(shè)置于第一基板及第二基板之間。

附圖說明

為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說明，其中：

圖1繪示液晶顯示面板的示意圖。

圖2繪示第一配向膜于一像素的光配向示意圖。

圖3繪示第二配向膜于一像素的光配向示意圖。

圖4繪示液晶層于一像素的液晶預(yù)傾合力方向的示意圖。

圖5繪示第二電極層于一像素依據(jù)液晶預(yù)傾合力方向區(qū)分為第一區(qū)、第二區(qū)、第三區(qū)、第四區(qū)、第五區(qū)、第六區(qū)、第七區(qū)及第八區(qū)的示意圖。

圖6繪示第二電極層于一像素的枝干電極的示意圖。

圖7繪示采用圖6的第二電極層的像素的亮態(tài)與暗態(tài)示意圖。

圖8繪示數(shù)個(gè)像素的示意圖。

圖9繪示數(shù)個(gè)像素的示意圖。

圖10繪示另一實(shí)施例的第二電極層于一像素的示意圖。

圖11繪示采用圖10的第二電極層的像素的亮態(tài)與暗態(tài)示意圖。

圖12繪示另一實(shí)施例的第二電極層于一像素的示意圖。

圖13繪示另一實(shí)施例的第二電極層于一像素的示意圖。

圖14繪示另一實(shí)施例的第二電極層于一像素的示意圖。

圖15繪示采用圖14的第二電極層的像素的亮態(tài)與暗態(tài)示意圖。

圖16繪示另一實(shí)施例的第二電極層于一像素的示意圖。

圖17繪示另一實(shí)施例的第二電極層于一像素的示意圖。

圖18繪示另一實(shí)施例的第二電極層于一像素的示意圖。

圖19繪示采用圖18的第二電極層的像素的亮態(tài)與暗態(tài)示意圖。

圖20繪示另一實(shí)施例的第二電極層于一像素的示意圖。

圖21繪示另一實(shí)施例的第二電極層于一像素的示意圖。

圖中元件標(biāo)號(hào)說明：

100：液晶顯示面板

110：第一基板

111：第一基材

112：第一電極層

113：第一配向膜

120：第二基板

121：第二基材

122、222、222’、222”、322、322’、322”、422、422’、422”：第二電極層

122a：第一電極圖案

122b：第二電極圖案

123：第二配向膜

130：液晶層

A、B、C、D：區(qū)域

B11、B11’：第一區(qū)

B12、B12’：第二區(qū)

B13、B13’：第三區(qū)

B14、B14’：第四區(qū)

B25、B25”：第五區(qū)

B26、B26”：第六區(qū)

B27、B27”：第七區(qū)

B28、B28”：第八區(qū)

BL10、BL11、BL12、BL21、BL22、BL23、BL24、BL25、BL26、BL27、BL28、BL31、BL32、BL33、BL34、BL35、BL36、BL37、BL38、BL41、BL42、BL43、BL44、BL45、BL46、BL47、BL48：暗態(tài)條紋

C11、C11’：第一直線

C12、C12’：第二直線

C23、C23”：第三直線

C24、C24”：第四直線

E1：凸出邊緣

E2：凹陷邊緣

P1：第一配向方向

P13：第三液晶預(yù)傾合力方向

P14：第四液晶預(yù)傾合力方向

P100、P100’：像素

P2：第二配向方向

P23：第一液晶預(yù)傾合力方向

P24：第二液晶預(yù)傾合力方向

P3：第三配向方向

P4：第四配向方向

T10、T30、T30’、T30”、T40、T40’、T40”：枝干電極

T21、T21’、T31：第一主干電極

T22、T22’、T32：第二主干電極

T23、T23’、T33：第三主干電極

T24、T24’、T34：第四主干電極

T25、T25”、T35：第五主干電極

T26、T26”、T36：第六主干電極

T27、T27”、T37：第七主干電極

T28、T28”、T38：第八主干電極

D1：距離

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示液晶顯示面板100的示意圖。液晶顯示面板100包括一第一基板110、一第二基板120及一液晶層130。為方便說明，于以下各實(shí)施例中，第一基板110及第二基板120分別以彩色濾光片基板及薄膜晶體管基板為例作說明，但不以此為限。液晶層130設(shè)置于第一基板110及第二基板12之間。第一基板110包括一第一基材111、一第一電極層112及一第一配向膜113。第一電極層112覆蓋于第一基材111上。第一配向膜113覆蓋于第一電極層112上。第二基板120包括一第二基材121、一第二電極層122及一第二配向膜123。為方便說明，于以下各實(shí)施例中，第一電極層112及第二電極層122分別以共同電極層及像素電極層為例作說明，但不以此為限。第二電極層122覆蓋于第二基材121上，第二配向膜123覆蓋于第二電極層122上。液晶顯示面板100例如是采用垂直光配向技術(shù)(Photo-Alignment Vertical Alignment,PAVA)。

請(qǐng)參照?qǐng)D2及圖3，圖2繪示第一配向膜113于一像素的光配向示意圖，圖3繪示第二配向膜123于一像素的光配向示意圖。液晶層130透過第一配向膜113及第二配向膜123的各種配向情況，可以形成各種液晶預(yù)傾合力方向。第一配向膜113具有一第一配向方向P1及一第二配向方向P2。第一配向膜113 的兩端采用第一配向方向P1，第一配向膜的113的中央處采用第二配向方向P2。第一配向方向P1與第二配向方向P2相反。

第二配向膜123具有一第三配向方向P3及一第四配向方向P4。第三配向方向P3與第四配向方向P4相反。第三配向方向P3及第四配向方向P4垂直于第一配向方向P1及第二配向方向P2。

請(qǐng)參照?qǐng)D4，其繪示液晶層130于一像素的液晶預(yù)傾合力方向P13、P14、P23、P24的示意圖。液晶層130位于第一配向膜113及第二配向膜123之間，液晶接觸于第一配向膜113時(shí)，將會(huì)沿著第一配向配向方向P1或第二配向方向P2排列，液晶接觸于第二配向膜123時(shí)，將會(huì)沿著第三配向方向P3或第四配向方向排列P4。夾置于第一配向膜113及第二配向膜123之間的液晶將會(huì)受到兩個(gè)配向方向的合力影響，而形成液晶預(yù)傾合力方向。如圖4所示，于區(qū)域A的液晶受到第二配向方向P2及第三配向方向P3的影響，而形成第一液晶預(yù)傾合力方向P23。于區(qū)域B的液晶受到第二配向方向P2及第四配向方向P4的影響，而形成第二液晶預(yù)傾合力方向P24。于區(qū)域C的液晶受到第一配向方向P1及第三配向方向P3的影響，而形成第三液晶預(yù)傾合力方向P13。于區(qū)域D的液晶受到第一配向方向P1及第四配向方向P4的影響，而形成第四液晶預(yù)傾合力方向P14。第一液晶預(yù)傾方向P23垂直于第二液晶預(yù)傾合力方向P24，第二液晶預(yù)傾合力方向P24垂直于第四液晶預(yù)傾合力方向P14，第四液晶預(yù)傾合力方向P14垂直于第三液晶預(yù)傾合力方向P13。第三液晶預(yù)傾合力方向P13與第二液晶預(yù)傾合力方向P24相反，第四液晶預(yù)傾合力方向P14與第一液晶預(yù)傾合力方向P23相反。

請(qǐng)參照?qǐng)D5及圖6，圖5繪示第二電極層122于一像素依據(jù)液晶預(yù)傾合力方向P13、P14、P23、P24區(qū)分為一第一區(qū)B11、一第二區(qū)B12、一第三區(qū)B13、一第四區(qū)B14、一第五區(qū)B25、一第六區(qū)B26、一第七區(qū)B27及一第八區(qū)B28的示意圖，圖6繪示第二電極層122于一像素的枝干電極T10的示意圖。于此實(shí)施例中，基于色偏改善的需求，一個(gè)像素具有兩個(gè)分隔的大區(qū)塊，分別做為亮區(qū)與暗區(qū)以改善不同視角下色偏的差異。依據(jù)這兩個(gè)大區(qū)塊，第二電極層122具有一第一電極圖案122a及一第二電極圖案122b，第一電極圖案122a與第二電極圖案122b間隔設(shè)置。第一電極圖案122a具有一凸出邊緣E1，第二電極圖 案122b具有一凹陷邊緣E2。凸出邊緣E1與凹陷邊緣E2相鄰且形狀互補(bǔ)。凸出邊緣E1與凹陷邊緣E2均為V字型以配合液晶預(yù)傾合力方向。

第一電極圖案122a包括依四個(gè)象限區(qū)排列的第一區(qū)B11、第二區(qū)B12、第三區(qū)B13及第四區(qū)B14。第二電極圖案122b包括依四個(gè)象限區(qū)排列第五區(qū)B25、第六區(qū)B26、第七區(qū)B24及第八區(qū)B28。第三區(qū)B13鄰近于第六區(qū)B26，第四區(qū)B14鄰近于第五區(qū)B25。第一區(qū)B11的液晶預(yù)傾合力方向P14與第八區(qū)B28的液晶預(yù)傾合力方向P14相同。第二區(qū)B12的液晶預(yù)傾合力方向P13與第七區(qū)B27中的液晶預(yù)傾合力方向P13相同。第三區(qū)B13的液晶預(yù)傾合力方向P23與第六區(qū)B26的液晶預(yù)傾合力方向P23相同。第四區(qū)B14的液晶預(yù)傾合力方向P24與第五區(qū)B25中的液晶預(yù)傾合力方向P24相同。

如圖6所示，第二電極層122還具有數(shù)個(gè)枝干電極T10分別位于第一區(qū)B11～第八區(qū)B28，且枝干電極T10于第一區(qū)B11～第八區(qū)B28中相互間隔排列。第一區(qū)B11中的枝干電極T10排列方向與第八區(qū)B28中的枝干電極T10的排列方向相同。第二區(qū)B12中的枝干電極T10的排列方向與第七區(qū)B27中的枝干電極T10的排列方向相同。第三區(qū)B13中的枝干電極T10排列方向與第六區(qū)B26中的枝干電極T10的排列方向相同。第四區(qū)B14中的枝干電極T10的排列方向與第五區(qū)B25中的枝干電極T10的排列方向相同。第一區(qū)B11、第二區(qū)B12、第三區(qū)B13及第四區(qū)B14的枝干電極T10排列成菱形狀；第五區(qū)B25、第六區(qū)B26、第七區(qū)B27及第八區(qū)B28的枝干電極T10排列成放射狀。

請(qǐng)參照?qǐng)D5及圖7，圖7繪示采用第二電極層122的像素的亮態(tài)與暗態(tài)示意圖。像素以全亮方式開啟時(shí)，因液晶旋光與電場(chǎng)的影響，仍有部分區(qū)域形成暗態(tài)。在第三區(qū)B13及第六區(qū)B26中，由于液晶受到第一液晶預(yù)傾合力方向P23的影響，在第三區(qū)B13及第六區(qū)B26沿第一液晶預(yù)傾合力方向P23形成數(shù)個(gè)暗態(tài)條紋BL11。在第四區(qū)B14及第五區(qū)B25中，由于液晶受到第二液晶預(yù)傾方向P24的影響，在第四小區(qū)B14及第五區(qū)B25沿第二液晶預(yù)傾方向P24形成數(shù)個(gè)暗態(tài)條紋BL12。

在本實(shí)施例中，凸出邊緣E1與凹陷邊緣E2處形成的暗態(tài)條紋BL10。由于凸出邊緣E1與凹陷邊緣E2沿第一液晶預(yù)傾合力方向P23及第二液晶預(yù)傾合力方向P24配置，所以暗態(tài)條紋BL10將會(huì)重疊于暗態(tài)條紋BL11、BL12。因 此，暗態(tài)條紋BL10可以被大幅縮小，而增加像素的開口率。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)證明，像素的開口率可大幅提升10.7％。

如圖5及圖6所示，凸出邊緣E1與凹陷邊緣E2的距離D1是為2～5微米(μm)，例如是3.5微米。并且搭配第一液晶預(yù)傾合力方向P23垂直于第二液晶預(yù)傾合力方向P24的設(shè)計(jì)，凸出邊緣E1與凹陷邊緣E2的V形轉(zhuǎn)折點(diǎn)是為直角。

請(qǐng)參照?qǐng)D8，其繪示數(shù)個(gè)像素P100的示意圖。在一實(shí)施例中，采用上述設(shè)計(jì)的像素P100的外型可以是矩形。凸出邊緣E1與凹陷邊緣E2位于像素P100之內(nèi)部。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D9，其繪示數(shù)個(gè)像素P100’的示意圖。在另一實(shí)施例中，采用上述設(shè)計(jì)的像素P100’的外型可以是盾牌形狀。像素P100’的凸出邊緣E1位于邊緣處，而對(duì)應(yīng)于另一像素P100’的凹陷邊緣E2；像素P100’的凹陷邊緣E2位于邊緣處，而對(duì)應(yīng)于另一像素P100’的凸出邊緣E1。

請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D10，其繪示另一實(shí)施例的第二電極層222于一像素的示意圖。第二電極層222包括區(qū)隔出第一區(qū)B11、第二區(qū)B12、第三區(qū)B13及第四區(qū)B14的一第一主干電極T21、一第二主干電極T22、一第三主干電極T23及一第四主干電極T24。第一主干電極T21與第二主干電極T22沿一第一直線C11的方向延伸，且第一主干電極T21的中心軸與第二主干電極T22的中心軸分別位于第一直線C11的兩側(cè)。第三主干電極T23與第四主干電極T24沿一第二直線C12的方向延伸，且第三主干電極T23的中心軸與第四主干電極T24的中心軸分別位于第二直線C12的兩側(cè)，第一直線C11與第二直線C12彼此相交。在一實(shí)施例中，第一直線C11實(shí)質(zhì)上垂直于第二直線C12。

此外，第二電極層222更包括區(qū)隔出第五區(qū)B25、第六區(qū)B26、第七區(qū)B27及第八區(qū)B28的一第五主干電極T25、一第六主干電極T26、一第七主干電極T27及一第八主干電極T28。第五主干電極T25與第六主干電極T26沿一第三直線C23的方向延伸，且第五主干電極T25的中心軸與第六主干電極T26的中心軸分別位于第三直線C23的兩側(cè)。第七主干電極T27與第八主干電極T28沿一第四直線C24的方向延伸，且第七主干電極T27的中心軸與第八主干電極T28的中心軸分別位于第四直線C24的兩側(cè)，第三直線C23與第四直線C24彼此相交。在一實(shí)施例中，第三直線C23實(shí)質(zhì)上垂直于第四直線C24。

如圖2及圖10所示，第一主干電極T21以第一配向方向P1偏離第一直線C11。第二主干電極T22以第二配向P2偏離第一直線C11。也就是說，第一主干電極T21及第二主干電極T22以第一直線C11的不同方向偏離。

如圖3及圖10所示，第三主干電極T23以第一配向方向P3偏離第二直線C12。第四主干電極T24以第四配向P4偏離第二直線C12。也就是說，第三主干電極T23及第四主干電極T24以第二直線C12的不同方向偏離。如此一來，第一主干電極T21、第二主干電極T22、第三主干電極T23及第四主干電極T24形成風(fēng)車狀結(jié)構(gòu)。

如圖2及圖10所示，第五主干電極T25以第二配向方向P2偏離第三直線C23。第六主干電極T26以第一配向P1偏離第三直線C23。也就是說，第五主干電極T25及第六主干電極T26以第三直線C23的不同方向偏離。

如圖3及圖10所示，第七主干電極T27以第三配向方向P3偏離第四C24。第八主干電極T28以第四配向P4偏離第四直線C24。也就是說，第七主干電極T27及第八主干電極T28以第四直線C24的不同方向偏離。如此一來，第五主干電極T25、第六主干電極T26、第七主干電極T27及第八主干電極T28形成風(fēng)車狀結(jié)構(gòu)。

第一主干電極T21及第二主干電極T22偏離于第一直線C110.1～8微米(μm)，第三主干電極T23及第四主干電極T24偏離于第二直線C120.1～8微米(μm)，第四主干電極T24及第五主干電極T25偏離于第三直線C230.1～8微米(μm)，第七主干電極T27及第八主干電極T28偏離于第四直線C240.1～8微米(μm)。

請(qǐng)參照?qǐng)D10及圖11，圖11繪示采用圖10的第二電極層222的像素的亮態(tài)與暗態(tài)示意圖。透過第二電極222的設(shè)計(jì)，第一主干電極T21、第二主干電極T22、第三主干電極T23、第四主干電極T24、第五主干電極T25、第六主干電極T26、第七主干電極T27及第八主干電極T28偏移后，其所產(chǎn)生的暗態(tài)條紋BL20可以配合光配向產(chǎn)生的暗態(tài)條紋BL21、BL22、BL23、BL24、BL25、BL26、BL27、BL28，進(jìn)而提高透光率。

此外，像素電極的線路會(huì)設(shè)置于像素的中央處。透過上述設(shè)計(jì)，因?yàn)楣馀湎虍a(chǎn)生的暗態(tài)條紋BL21、BL22、BL23、BL24、BL25、BL26、BL27、BL28 將位于中央處，而與像素電極產(chǎn)生的暗態(tài)條紋重疊，使得像素的開口率增加。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)證明，像素的開口率可大幅提升12.2％。

請(qǐng)參照?qǐng)D12，其繪示另一實(shí)施例的第二電極層222’于一像素的示意圖。在一實(shí)施例中，第二電極層222’可以僅包括第一區(qū)B11’、第二區(qū)B12’、第三區(qū)B13’及第四區(qū)B14’。并且第二電極層222’包括區(qū)隔出第一區(qū)B11’、第二區(qū)B12’、第三區(qū)B13’及第四區(qū)B14’的一第一主干電極T21’、一第二主干電極T22’、一第三主干電極T23’及一第四主干電極T24’。第一主干電極T21’與第二主干電極T22’沿一第一直線C11’的方向延伸，且第一主干電極T21’的中心軸與第二主干電極T22’的中心軸分別位于第一直線C11’的兩側(cè)。第三主干電極T23’與第四主干電極T24’沿一第二直線C12’的方向延伸，且第三主干電極T23’的中心軸與第四主干電極T24’的中心軸分別位于第二直線C12’的兩側(cè)。

請(qǐng)參照?qǐng)D13，其繪示另一實(shí)施例的第二電極層222”于一像素的示意圖。在一實(shí)施例中，第二電極層222”可以僅包括第五區(qū)B25”、第六區(qū)B26”、第七區(qū)B27”及第八區(qū)B28”。并且第二電極層222”包括區(qū)隔出第五區(qū)B25”、第六區(qū)B26”、第七區(qū)B27”及第八區(qū)B28”的一第五主干電極T25”、一第六主干電極T26”、一第七主干電極T27”及一第八主干電極T28”。第五主干電極T25”與第六主干電極T26”沿一第三直線C23”的方向延伸，且第五主干電極T25”的中心軸與第六主干電極T26”的中心軸分別位于第三直線C23”的兩側(cè)。第七主干電極T27”與第八主干電極T28”沿一第四直線C24”的方向延伸，且第七主干電極T27”的中心軸與第八主干電極T28”的中心軸分別位于第四直線C24”的兩側(cè)。

請(qǐng)參照?qǐng)D14，其繪示另一實(shí)施例的第二電極層322于一像素的示意圖。于此實(shí)施例中，一個(gè)枝干電極T30與兩個(gè)枝干電極T30連接且相互垂直，以形成鋸齒狀結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)參照?qǐng)D14及圖15，圖15繪示采用圖14的第二電極層322的像素的亮態(tài)與暗態(tài)示意圖。原本枝干電極連接于直線狀主干電極時(shí)，鄰近于直線狀主干電極處容易形成0/90場(chǎng)(水平場(chǎng)或垂直場(chǎng))。此實(shí)施例的第二電極層322于枝干電極T30連接處采用鋸齒狀設(shè)計(jì)，以形成45/135場(chǎng)。如此一來，枝干電極T30所形成的暗態(tài)條紋(未繪示)能夠有效縮小，更能夠使其精準(zhǔn)地重疊于光 配向產(chǎn)生的暗態(tài)條紋BL31～BL38。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)證明，像素的開口率可大幅提升12.8％。

請(qǐng)參照?qǐng)D16，其繪示另一實(shí)施例的第二電極層322’于一像素的示意圖。于此實(shí)施例中，第二電極層322’的枝干電極T30’排列成菱形狀結(jié)構(gòu)。于一個(gè)枝干電極T30’與兩個(gè)枝干電極T30’連接且相互垂直，以形成鋸齒狀結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)參照?qǐng)D17，其繪示另一實(shí)施例的第二電極層322”于一像素的示意圖。于此實(shí)施例中，第二電極層322”的枝干電極T30”排列成放射狀結(jié)構(gòu)。于一個(gè)枝干電極T30”與兩個(gè)枝干電極T30”連接且相互垂直，以形成鋸齒狀結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)參照?qǐng)D18，其繪示另一實(shí)施例的第二電極層422于一像素的示意圖。于此實(shí)施例中，第二電極層422減少主干電極，一個(gè)枝干電極T40與另一個(gè)枝干電極T40連接且相互垂直，以形成V字型結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)參照?qǐng)D18及圖19，圖19繪示采用圖18的第二電極層422的像素的亮態(tài)與暗態(tài)示意圖。此實(shí)施例的第二電極層422減少主干的采用，使得枝干電極T40的連接處呈現(xiàn)直角，而以形成45/135場(chǎng)。如此一來，枝干電極T40的連接處所產(chǎn)生的暗態(tài)條紋(未繪示)能夠有效縮小，更能夠使其精準(zhǔn)地重疊于光配向產(chǎn)生的暗態(tài)條紋BL41～BL48。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)證明，像素的開口率可大幅提升13.4％。

請(qǐng)參照?qǐng)D20，其繪示另一實(shí)施例的第二電極層422’于一像素的示意圖。于此實(shí)施例中，第二電極層422’的枝干電極T40’排列成菱形狀結(jié)構(gòu)。第二電極層422’減少主干電極，一個(gè)枝干電極T40’與另一個(gè)枝干電極T40’連接且相互垂直，以形成V字型結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)參照?qǐng)D21，其繪示另一實(shí)施例的第二電極層422”于一像素的示意圖。于此實(shí)施例中，第二電極層422”的枝干電極T40”排列成放射狀結(jié)構(gòu)。第二電極層422”減少主干電極，一個(gè)枝干電極T40”與另一個(gè)枝干電極T40”連接且相互垂直，以形成V字型結(jié)構(gòu)。

上述各種實(shí)施例采用各種設(shè)計(jì)來提升像素的開口率。在其他實(shí)施例中，可依據(jù)需求組合上述各種實(shí)施例支各種設(shè)計(jì)，以有效提升像素的開口率。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。