本實用新型涉及顯示屏制造技術領域，特別涉及一種掩膜板。

背景技術：

隨著平面顯示器技術的蓬勃發(fā)展，有源矩陣有機發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示裝置得到了廣泛的應用。其與傳統(tǒng)的液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，除了更輕薄外，更具有自發(fā)光、低功率消耗、不需要背光源、無視角限制及高反應速率等優(yōu)良特性，已成為目前平面顯示器技術中的主流。

光刻工藝質量的優(yōu)劣直接關系到AMOLED顯示裝置中的AMOLED顯示面板的質量如何。目前，AMOLED顯示面板的光刻工藝通常采用的是精密掩膜板(fine mask)。精密掩膜板采用張網和焊接的方法來制作。精密掩膜板通常包括有效區(qū)和過渡區(qū)，其中，有效區(qū)和AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))對應；過渡區(qū)和AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過渡區(qū)對應。為了減少張網過程的皺褶，精密掩膜板設計時會考慮在有源區(qū)(AA區(qū))之間的過渡區(qū)采用半刻蝕(half etching)工藝形成來釋放應力，從而使精密掩膜板受力平均，減少皺褶。

但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術中的掩膜板結構并不利于應力的快速分散，依然容易引起皺褶。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種掩膜板，以解決現(xiàn)有的掩膜板結構并不利于應力的快速分散，依然容易引起皺褶的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種掩膜板，所述掩膜板包括：支撐掩膜板；及精密掩膜板，所述精密掩膜板位于所述支撐掩膜板上，所述精密掩膜板包括過渡區(qū)，所述過渡區(qū)中具有第一圖案，所述第一圖案包括通孔，所述過渡區(qū)與所述支撐掩膜板對應。

可選的，在所述的掩膜板中，所述精密掩膜板還包括有效區(qū)，所述有效區(qū)中具有第二圖案。

可選的，在所述的掩膜板中，所述第一圖案與所述第二圖案相同。

可選的，在所述的掩膜板中，所述第一圖案與所述第二圖案同時形成。

可選的，在所述的掩膜板中，所述第一圖案通過全刻蝕工藝形成。

可選的，在所述的掩膜板中，所述通孔的數(shù)量為一個或者多個。

可選的，在所述的掩膜板中，所述通孔的形狀為方形、圓形或者三角形。

可選的，在所述的掩膜板中，所述通孔的最大截面寬度為10μm～100μm。

可選的，在所述的掩膜板中，所述精密掩膜板和支撐掩膜板的材料均為金屬。

可選的，在所述的掩膜板中，所述精密掩膜板和支撐掩膜板的厚度均為10μm～100μm。

發(fā)明人深入研究了現(xiàn)有技術后發(fā)現(xiàn)，雖然現(xiàn)有技術中對于精密掩膜板上的過渡區(qū)采用半刻蝕工藝形成，以通過減薄過渡區(qū)掩膜板的厚度來實現(xiàn)釋放壓力的目的。但是，由于采用半刻蝕工藝形成，即在過渡區(qū)仍舊存在一定厚度的掩膜板，由此使得應力的分散效果并不十分理想。

基此，本實用新型提供了一種掩膜板，所述掩膜板包括精密掩膜板，所述精密掩膜板包括過渡區(qū)，所述過渡區(qū)中具有第一圖案，所述第一圖案包括通孔，即所述過渡區(qū)中存在鏤空的部分，由此可以提高掩膜板的應力分散效果。

但是，過渡區(qū)的掩膜板需要阻擋有機材料的蒸鍍，當?shù)谝粓D案包括通孔時，將不能實現(xiàn)其阻擋有機材料的蒸鍍的功能。

為此，在本實用新型提供的掩膜板中，還包括支撐掩膜板，所述過渡區(qū)與所述支撐掩膜板對應，從而通過所述支撐掩膜板可以起到阻擋有機材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過渡區(qū)的目的了。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例一的掩膜板的主視示意圖；

圖2是本實用新型實施例一的精密掩膜板的俯視示意圖；

圖3是本實用新型實施例二的掩膜板的主視示意圖；

圖4是本實用新型實施例二的精密掩膜板的俯視示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的掩膜板作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

發(fā)明人深入研究了現(xiàn)有技術后發(fā)現(xiàn)，雖然現(xiàn)有技術中對于精密掩膜板上的過渡區(qū)采用半刻蝕工藝形成，以通過減薄過渡區(qū)掩膜板的厚度來實現(xiàn)釋放壓力的目的。但是，由于采用半刻蝕工藝形成，即在過渡區(qū)仍舊存在一定厚度的掩膜板，由此使得應力的分散效果并不十分理想。

基此，本實用新型提供了一種掩膜板，所述掩膜板包括精密掩膜板，所述精密掩膜板包括過渡區(qū)，所述過渡區(qū)中具有第一圖案，所述第一圖案包括通孔，即所述過渡區(qū)中存在鏤空的部分，由此可以提高掩膜板的應力分散效果。

但是，過渡區(qū)的掩膜板需要阻擋有機材料的蒸鍍，當?shù)谝粓D案包括通孔時，將不能實現(xiàn)其阻擋有機材料的蒸鍍的功能。

為此，在本實用新型提供的掩膜板中，還包括支撐掩膜板，所述過渡區(qū)與所述支撐掩膜板對應，從而通過所述支撐掩膜板可以起到阻擋有機材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過渡區(qū)的目的了。

接下去，請具體參考如下兩個實施例，以進一步理解本實用新型提出的掩膜板。

【實施例一】

請參考圖1和圖2，其中，圖1為本實用新型實施例一的掩膜板的主視示意圖；圖2為本實用新型實施例一的精密掩膜板的俯視示意圖。如圖1和圖2所示，所述掩膜板1包括：支撐掩膜板10；及精密掩膜板11，所述精密掩膜板11位于所述支撐掩膜板10上，所述精密掩膜板11包括過渡區(qū)12，所述過渡區(qū)12中具有第一圖案120，所述第一圖案120包括通孔，所述過渡區(qū)12與所述支撐掩膜板10對應。在本申請實施例中，所述過渡區(qū)12與所述支撐掩膜板10對應主要指在使用時，所述支撐掩膜板10位于所述過渡區(qū)12正下方。

在本申請實施例中，所述支撐掩膜板10的材料為金屬，例如，所述支撐掩膜板10的材料可以為鎳、鉬、鉻、鉑或者錫中的一種或多種。進一步的，其厚度為10μm～100μm，例如，所述支撐掩膜板10的厚度可以為10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

較佳的，所述支撐掩膜板10未經過刻蝕工藝，即所述支撐掩膜板10上沒有圖案形成。在本申請的其他實施例中，所述支撐掩膜板10也可經過刻蝕工藝，所述刻蝕工藝包括半刻蝕工藝或者全刻蝕工藝。當所述支撐掩膜板10采用了全刻蝕工藝時，所形成的圖案與第一圖案120錯開。在此，只要通過所述支撐掩膜板10可以起到阻擋有機材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過渡區(qū)的目的即可，即能夠防止AMOLED顯示面板的IC搭接區(qū)和封裝區(qū)沒有有機材料蒸鍍即可。

請繼續(xù)參考圖1和圖2，在本申請實施例中，所述精密掩膜板11還包括有效區(qū)13，所述有效區(qū)13中具有第二圖案130。其中，所述第二圖案130對應AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))需要形成的結構，即通過所述第二圖案130，可以在AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))上蒸鍍形成相應的結構。

優(yōu)選的，所述第一圖案120與所述第二圖案130相同，由此可以省去對于所述第一圖案120的設計步驟。較佳的，所述第一圖案120與所述第二圖案130同時形成，由此，可以簡化工藝，降低生產成本。在本申請實施例中，所述第一圖案120與第二圖案130均通過全刻蝕工藝形成。通過全刻蝕工藝可以方便的一次性形成所需要的圖案。在本申請的其他實施例中，所述第一圖案120與第二圖案130也可通過多次半刻蝕工藝形成，對此本申請不作限定。

在本申請實施例中，所述精密掩膜板11的材料也為金屬，例如，所述精密掩膜板11的材料可以為鎳、鉬、鉻、鉑或者錫中的一種或多種。進一步的，其厚度為10μm～100μm，例如，所述精密掩膜板11的厚度可以為10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

【實施例二】

請參考圖3和圖4，其中，圖3為本實用新型實施例二的掩膜板的主視示意圖；圖4為本實用新型實施例二的精密掩膜板的俯視示意圖。如圖3和圖4所示，所述掩膜板2包括：支撐掩膜板20；及精密掩膜板21，所述精密掩膜板21位于所述支撐掩膜板20上，所述精密掩膜板21包括過渡區(qū)22，所述過渡區(qū)22中具有第一圖案220，所述第一圖案220包括通孔，所述過渡區(qū)22與所述支撐掩膜板20對應。在本申請實施例中，所述過渡區(qū)22與所述支撐掩膜板20對應主要指在使用時，所述支撐掩膜板20位于所述過渡區(qū)22正下方。

在本申請實施例中，所述支撐掩膜板20的材料為金屬，例如，所述支撐掩膜板20的材料可以為鎳、鉬、鉻、鉑或者錫中的一種或多種。進一步的，其厚度為10μm～100μm，例如，所述支撐掩膜板20的厚度可以為10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

較佳的，所述支撐掩膜板20未經過刻蝕工藝，即所述支撐掩膜板20上沒有圖案形成。在本申請的其他實施例中，所述支撐掩膜板20也可經過刻蝕工藝，所述刻蝕工藝包括半刻蝕工藝或者全刻蝕工藝。當所述支撐掩膜板20采用了全刻蝕工藝時，所形成的圖案與第一圖案220錯開。在此，只要通過所述支撐掩膜板20可以起到阻擋有機材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過渡區(qū)的目的即可，即能夠防止AMOLED顯示面板的IC搭接區(qū)和封裝區(qū)沒有有機材料蒸鍍即可。

在本申請實施例中，所述通孔的數(shù)量為一個或者多個。進一步的，所述通孔的形狀為方形、圓形或者三角形等規(guī)則或者不規(guī)則的形狀。優(yōu)選的，所述通孔的最大截面寬度為10μm～100μm，即，若所述通孔的形狀為方形，則方形通孔的長邊為10μm～100μm；若所述通孔的形狀為圓形，則圓形通孔的直徑為10μm～100μm；若所述通孔的形狀為三角形，則三角形通孔的最長一條邊為10μm～100μm。請繼續(xù)參考圖4，在此，精密掩膜板21上示出了兩個過渡區(qū)22，每個過渡區(qū)22中均具有第一圖案220，每個第一圖案220包括兩個通孔。在此，該兩個通孔的形狀均為方形，更具體的，均為長方形。

請繼續(xù)參考圖3和圖4，在本申請實施例中，所述精密掩膜板21還包括有效區(qū)23，所述有效區(qū)23中具有第二圖案230。其中，所述第二圖案230對應AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))需要形成的結構，即通過所述第二圖案230，可以在AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))上蒸鍍形成相應的結構。

在本申請實施例中，所述第一圖案220亦可與所述第二圖案230同時形成，由此，可以簡化工藝，降低生產成本。進一步的，所述第一圖案220與第二圖案230均通過全刻蝕工藝形成。通過全刻蝕工藝可以方便的一次性形成所需要的圖案。在本申請的其他實施例中，所述第一圖案220與第二圖案230也可通過多次半刻蝕工藝形成，對此本申請不作限定。

進一步的，所述精密掩膜板21材料也為金屬，例如，所述精密掩膜板21的材料可以為鎳、鉬、鉻、鉑或者錫中的一種或多種。進一步的，其厚度為10μm～100μm，例如，所述精密掩膜板21的厚度可以為10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

綜上可見，在本實用新型實施例提供的掩膜板中，通過所述精密掩膜板包括過渡區(qū)，所述過渡區(qū)中具有第一圖案，所述第一圖案包括通孔，即所述過渡區(qū)中存在鏤空的部分，由此可以提高掩膜板的應力分散效果。進一步的，通過還包括支撐掩膜板，所述過渡區(qū)與所述支撐掩膜板對應，從而通過所述支撐掩膜板可以起到阻擋有機材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過渡區(qū)的目的了。

上述描述僅是對本實用新型較佳實施例的描述，并非對本實用新型范圍的任何限定，本實用新型領域的普通技術人員根據(jù)上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬于權利要求書的保護范圍。