本發(fā)明涉及液晶顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩模版的制作方法以及一種曲面液晶面板的制作方法。

背景技術(shù)：

大尺寸、輕薄、高分辨率和高品質(zhì)畫面是目前顯示器的發(fā)展趨勢。普通的大尺寸VA(Vertical Alignment，垂直配向)液晶顯示器具有窄視角、色偏、失真的技術(shù)的局限性，為了突破目前的技術(shù)弊端，曲面液晶顯示器應(yīng)運(yùn)而生。曲面液晶顯示器以他的更寬廣的可視角度、減少近距離觀看的失真度、產(chǎn)品的差異化等優(yōu)點(diǎn)逐漸受到青睞。

曲面液晶面板是曲面液晶顯示器的核心組成部分?，F(xiàn)有的曲面液晶面板的制程過程為：先完成制作平面狀態(tài)的液晶面板，再將此平面狀態(tài)的液晶面板彎曲，形成曲面液晶面板。現(xiàn)有的曲面液晶面板處于平面狀態(tài)時，其陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate)上的數(shù)據(jù)線與彩膜基板(Color Filter Substrate)上的黑色矩陣對應(yīng)。但當(dāng)對該液晶面板進(jìn)行彎曲，使其處于曲面狀態(tài)時，由于曲面液晶面板具有一定的弧度，彎曲后的彩膜基板與陣列基板之間會產(chǎn)生相對滑動，使得黑色矩陣與數(shù)據(jù)線不再對應(yīng)，而是相對于曲面液晶面板的徑向產(chǎn)生了錯位，從而導(dǎo)致出現(xiàn)漏光、串?dāng)_等缺陷，造成曲面液晶面板的顯示圖像失真，光學(xué)品味下降。如何形成高質(zhì)量的曲面液晶面板的黑色矩陣是為業(yè)界難題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種掩模版的制作方法，通過所述掩模版的制作方法所形成的掩模版能夠用于形成高質(zhì)量的曲面液晶面板的黑色矩陣。

此外，還提供一種曲面液晶面板的制備方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式采用如下技術(shù)方案：

一方面，提供一種掩模版的制作方法，包括：

對盒陣列基板和彩膜基板以形成液晶盒，所述液晶盒包括用于形成黑色矩陣的制備表面，所述制備表面位于所述陣列基板遠(yuǎn)離所述彩膜基板的一側(cè)或所述彩膜基板遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)；

彎曲所述液晶盒至預(yù)定形狀；

點(diǎn)亮所述液晶盒；

在所述制備表面上量測漏光區(qū)域的尺寸；以及

依據(jù)所述漏光區(qū)域的尺寸形成對應(yīng)的掩模版。

其中，所述“依據(jù)所述漏光區(qū)域的尺寸形成對應(yīng)的掩模版”包括：

提供襯底；

依據(jù)所述漏光區(qū)域的尺寸在所述襯底上形成圖案化的凹槽，所述凹槽的圖形對應(yīng)于所述漏光區(qū)域，以形成所述掩模版。

其中，所述“依據(jù)所述漏光區(qū)域的尺寸形成對應(yīng)的掩模版”包括：

獲取同一批次的多個所述液晶盒的所述漏光區(qū)域的尺寸；

計算多個所述漏光區(qū)域的尺寸的平均值，以獲得待形成黑色矩陣的尺寸；

提供襯底；以及

依據(jù)所述待形成黑色矩陣的尺寸在所述襯底上形成圖案化的凹槽，所述凹槽的圖形對應(yīng)于所述待形成黑色矩陣，以形成所述掩模版。

其中，所述漏光區(qū)域的尺寸包括所述漏光區(qū)域中心點(diǎn)與所述制備表面中心點(diǎn)之間的距離和所述漏光區(qū)域的輪廓尺寸。

其中，所述漏光區(qū)域的輪廓尺寸包括所述漏光區(qū)域的每個輪廓邊的長度和/或所述漏光區(qū)域的每個輪廓端點(diǎn)與所述制備表面中心點(diǎn)之間的距離。

其中，所述預(yù)定形狀為具有預(yù)定曲率半徑的弧形。

另一方面，還提供一種曲面液晶面板的制作方法，包括：

對盒陣列基板和彩膜基板以形成液晶盒，所述液晶盒包括用于形成黑色矩陣的制備表面，所述制備表面位于所述陣列基板遠(yuǎn)離所述彩膜基板的一側(cè)或所述彩膜基板遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)；

通過掩模版在所述制備表面形成黑色矩陣，所述掩模版由權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的掩模版的制作方法制作而成。

其中，還包括：

在所述液晶盒的另一側(cè)形成第一偏光片，在所述黑色矩陣的遠(yuǎn)離所述液晶盒的一側(cè)形成第二偏光片，以形成待彎曲液晶面板；

彎曲所述待彎曲液晶面板，以形成曲面液晶面板。

其中，所述“通過掩模版在所述制備表面形成黑色矩陣”包括：

在所述制備表面上形成黑色矩陣涂層；

通過納米壓印技術(shù)將所述掩模版的所述凹槽的圖形轉(zhuǎn)印至所述黑色矩陣涂層上，以形成所述黑色矩陣。

其中，所述納米壓印技術(shù)為熱壓印技術(shù)或激光納米壓印技術(shù)。。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果：

由于所述液晶盒包括用于形成黑色矩陣的制備表面，也即所述液晶盒不包括黑色矩陣，所述液晶盒被彎曲成對應(yīng)于所述曲面液晶面板形狀的預(yù)定形狀，因此彎曲后的所述液晶盒被點(diǎn)亮后的所述漏光區(qū)域即為所述曲面液晶面板的待形成黑色矩陣所需要布置的區(qū)域。由于所述掩模版對應(yīng)于所述漏光區(qū)域的尺寸，因此通過所述掩模版所形成的黑色矩陣被應(yīng)用于曲面液晶面板時，能夠防止所述曲面液晶面板出現(xiàn)漏光、串?dāng)_等缺陷，避免所述曲面液晶面板出現(xiàn)顯示圖像失真，所述曲面液晶面板的光學(xué)品味高。故而，通過所述掩模版的制作方法所形成的掩模版能夠用于形成高質(zhì)量的曲面液晶面板的黑色矩陣。

由于通過所述掩模版的制作方法所制作而成的掩模版能夠有效遮擋所述曲面液晶面板的漏光區(qū)域，防止所述曲面液晶面板出現(xiàn)漏光、串?dāng)_等缺陷，避免所述曲面液晶面板出現(xiàn)顯示圖像失真，因此本實(shí)施例所述曲面液晶面板的制作方法所形成的所述液晶顯示面板良率高。所述制備表面位于所述陣列基板遠(yuǎn)離所述彩膜基板的一側(cè)，所述黑色矩陣形成在所述陣列基板遠(yuǎn)離所述彩膜基板的一側(cè)時，所述黑色矩陣既可改善色偏，同時還可作為所述陣列基板的薄膜晶體管的遮光層，用于降低光生載流子引起的漏電流偏大問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曲面液晶面板的制作方法中步驟S10所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曲面液晶面板的制作方法中步驟S20所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曲面液晶面板的制作方法中步驟S30所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曲面液晶面板的制作方法中步驟S40所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩模版的制作方法中步驟S01所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩模版的制作方法中步驟S02所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩模版的制作方法中步驟S03所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩模版的制作方法中步驟S04所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩模版的制作方法中步驟S05所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曲面液晶面板的彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曲面液晶面板的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

此外，以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明中所提到的方向用語，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語是為了更好、更清楚地說明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“設(shè)置在……上”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接；可以是機(jī)械連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。若本說明書中出現(xiàn)“工序”的用語，其不僅是指獨(dú)立的工序，在與其它工序無法明確區(qū)別時，只要能實(shí)現(xiàn)該工序所預(yù)期的作用則也包括在本用語中。另外，本說明書中用“～”表示的數(shù)值范圍是指將“～”前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值包括在內(nèi)的范圍。在附圖中，結(jié)構(gòu)相似或相同的單元用相同的標(biāo)號表示。

請一并參閱1至圖4，本發(fā)明實(shí)施例提供一種曲面液晶面板的制作方法，用于制作曲面液晶面板200。

所述曲面液晶面板的制作方法包括：

步驟S10：對盒陣列基板21和彩膜基板22以形成液晶盒23，所述液晶盒23包括用于形成黑色矩陣300的制備表面230，所述制備表面230位于所述陣列基板21遠(yuǎn)離所述彩膜基板22的一側(cè)或所述彩膜基板22遠(yuǎn)離所述陣列基板21的一側(cè)(如圖1所示)。

步驟S20：通過掩模版在所述制備表面230形成黑色矩陣300。

步驟S30：在所述液晶盒23的另一側(cè)形成第一偏光片24，在所述黑色矩陣300的遠(yuǎn)離所述液晶盒23的一側(cè)形成第二偏光片25，以形成待彎曲液晶面板200’；

步驟S40：彎曲所述待彎曲液晶面板200’，以形成曲面液晶面板200。

請繼續(xù)參閱圖5至圖9，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種掩模版的制作方法，用于制作所述掩模版100。

所述掩模版的制作方法包括：

步驟S01：對盒陣列基板11和彩膜基板12以形成液晶盒13，所述液晶盒13包括用于形成黑色矩陣300的制備表面130，所述制備表面130位于所述陣列基板11遠(yuǎn)離所述彩膜基板12的一側(cè)或所述彩膜基板12遠(yuǎn)離所述陣列基板11的一側(cè)(如圖5所示)。

步驟S02：彎曲所述液晶盒13至預(yù)定形狀。

步驟S03：點(diǎn)亮所述液晶盒13。

步驟S04：在所述制備表面130上量測漏光區(qū)域14(如圖8中填充有斜線的區(qū)域)的尺寸。

步驟S05：依據(jù)所述漏光區(qū)域14的尺寸形成對應(yīng)的掩模版100。

在本實(shí)施例中，所述液晶盒13包括用于形成黑色矩陣300的制備表面130，也即所述液晶盒13不包括黑色矩陣300，所述液晶盒13被彎曲成對應(yīng)于所述曲面液晶面板200形狀的預(yù)定形狀，因此彎曲后的所述液晶盒13被點(diǎn)亮后的所述漏光區(qū)域14即為所述曲面液晶面板200的待形成黑色矩陣300所需要布置的區(qū)域。由于所述掩模版100對應(yīng)于所述漏光區(qū)域14的尺寸，因此通過所述掩模版100所形成的黑色矩陣300被應(yīng)用于曲面液晶面板200時，能夠防止所述曲面液晶面板200出現(xiàn)漏光、串?dāng)_等缺陷，避免所述曲面液晶面板200出現(xiàn)顯示圖像失真，所述曲面液晶面板200的光學(xué)品味高。故而，通過所述掩模版的制作方法所形成的掩模版100能夠用于形成高質(zhì)量的曲面液晶面板200的黑色矩陣300。

由于通過所述掩模版的制作方法所制作而成的掩模版100能夠有效遮擋所述曲面液晶面板200的漏光區(qū)域，防止所述曲面液晶面板200出現(xiàn)漏光、串?dāng)_等缺陷，避免所述曲面液晶面板200出現(xiàn)顯示圖像失真，因此本實(shí)施例所述曲面液晶面板的制作方法所形成的所述液晶顯示面板良率高。所述制備表面230位于所述陣列基板21遠(yuǎn)離所述彩膜基板22的一側(cè)，所述黑色矩陣300形成在所述陣列基板21遠(yuǎn)離所述彩膜基板22的一側(cè)時，所述黑色矩陣300既可改善色偏，同時還可作為所述陣列基板21的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)的遮光層，用于降低光生載流子引起的漏電流偏大問題。

可以理解的，所述步驟S30為本實(shí)施例所述曲面液晶面板的制作方法的可選步驟，而非必要步驟。步驟S10所形成的所述液晶盒23為平面液晶盒，在所述液晶盒23上形成所述黑色矩陣300的難度較小，良率較高，而后再將形成有所述黑色矩陣300的所述液晶盒23彎曲成所述曲面液晶面板200所需要的形狀。所述液晶盒23還包括位于所述彩膜基板22與所述陣列基板21之間的液晶層24。

所述預(yù)定形狀對應(yīng)于所述曲面液晶面板200的形狀。舉例而言，所述曲面液晶面板200為具有預(yù)定曲率半徑的弧形，則所述預(yù)定形狀為具有預(yù)定曲率半徑的弧形。當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，所述曲面液晶面板200還可包括其他曲面形狀，所述預(yù)定形狀隨之變化。

所述掩模版的制作方法步驟S01中所述制備表面130的位置是對應(yīng)所述曲面液晶面板的制作方法步驟S10中所述制備表面230的。具體而言，當(dāng)步驟S10中的所述制備表面230位于所述陣列基板21遠(yuǎn)離所述彩膜基板22的一側(cè)時，步驟S01中的制備表面130位于所述陣列基板11遠(yuǎn)離所述彩膜基板12的一側(cè)。當(dāng)步驟S10中的所述制備表面230位于所述彩膜基板22遠(yuǎn)離所述陣列基板21的一側(cè)時，步驟S01中的制備表面130位于所述彩膜基板12遠(yuǎn)離所述陣列基板11的一側(cè)。如圖6所示，所述制備表面130位于彎曲后的所述液晶盒13的外彎面，在其他實(shí)施方式中，所述制備表面130也可位于彎曲后的所述液晶盒13的內(nèi)彎面。所述陣列基板11與所述陣列基板21結(jié)構(gòu)相同，所述彩膜基板12與所述彩膜基板22結(jié)構(gòu)相同，所述液晶盒13與所述液晶盒23結(jié)構(gòu)相同。

在一種實(shí)施方式中，所述“依據(jù)所述漏光區(qū)域14的尺寸形成對應(yīng)的掩模版100”包括：

步驟S051：提供襯底101；

步驟S052：依據(jù)所述漏光區(qū)域14的尺寸在所述襯底101上形成圖案化的凹槽102，所述凹槽102的圖形對應(yīng)于所述漏光區(qū)域14，以形成所述掩模版100。

在本實(shí)施例中，由于所述掩模版100的所述凹槽102的圖形對應(yīng)于所述漏光區(qū)域14，也即所述凹槽102的圖形對應(yīng)于所述待形成黑色矩陣300，因此可以將所述凹槽102的圖形轉(zhuǎn)印至所述曲面液晶面板200的制備表面上以形成黑色矩陣300。

在另一種實(shí)施方式中，所述“依據(jù)所述漏光區(qū)域14的尺寸形成對應(yīng)的掩模版100”包括：

步驟S051：獲取同一批次的多個所述液晶盒13的所述漏光區(qū)域14的尺寸。本步驟可通過重復(fù)步驟S01～步驟S04實(shí)現(xiàn)。

步驟S052：計算多個所述漏光區(qū)域14的尺寸的平均值，以獲得待形成黑色矩陣300的尺寸。

步驟S053：提供襯底101。

步驟S054：依據(jù)所述待形成黑色矩陣300的尺寸在所述襯底101上形成圖案化的凹槽102，所述凹槽102的圖形對應(yīng)于所述待形成黑色矩陣300，以形成所述掩模版100。

在本實(shí)施例中，所述待形成黑色矩陣300的尺寸適用于同一批次的多個所述液晶盒13，因此依據(jù)所述掩模版的制作方法所形成的所述掩模版100可適用于同一批次的所述曲面液晶面板200，從而提高大批量的所述曲面液晶面板200的生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本。

如圖8所示，作為一種可選實(shí)施例，所述漏光區(qū)域14的尺寸包括所述漏光區(qū)域14中心點(diǎn)1401與所述制備表面130中心點(diǎn)1301之間的距離和所述漏光區(qū)域14的輪廓尺寸。

在本實(shí)施例中，所述漏光區(qū)域14的尺寸是在所述制備表面130上量測的，量測的是在所述制備表面130上的尺寸。例如，若所述制備表面130為弧面，則量測弧面上的弧線距離的尺寸；若所述制備表面130為拼接的多個平面，則量測的尺寸為每個平面上的直線距離的尺寸的和。

可選的，所述漏光區(qū)域14的輪廓尺寸包括所述漏光區(qū)域14的每個輪廓邊1402的長度，例如矩形輪廓則為四邊的尺寸。在一種實(shí)施方式中，所述漏光區(qū)域14的輪廓尺寸還包括所述漏光區(qū)域14的每個輪廓端點(diǎn)1403與所述制備表面130中心點(diǎn)1301之間的距離，例如矩形輪廓的四個端點(diǎn)與所述制備表面130中心點(diǎn)之間的距離。

在一種可選實(shí)施例中，所述“通過掩模版100在所述制備表面230形成黑色矩陣300”包括：

步驟S21：在所述制備表面230上形成黑色矩陣涂層；

步驟S22：通過納米壓印技術(shù)將所述掩模版100的所述凹槽102的圖形轉(zhuǎn)印至所述黑色矩陣涂層上，以形成所述黑色矩陣300。

可選的，所述黑色矩陣涂層的厚度為0.8um至1.2um，例如1.0um。

可選的，所述納米壓印技術(shù)為熱壓印技術(shù)或激光納米壓印技術(shù)。

請繼續(xù)參閱圖10，在一種可選實(shí)施例中，所述“對盒陣列基板21和彩膜基板22以形成液晶盒23”步驟之前，所述曲面液晶面板的制作方法還包括：

在第一基板221上形成彩色濾光層222；

在所述彩色濾光層222的遠(yuǎn)離所述第一基板221的一側(cè)公共電極層223；及

在所述公共電極層223的遠(yuǎn)離所述彩色濾光層222的一側(cè)形成隔墊物224，以形成所述彩膜基板22。

可選的，所述彩色濾光層222包括輪流交替排布的紅色色阻、綠色色阻以及藍(lán)色色阻。

請繼續(xù)參閱圖11，在一種可選實(shí)施例中，所述“對盒陣列基板21和彩膜基板22以形成液晶盒23”步驟之前，所述曲面液晶面板的制作方法還包括：

在第二基板211上形成薄膜晶體管層212；

在所述薄膜晶體管層212的遠(yuǎn)離所述第二基板211的一側(cè)形成數(shù)據(jù)線213，以形成所述陣列基板21。

可選的，所述“在第二基板211上形成薄膜晶體管層212”的步驟包括：

在所述第二基板211上形成柵極層；

在所述柵極層的遠(yuǎn)離所述第二基板211的一側(cè)形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層的遠(yuǎn)離所述柵極層的一側(cè)形成半導(dǎo)體層；以及

在所述柵極絕緣層的遠(yuǎn)離所述柵極層的一側(cè)形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別連接至所述半導(dǎo)體層的兩端，以形成所述薄膜晶體管層212。

可以理解的，所述彩色濾光層也可形成在所述陣列基板21上。

可選的，若所述制備表面230位于所述第一基板221，則可薄化所述第一基板221后再形成所述黑色矩陣涂層。若所述制備表面230位于所述第二基板211，則可薄化所述第二基板211后再形成所述黑色矩陣涂層。在本實(shí)施例中，所述曲面液晶面板200的顯示質(zhì)量更高。

以上對本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。