顯示裝置的制作方法
本公開涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(lcd)裝置是被最廣泛使用的平板顯示器之一。lcd裝置包括其間具有間隔的兩個基板以及填充這兩個基板之間的間隔的液晶層，這兩個基板包括場產(chǎn)生電極，例如像素電極和公共電極。lcd裝置通過施加電壓到場產(chǎn)生電極而在液晶層中產(chǎn)生電場從而確定液晶層中的液晶分子的取向，并控制入射在其上的光的偏振，從而顯示圖像。
為了防止光泄漏，光屏蔽構(gòu)件提供在lcd裝置中。在光屏蔽構(gòu)件形成在與形成有像素電極的基板相對的基板上的情況下，光泄漏會由于這兩個基板的未對準而發(fā)生，并且顯示區(qū)域的透射率和開口率會減小。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
根據(jù)本公開的示范性實施方式，提供一種顯示裝置。該顯示裝置包括：第一基底基板；柵線，在第一基底基板上并在第一方向上延伸；數(shù)據(jù)線，在第一基底基板上、與柵線絕緣并在交叉第一方向的第二方向上延伸；開關(guān)器件，在第一基底基板上并電連接到柵線和數(shù)據(jù)線；在開關(guān)器件上的絕緣層；在絕緣層上的第一電極；光屏蔽導(dǎo)電層，直接接觸第一電極并交疊開關(guān)器件；以及第二電極，與第一電極和光屏蔽導(dǎo)電層絕緣、至少部分地交疊第一電極并電連接到開關(guān)器件。
根據(jù)本公開的示范性實施方式，提供一種顯示裝置。該顯示裝置包括：第一基底基板；柵線，在第一基底基板上并在第一方向上延伸；數(shù)據(jù)線，在第一基底基板上、與柵線絕緣并在交叉第一方向的第二方向上延伸；開關(guān)器件，在第一基底基板上并電連接到柵線和數(shù)據(jù)線；在開關(guān)器件上的絕緣層；第一電極，在絕緣層上并電連接到開關(guān)器件；第二電極，與第一電極絕緣并至少部分地交疊第一電極；以及光屏蔽導(dǎo)電層，與第一電極絕緣、直接接觸第二電極并交疊開關(guān)器件。
附圖說明
通過參照附圖詳細描述示范性實施方式，多個特征對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得明顯，在附圖中：
圖1示出根據(jù)本公開的示范性實施方式的顯示裝置的方框圖。
圖2示出圖1的顯示裝置的像素的平面圖。
圖3示出沿圖2的線x-x’截取的截面圖。
圖4示出沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
圖5示出圖3的部分p的示例的放大截面圖。
圖6示出圖3的部分p的另一示例的放大截面圖。
圖7示出圖3的部分q的放大截面圖，用于解釋圖3的光屏蔽導(dǎo)電層的示例。
圖8示出圖3的部分q的放大截面圖，用于解釋圖3的光屏蔽導(dǎo)電層的另一示例。
圖9示出圖3的部分q的放大截面圖，用于解釋圖3的光屏蔽導(dǎo)電層的另一示例。
圖10示出圖2的顯示裝置的局部放大平面圖。
圖11示出在圖3和圖4的顯示裝置的多個像素區(qū)域中的數(shù)據(jù)線、柵線、光屏蔽導(dǎo)電層和輔助光屏蔽構(gòu)件的布置的示意性平面圖。
圖12示出圖11的變型示例的平面圖。
圖13示出圖11的另一變型示例的平面圖。
圖14至圖17示出圖2至圖4的顯示裝置沿圖1的線a-a’截取的示范性截面圖。
圖18示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。
圖19示出圖18的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
圖20示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。
圖21示出圖20的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
圖22示出圖20和圖21的顯示裝置的多個像素區(qū)域中的數(shù)據(jù)線、柵線、光屏蔽導(dǎo)電層和輔助光屏蔽構(gòu)件的布置的示意性平面圖。
圖23示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。
圖24示出圖23的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
圖25示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。
圖26示出圖25的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
圖27示出圖25的部分r的示范性放大截面圖。
圖28示出圖25的部分r的另一示范性放大截面圖。
圖29至圖32示出圖25和圖26的顯示裝置沿圖1的線a-a’截取的示范性截面圖。
圖33示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。
圖34示出圖33的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
圖35示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。
圖36示出圖35的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
圖37示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。
圖38示出圖37的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
圖39示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置的像素的平面圖。
圖40示出沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。
圖41示出沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
圖42至圖45示出圖39至圖41的顯示裝置沿圖1的線a-a’截取的示范性截面圖。
圖46示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。
圖47示出圖46的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
圖48示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。
圖49示出圖48的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
圖50示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。
圖51示出圖50的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
圖52至圖55示出圖50和圖51的顯示裝置沿圖1的線a-a’截取的示范性截面圖。
圖56示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。
圖57示出圖56的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
圖58示出根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。
圖59示出圖58的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將在下面參照附圖更充分地描述示例實施方式；然而，它們可以以不同的形式實施而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實施方式。而是，提供這些實施方式使得本公開將透徹和完整，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達示范性實施方式。
在附圖中，為了圖示的清晰，可以夸大層和區(qū)域的尺寸。還將理解，當一層或元件被稱為“在”另一層或基板“上”時，它可以直接在該另一層或基板“上”，或者還可以存在居間的層。此外，將理解，當一層被稱為“在”另一層“下面”時，它可以直接在另一層下面，也可以存在一個或多個居間的層。此外，還將理解，當一層被稱為在兩個層“之間”時，它可以是這兩個層之間的僅有的層，或者也可以存在一個或多個居間的層。
這里使用的術(shù)語僅是為了描述特定示范性實施方式的目的，而不旨在限制本公開。如這里所用的，單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另有指示。還將理解，術(shù)語“包括”和/或“包含”當在本說明書中使用時，指定所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或添加。
將理解，當一元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由?、直接連接到或聯(lián)接到另一元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，當一元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”或“直接聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r，不存在居間的元件或?qū)印Ｈ邕@里所用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列項目的任何及所有組合。
將理解，盡管這里可以使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受到這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分而沒有背離這里的教導(dǎo)。
為了便于描述，這里可以使用空間關(guān)系術(shù)語諸如“在...之下”、“在...下面”、“下”、“之上”、“上”等來描述一個元件或特征與另一個(些)元件或特征如附圖所示的關(guān)系。將理解，空間關(guān)系術(shù)語旨在涵蓋除了附圖所示的取向之外器件在使用或操作中的不同的取向。例如，如果附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，被描述為“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件將于是取向為在其它元件或特征“之上”。因此，示范性術(shù)語“在...下面”可以涵蓋之上和之下兩種取向。器件可以被另外地定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它的取向)，這里使用的空間關(guān)系描述語被相應(yīng)地解釋。
除非另外限定，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有本申請所屬的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還將理解的，術(shù)語，諸如在通用詞典中限定的那些術(shù)語，應(yīng)當被解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)和本說明書的語境中的含義一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化或過度形式化的含義，除非這里明確地如此限定。
在附圖中，相同或相似的部件或元件由相同的附圖標記表示。
在下文將參照附圖描述本公開的示范性實施方式。
圖1是根據(jù)本公開的示范性實施方式的顯示裝置的方框圖。參照圖1，根據(jù)本示范性實施方式的顯示裝置1可以包括液晶顯示器(lcd)面板組件1000、柵驅(qū)動器3000、數(shù)據(jù)驅(qū)動器5000、信號控制器6000和公共電壓發(fā)生器7000。
lcd面板組件1000可以包括其中顯示圖像的顯示區(qū)域da和在顯示區(qū)域da的周邊的外圍區(qū)域ca。lcd面板組件1000的顯示區(qū)域da可以包括多個信號線(121和171)以及連接到所述多個信號線(121和171)并基本上布置為矩陣形式的多個像素px。
多個信號線(121和171)可以包括傳送柵信號的多個柵線121和傳送數(shù)據(jù)電壓的多個數(shù)據(jù)線171。柵線121可以基本上在第一方向(例如水平方向)上延伸并可以幾乎彼此平行。數(shù)據(jù)線171可以傳送對應(yīng)于圖像信號的數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)線171可以基本上在第二方向(例如垂直方向)上延伸并可以幾乎彼此平行。
每個像素px可以包括連接到柵線121之一和數(shù)據(jù)線171之一的至少一個開關(guān)器件以及連接到該開關(guān)器件的至少一個像素電極。開關(guān)器件可以是集成到lcd面板組件1000上的三端子器件，例如薄膜晶體管(tft)。開關(guān)器件可以通過經(jīng)由相應(yīng)的柵線121施加到其的柵信號而導(dǎo)通或截止，并可以將經(jīng)由數(shù)據(jù)線171提供到其的數(shù)據(jù)電壓傳送到像素電極。像素px可以根據(jù)施加到它們的各自的像素電極的數(shù)據(jù)電壓而顯示圖像。
外圍區(qū)域ca可以是其中不顯示圖像的非顯示區(qū)域的一部分。外圍區(qū)域ca可以圍繞顯示區(qū)域da或者可以沿著lcd面板組件1000的側(cè)部提供。
來自顯示區(qū)域da的柵線121和數(shù)據(jù)線171可以部分地延伸到外圍區(qū)域ca中并可以因此部分地位于外圍區(qū)域ca中。用于傳送公共電壓vcom到顯示區(qū)域da中的公共電極的電壓線131可以在外圍區(qū)域ca中。圖1示出其中電壓線131基本上在垂直方向上延伸并設(shè)置在柵驅(qū)動器3000的相反側(cè)的示例，但是本公開不限于此示例。也就是，電壓線131的布置可以改變。
公共電壓發(fā)生器7000可以電連接到lcd面板組件1000的電壓線131。公共電壓發(fā)生器7000可以產(chǎn)生公共電壓vcom并可以供應(yīng)公共電壓vcom到電壓線131。顯示區(qū)域da中的公共電極可以電連接到電壓線131并可以因此被提供有公共電壓vcom。在一些示范性實施方式中，公共電極可以部分地延伸到外圍區(qū)域ca中并可以因此經(jīng)由外圍區(qū)域ca中的外接觸孔187被電連接和物理連接到電壓線131。在一些示范性實施方式中，公共電壓發(fā)生器7000可以與數(shù)據(jù)驅(qū)動器5000或者柵驅(qū)動器3000集成在一起。
信號控制器6000可以控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器5000和柵驅(qū)動器3000。信號控制器6000從外部圖形控制器(未示出)接收輸入圖像信號和用于控制輸入圖像信號的顯示的輸入控制信號。輸入控制信號可以包括垂直同步信號、水平同步信號、主時鐘信號和數(shù)據(jù)使能信號。信號控制器6000可以通過基于輸入圖像信號和輸入控制信號適當?shù)靥幚磔斎雸D像信號而將輸入圖像信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字圖像信號dat，并可以產(chǎn)生柵控制信號cont1和數(shù)據(jù)控制信號cont2。柵控制信號cont1可以包括用于開始掃描的掃描起始信號、用于控制柵極導(dǎo)通電壓von的輸出周期的至少一個時鐘信號、以及至少一個低電壓。數(shù)據(jù)控制信號cont2包括用于開始對于一行像素px的數(shù)字圖像信號dat的傳送的水平同步起始信號、加載信號、以及數(shù)據(jù)時鐘信號。信號控制器6000可以傳送數(shù)據(jù)控制信號cont2、柵控制信號cont1以及數(shù)字圖像信號dat到柵驅(qū)動器3000和數(shù)據(jù)驅(qū)動器5000。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器5000電連接到lcd面板組件1000的數(shù)據(jù)線171。數(shù)據(jù)驅(qū)動器5000從信號控制器600接收數(shù)據(jù)控制信號cont2和數(shù)字圖像信號dat，通過選擇對應(yīng)于數(shù)字圖像信號dat的灰度電壓而將數(shù)字圖像信號dat轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)信號，并將模擬數(shù)據(jù)信號施加到數(shù)據(jù)線171?；叶入妷喊ㄏ鄬τ诠搽妷簐com具有正電平的灰度電壓以及相對于公共電壓vcom具有負電平的灰度電壓。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器5000可以以多個集成電路(ic)芯片的形式安裝在lcd面板組件1000的外圍區(qū)域ca中，或者可以安裝在柔性印刷電路膜上并可以然后以帶載封裝(tcp)的形式安裝在根據(jù)本示范性實施方式的顯示裝置中，或者可以安裝在印刷電路板(pcb)上。
柵驅(qū)動器3000電連接到柵線121。柵驅(qū)動器3000根據(jù)從信號控制器6000提供到其的柵控制信號cont1而產(chǎn)生包括柵極導(dǎo)通電壓von和柵極截止電壓voff的柵信號，并將該柵信號供應(yīng)到柵線121。柵極導(dǎo)通電壓von是施加到顯示區(qū)域da中的像素px的tft的柵極端子從而使像素px的tft導(dǎo)通的電壓，柵極截止電壓voff是施加到像素px的tft的柵極端子從而使px的tft截止的電壓。在一些示范性實施方式中，柵驅(qū)動器3000可以集成在lcd面板組件1000的外圍區(qū)域ca中。
圖2是圖1的顯示裝置1的像素px的平面圖。圖3是沿圖2的線x-x’截取的截面圖。圖4是沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
參照圖1至圖4，根據(jù)圖1的示范性實施方式的顯示裝置1(具體地，顯示裝置1的lcd面板組件1000)可以包括陣列基板10、面對陣列基板10的相對基板20、以及在陣列基板10和相對基板20之間的液晶層30。顯示裝置1還可以包括在陣列基板10和相對基板20之間的間隔物構(gòu)件cs。
陣列基板10可以是tft陣列基板，在其上形成用于驅(qū)動液晶層30中的液晶分子的開關(guān)器件，例如tft。相對基板20可以是面對陣列基板10的基板。
液晶層30可以包括具有介電各向異性的多個液晶分子。響應(yīng)于施加在陣列基板10和相對基板20之間的電場，液晶分子可以在陣列基板10和相對基板20之間在預(yù)定方向上旋轉(zhuǎn)，從而允許或阻擋光的透射。表述“液晶分子的旋轉(zhuǎn)”當在這里使用時，不僅表示液晶分子的實際旋轉(zhuǎn)，而且包括液晶分子的配向通過電場而改變。
下文將描述陣列基板10。第一基底基板110可以是絕緣基板并可以是透明的。例如，第一基底基板110可以是玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。第一基底基板110可以包括具有高耐熱性的聚合物或塑料材料。在一些示范性實施方式中，第一基底基板110可以具有柔性。也就是，第一基底基板110可以是能夠通過滾壓、折疊、彎曲等而變形的基板。
柵線121和柵電極124可以在第一基底基板110上。柵線121可以傳送柵信號并可以基本上在第一方向(例如x軸方向)上延伸。柵電極124可以從柵線121突出并可以連接到柵線121。柵線121和柵電極124可以由鋁(al)基金屬諸如al或al合金、銀(ag)基金屬諸如ag或ag合金、銅(cu)基金屬諸如cu或cu合金、鉬(mo)基金屬諸如mo或mo合金、鉻(cr)、鉭(ta)、鈦(ti)或類似物形成。柵線121和柵電極124的每個可以具有單層結(jié)構(gòu)或者可以具有包括具有不同物理性質(zhì)的兩個導(dǎo)電膜的多層結(jié)構(gòu)。例如，該兩個導(dǎo)電膜中的一個可以由低電阻金屬(例如al基金屬、ag基金屬、cu基金屬或類似物)形成，從而減小柵布線(121和124)中的信號延遲或者電壓降，另一個導(dǎo)電膜可以由具有關(guān)于銦錫氧化物(ito)和銦鋅氧化物(izo)的優(yōu)良接觸性質(zhì)的材料(諸如mo基金屬、cr、ti、ta或類似物)形成。柵線121和柵電極124的每個的多層結(jié)構(gòu)的示例包括cr下膜和al上膜的組合或者al下膜和mo上膜的組合，但是本公開不限于此。也就是，柵線121和柵電極124可以采用除了這里闡述的金屬和導(dǎo)體之外的各種金屬和導(dǎo)體形成。
柵絕緣層140可以在柵線121和柵電極124上。柵絕緣層140可以由絕緣材料(例如硅氮化物或者硅氧化物)形成。柵絕緣層140可以具有單層結(jié)構(gòu)或者可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理性質(zhì)的兩個絕緣膜。
半導(dǎo)體層154可以在柵絕緣層140上并可以部分地交疊柵電極124。半導(dǎo)體層154可以包括非晶硅、多晶硅、氧化物半導(dǎo)體等。
多個歐姆接觸構(gòu)件(163和165)可以在半導(dǎo)體層154上。歐姆接觸構(gòu)件(163和165)可以包括在源電極173(在后面詳細描述)之下的源極歐姆接觸構(gòu)件163以及在漏電極175之下的漏極歐姆接觸構(gòu)件165。歐姆接觸構(gòu)件(163和165)可以由摻雜有高濃度n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅形成或者由硅化物形成。
源電極173可以在源極歐姆接觸構(gòu)件163上，漏電極175可以在漏極歐姆接觸構(gòu)件165上，數(shù)據(jù)線171可以在柵絕緣層140上。
數(shù)據(jù)線171可以傳送數(shù)據(jù)電壓并可以基本上在交叉第一方向(例如x軸方向)的第二方向(例如y軸方向)上延伸以交叉柵線121。像素區(qū)域pa可以由數(shù)據(jù)線171和柵線121限定。像素區(qū)域pa可以是圖1的每個像素px所在的區(qū)域。像素區(qū)域pa包括像素電極191位于其中的第一像素區(qū)域pa1和將在后面描述的tfttr位于其中的第二像素區(qū)域pa2。
在一些示范性實施方式中，數(shù)據(jù)線171可以被周期性地彎曲從而提高顯示裝置1的透射率。例如，數(shù)據(jù)線171可以被彎曲成v形，如圖2所示，從而最大化顯示裝置1的透射率。
在一些示范性實施方式中，半導(dǎo)體圖案151和數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161可以提供在數(shù)據(jù)線171和柵絕緣層140之間?？蛇x地，數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161可以設(shè)置在半導(dǎo)體圖案151和數(shù)據(jù)線171之間。半導(dǎo)體圖案151可以包括與半導(dǎo)體層154相同的材料，數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161可以包括與源極歐姆接觸構(gòu)件163和漏極歐姆接觸構(gòu)件165相同的材料。
在一些示范性實施方式中，當半導(dǎo)體層154和半導(dǎo)體圖案151由氧化物半導(dǎo)體形成時，可以不提供源極歐姆接觸構(gòu)件163、漏極歐姆接觸構(gòu)件165和數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161。
源電極173可以連接到數(shù)據(jù)線171并可以交疊柵電極124。在一些示范性實施方式中，源電極173可以設(shè)置在與數(shù)據(jù)線171基本上相同的線上而沒有從數(shù)據(jù)線171突出，如圖2所示，但是本公開不限于此。也就是，源電極173可以從數(shù)據(jù)線171突出到柵電極124之上。
漏電極175可以在柵電極124上方與源電極173分開并可以面對源電極173。漏電極175可以包括基本上平行于源電極173延伸的條形部分以及關(guān)于該條形部分在源電極173的相反側(cè)的延伸部分。
數(shù)據(jù)線171、源電極173以及漏電極175可以由al、cu、ag、mo、cr、ti、ta、或者其合金形成，并可以每個具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括由難熔金屬形成的下膜和形成在下膜上的低電阻上膜，但是本公開不限于此。也就是，數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可以采用除了這里闡述的金屬和導(dǎo)體之外的各種金屬和導(dǎo)體形成。
柵電極124、源電極173和漏電極175可以與半導(dǎo)體層154一起形成開關(guān)器件，例如tfttr。tfttr可以提供在像素區(qū)域pa的第二像素區(qū)域pa2中。
第一鈍化層180a可以在柵絕緣層140、半導(dǎo)體層154、源電極173和漏電極175上。第一鈍化層180a可以包括有機絕緣材料或者無機絕緣材料(例如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等)。第一鈍化層180a可以保護tfttr并可以防止絕緣層180b中包括的材料滲入半導(dǎo)體層154中。
絕緣層180b可以在第一鈍化層180a上。在一些示范性實施方式中，絕緣層180b可以用于平坦化第一鈍化層180a的頂部。絕緣層180b可以是有機層。在一些示范性實施方式中，絕緣層180b可以包括光敏有機絕緣材料。
在一些示范性實施方式中，絕緣層180b還可以包括彩色顏料。例如，絕緣層180b可以包括能夠允許特定顏色波長的光從其透射的彩色顏料。也就是，絕緣層180b可以包括多個濾色器。例如，濾色器可以透射諸如紅色、綠色和藍色的基色之一，但是不限于此?？蛇x地，濾色器可以透射青色、品紅、黃色和白色(或者帶白色的顏色)之一。然而，本公開不限于這些示范性實施方式。也就是，絕緣層180b可以不包括任何彩色顏料。在另一些示范性實施方式中，濾色器可以被另外地提供在陣列基板10或者相對基板20處。
第一電極270可以在絕緣層180b上。在一些示范性實施方式中，第一電極270可以是公共電極。第一電極270可以具有平面形狀，可以像板(plate)一樣在第一基底基板110上，并可以被提供有預(yù)定大小的公共電壓vcom。第一電極270可以包括在對應(yīng)于漏電極175的一部分的區(qū)域中的第一開口273。在一些示范性實施方式中，第一電極270可以由透明導(dǎo)電材料(例如ito、izo、銦錫鋅氧化物(itzo)或者鋁摻雜的鋅氧化物(azo))形成。
光屏蔽導(dǎo)電層280可以在第一電極270上。光屏蔽導(dǎo)電層280可以沿著柵線121延伸的第一方向(例如x軸方向)形成。光屏蔽導(dǎo)電層280可以位于像素區(qū)域pa的第二像素區(qū)域pa2中，但是可以不提供在第一像素區(qū)域pa1中。光屏蔽導(dǎo)電層280可以交疊tfttr并且還可以交疊柵線121。光屏蔽導(dǎo)電層280可以防止入射在其上的光的透射并且還可以防止tfttr或者柵線121變得從顯示裝置1的外部可見。
光屏蔽導(dǎo)電層280可以包括在對應(yīng)于漏電極175的一部分的區(qū)域中的第二開口283。在平面圖中，第二開口283可以交疊第一開口273。第一電極270和光屏蔽導(dǎo)電層280之間的關(guān)系將在下文參照圖5和圖6描述。
圖5是圖3的部分p的示例的放大截面圖。圖6是圖3的部分p的另一示例的放大截面圖。
參照圖3、圖5和圖6，在一些示范性實施方式中，第一電極270的第一開口內(nèi)側(cè)273a和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口內(nèi)側(cè)283a可以基本上設(shè)置在相同的直線(即直線l1)上。例如，第一電極270的第一開口273和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283可以通過利用相同的蝕刻掩模濕法蝕刻第一電極270和光屏蔽導(dǎo)電層280而形成。因此，第一電極270的第一開口內(nèi)側(cè)273a和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口內(nèi)側(cè)283a可以都設(shè)置在直線l1上。換言之，第一電極270的第一開口273和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283可以共用相同的蝕刻表面。表述“兩個或更多元件共用相同的蝕刻表面”當在這里使用時，表示兩個或更多元件被一起蝕刻使得它們的蝕刻表面連續(xù)地連接到彼此。
可選地，參照圖2、圖3和圖6，第一電極270的第一開口內(nèi)側(cè)273a和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口內(nèi)側(cè)283a可以不設(shè)置在相同的直線上。例如，第二開口內(nèi)側(cè)283a可以比第一開口內(nèi)側(cè)273a更遠離接觸孔185。第一開口內(nèi)側(cè)273a和第二開口內(nèi)側(cè)283a之間的最小距離d1可以在0μm至0.3μm之間。第一電極270的第一開口273和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283可以通過利用相同的蝕刻掩模蝕刻第一電極270和光屏蔽導(dǎo)電層280而形成。當?shù)谝浑姌O270和光屏蔽導(dǎo)電層280利用相同的蝕刻掩模被濕法蝕刻時，光屏蔽導(dǎo)電層280可以被首先蝕刻，從而形成第二開口283，然后第一電極270可以被蝕刻，從而形成第一開口273。由于第二開口283與第一開口273相比可以暴露到蝕刻劑相對更長的一段時間，所以第二開口283可以在第一開口273的形成期間被超出必要地蝕刻。結(jié)果，第一開口內(nèi)側(cè)273a可以比第二開口內(nèi)側(cè)283a更靠近接觸孔185。
返回參照圖1至圖4，在一些示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以由具有光屏蔽性能的導(dǎo)體(例如不透明金屬)形成。例如，該不透明金屬可以是低電阻金屬諸如al基金屬、mo基金屬、ti基金屬、ag基金屬或者cu基金屬。在一些示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以具有
可選地，在一些其它的示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以形成為濃度梯度層，其具有透明導(dǎo)電材料和具有光屏蔽性能的不透明金屬的濃度梯度。例如，不透明金屬可以是低電阻金屬諸如al基金屬、mo基金屬、ti基金屬、ag基金屬或者cu基金屬，透明導(dǎo)電材料可以是ito、izo、鋅氧化物(zno)、銦氧化物(io)、錫氧化物(to)、itzo或者azo。濃度梯度層的折射率可以由于不透明金屬和透明導(dǎo)電材料的濃度的連續(xù)變化而連續(xù)改變。在一些示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以具有4或者更高的光密度并可以因此能夠吸收入射在其上的光而不反射該入射光。光屏蔽導(dǎo)電層280中的不透明金屬和透明導(dǎo)電材料的含量可以根據(jù)光屏蔽導(dǎo)電層280的深度或者沿著光屏蔽導(dǎo)電層280的厚度方向連續(xù)改變。術(shù)語“厚度方向”當在這里使用時，可以表示垂直于光屏蔽導(dǎo)電層280的表面的方向，例如沿著z軸。
將在下文參照圖7和圖8描述光屏蔽導(dǎo)電層280作為濃度梯度層的示例。圖7是圖3的部分q的放大截面圖，用于解釋圖3的光屏蔽導(dǎo)電層280的示例。圖8是圖3的部分q的放大截面圖，用于解釋圖3的光屏蔽導(dǎo)電層280的另一示例。
參照圖2、圖3和圖7，光屏蔽導(dǎo)電層280中的透明導(dǎo)電材料的含量可以靠近相對基板20而逐漸增加，光屏蔽導(dǎo)電層280中的不透明金屬的含量可以靠近第一基底基板110而逐漸增加。
可選地，參照圖2、圖3和圖8，光屏蔽導(dǎo)電層280中的不透明金屬的含量可以靠近光屏蔽導(dǎo)電層280的中心而逐漸增加，光屏蔽導(dǎo)電層280中的透明導(dǎo)電材料的含量可以靠近光屏蔽導(dǎo)電層280的兩個表面(即沿著z軸的邊緣)而逐漸增加。含量可以沿著x-y平面是相同的，同時沿著z軸改變。
光屏蔽導(dǎo)電層280中的不透明金屬和透明導(dǎo)電材料的濃度梯度不限于圖7和圖8的示例，而是可以改變。
在一些示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以具有多層結(jié)構(gòu)。在下文將參照圖9描述具有多層結(jié)構(gòu)的示范性光屏蔽導(dǎo)電層280。
圖9是圖3的部分q的放大截面圖，用于解釋圖3的光屏蔽導(dǎo)電層280的另一示例。參照圖2、圖3和圖9，在一些示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以包括光屏蔽金屬層280a和低反射層280b。
光屏蔽金屬層280a可以在第一電極270上并可以直接接觸第一電極270。光屏蔽金屬層280a可以由具有光屏蔽性能的導(dǎo)體(例如不透明金屬)形成。例如，不透明金屬可以是低電阻金屬，例如al基金屬、mo基金屬、ti基金屬、ag基金屬、cu基金屬等。在一些示范性實施方式中，光屏蔽金屬層280a可以具有
低反射層280b可以在光屏蔽金屬層280a上。在一些示范性實施方式中，低反射層280b可以直接接觸光屏蔽金屬層280a并可以在光屏蔽金屬層280a和第二鈍化層180c之間。低反射層280b可以防止光被光屏蔽金屬層280a反射并可以降低光屏蔽導(dǎo)電層280的光反射率。因此，可以減小或者防止由于光的反射而在陣列基板10中發(fā)生的對比度的下降。
在一些示范性實施方式中，低反射層280b可以包括導(dǎo)電材料，并且該導(dǎo)電材料可以是透明導(dǎo)電材料。例如，透明導(dǎo)電材料可以是izo、zno、鎵鋅氧化物(gzo)、鋅銦氧化物(zio)以及鋁摻雜的鋅氧化物(zao)中的至少一種。在一些示范性實施方式中，低反射層280b可以具有
圖9示出其中光屏蔽導(dǎo)電層280具有雙層結(jié)構(gòu)的示例，但是本公開不限于此示例。在一些示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以具有由三個或更多層組成的多層結(jié)構(gòu)。
返回參照圖2至圖4，光屏蔽導(dǎo)電層280可以直接在第一電極270上并可以直接接觸第一電極270。也就是，光屏蔽導(dǎo)電層280可以物理連接和電連接到第一電極270。當?shù)谝浑姌O270由透明導(dǎo)電材料諸如ito或者izo形成時，大的rc延遲可以由于透明導(dǎo)電材料的固有電阻而產(chǎn)生。然而，由于光屏蔽導(dǎo)電層280直接接觸第一電極270，所以光屏蔽導(dǎo)電層280可以降低第一電極270的電阻并可以因此減小或者消除rc延遲。
第二鈍化層180c可以在第一電極270和光屏蔽導(dǎo)電層280上。第二鈍化層180c可以包括無機絕緣材料諸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。第二鈍化層180c可以防止或者抑制絕緣層180b從位于其下面的層剝離并可以抑制或者消除液晶層30被有機材料諸如來自絕緣層180b的溶劑污染，從而減少或者防止在顯示裝置1的驅(qū)動期間可能發(fā)生的缺陷諸如余像。
暴露漏電極175的接觸孔185可以穿過第一鈍化層180a、絕緣層180b和第二鈍化層180c形成。接觸孔185可以在第一電極270的第一開口273和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283的內(nèi)側(cè)。也就是，第一電極270的第一開口273和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283可以圍繞接觸孔185。
第二電極191可以在第二鈍化層180c上，并可以位于像素區(qū)域pa的第一像素區(qū)域pa1中。在一些示范性實施方式中，第二電極191可以是像素電極。第二電極191可以至少部分地交疊第一電極270。第二電極191可以包括交疊第一電極270的多個分支電極192、以及形成在分支電極192之間的狹縫92。
在一些示范性實施方式中，第二電極191的分支電極192可以基本上平行于數(shù)據(jù)線171延伸，例如可以依照數(shù)據(jù)線171的輪廓。例如，當數(shù)據(jù)線171被彎曲時，每個分支電極192可以形成為具有彎曲的邊緣。
第二電極191可以部分地延伸到第二像素區(qū)域pa2中并可以因此經(jīng)由接觸孔185被電連接和物理連接到漏電極175。結(jié)果，第二電極191可以從漏電極175接收電壓。第二電極191可以由透明導(dǎo)電材料諸如ito、izo、itzo或azo形成。
盡管沒有被具體地示出，但是配向?qū)涌梢栽诘诙姌O191上以及在第二鈍化層180c上。配向?qū)涌梢允撬脚湎驅(qū)硬⒖梢跃哂芯鶆虻哪Σ练较?，但是本公開不限于此。也就是，配向?qū)涌梢园ü夥磻?yīng)材料并可以被光學(xué)地配向。
在下文將描述相對基板20。相對基板20可以包括第二基底基板210和光屏蔽構(gòu)件221，并且還可以包括輔助光屏蔽構(gòu)件223。
像第一基底基板110一樣，第二基底基板210可以是透明絕緣基板。第二基底基板210可以包括具有高耐熱性的聚合物或塑料材料。在一些示范性實施方式中，第二基底基板210可以具有柔性。
光屏蔽構(gòu)件221可以在第二基底基板210的面對第一基底基板110的第一表面上。光屏蔽構(gòu)件221可以交疊接觸孔185并可以因此防止或減少在接觸孔185周圍的區(qū)域中的光泄漏。在一些示范性實施方式中，光屏蔽構(gòu)件221可以形成為島的圖案。光屏蔽構(gòu)件221可以交疊接觸孔周圍的區(qū)域的未被光屏蔽導(dǎo)電層280覆蓋的部分。換言之，在平面圖中，光屏蔽構(gòu)件221可以完全覆蓋光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283，如將在后面具體地描述的。
光屏蔽構(gòu)件221可以包括光屏蔽顏料(例如炭黑)或者對可見光不透明的材料(例如cr)、光敏有機材料等。
在一些示范性實施方式中，輔助光屏蔽構(gòu)件223可以另外地提供在第二基底基板210的第一表面上。輔助光屏蔽構(gòu)件223可以沿著數(shù)據(jù)線171延伸的方向形成并可以交疊數(shù)據(jù)線171。在平面圖中，輔助光屏蔽構(gòu)件223可以完全覆蓋數(shù)據(jù)線171。像光屏蔽構(gòu)件221一樣，輔助光屏蔽構(gòu)件223可以包括光屏蔽顏料(例如炭黑)或者不透明的材料(諸如cr)、光敏有機材料等。在一些示范性實施方式中，輔助光屏蔽構(gòu)件223可以由與光屏蔽構(gòu)件221相同的材料形成。
間隔物構(gòu)件cs保持彼此面對的陣列基板10和相對基板20之間的間隔。間隔物構(gòu)件cs可以在第二基底基板210的第一表面上并可以沿著z軸朝向陣列基板10突出。在一些示范性實施方式中，間隔物構(gòu)件cs可以由有機絕緣材料形成并可以具有光敏性。
在一些示范性實施方式中，間隔物構(gòu)件cs可以包括光屏蔽顏料并可以由與光屏蔽構(gòu)件221相同的材料形成，在此情況下，間隔物構(gòu)件cs和光屏蔽構(gòu)件221可以利用單個光掩模同時形成。光掩?？梢园◤钠渫干涔獾墓馔干鋮^(qū)、阻擋光的透射的光不透射區(qū)、以及僅從其透射一些光的半色調(diào)區(qū)，半色調(diào)區(qū)可以對應(yīng)于光屏蔽構(gòu)件221。然而，本公開不限于這些示范性實施方式。也就是，在另一些示范性實施方式中，間隔物構(gòu)件cs可以由透明絕緣材料形成。為了提高開口率，間隔物構(gòu)件cs可以交疊tfttr。
盡管沒有被具體地示出，但是配向?qū)涌梢栽诘诙谆?10的第一表面上、在間隔物構(gòu)件cs上以及在光屏蔽構(gòu)件221上。配向?qū)涌梢允撬脚湎驅(qū)硬⒖梢跃哂芯鶆虻哪Σ练较?，但是本公開不限于此。也就是，配向?qū)涌梢园ü夥磻?yīng)材料并可以被光學(xué)地配向。
圖10是圖2的顯示裝置1的局部放大平面圖。更具體地，圖10是示出在圖2的接觸孔280中以及周圍的光屏蔽導(dǎo)電層280和光屏蔽構(gòu)件221的布置的示意性平面圖。
參照圖10，在平面圖中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以沿著第一方向(例如x軸方向)和第二方向(例如y軸方向)完全覆蓋柵線121。
光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283可以設(shè)置為圍繞接觸孔185。換言之，在平面圖中，接觸孔185可以設(shè)置在第二開口283內(nèi)。
在平面圖中，光屏蔽構(gòu)件221可以交疊接觸孔185和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283，并可以完全覆蓋光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283。例如，在平面圖中，第二開口283在第一方向(例如x軸方向)上的最大寬度wx1可以小于或等于光屏蔽構(gòu)件221在第一方向(例如x軸方向)上的最大寬度wx2，并且第二開口283在第二方向(例如y軸方向)上的最大寬度wy1可以小于或等于光屏蔽構(gòu)件221在第二方向(例如y軸方向)上的最大寬度wy2。換言之，在平面圖中，光屏蔽構(gòu)件221的側(cè)部可以位于第二開口283的內(nèi)側(cè)之外。因此，光屏蔽構(gòu)件221不僅可以防止或者減少接觸孔185周圍的區(qū)域中的光泄漏而且可以防止或減少第二開口283周圍的區(qū)域中的光泄漏。
圖11是示出在圖3或圖4的顯示裝置1的多個像素區(qū)域pa中的數(shù)據(jù)線171、柵線121、光屏蔽導(dǎo)電層280以及輔助光屏蔽構(gòu)件223的布置的示意性平面圖。為了方便起見，形成在光屏蔽導(dǎo)電層280中的第二開口283沒有在圖11中示出。
參照圖11，在平面圖中，像柵線121一樣，光屏蔽導(dǎo)電層280可以在第一方向(例如x軸方向)上延伸，并且可以交疊并覆蓋柵線121。在平面圖中，像數(shù)據(jù)線171一樣，輔助光屏蔽構(gòu)件223可以在第二方向(例如y軸方向)上延伸，并且可以交疊并覆蓋數(shù)據(jù)線171。
在第二方向(例如y軸方向)上彼此相鄰的輔助光屏蔽構(gòu)件223可以彼此間隔開使光屏蔽導(dǎo)電層280插置在其間。例如，輔助光屏蔽構(gòu)件223可以不交疊柵線121。輔助光屏蔽構(gòu)件223可以根本不交疊或者可以僅部分地交疊覆蓋柵線121的光屏蔽導(dǎo)電層280。
光屏蔽導(dǎo)電層280和輔助光屏蔽構(gòu)件223的布置不限于圖11中示出的，而是可以改變。
圖12是圖11的變型示例的平面圖。參照圖12，像圖11的其對應(yīng)物一樣，光屏蔽導(dǎo)電層280可以在第一方向(例如x軸方向)上延伸并可以覆蓋柵線121；不同于圖11的其對應(yīng)物，輔助光屏蔽構(gòu)件223可以在第二方向(例如y軸方向)上延伸而沒有斷開并可以部分地交疊柵線121和光屏蔽導(dǎo)電層280。
圖13是圖11的另一變型示例的平面圖。參照圖13，像圖12的其對應(yīng)物一樣，輔助光屏蔽構(gòu)件223可以在第二方向(例如y軸方向)上延伸而沒有斷開并可以部分地交疊柵線121。不同于圖11的其對應(yīng)物，在第一方向(例如x軸方向)上彼此相鄰的光屏蔽導(dǎo)電層280可以彼此間隔開并使數(shù)據(jù)線171和輔助光屏蔽構(gòu)件223插置在其間。例如，在平面圖中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以不交疊數(shù)據(jù)線171。在平面圖中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以根本不交疊或者可以僅部分地交疊覆蓋數(shù)據(jù)線171的輔助光屏蔽構(gòu)件223。
光屏蔽導(dǎo)電層280和輔助光屏蔽構(gòu)件223的布置不限于圖12或13中示出的，而是可以改變。
在下文將參照圖14至圖17并進一步參照圖1至圖13描述顯示裝置1的外圍區(qū)域ca的結(jié)構(gòu)，主要著重于陣列基板10。在圖1至圖17中，相同的附圖標記表示相同的元件，因此，將不重復(fù)其詳細說明。圖14至圖17是圖2至圖4的顯示裝置沿圖1的線a-a’截取的示范性截面圖。
參照圖1和圖14，電壓線131可以在外圍區(qū)域ca中的第一基底基板110上。在一些示范性實施方式中，電壓線131可以在與柵線121相同的層上并可以包括與柵線121相同的材料。然而，本公開不限于這些示范性實施方式。在另一些示范性實施方式中，電壓線131可以在與數(shù)據(jù)線171相同的層上并可以包括與數(shù)據(jù)線171相同的材料。在隨后的說明中，假設(shè)電壓線131在與柵線121相同的層上。
在一些示范性實施方式中，柵絕緣層140、第一鈍化層180a以及絕緣層180b可以順序地設(shè)置在電壓線131上。更具體地，第一電極270可以在絕緣層180b上，光屏蔽導(dǎo)電層280可以在第一電極270上。第二鈍化層180c可以在光屏蔽導(dǎo)電層280上。然而，本公開不限于這些示范性實施方式。在另一些示范性實施方式中，絕緣層180b可以不提供在外圍區(qū)域ca中。
柵絕緣層140、第一鈍化層180a、絕緣層180b以及第二鈍化層180c可以包括從其延伸穿過的外部接觸孔187，外部接觸孔187暴露電壓線131。
第一電極270和電壓線131可以經(jīng)由連接電極591電連接到彼此，并可以從電壓線131接收公共電壓vcom。例如，第二鈍化層180c還可以包括部分地暴露光屏蔽導(dǎo)電層280的輔助接觸孔189。連接電極591可以在第二鈍化層180c上。連接電極591可以經(jīng)由外部接觸孔187電連接和物理地連接到電壓線131，并可以經(jīng)由輔助接觸孔189電連接和物理地連接到光屏蔽導(dǎo)電層280。也就是，光屏蔽導(dǎo)電層280可以直接接觸連接電極591，并且連接電極591可以直接接觸電壓線131。由于光屏蔽導(dǎo)電層280直接接觸第一電極270，所以供給到電壓線131的公共電壓可以經(jīng)由連接電極591和光屏蔽導(dǎo)電層280提供到第一電極270。
在一些示范性實施方式中，連接電極591可以在與第二電極191相同的層上并可以包括與第二電極191相同的材料。然而，第一電極270和電壓線131之間的電連接不限于圖14中示出的示例，而是可以改變。
可選地，參照圖1和圖15，不同于圖14的其對應(yīng)物，光屏蔽導(dǎo)電層280可以至少不提供在外圍區(qū)域ca中的第一電極270上。第二鈍化層180c的輔助接觸孔189可以部分地暴露第一電極270。連接電極591可以經(jīng)由外部接觸孔187電連接和物理地連接到電壓線131，并可以經(jīng)由輔助接觸孔189電連接和物理地連接到第一電極270。也就是，第一電極270可以直接接觸連接電極591。
可選地，參照圖1和圖16，不同于圖14的其對應(yīng)物，連接電極591可以根本不被提供。例如，第二鈍化層180c可以不包括輔助接觸孔(圖14的189)，第一電極270可以經(jīng)由外部接觸孔187物理連接和電連接到電壓線131。也就是，第一電極270可以直接接觸電壓線131。此外，光屏蔽導(dǎo)電層280可以沿著第一電極270延伸并直接接觸第一電極270。
可選地，參照圖1和圖17，不同于圖16的其對應(yīng)物，第一電極270可以至少不提供在外圍區(qū)域ca中。光屏蔽導(dǎo)電層280可以經(jīng)由外部接觸孔187物理連接和電連接到電壓線131。也就是，光屏蔽導(dǎo)電層280可以直接接觸電壓線131。供給到電壓線131的公共電壓vcom可以經(jīng)由光屏蔽導(dǎo)電層280提供到接觸光屏蔽導(dǎo)電層280的第一電極270。
在顯示裝置1中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以被提供為接觸第一電極270。因此，第一電極270的電阻可以減小，其中需要提供光屏蔽構(gòu)件221的區(qū)域可以通過利用光屏蔽導(dǎo)電層280阻擋光的透射而減小，顯示裝置1的開口率和透射率可以被提高。此外，由于光的透射可以利用陣列基板10上的光屏蔽導(dǎo)電層280來阻擋，所以可以減少或消除可能由陣列基板10和相對基板20之間的未對準引起的光泄漏的可能性。
在下文將描述本公開的另一些示范性實施方式。在圖2至圖4的示范性實施方式的說明以及隨后的說明中，相同的或者相似的部件或元件由相同的附圖標記表示。
圖18是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖，圖19是圖18的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
參照圖18和圖19，顯示裝置1a可以包括陣列基板10a、相對基板20a以及液晶層30。顯示裝置1a還可以包括在陣列基板10a和相對基板20a之間的間隔物構(gòu)件cs1。
顯示裝置1a可以與以上已經(jīng)參照圖2至圖17描述的顯示裝置1(具體地，圖2和圖3的顯示裝置1)基本上相同或相似，除了光屏蔽構(gòu)件321和輔助光屏蔽構(gòu)件323都在陣列基板10a上而不是在相對基板20a上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1a的第一電極270和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖14至圖17描述的基本上相同。因此，在下文將描述顯示裝置1a，主要著重于與顯示裝置1的差異。
光屏蔽構(gòu)件321可以提供在對應(yīng)于接觸孔185的區(qū)域中以覆蓋接觸孔185并可以減少或防止在接觸孔185周圍的區(qū)域中的光泄漏的發(fā)生。像圖10的其對應(yīng)物一樣，光屏蔽構(gòu)件321可以覆蓋光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283并可以減少或防止在第二開口283周圍的區(qū)域中的光泄漏的發(fā)生。光屏蔽構(gòu)件321可以消除接觸孔185周圍的區(qū)域中的任何高度差并可以因此平坦化該區(qū)域。在一些示范性實施方式中，光屏蔽構(gòu)件321可以形成為島的圖案。光屏蔽構(gòu)件321可以包括光屏蔽顏料(例如炭黑)或不透明材料(諸如cr)，還可以包括光敏有機材料等。
輔助光屏蔽構(gòu)件323可以在陣列基板10a上并可以交疊數(shù)據(jù)線171。像光屏蔽構(gòu)件321一樣，輔助光屏蔽構(gòu)件323可以包括光屏蔽顏料(例如炭黑)或不透明材料(諸如cr)、光敏有機材料等。在一些示范性實施方式中，輔助光屏蔽構(gòu)件323可以由與光屏蔽構(gòu)件321相同的材料形成。輔助光屏蔽構(gòu)件323和光屏蔽導(dǎo)電層280的布置可以與以上參照圖11至圖13描述的基本上相同或者相似。
間隔物構(gòu)件cs1可以在第二鈍化層180c上并可以朝向相對基板20a突出。間隔物構(gòu)件cs1可以保持陣列基板10a和相對基板20a之間的間隔。
在一些示范性實施方式中，間隔物構(gòu)件cs1可以由有機絕緣材料形成并可以具有光敏性。在一些示范性實施方式中，間隔物構(gòu)件cs1可以包括光屏蔽顏料并可以由與光屏蔽構(gòu)件321相同的材料形成，在此情況下，間隔物構(gòu)件cs1和光屏蔽構(gòu)件321可以通過利用單個光掩模(例如半色調(diào)掩模)被同時形成。當輔助光屏蔽構(gòu)件323和光屏蔽構(gòu)件321由相同的材料形成時，間隔物構(gòu)件cs1、光屏蔽構(gòu)件321以及輔助光屏蔽構(gòu)件323可以利用單個光掩模被同時形成。
間隔物構(gòu)件cs1可以設(shè)置為交疊tfttr以提高顯示裝置1a的開口率。相對基板20a可以包括第二基底基板210。
圖20是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。圖21是圖20的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。參照圖20和圖21，顯示裝置1b可以包括陣列基板10b、相對基板20b以及液晶層30。顯示裝置1b還可以包括設(shè)置在陣列基板10b和相對基板20b之間的間隔物構(gòu)件cs。
顯示裝置1b可以與以上已經(jīng)參照圖2至圖17描述的顯示裝置1(具體地，圖2和圖3的顯示裝置1)基本上相同或相似，除了輔助光屏蔽構(gòu)件423在陣列基板10b上并且光屏蔽構(gòu)件221在相對基板20b上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1b的第一電極270和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖14至圖17描述的基本上相同。
輔助光屏蔽構(gòu)件423可以在陣列基板10b上并可以交疊數(shù)據(jù)線171。輔助光屏蔽構(gòu)件423可以在第一電極270和第二鈍化層180c之間，并可以包括具有光屏蔽性質(zhì)的導(dǎo)體，例如不透明的金屬。在一些示范性實施方式中，輔助光屏蔽構(gòu)件423可以包括與光屏蔽導(dǎo)電層280相同的材料。在一些示范性實施方式中，輔助光屏蔽構(gòu)件423可以具有與光屏蔽導(dǎo)電層280相同的結(jié)構(gòu)。例如，當光屏蔽導(dǎo)電層280具有單層結(jié)構(gòu)時，輔助光屏蔽構(gòu)件423也可以具有單層結(jié)構(gòu)，并且當光屏蔽導(dǎo)電層280具有多層結(jié)構(gòu)時，輔助光屏蔽構(gòu)件423也可以具有多層結(jié)構(gòu)。當光屏蔽導(dǎo)電層280具有濃度梯度時，輔助光屏蔽構(gòu)件423也可以具有濃度梯度。也就是，輔助光屏蔽構(gòu)件423可以在與光屏蔽導(dǎo)電層280相同的層上并由與光屏蔽導(dǎo)電層280相同的材料形成。
相對基板20b可以包括第二基底基板210和光屏蔽構(gòu)件221。間隔物構(gòu)件cs可以在相對基板20b的面對陣列基板10b的第一表面上并可以朝向陣列基板10b突出，但是本公開不限于此。也就是，圖18的間隔物構(gòu)件cs1也可以適用于顯示裝置1b。
顯示裝置1b的輔助光屏蔽構(gòu)件423和光屏蔽導(dǎo)電層280將在下文參照圖22更詳細地描述。圖22是示出在圖20和圖21的顯示裝置1b的多個像素區(qū)域pa中的數(shù)據(jù)線171、柵線121、光屏蔽導(dǎo)電層280、以及輔助光屏蔽構(gòu)件423的布置的示意性平面圖。
參照圖20至圖22，在顯示裝置1b中，輔助光屏蔽構(gòu)件423和光屏蔽導(dǎo)電層280可以物理地連接到彼此。也就是，光屏蔽導(dǎo)電層280和輔助光屏蔽構(gòu)件423可以彼此成一體。在平面圖中，覆蓋柵線121的光屏蔽導(dǎo)電層280和覆蓋數(shù)據(jù)線171的輔助光屏蔽構(gòu)件423可以彼此成一體從而形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
圖23是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。圖24是圖23的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
參照圖23和圖24，顯示裝置1c可以包括陣列基板10c、相對基板20a以及液晶層30。顯示裝置1c還可以包括設(shè)置在陣列基板10c和相對基板20a之間的間隔物構(gòu)件cs1。
顯示裝置1c可以與以上已經(jīng)參照圖2至圖17描述的顯示裝置1(具體地，圖2至圖4的顯示裝置1)基本上相同或相似，除了光屏蔽構(gòu)件321和輔助光屏蔽構(gòu)件423都在陣列基板10c上而不是在相對基板20a上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1c的第一電極270和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖14至圖17描述的基本上相同。
光屏蔽構(gòu)件321與圖18和圖19中的其對應(yīng)物基本上相同，輔助光屏蔽構(gòu)件423與圖20至圖22中的其對應(yīng)物基本上相同。因此，在下文將描述顯示裝置1c，主要著重于與圖18和圖19的顯示裝置1a以及圖20至圖22的顯示裝置1b的差異。
相對基板20a可以包括第二基底基板210。間隔物構(gòu)件cs1可以設(shè)置在第二鈍化層180c上并可以朝向相對基板20a突出。
圖25是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。圖26是圖25的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
參照圖25和圖26，顯示裝置1d可以包括陣列基板10d、相對基板20以及液晶層30。顯示裝置1d還可以包括在陣列基板10d的外表面和相對基板20的外表面上的一對偏振器。
顯示裝置1d可以與以上已經(jīng)參照圖2至圖17描述的顯示裝置1(具體地，圖2至圖4的顯示裝置1)基本上相同或相似，除了光屏蔽導(dǎo)電層280在第一電極270之下以外。因此，在下文將描述顯示裝置1d，主要著重于與圖2至圖4的顯示裝置1的差異。
光屏蔽導(dǎo)電層280可以在第一電極270之下，具體地在第一電極270和絕緣層180b之間。光屏蔽導(dǎo)電層280可以直接接觸第一電極270。
在下文將參照圖27和圖28描述顯示裝置1d的第一電極270和光屏蔽導(dǎo)電層280之間的關(guān)系。圖27是圖25的部分r的示范性放大截面圖，圖28是圖25的部分r的另一示范性放大截面圖。
參照圖25至圖27，在一些示范性實施方式中，第一電極270的第一開口內(nèi)側(cè)273a和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口內(nèi)側(cè)283a可以基本上設(shè)置在相同的直線(也就是直線l2)上。例如，第一電極270的第一開口273和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283可以通過利用相同的蝕刻掩模濕法蝕刻第一電極270和光屏蔽導(dǎo)電層280而形成。因此，第一電極270的第一開口內(nèi)側(cè)273a和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口內(nèi)側(cè)283a可以都設(shè)置在直線l2上。換言之，第一電極270的第一開口273和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283可以共用相同的蝕刻表面。
可選地，參照圖25、圖26和圖28，第一電極270的第一開口內(nèi)側(cè)273a和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口內(nèi)側(cè)283a可以不設(shè)置在相同的直線上。例如，第一開口內(nèi)側(cè)273a可以比第二開口內(nèi)側(cè)283a更遠離接觸孔185。第一開口內(nèi)側(cè)273a和第二開口內(nèi)側(cè)283a之間的最小距離d2可以為0μm至0.3μm。第一電極270的第一開口273和光屏蔽導(dǎo)電層280的第二開口283可以通過利用相同的蝕刻掩模蝕刻第一電極270和光屏蔽導(dǎo)電層280而形成。當?shù)谝浑姌O270和光屏蔽導(dǎo)電層280利用相同的蝕刻掩模被濕法蝕刻時，第一電極270可以被首先蝕刻，從而形成第一開口273，然后光屏蔽導(dǎo)電層280可以被蝕刻，從而形成第二開口283。由于第一開口273與第二開口283相比可以被暴露到蝕刻劑相對更長的一段時間，所以第一開口273會在第二開口283的形成期間被超出必要地蝕刻。結(jié)果，第二開口內(nèi)側(cè)283a可以比第一開口內(nèi)側(cè)273a更靠近接觸孔185。
在下文將參照圖29至圖32并進一步參照圖25至圖27描述顯示裝置1d的外圍區(qū)域ca的結(jié)構(gòu)，主要著重于陣列基板10d。圖29至圖32是圖25和26的顯示裝置1d沿圖1的線a-a’截取的示范性截面圖。
參照圖1和圖29，電壓線131可以在外圍區(qū)域ca中的第一基底基板110上。
在一些示范性實施方式中，柵絕緣層140、第一鈍化層180a以及絕緣層180b可以順序地設(shè)置在電壓線131上。光屏蔽導(dǎo)電層280可以在絕緣層180b上并且第一電極270可以在光屏蔽導(dǎo)電層280上。第二鈍化層180c可以在第一電極270上。然而，本公開不限于這些示范性實施方式。在另一些示范性實施方式中，絕緣層180b可以至少不提供在外圍區(qū)域ca中。
柵絕緣層140、第一鈍化層180a、絕緣層180b以及第二鈍化層180c可以包括暴露電壓線131的外部接觸孔187。
第一電極270和電壓線131可以經(jīng)由連接電極591電連接到彼此，并可以從電壓線131接收公共電壓vcom。例如，第二鈍化層180c還可以包括輔助接觸孔189，其部分地暴露第一電極270。連接電極591可以設(shè)置在第二鈍化層180c上。連接電極591可以經(jīng)由外部接觸孔187電連接和物理地連接到電壓線131，并可以經(jīng)由輔助接觸孔189電連接和物理地連接到第一電極270。
在一些示范性實施方式中，連接電極591可以在與第二電極191相同的層上并可以包括與第二電極191相同的材料。
可選地，參照圖1和圖30，不同于圖29的其對應(yīng)物，第一電極270可以至少不在外圍區(qū)域ca中的光屏蔽導(dǎo)電層280上。第二鈍化層180c的輔助接觸孔189可以部分地暴露光屏蔽導(dǎo)電層280。連接電極591可以經(jīng)由外部接觸孔187電連接和物理地連接到電壓線131，并可以經(jīng)由輔助接觸孔189電連接和物理地連接到光屏蔽導(dǎo)電層280。
可選地，參照圖1和圖31，不同于圖29的其對應(yīng)物，可以根本不提供連接電極591。例如，第二鈍化層180c可以不包括輔助接觸孔(圖29的189)，并且光屏蔽導(dǎo)電層280可以經(jīng)由外部接觸孔187物理連接和電連接到電壓線131。供給到電壓線131的公共電壓vcom可以經(jīng)由光屏蔽導(dǎo)電層280提供到接觸光屏蔽導(dǎo)電層280的第一電極270。
可選地，參照圖1和圖32，不同于圖29的其對應(yīng)物，光屏蔽導(dǎo)電層280可以至少不提供在外圍區(qū)域ca中。第一電極270可以經(jīng)由外部接觸孔187物理連接和電連接到電壓線131。
圖33是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖，圖34是圖33的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
參照圖33和圖34，顯示裝置1e可以包括陣列基板10e、相對基板20a以及液晶層30。顯示裝置1e還可以包括在陣列基板10e和相對基板20a之間的間隔物構(gòu)件cs1。
顯示裝置1e可以與以上已經(jīng)參照圖25至圖27描述的顯示裝置1d(具體地，圖25和圖26的顯示裝置1d)基本上相同或相似，除了光屏蔽構(gòu)件321和輔助光屏蔽構(gòu)件323都在陣列基板10e上而不是在相對基板20a上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1e的第一電極270和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖29至圖32描述的基本上相同。因此，將不重復(fù)顯示裝置1e的詳細說明。
圖35是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。圖36是圖35的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
參照圖35和圖36，顯示裝置1f可以包括陣列基板10f、相對基板20b以及液晶層30。顯示裝置1f還可以包括在陣列基板10f和相對基板20b之間的間隔物構(gòu)件cs。
顯示裝置1f可以與以上已經(jīng)參照圖25至圖27描述的顯示裝置1d(具體地，圖25和圖26的顯示裝置1d)基本上相同或相似，除了光屏蔽構(gòu)件221在相對基板20b上并且輔助光屏蔽構(gòu)件423在陣列基板10f上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1f的第一電極270和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖29至圖32描述的基本上相同。在下文將描述顯示裝置1f，主要著重于與圖25和圖26的顯示裝置1d的差異。
輔助光屏蔽構(gòu)件423可以在陣列基板10f上并可以交疊數(shù)據(jù)線171。輔助光屏蔽構(gòu)件423可以在絕緣層180b和第一電極270之間，并可以包括具有光屏蔽性能的導(dǎo)體例如不透明的金屬。在一些示范性實施方式中，輔助光屏蔽構(gòu)件423可以在與光屏蔽導(dǎo)電層280相同的層上并由與光屏蔽導(dǎo)電層280相同的材料形成。輔助光屏蔽構(gòu)件423的其它特征可以與圖20至圖22的輔助光屏蔽構(gòu)件423的那些特征基本上相同或相似，因此將不重復(fù)其詳細說明。
圖37是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖2的線x-x’截取的截面圖。圖38是圖37的顯示裝置沿圖2的線y-y’截取的截面圖。
參照圖37和圖38，顯示裝置1g可以包括陣列基板10g、相對基板20a以及液晶層30。顯示裝置1g還可以包括在陣列基板10g和相對基板20a之間的間隔物構(gòu)件cs1。
顯示裝置1g可以與以上已經(jīng)參照圖25至圖27描述的顯示裝置1d(具體地，圖25和圖26的顯示裝置1d)基本上相同或相似，除了光屏蔽構(gòu)件321和輔助光屏蔽構(gòu)件423都在陣列基板10g上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1g的第一電極270和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖29至圖32描述的基本上相同。在下文將描述顯示裝置1f，主要著重于與圖25和圖26的顯示裝置1d的差異。光屏蔽構(gòu)件321與圖18和圖19的其對應(yīng)物基本上相同，輔助光屏蔽構(gòu)件423與圖35和圖36的其對應(yīng)物基本上相同。
圖39是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置的像素的平面圖。圖40是沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。圖41是沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
參照圖39至圖41，顯示裝置1h可以包括陣列基板10h、面對陣列基板10h的相對基板20c以及在陣列基板10h和相對基板20c之間的液晶層30。顯示裝置1還可以包括在陣列基板10h和相對基板20c之間的間隔物構(gòu)件cs。在下文將描述顯示裝置1h，主要著重于與圖2至圖17的顯示裝置1的差異。
陣列基板10h可以是tft陣列基板，在其上形成用于驅(qū)動液晶層30中的液晶分子的開關(guān)器件，例如tft。相對基板20c可以是面對陣列基板10h的基板。液晶層30可以包括具有介電各向異性的多個液晶分子。
在下文將描述陣列基板10h。柵線121和柵電極124可以在第一基底基板110上，第一基底基板110可以由透明的玻璃或塑料形成。柵線121可以傳送柵信號并可以基本上在第一方向(例如x軸方向)上延伸。柵電極124可以從柵線121突出并可以連接到柵線121。
柵絕緣層140可以在柵線121和柵電極124上。半導(dǎo)體層154可以在柵絕緣層140上并可以部分地交疊柵電極124。
多個歐姆接觸構(gòu)件(163和165)可以在半導(dǎo)體層154上。歐姆接觸構(gòu)件(163和165)可以包括在源電極173之下的源極歐姆接觸構(gòu)件163以及在漏電極175之下的漏極歐姆接觸構(gòu)件。
源電極173、漏電極175和數(shù)據(jù)線171可以分別在源極歐姆接觸構(gòu)件163、漏極歐姆接觸構(gòu)件165和柵絕緣層140上。
數(shù)據(jù)線171可以傳送數(shù)據(jù)電壓并可以基本上在交叉第一方向的第二方向(例如y軸方向)上延伸以交叉柵線121。在一些示范性實施方式中，像素區(qū)域pa可以由數(shù)據(jù)線171和柵線121限定。像素區(qū)域pa包括像素電極391位于其中的第一像素區(qū)域pa1和tfttr位于其中的第二像素區(qū)域pa2。
在一些示范性實施方式中，數(shù)據(jù)線171可以被周期性地彎曲從而提高顯示裝置1h的透射率，如圖39所示。
在一些示范性實施方式中，半導(dǎo)體圖案151和數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161可以提供在數(shù)據(jù)線171和柵絕緣層140之間。在一些示范性實施方式中，在半導(dǎo)體層154和半導(dǎo)體圖案151由氧化物半導(dǎo)體形成的情況下，可以不提供源極歐姆接觸構(gòu)件163、漏極歐姆接觸構(gòu)件165和數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161。
源電極173可以連接到數(shù)據(jù)線171并可以交疊柵電極124。漏電極175可以在柵電極124上方與源電極173分開并可以面對源電極173。漏電極175可以包括基本上平行于源電極173延伸的條形部分以及關(guān)于該條形部分在源電極173的相反側(cè)的延伸部分。
柵電極124、源電極173和漏電極175可以與半導(dǎo)體層154一起形成tfttr。tfttr可以提供在像素區(qū)域pa的第二像素區(qū)域pa2中。
第一鈍化層180a可以在柵絕緣層140、半導(dǎo)體層154、源電極173和漏電極175上。
絕緣層180b可以在第一鈍化層180a上。在一些示范性實施方式中，絕緣層180b可以具有平坦化第一鈍化層180a的頂部的功能。
在一些示范性實施方式中，絕緣層180b還可以包括彩色顏料。例如，絕緣層180b可以包括能夠允許特定顏色的波長的光從其透射的彩色顏料。然而，本公開不限于這些示范性實施方式。也就是，在另一些示范性實施方式中，濾色器可以被另外提供在陣列基板10h或相對基板20c處。
部分地暴露漏電極175的接觸孔185可以穿過第一鈍化層180a和絕緣層180b形成。
第一電極391可以在絕緣層180b上。在一些示范性實施方式中，第一電極391可以是像素電極。第一電極391可以具有平面形狀，也就是，可以是板形。第一電極391可以在第一像素區(qū)域pa1中并可以部分地延伸到第二像素區(qū)域pa2，并且可以因此經(jīng)由接觸孔185電連接和物理地連接到漏電極175。結(jié)果，第一電極391可以從漏電極175接收電壓。
在一些示范性實施方式中，第一電極391可以由透明導(dǎo)電材料形成，并且透明導(dǎo)電材料可以是例如ito、izo、itzo或者azo。
第二鈍化層180c可以在第一電極391和絕緣層180b上。第二鈍化層180c可以包括無機絕緣材料諸如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等。第二鈍化層180c可以減少或防止絕緣層180b從下面的層剝離并可以抑制或消除液晶層30被來自絕緣層180b的有機材料諸如溶劑污染。
第二電極370可以在第二鈍化層180c上。在一些示范性實施方式中，第二電極370可以是公共電極。第二電極370可以具有平面形狀，可以在第一基底基板110上作為板，并可以被提供有預(yù)定大小的公共電壓vcom。在一些示范性實施方式中，第二電極370可以至少部分地位于接觸孔185中。
在一些示范性實施方式中，第二電極370可以由透明導(dǎo)電材料形成，并且透明導(dǎo)電材料可以是例如ito、izo、itzo或者azo。
第二電極370可以至少部分地交疊第一電極191。多個狹縫372可以形成在第二電極370中。
在一些示范性實施方式中，在數(shù)據(jù)線171被彎曲的情況下，第二電極370可以形成為具有基本上平行于數(shù)據(jù)線171延伸的彎曲的邊緣。
光屏蔽導(dǎo)電層280可以在第二電極370上。光屏蔽導(dǎo)電層280可以沿著柵線121延伸的第一方向(例如水平方向)形成。在一些示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以位于像素區(qū)域pa的第二像素區(qū)域pa2中，但是可以不提供在第一像素區(qū)域pa1中。光屏蔽導(dǎo)電層280可以交疊tfttr。在一些示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280也可以交疊柵線121。
在一些示范性實施方式中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以至少部分地位于接觸孔185中并可以覆蓋接觸孔185。
光屏蔽導(dǎo)電層280的其它特征可以與圖2至圖17的光屏蔽導(dǎo)電層280的那些特征基本上相同或相似，因此將不重復(fù)其詳細說明。
在下文將描述相對基板20c。相對基板20c可以包括面對陣列基板10h的第二基底基板210以及輔助光屏蔽構(gòu)件223。
像第一基底基板110一樣，第二基底基板210可以是透明的絕緣基板。第二基底基板210可以包括具有高耐熱性的聚合物或塑料材料。在一些示范性實施方式中，第二基底基板210可以具有柔性。
輔助光屏蔽構(gòu)件223可以沿著數(shù)據(jù)線171延伸的方向形成并可以完全交疊數(shù)據(jù)線171。在平面圖中，輔助光屏蔽構(gòu)件223可以完全覆蓋數(shù)據(jù)線171。輔助光屏蔽構(gòu)件223可以包括光屏蔽顏料(例如炭黑)、或者不透明的材料(諸如cr)、光敏有機材料等。輔助光屏蔽構(gòu)件223的其它特征可以與圖2至圖17的輔助光屏蔽構(gòu)件223的那些特征基本上相同或相似，因此將不重復(fù)其詳細說明。
保持陣列基板10h和相對基板20c之間的間隔的間隔物構(gòu)件cs可以在陣列基板10h和相對基板20c之間。間隔物構(gòu)件cs可以保持陣列基板10h和相對基板20c之間的間隔。間隔物構(gòu)件cs可以由有機絕緣材料形成并可以具有光敏性。在一些示范性實施方式中，間隔物構(gòu)件cs可以由與輔助光屏蔽構(gòu)件223相同的材料形成。在一些示范性實施方式中，間隔物構(gòu)件cs可以交疊tfttr。在一些示范性實施方式中，間隔物構(gòu)件cs可以設(shè)置在光屏蔽導(dǎo)電層280上，但是本公開不限于此。也就是，在另一些示范性實施方式中，間隔物構(gòu)件cs可以設(shè)置在相對基板20c上。間隔物構(gòu)件cs的其它特征可以與圖2至圖17的間隔物構(gòu)件cs的那些特征基本上相同或相似，因此將不重復(fù)其詳細說明。
在顯示裝置1h中，沒有提供額外的光屏蔽構(gòu)件用于覆蓋接觸孔185。因此，顯示裝置1h的制造和結(jié)構(gòu)可以被進一步簡化。
在下文將參照圖42至圖45并進一步參照圖39至圖41描述顯示裝置1h的外圍區(qū)域ca的結(jié)構(gòu)，主要著重于陣列基板10h。圖42至圖45是圖39至圖41的顯示裝置1h沿圖1的線a-a’截取的示范性截面圖。
參照圖1和圖42，電壓線131可以在外圍區(qū)域ca中的第一基底基板110上。柵絕緣層140、第一鈍化層180a、絕緣層180b以及第二鈍化層180c可以順序地設(shè)置在電壓線131上。柵絕緣層140、第一鈍化層180a、絕緣層180b以及第二鈍化層180c可以包括暴露電壓線131的外部接觸孔187。
連接電極791可以在絕緣層180b上。連接電極791可以經(jīng)由外部接觸孔187電連接和物理連接到電壓線131。在一些示范性實施方式中，連接電極791可以在與第一電極391相同的層上并由與第一電極391相同的材料形成。第二鈍化層180c可以在絕緣層180b上并可以被至少部分地去除以暴露連接電極791。
第二電極370和光屏蔽導(dǎo)電層280可以順序地設(shè)置在絕緣層180b和第二鈍化層180c上。第二電極370可以電連接和物理地連接到連接電極791。結(jié)果，響應(yīng)于公共電壓vcom被施加到電壓線131，公共電壓vcom可以經(jīng)由連接電極791被提供到第二電極370。
可選地，參照圖1和圖43，不同于圖42的其對應(yīng)物，第二電極370可以至少不提供在外圍區(qū)域ca中的第二鈍化層180c上。光屏蔽導(dǎo)電層280可以電連接和物理地連接到連接電極791。結(jié)果，響應(yīng)于公共電壓vcom被施加到電壓線131，公共電壓vcom可以經(jīng)由連接電極791和光屏蔽導(dǎo)電層280被提供到第二電極370。
可選地，參照圖1和圖44，不同于圖42的其對應(yīng)物，可以根本不提供連接電極791。例如，第二鈍化層180c可以從外部接觸孔187周圍至少部分地去除以暴露電壓線131，并且第二電極370可以經(jīng)由外部接觸孔187物理連接和電連接到電壓線131。
可選地，參照圖1和圖45，不同于圖44的其對應(yīng)物，第二電極370可以不提供在至少外圍區(qū)域ca中。第二鈍化層180c可以從外部接觸孔187周圍至少部分地去除以暴露電壓線131，并且光屏蔽導(dǎo)電層280可以經(jīng)由外部接觸孔187物理連接和電連接到電壓線131。
在顯示裝置1h中，光屏蔽導(dǎo)電層280可以提供為接觸第二電極370。因此，可以減小第二電極370的電阻，其中需要提供光屏蔽構(gòu)件的區(qū)域可以通過利用光屏蔽導(dǎo)電層280阻擋光的透射而減小，并且顯示裝置1h的開口率和透射率可以提高。此外，由于可以利用陣列基板10h上的光屏蔽導(dǎo)電層280阻擋光的透射，所以可以不需要用于覆蓋接觸孔185的額外的光屏蔽構(gòu)件。因此，可以減少可能由陣列基板10h和相對基板20c之間的未對準引起的光泄漏的可能性。
圖46是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。圖47是圖46的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
參照圖46和圖47，顯示裝置1i可以包括陣列基板10i、相對基板20a以及液晶層30。顯示裝置1i還可以包括在陣列基板10i和相對基板20a之間的間隔物構(gòu)件cs1。
顯示裝置1i可以與以上已經(jīng)參照圖39至圖45描述的顯示裝置1h(具體地，圖39至圖41的顯示裝置1h)基本上相同或相似，除了輔助光屏蔽構(gòu)件323在陣列基板10i上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1i的第二電極370和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖42至圖45描述的基本上相同。輔助光屏蔽構(gòu)件323和間隔物構(gòu)件cs1的其它特征可以與圖18和圖19的輔助光屏蔽構(gòu)件323和間隔物構(gòu)件cs1的那些特征基本上相同或相似，因此將不重復(fù)其詳細說明。
圖48是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。圖49是圖48的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
參照圖48和圖49，顯示裝置1j可以包括陣列基板10j、相對基板20a以及液晶層30。顯示裝置1j還可以包括在陣列基板10j和相對基板20a之間的間隔物構(gòu)件cs。
顯示裝置1j可以與以上已經(jīng)參照圖39至圖45描述的顯示裝置1h(具體地，圖39至圖41的顯示裝置1h)基本上相同或相似，除了輔助光屏蔽構(gòu)件423在陣列基板10j上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1j的第二電極370和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖42至圖45描述的基本上相同。
輔助光屏蔽構(gòu)件423可以在第二電極370上并可以交疊數(shù)據(jù)線171。輔助光屏蔽構(gòu)件423和間隔物構(gòu)件cs的其它特征可以與圖20至圖22的輔助光屏蔽構(gòu)件423和間隔物構(gòu)件cs的那些特征基本上相同或相似，因此將不重復(fù)其詳細說明。
圖50是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。圖51是圖50的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
參照圖50和圖51，顯示裝置1k可以包括陣列基板10k、相對基板20a以及液晶層30。顯示裝置1k還可以包括在陣列基板10k和相對基板20a之間的間隔物構(gòu)件cs。
顯示裝置1k可以與以上已經(jīng)參照圖39至圖45描述的顯示裝置1h(具體地，圖39至圖41的顯示裝置1h)基本上相同或相似，除了光屏蔽導(dǎo)電層280在第二電極370之下以外。更具體地，光屏蔽導(dǎo)電層280可以在第二電極370之下，具體地在第二電極370和第二鈍化層180c之間，并可以直接接觸第二電極370。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1k的第二電極370和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖42至圖45描述的基本上相同。
在下文將參照圖52至圖55并且還參照圖50和圖51描述顯示裝置1k的外圍區(qū)域ca的結(jié)構(gòu)，主要著重于陣列基板10k。
圖52至圖55是圖50和圖51的顯示裝置1k沿圖1的線a-a’截取的示范性截面圖。參照圖1和圖52，電壓線131可以在外圍區(qū)域ca中的第一基底基板110上。
柵絕緣層140、第一鈍化層180a、絕緣層180b以及第二鈍化層180c可以包括暴露電壓線131的外部接觸孔187。
連接電極791可以在絕緣層180b上。連接電極791可以經(jīng)由外部接觸孔187物理連接和電連接到電壓線131。連接電極791可以在與第一電極391相同的層上并由與第一電極391相同的材料形成。
第二鈍化層180c可以在絕緣層180b上并可以被至少部分地去除以暴露連接電極791。
光屏蔽導(dǎo)電層280和第二電極370可以順序地設(shè)置在絕緣層180b和第二鈍化層180c上。光屏蔽導(dǎo)電層280可以電連接和物理地連接到連接電極791。結(jié)果，響應(yīng)于公共電壓vcom被施加到電壓線131，公共電壓vcom可以經(jīng)由連接電極791和光屏蔽導(dǎo)電層280被提供到第二電極370。
可選地，參照圖1和圖53，不同于圖52的其對應(yīng)物，光屏蔽導(dǎo)電層280可以至少不提供在外圍區(qū)域ca中的第二鈍化層180c上。在光屏蔽導(dǎo)電層280上的第二電極370可以電連接和物理地連接到連接電極791。結(jié)果，響應(yīng)于公共電壓vcom被施加到電壓線131，公共電壓vcom可以經(jīng)由連接電極791被提供到第二電極370。
可選地，參照圖1和圖54，不同于圖52的其對應(yīng)物，可以根本不提供連接電極791。例如，第二鈍化層180c可以從外部接觸孔187周圍至少部分地去除以暴露電壓線131，并且光屏蔽導(dǎo)電層280可以經(jīng)由外部接觸孔187物理連接和電連接到電壓線131。
可選地，參照圖1和圖55，不同于圖52的其對應(yīng)物，光屏蔽導(dǎo)電層280可以不提供在至少外圍區(qū)域ca中。第二鈍化層180c可以從外部接觸孔187周圍至少部分地去除以暴露電壓線131，并且第二電極370可以經(jīng)由外部接觸孔187物理連接和電連接到電壓線131。
圖56是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖，圖57是圖56的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
參照圖56和圖57，顯示裝置1l可以包括陣列基板10l、相對基板20a以及液晶層30。顯示裝置1l還可以包括在陣列基板10l和相對基板20a之間的間隔物構(gòu)件cs1。
顯示裝置1l可以與以上已經(jīng)參照圖39至圖45描述的顯示裝置1h(具體地，圖39至圖41的顯示裝置1h)基本上相同或相似，除了輔助光屏蔽構(gòu)件323設(shè)置在陣列基板10l上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1l的第二電極370和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖52至圖55描述的基本上相同。輔助光屏蔽構(gòu)件323和間隔物構(gòu)件cs1的其它特征可以與圖18和圖19的輔助光屏蔽構(gòu)件323和間隔物構(gòu)件cs1的那些特征基本上相同或相似，因此將不重復(fù)其詳細說明。
圖58是根據(jù)本公開的另一示范性實施方式的顯示裝置沿圖39的線xa-xa’截取的截面圖。圖59是圖58的顯示裝置沿圖39的線ya-ya’截取的截面圖。
參照圖58和圖59，顯示裝置1m可以包括陣列基板10m、相對基板20a以及液晶層30。顯示裝置1m還可以包括在陣列基板10m和相對基板20a之間的間隔物構(gòu)件cs。
顯示裝置1m可以與以上已經(jīng)參照圖39至圖45描述的顯示裝置1h(具體地，圖39至圖41的顯示裝置1h)基本上相同或相似，除了輔助光屏蔽構(gòu)件423設(shè)置在陣列基板10m上之外。在外圍區(qū)域(圖1的ca)中的顯示裝置1m的第二電極370和電壓線131之間的電連接可以與以上參照圖52至圖55描述的基本上相同。
輔助光屏蔽構(gòu)件423可以設(shè)置在第二電極370下面并可以交疊數(shù)據(jù)線171。輔助光屏蔽構(gòu)件423和間隔物構(gòu)件cs的其它特征可以與圖20至圖22的輔助光屏蔽構(gòu)件423和間隔物構(gòu)件cs的那些特征基本上相同或相似，因此將不重復(fù)其詳細說明。
作為總結(jié)和回顧，本公開的示范性實施方式提供一種具有提高的透射率和開口率的顯示裝置。
這里已經(jīng)公開了示例實施方式，盡管采用了特定術(shù)語，但是它們應(yīng)當僅以一般性的和描述性的含義來解釋而不是為了限制的目的。在一些情況下，對于本申請所屬的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員將是明顯的，結(jié)合特定實施方式描述的特征、特性和/或元件可以單獨地使用，或者與結(jié)合其它實施方式描述的特征、特性和/或元件組合地使用，除非明確地另外指示。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在形式和細節(jié)上進行各種變化而沒有背離由權(quán)利要求書闡述的本發(fā)明的精神和范圍。
于2015年12月24日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的名稱為“顯示裝置”的韓國專利申請第10-2015-0186529號通過引用整體結(jié)合于此。
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