本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種液晶面板及液晶顯示器。

背景技術(shù)：

隨著光電與半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn)，也帶動(dòng)了平板顯示器(Flat Panel Display)的蓬勃發(fā)展，而在諸多平板顯示器中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無(wú)輻射以及低電磁干擾等諸多優(yōu)越特性，已被應(yīng)用于生產(chǎn)生活的各個(gè)方面。

液晶顯示器通常為背光型液晶顯示器，其包括相對(duì)設(shè)置的液晶面板和背光模塊。液晶面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板(即對(duì)盒的彩膜基板(CF基板)和陣列基板(Array基板))當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板通過(guò)向液晶分子通電與否來(lái)控制液晶分子改變方向，從而將背光模塊的光線折射出來(lái)產(chǎn)生影像。

目前CF基板上設(shè)置的黑色矩陣(BM)與Array基板上設(shè)置的薄膜晶體管相對(duì)對(duì)應(yīng)，從而該黑色矩陣能夠有效阻擋環(huán)境中的光線對(duì)薄膜晶體管的有源層進(jìn)行照射，但是光線通過(guò)衍射和液晶的反射等方式依然會(huì)照射到薄膜晶體管的有源層上，從而引起薄膜晶體管電性曲線漂移。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種能夠避免通過(guò)衍射和液晶的反射等方式形成的光線照射到薄膜晶體管的有源層上的液晶面板及液晶顯示器。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種液晶面板，其包括：陣列基板，包括第一基板以及陣列排布在所述第一基板上的多個(gè)薄膜晶體管；彩膜基板，與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置，所述彩膜基板包括第二基板以及設(shè)置于所述第二基板上的黑色矩陣，與所述薄膜晶體管相對(duì)的部分黑色矩陣延伸抵接在所述陣列基板上。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種液晶面板，其包括：陣列基板，包括第一基板以及陣列排布在所述第一基板上的多個(gè)薄膜晶體管；彩膜基板，與所述彩膜基板對(duì)盒設(shè)置，所述彩膜基板包括第二基板以及設(shè)置于所述第二基板上的黑色矩陣，所述黑色矩陣延伸抵接在所述陣列基板上。

進(jìn)一步地，所述彩膜基板還包括：多個(gè)彩色光阻塊，所述黑色矩陣在所述第二基板上限定出陣列排布的多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)彩色光阻塊設(shè)置于對(duì)應(yīng)的一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管包括：柵極，設(shè)置于所述第一基板上；柵極絕緣層，設(shè)置于所述柵極和所述第一基板上；有源層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上；源極和漏極，設(shè)置于所述有源層和所述柵極絕緣層上。

進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括：絕緣保護(hù)層，設(shè)置在所述有源層、所述源極和所述漏極上，所述絕緣保護(hù)層上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極上方的過(guò)孔；像素電極，設(shè)置于所述絕緣保護(hù)層上，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔接觸所述漏極；其中，與所述薄膜晶體管相對(duì)的部分黑色矩陣延伸抵接在所述絕緣保護(hù)層上或者所述黑色矩陣延伸抵接在所述絕緣保護(hù)層上。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，又提供了一種液晶顯示器，其包括上述的液晶面板。

本發(fā)明的有益效果：彩膜基板的黑色矩陣全部或者與薄膜晶體管相對(duì)的部分延伸凸起，以與陣列基板的絕緣保護(hù)層抵接接觸，從而使通過(guò)衍射和液晶的反射等方式形成的光線不會(huì)照射到薄膜晶體管的半導(dǎo)體層上，進(jìn)而不會(huì)引起薄膜晶體管電性曲線漂移。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的彩膜基板的俯視圖；

圖2是圖1所示的彩膜基板的側(cè)視圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的彩膜基板的俯視圖；

圖5是圖4所示的彩膜基板的側(cè)視圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。

在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度。將理解的是，在一元件被稱為設(shè)置于另一元件“之上”或“上”時(shí)，它可以直接設(shè)置于該另一元件上，或者也可以存在中間元件。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的彩膜基板的俯視圖。圖2是圖1所示的彩膜基板的側(cè)視圖。

參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的彩膜基板100包括：第一基板110、黑色矩陣120、多個(gè)彩色光阻塊130。應(yīng)當(dāng)理解的是，彩膜基板100還可以包括其他合適類型的元件。

第一基板110可例如是透明的玻璃基板或者樹(shù)脂基板，但本發(fā)明并不限制于此。

黑色矩陣120設(shè)置在第一基板110之上且限定出多個(gè)像素區(qū)域PX。這些像素區(qū)域PX呈陣列排布。

多個(gè)彩色光阻塊130設(shè)置在第一基板110之上，且每個(gè)彩色光阻塊130位于其對(duì)應(yīng)的一個(gè)第像素區(qū)域PX中。在本實(shí)施例中，所述彩色光阻塊130為紅色光阻塊或綠色光阻塊或藍(lán)色光阻塊，但本發(fā)明并不限制于此，例如彩色光阻塊130可以為任何合適顏色(諸如白色)的光阻塊。所述多個(gè)彩色光阻塊130包括紅色光阻塊、綠色光阻塊和藍(lán)色光阻塊。在本實(shí)施例中，可以以紅色光阻塊、綠色光阻塊和藍(lán)色光阻塊為一光阻塊單元陣列排布。

在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，黑色矩陣120的部分延伸以凸起，其凸起的高度能夠抵接在與彩膜基板100對(duì)盒設(shè)置的陣列基板上。這里，黑色矩陣120的部分為黑色矩陣120與各個(gè)薄膜晶體管相對(duì)的部分。具體請(qǐng)參照?qǐng)D3所示。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照?qǐng)D3，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的液晶面板包括彩膜基板100、陣列基板200和液晶300，其中彩膜基板100和陣列基板200對(duì)盒設(shè)置，液晶300填充在彩膜基板100和陣列基板200之間。

具體地，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的陣列基板200包括：第二基板210、多個(gè)薄膜晶體管220、絕緣保護(hù)層230、像素電極240。

第二基板210可例如是透明的玻璃基板或者樹(shù)脂基板，但本發(fā)明并不限制于此。

多個(gè)薄膜晶體管220陣列排布在第二基板210上，其中一個(gè)薄膜晶體管220對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域PX，也就是說(shuō)一個(gè)薄膜晶體管220向在對(duì)應(yīng)像素區(qū)域PX內(nèi)的液晶300提供電壓。作為本發(fā)明一實(shí)施方式，每個(gè)薄膜晶體管220包括：形成于第二基板210上的柵極221、形成于柵極221及第二基板210上的柵極絕緣層222、對(duì)應(yīng)于柵極221上方且形成于柵極絕緣層222上的半導(dǎo)體層(或稱有源層)223、形成于半導(dǎo)體層223及柵極絕緣層222上的源極224和漏極225，其中源極224和漏極225分別與半導(dǎo)體層223的兩端相接觸。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)并不限制于圖3所示的薄膜晶體管220的結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，半導(dǎo)體層223采用非晶硅(a-Si)制成。

絕緣保護(hù)層230形成于所述源極224、漏極225、半導(dǎo)體層223以及柵極絕緣層222上。所述絕緣保護(hù)層230上對(duì)應(yīng)所述漏極225的上方設(shè)有過(guò)孔231。

像素電極240形成于絕緣保護(hù)層230上，其中像素電極240通過(guò)過(guò)孔231與所述漏極225相接觸。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)施例的陣列基板200還可以包括與柵極221同時(shí)形成的柵極線、與源極224和漏極225同時(shí)形成的數(shù)據(jù)線以及其他合適類型的元件。

此外，像素電極240采用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種制成，但本發(fā)明并不限制于此。

彩膜基板100的黑色矩陣120與薄膜晶體管220相對(duì)對(duì)應(yīng)設(shè)置，也就是說(shuō)，每個(gè)薄膜晶體管220在黑色矩陣120上的投影完全位于黑色矩陣120內(nèi)。彩膜基板100的黑色矩陣120的與每個(gè)薄膜晶體管220相對(duì)的部分延伸凸起，以與陣列基板200的絕緣保護(hù)層230抵接接觸，從而使通過(guò)衍射和液晶的反射等方式形成的光線不會(huì)照射到薄膜晶體管220的半導(dǎo)體層223上，進(jìn)而不會(huì)引起薄膜晶體管電性曲線漂移。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的彩膜基板的俯視圖。圖5是圖4所示的彩膜基板的側(cè)視圖。

參照?qǐng)D4和圖5，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的彩膜基板100包括：第一基板110、黑色矩陣120、多個(gè)彩色光阻塊130。應(yīng)當(dāng)理解的是，彩膜基板100還可以包括其他合適類型的元件。

第一基板110可例如是透明的玻璃基板或者樹(shù)脂基板，但本發(fā)明并不限制于此。

黑色矩陣120設(shè)置在第一基板110之上且限定出多個(gè)像素區(qū)域PX。這些像素區(qū)域PX呈陣列排布。

多個(gè)彩色光阻塊130設(shè)置在第一基板110之上，且每個(gè)彩色光阻塊130位于其對(duì)應(yīng)的一個(gè)第像素區(qū)域PX中。在本實(shí)施例中，所述彩色光阻塊130為紅色光阻塊或綠色光阻塊或藍(lán)色光阻塊，但本發(fā)明并不限制于此，例如彩色光阻塊130可以為任何合適顏色(諸如白色)的光阻塊。所述多個(gè)彩色光阻塊130包括紅色光阻塊、綠色光阻塊和藍(lán)色光阻塊。在本實(shí)施例中，可以以紅色光阻塊、綠色光阻塊和藍(lán)色光阻塊為一光阻塊單元陣列排布。

在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，黑色矩陣120延伸凸起，其凸起的高度能夠抵接在與彩膜基板100對(duì)盒設(shè)置的陣列基板上。這里，全部的黑色矩陣120延伸凸起。具體請(qǐng)參照?qǐng)D6所示。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照?qǐng)D6，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的液晶面板包括彩膜基板100、陣列基板200和液晶300，其中彩膜基板100和陣列基板200對(duì)盒設(shè)置，液晶300填充在彩膜基板100和陣列基板200之間。

具體地，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的陣列基板200包括：第二基板210、多個(gè)薄膜晶體管220、絕緣保護(hù)層230、像素電極240。

第二基板210可例如是透明的玻璃基板或者樹(shù)脂基板，但本發(fā)明并不限制于此。

多個(gè)薄膜晶體管220陣列排布在第二基板210上，其中一個(gè)薄膜晶體管220對(duì)應(yīng)一個(gè)像素區(qū)域PX，也就是說(shuō)一個(gè)薄膜晶體管220向在對(duì)應(yīng)像素區(qū)域PX內(nèi)的液晶300提供電壓。作為本發(fā)明一實(shí)施方式，每個(gè)薄膜晶體管220包括：形成于第二基板210上的柵極221、形成于柵極221及第二基板210上的柵極絕緣層222、對(duì)應(yīng)于柵極221上方且形成于柵極絕緣層222上的半導(dǎo)體層(或稱有源層)223、形成于半導(dǎo)體層223及柵極絕緣層222上的源極224和漏極225，其中源極224和漏極225分別與半導(dǎo)體層223的兩端相接觸。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)并不限制于圖3所示的薄膜晶體管220的結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，半導(dǎo)體層223采用非晶硅(a-Si)制成。

絕緣保護(hù)層230形成于所述源極224、漏極225、半導(dǎo)體層223以及柵極絕緣層222上。所述絕緣保護(hù)層230上對(duì)應(yīng)所述漏極225的上方設(shè)有過(guò)孔231。

像素電極240形成于絕緣保護(hù)層230上，其中像素電極240通過(guò)過(guò)孔231與所述漏極225相接觸。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)施例的陣列基板200還可以包括與柵極221同時(shí)形成的柵極線、與源極224和漏極225同時(shí)形成的數(shù)據(jù)線以及其他合適類型的元件。

此外，像素電極240采用銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種制成，但本發(fā)明并不限制于此。

彩膜基板100的黑色矩陣120與薄膜晶體管220相對(duì)對(duì)應(yīng)設(shè)置，也就是說(shuō)，每個(gè)薄膜晶體管220在黑色矩陣120上的投影完全位于黑色矩陣120內(nèi)。彩膜基板100的黑色矩陣120全部延伸凸起，以與陣列基板200的絕緣保護(hù)層230抵接接觸，從而使通過(guò)衍射和液晶的反射等方式形成的光線不會(huì)照射到薄膜晶體管220的半導(dǎo)體層223上，進(jìn)而不會(huì)引起薄膜晶體管電性曲線漂移。

雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。