相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2015年12月18日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請no.10-2015-0182291的權(quán)益，為了所有目的在此援引該專利申請作為參考，如同在此完全闡述一樣。

本公開內(nèi)容涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種能夠減小由于制造工藝誤差而導(dǎo)致的單元之間的電容偏差的液晶顯示(lcd)裝置。

背景技術(shù)：

目前，液晶顯示(lcd)裝置是最流行的顯示裝置之一。lcd裝置可包括彼此交叉的多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線、以及多個像素，每個像素由各條柵極線和數(shù)據(jù)線限定。

lcd裝置中的每個像素可包括像素電極、公共電極、和作為開關(guān)元件工作的薄膜晶體管。薄膜晶體管可接收經(jīng)由數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓并響應(yīng)于經(jīng)由柵極線提供的掃描信號將數(shù)據(jù)電壓提供至像素的像素電極。因此，薄膜晶體管的柵極電極電連接至柵極線，源極電極電連接至數(shù)據(jù)線，并且漏極電極電連接至像素電極。

在這種lcd裝置中，液晶分子通過從薄膜晶體管接收數(shù)據(jù)電壓的像素電極與接收公共電壓的公共電極之間的電位差而傾斜。透射光的量根據(jù)液晶分子傾斜的角度而變化，因而作為其結(jié)果而顯示圖像。

因為lcd裝置通過使用液晶分子的這種電化學(xué)特性顯示圖像，所以如果通過長時間使用而持續(xù)給像素施加同一極性的電壓，則液晶分子隨著時間而變得對施加的電壓不怎么敏感，導(dǎo)致較慢的響應(yīng)速度。因此，可能出現(xiàn)諸如殘像效果這樣的問題，導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降。

為了克服液晶分子劣化的上述問題，已提出了給像素交替施加相反極性的數(shù)據(jù)電壓的交替方案。根據(jù)這種方案，給一行像素施加一種極性的數(shù)據(jù)信號。然后利用極性控制信號(pol)將極性反轉(zhuǎn)，使得給下一行像素施加相反極性的數(shù)據(jù)信號。除了這種交替方案以外，已試圖通過開發(fā)新的結(jié)構(gòu)來抑制液晶分子劣化。

例如，在給像素交替施加相反極性的數(shù)據(jù)電壓以抑制液晶分子劣化的lcd裝置中，為了降低功耗并提高圖像質(zhì)量，已提出了在一行像素的一側(cè)以及下一行像素的另一側(cè)上，即以z字形圖案設(shè)置薄膜晶體管。具體地說，可在奇數(shù)行像素的左側(cè)上設(shè)置薄膜晶體管，而可在偶數(shù)行像素的右側(cè)上設(shè)置薄膜晶體管。就是說，奇數(shù)行像素中的溝道區(qū)域設(shè)置在各條數(shù)據(jù)線的左側(cè)上，而偶數(shù)行像素中的溝道區(qū)域設(shè)置在各條數(shù)據(jù)線的右側(cè)上。因此，奇數(shù)行像素中的薄膜晶體管的漏極電極設(shè)置在薄膜晶體管的源極電極的左側(cè)上，而偶數(shù)行像素中的薄膜晶體管的漏極電極設(shè)置在薄膜晶體管的源極電極的右側(cè)上。

附帶提一下，在薄膜晶體管的漏極電極與柵極電極交疊的區(qū)域中形成寄生電容cgd。因此，在像素中的薄膜晶體管橫跨數(shù)行(rows)以z字形圖案布置的理想lcd裝置中，奇數(shù)行中的每個像素中的薄膜晶體管的漏極電極與柵極電極交疊的面積等于偶數(shù)行中的每個像素中的薄膜晶體管的漏極電極與柵極電極交疊的面積。當(dāng)在薄膜晶體管的柵極電極與漏極電極之間產(chǎn)生寄生電容時，柵極信號被延遲。像素之間寄生電容的差異越大，施加至一個像素的柵極信號和施加至另一個像素的柵極信號的時序的差異越大。因此，被充入在一個像素中的數(shù)據(jù)電壓的幅度可變得明顯不同于被充入在另一個像素中的數(shù)據(jù)電壓的幅度，使得圖像質(zhì)量下降。這就是為什么優(yōu)選奇數(shù)行中的每個像素中的薄膜晶體管的漏極電極與柵極電極交疊的面積等于或接近等于偶數(shù)行中的每個像素中的薄膜晶體管的漏極電極與柵極電極交疊的面積。

在像素中的薄膜晶體管橫跨數(shù)行以z字形圖案布置的lcd裝置中，如果漏極電極的位置由于制造工藝誤差，例如用于形成薄膜晶體管的電極的掩模的錯位而偏移，則奇數(shù)行中的每個像素中的薄膜晶體管的漏極電極與柵極電極交疊的面積可變得明顯不同于偶數(shù)行中的每個像素中的薄膜晶體管的漏極電極與柵極電極交疊的面積。結(jié)果，奇數(shù)行像素與偶數(shù)行像素之間寄生電容的差異可變得更加明顯。

如此，如果一行像素中的寄生電容變得明顯不同于下一行像素中的寄生電容，則被充入在像素中的數(shù)據(jù)電壓在兩個相鄰行之間變得明顯不同。因而，由于諸如閃爍和垂直線之類的不希望的現(xiàn)象，lcd裝置的圖像質(zhì)量會下降。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明旨在提供一種基本上克服了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題的顯示裝置。

在下面的描述中將列出本發(fā)明的附加優(yōu)點和特征，這些優(yōu)點和特征的一部分根據(jù)該描述將是顯而易見的或者可通過本發(fā)明的實施領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點。

為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的意圖，如在此具體化和概括描述的，一種顯示裝置包括：具有顯示區(qū)域的基板；在所述顯示區(qū)域中在第一方向上延伸的多條柵極線，所述柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；在所述顯示區(qū)域中在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；和第一像素，所述第一像素具有第一薄膜晶體管和第一像素電極，所述第一像素由所述第一柵極線、所述第二柵極線、所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線限定，其中所述第一薄膜晶體管包括：連接至所述第二柵極線的第一柵極電極；連接至所述第一數(shù)據(jù)線的第一源極電極；和與所述第一源極電極分隔開的第一漏極電極，所述第一漏極電極包括：第一端部，所述第一端部在所述第二方向上延伸并且在平面構(gòu)造上與所述第一柵極電極交疊；和第二端部，所述第二端部電連接至所述第一端部并且電連接至所述第一像素電極。

上述顯示裝置還可包含下列附加特征中的一個或多個：

所述第一漏極電極的第一端部與所述第一柵極電極之間的交疊區(qū)域被構(gòu)造成形成第一寄生電容，并且所述第一漏極電極被構(gòu)造成即使由于制造錯位，所述第一漏極電極的位置相對于所述第一柵極電極在所述第一方向上偏移，仍使所述第一寄生電容保持基本恒定。

所述第一端部在所述第一方向上的寬度整體上包含在所述第一柵極電極在所述第一方向上的寬度內(nèi)，使得不管所述第一漏極電極在所述第一方向上相對于所述第一柵極電極的位置如何，所述第一漏極電極的第一端部與所述第一柵極電極之間的交疊區(qū)域的尺寸都保持基本恒定。

所述第一漏極電極具有u型形狀并且還可包括將所述第一端部和所述第二端部連接的第三部分。

所述第二端部在與所述第一端部、所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線平行的第二方向上延伸，并且所述第一漏極電極的第三部分在與所述第二柵極線平行的第一方向上延伸。

所述柵極線包括第三柵極線，其中所述顯示裝置還包括第二像素，所述第二像素具有第二薄膜晶體管和第二像素電極，并且所述第二像素由所述第二柵極線、所述第三柵極線、所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線限定，并且其中所述第二薄膜晶體管包括：連接至所述第三柵極線的第二柵極電極；連接至所述第二數(shù)據(jù)線的第二源極電極；和與所述第二源極電極分隔開的第二漏極電極，所述第二漏極電極包括：第一端部，所述第二漏極電極的第一端部在所述第二方向上延伸并且與所述第二柵極電極交疊；和第二端部，所述第二漏極電極的第二端部電連接至所述第二漏極電極的第一端部并且電連接至所述第二像素電極。

所述第二漏極電極的形狀是所述第一漏極電極的形狀的鏡像。

所述第二漏極電極的第一端部與所述第二柵極電極之間的交疊區(qū)域被構(gòu)造成形成第二寄生電容，并且所述第二漏極電極被構(gòu)造成即使所述第二漏極電極的位置相對于所述第二柵極電極在所述第一方向上偏移，仍使所述第二寄生電容保持基本恒定。

所述第一寄生電容基本等于所述第二寄生電容，并且即使包括所述第一漏極電極和所述第二漏極電極的導(dǎo)電圖案的位置相對于包括所述第一柵極電極和所述第二柵極電極的另一導(dǎo)電圖案在所述第一方向上偏移，所述第一寄生電容仍保持基本等于所述第二寄生電容。

所述第一漏極電極和所述第二漏極電極被構(gòu)造成：即使包括所述第一漏極電極和所述第二漏極電極的第一導(dǎo)電圖案的位置相對于包括所述第一柵極電極和所述第二柵極電極的第二導(dǎo)電圖案在所述第一方向上偏移，仍使所述第一漏極電極的第一端部與所述第一柵極電極之間的交疊區(qū)域的尺寸以及所述第二漏極電極的第一端部與所述第二柵極電極之間的交疊區(qū)域的尺寸的每一個保持基本恒定。

所述第一漏極電極和所述第二漏極電極被構(gòu)造成：即使所述第一導(dǎo)電圖案的位置相對于所述第二導(dǎo)電圖案在所述第一方向上偏移，仍使所述第一漏極電極的第一端部與所述第一柵極電極之間的交疊區(qū)域的尺寸基本等于且保持基本等于所述第二漏極電極的第一端部與所述第二柵極電極之間的交疊區(qū)域的尺寸。

所述第一薄膜晶體管還包括第一溝道區(qū)域，所述第一溝道區(qū)域與所述第一柵極電極交疊并且設(shè)置成與所述第一數(shù)據(jù)線相鄰，并且所述第二薄膜晶體管還包括第二溝道區(qū)域，所述第二溝道區(qū)域與所述第二柵極電極交疊并且設(shè)置成與所述第二數(shù)據(jù)線相鄰。

所述第一漏極電極的第二端部在所述第一方向上具有大于所述第一漏極電極的第一端部的寬度。

在另一個方面中，一種顯示裝置包括：具有顯示區(qū)域的基板；在所述顯示區(qū)域中在第一方向上延伸的多條柵極線，所述柵極線包括第一柵極線、第二柵極線和第三柵極線；在所述顯示區(qū)域中在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；第一像素，所述第一像素由所述第一柵極線、所述第二柵極線、所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線限定，并且所述第一像素包括連接至所述第一數(shù)據(jù)線的第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括在平面構(gòu)造上彼此交疊的第一柵極電極和第一漏極電極；和第二像素，所述第二像素由所述第二柵極線、所述第三柵極線、所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線限定，并且所述第二像素包括連接至所述第二數(shù)據(jù)線的第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管包括彼此交疊的第二柵極電極和第二漏極電極，其中即使由于制造錯位，所述第一漏極電極和所述第二漏極電極的至少之一的位置相對于所述第一柵極電極和所述第二柵極電極的至少之一在所述第一方向上偏移，所述第一漏極電極與所述第一柵極電極之間的交疊區(qū)域的尺寸仍基本等于所述第二漏極電極與所述第二柵極電極之間的交疊區(qū)域的尺寸。

根據(jù)另一方面的上述顯示裝置可進(jìn)一步包含下列附加特征中的一個或多個：

所述第一薄膜晶體管還包括第一源極電極，所述第一源極電極連接至所述第一數(shù)據(jù)線并與所述第一漏極電極分隔開，并且所述第二薄膜晶體管還包括第二源極電極，所述第二源極電極連接至所述第二數(shù)據(jù)線并與所述第二漏極電極分隔開。

所述第一薄膜晶體管還包括第一溝道區(qū)域，所述第一溝道區(qū)域與所述第一柵極電極交疊并且設(shè)置成與所述第一數(shù)據(jù)線相鄰，并且所述第二薄膜晶體管還包括第二溝道區(qū)域，所述第二溝道區(qū)域與所述第二柵極電極交疊并且設(shè)置成與所述第二數(shù)據(jù)線相鄰。

即使所述第一漏極電極的位置相對于所述第一柵極電極沿所述第一方向偏移，所述第一漏極電極與所述第一柵極電極之間的交疊區(qū)域的尺寸仍保持基本恒定。

所述第一漏極電極包括：第一端部，所述第一端部在所述第二方向上延伸并且與所述第一柵極電極交疊，所述第一端部具有整體上包含在所述第一柵極電極在所述第一方向上的寬度內(nèi)的寬度，使得不管所述第一漏極電極在所述第一方向上相對于所述第一柵極電極的位置如何，在平面圖中所述第一漏極電極與所述第一柵極電極之間的交疊區(qū)域的尺寸都基本恒定。

在又一個方面中，一種基板具有以行和列排列的多個像素的陣列，每個像素包括：漏極電極，所述漏極電極具有在所述像素的列方向上延伸的第一延伸部；和柵極電極，所述柵極電極在所述像素的行方向上延伸，其中所述漏極電極的第一延伸部的端部和所述柵極電極的一部分在平面構(gòu)造上彼此交疊，以形成交疊區(qū)域，所述交疊區(qū)域被構(gòu)造成：通過使所述漏極電極的第一延伸部的所述端部的邊緣設(shè)置在所述柵極電極的側(cè)邊緣內(nèi)，容許在所述像素的行方向上所述漏極電極與所述柵極電極之間的潛在制造錯位。

根據(jù)又一方面的上述基板可進(jìn)一步包含下列附加特征中的一個或多個：

每個像素還包括連接至所述漏極電極的像素電極，并且所述漏極電極還包括第二延伸部，所述第二延伸部在所述列方向上延伸并且連接在所述像素電極與所述第一延伸部之間。

所述第二延伸部在所述行方向上比所述第一延伸部寬。

所述交疊區(qū)域的尺寸被構(gòu)造成即使發(fā)生制造錯位仍保持基本恒定。

每個像素還包括與所述柵極電極交疊的溝道區(qū)域，并且沿至少一列的像素具有以z字形圖案布置的溝道區(qū)域。

所述至少一列中的至少兩個相鄰像素的相應(yīng)交疊區(qū)域被構(gòu)造成即使發(fā)生制造錯位仍具有彼此基本相同的尺寸。

應(yīng)當(dāng)理解，前面的大體性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的，意在對要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。

附圖說明

給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并且并入本申請構(gòu)成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置的分解透視圖；

圖2是用于圖解根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置的示意性平面圖；

圖3是用于圖解根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施方式的lcd裝置的示意性平面圖；以及

圖4a、4b、5a、5b、6a和6b是用于圖解根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置實現(xiàn)的效果的平面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的實施方式，附圖中圖解了這些實施方式的一些例子。將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體示例性實施方式。

附圖中給出要素的圖形、尺寸、比例、角度、數(shù)量僅僅是舉例說明而并不是限制性的，除非另有說明。相似的參考標(biāo)記在整個說明書中表示相似的要素。此外，可能省略對公知特征或技術(shù)的描述，以避免不必要地使本發(fā)明的主旨模糊不清。在說明書和權(quán)利要求書中使用諸如“包括”、“具有”、“包含”之類的術(shù)語的情況下，這些術(shù)語不應(yīng)當(dāng)解釋為限于其后列出的特征，除非另有明確說明。

在描述要素時以數(shù)值或相對術(shù)語采用諸如長度、寬度、厚度、面積和體積之類的尺寸、測量結(jié)果、比例、方向、取向或角度的情況下，它們應(yīng)被解釋為涵蓋誤差范圍，除非另有說明。

在描述位置關(guān)系時，諸如“元件a位于元件b上”、“元件a位于元件b上方”、“元件a位于元件b下方”、“元件a在元件b之后”，可在元件a和b之間設(shè)置另一元件c，除非例如明確使用了像“直接”或“緊接”這樣的術(shù)語。因而，如在此使用的，措辭“元件a位于元件b上”涵蓋元件a直接位于元件b上以及元件a位于元件b上且在元件a與b之間具有一個或多個元件c。。

在說明書和權(quán)利要求書中使用術(shù)語“第一”、“第二”等的情況下，它們是用于在相似元件之間進(jìn)行區(qū)分，而不一定用于描述次序或時間順序，除非另有說明。這些術(shù)語僅僅是用來將一個要素與另一個相似要素區(qū)分開。因此，如在此使用的，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思內(nèi)，“第一”要素可認(rèn)為是“第二”要素，反之亦然。

相同的參考標(biāo)記在整個說明書中表示相同的元件，除非另有說明。

除非另有說明，否則附圖不是按比例繪出的，附圖中各元件的相對尺寸是示意性描繪的，不必按比例繪出。

本發(fā)明中各示例性實施方式的特征可部分或整體地組合。如所屬領(lǐng)域技術(shù)人員理解到的，技術(shù)上的各種相互作用和操作是可能的。各示例性實施方式能夠獨立地或組合地實施。

圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置的分解透視圖。如圖1中所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置可包括第一基板110、第二基板120和位于第一基板110與第二基板120之間的液晶層(未示出)。

第一基板110和第二基板120的每一個可包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da被構(gòu)造成顯示圖像。非顯示區(qū)域nda不被構(gòu)造成顯示圖像。

顯示區(qū)域da可設(shè)置在第一基板110的中部。在第一基板110的顯示區(qū)域da中可設(shè)置有在第一方向上延伸的多條柵極線gl、在與第一方向交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線dl、以及由各條柵極線gl和數(shù)據(jù)線dl限定的多個像素px。每個像素px的元件的布局可根據(jù)像素是設(shè)置在奇數(shù)行中還是偶數(shù)行中而不同。這將在下面參照圖2更詳細(xì)地描述。

第一基板110的非顯示區(qū)域nda可設(shè)置在第一基板110的顯示區(qū)域da的外周周圍。在第一基板110的非顯示區(qū)域nda中，可設(shè)置用于驅(qū)動?xùn)艠O線gl和數(shù)據(jù)線dl的驅(qū)動集成電路d-ic。

在第二基板120的顯示區(qū)域da中，可設(shè)置濾色器cf，針對每個像素px設(shè)置一個濾色器cf。濾色器可包括以交替方式布置的紅色(r)濾色器、綠色(g)濾色器和藍(lán)色(b)濾色器。

在第二基板120的非顯示區(qū)域nda中，可設(shè)置密封元件，以將第二基板120和第一基板110貼合在一起。除第二基板120的非顯示區(qū)域nda以外或代替第二基板120的非顯示區(qū)域nda，密封元件也可設(shè)置在第一基板110的非顯示區(qū)域nda中。

液晶層包括液晶分子并且設(shè)置在第一基板110與第二基板120之間。液晶分子可通過電場傾斜，電場形成在可設(shè)置于第一基板110或第二基板120的顯示區(qū)域da中的像素電極與公共電極之間。

要注意的是，第一基板110和第二基板120的顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda的具體位置和形狀不限于上述那些，而是可進(jìn)行各種變化或選擇。

圖2是用于圖解根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置的示意性平面圖。如圖2中所示，像素行pxl1、pxl2、pxl3和pxl4中可設(shè)置多個像素。像素可由布置在第一方向上的多條柵極線gl1、gl2、gl3、gl4和gl5以及布置在第二方向上的多條數(shù)據(jù)線dl1、dl2、dl3、dl4和dl5限定。

每個像素px可包括被構(gòu)造成作為開關(guān)元件工作的薄膜晶體管tr和被構(gòu)造成經(jīng)由薄膜晶體管tr接收數(shù)據(jù)電壓的像素電極pe。分別設(shè)置在各個像素px中的薄膜晶體管tr可交替位于相應(yīng)數(shù)據(jù)線dl的右側(cè)和左側(cè)上。例如，第一像素行pxl1的第二像素px12的薄膜晶體管tr可設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線dl2的右側(cè)上，而第二像素行pxl2的第一像素px21的薄膜晶體管tr可設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線dl2的左側(cè)上。換句話說，相對于偶數(shù)像素行中的像素px的薄膜晶體管tr，奇數(shù)像素行中的像素px的薄膜晶體管tr可設(shè)置在相應(yīng)數(shù)據(jù)線的另一側(cè)上。

此外，從奇數(shù)數(shù)據(jù)線dl施加至各個像素px的數(shù)據(jù)電壓的極性可與從偶數(shù)數(shù)據(jù)線dl施加至各個像素px的數(shù)據(jù)電壓的極性相反。例如，像素px11、px13、px22、px24、px31、px33、px42和px44可分別從數(shù)據(jù)線dl1、dl3和dl5接收正電壓，而像素px12、px14、px21、px23、px32、px34、px41和px43可分別從數(shù)據(jù)線dl2和dl4接收負(fù)電壓。此外，施加至像素px的數(shù)據(jù)電壓可響應(yīng)于pol信號反轉(zhuǎn)。

如上所述，在根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置100中，各個像素px中的薄膜晶體管tr的位置相對于數(shù)據(jù)線dl來說例如以z字形圖案交替。此外，如上詳細(xì)描述的，相反極性的數(shù)據(jù)電壓根據(jù)數(shù)據(jù)線dl的配置而施加至像素px。因此，可抑制液晶層劣化，因而提高圖像質(zhì)量。此外，在薄膜晶體管tr的漏極電極的改善的圖案的情況下，相鄰像素px之間的寄生電容cgd可保持恒定或基本恒定，從而提高圖像質(zhì)量的可靠性。下文中，將參照圖3詳細(xì)描述漏極電極的示例性構(gòu)造。

圖3是用于圖解根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施方式的lcd裝置的示意性平面圖。圖3是圖2的其中設(shè)置有第一基板110的顯示區(qū)域da中的一些像素的部分a的放大圖。為便于圖示，圖2的部分a中的第一像素行pxl1的第二像素px12在參照圖3的描述中被稱為上部像素，圖2的部分a中的第二像素行pxl2的第二像素px22在參照圖3的描述中被稱為下部像素。

如圖3中所示，上部像素px12被構(gòu)造成從第二數(shù)據(jù)線dl2接收數(shù)據(jù)電壓，下部像素px22被構(gòu)造成從第三數(shù)據(jù)線dl3接收數(shù)據(jù)電壓。

上部像素px12可包括與第二數(shù)據(jù)線dl2相鄰位于上部像素px12的左側(cè)上的第一薄膜晶體管tr1。上部像素px12還可包括位于第一薄膜晶體管tr1右上方的第一像素電極pe1。

第一薄膜晶體管tr1包括從第二柵極線gl2延伸的第一柵極電極ge1、從第二數(shù)據(jù)線dl2突出的第一源極電極se1、以及與第一源極電極se1分隔開的第一漏極電極de1。第一漏極電極de1的一端(第一端部)與第一柵極電極ge1交疊，并且第一漏極電極de1的另一端(第二端部)電連接至第一像素電極pe1。如上所述，因為第一漏極電極de1的一端與第一柵極電極ge1交疊并且第一漏極電極de1的另一端電連接至第一像素電極pe1，所以第一漏極電極de1具有彎曲形狀。更具體地說，第一漏極電極de1劃分成多個子漏極電極。下文中，與第一柵極電極ge1交疊的第一漏極電極de1的一端被稱為第一子漏極電極de11，電連接至第一像素電極pe1的第一漏極電極de1的另一端被稱為第二子漏極電極de12。

第一子漏極電極de11與第一柵極電極ge1交疊，以形成第一寄生電容區(qū)域cgd1。第一子漏極電極de11可具有與第二數(shù)據(jù)線dl2和第三數(shù)據(jù)線dl3平行延伸的直線形狀。此外，例如如圖3中所示，第一子漏極電極de11在與第二柵極線gl2平行的方向上不會延伸超出第一柵極電極ge1的外周。換句話說，第一子漏極電極de11的右方外周側(cè)可設(shè)置在第一柵極電極ge1的右方外周側(cè)處或第一柵極電極ge1的右方外周側(cè)的左方。因此，由于第一子漏極電極de11的寬度小于第一柵極電極ge1的寬度，并且第一子漏極電極de11具有與第二數(shù)據(jù)線dl2和第三數(shù)據(jù)線dl3平行延伸的直線形狀，所以即使存在制造工藝誤差比如制造錯位，例如漏極電極或柵極電極沿x軸或在與柵極線gl平行的方向上偏移，在平面圖中第一漏極電極de1與第一柵極電極ge1交疊的區(qū)域的尺寸仍可保持恒定或基本恒定。結(jié)果，第一寄生電容cgd1保持恒定或基本恒定。此外，根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實施方式，可進(jìn)一步設(shè)置補償圖案來補償如果漏極電極或柵極電極由于制造工藝誤差而沿x軸偏移超過一定距離所導(dǎo)致的寄生電容的偏差。

此外，第一有源層al1可設(shè)置在第一子漏極電極de11和第一源極電極se1下方。第一子漏極電極de11與第一源極電極se1分隔開，并且在第一子漏極電極de11與第一源極電極se1之間形成第一溝道區(qū)域ch1。在上部像素px12中，第一溝道區(qū)域ch1形成為與第三數(shù)據(jù)線dl3相比更靠近第二數(shù)據(jù)線dl2。

另一方面，第二子漏極電極de12在被稱為第一接觸區(qū)域ct1的區(qū)域中電連接至第一像素電極pe1。與第一子漏極電極de11相似，第二子漏極電極de12可具有與第二數(shù)據(jù)線dl2和第三數(shù)據(jù)線dl3平行延伸的直線形狀。盡管在圖3中第二子漏極電極de12被顯示為與第一子漏極電極de11平行延伸，但這僅是舉例說明，因為第二子漏極電極de12可在與第一子漏極電極de11不平行的方向上延伸。

第二子漏極電極de12的寬度可與第一子漏極電極de11的寬度不同。例如，第二子漏極電極de12的寬度可大于第一子漏極電極de11的寬度。第一子漏極電極de11可具有較小寬度，從而即使存在制造工藝誤差，也可減小寄生電容cgd并減小上部像素px12與下部像素px22之間寄生電容的偏差。另一方面，第二子漏極電極de12可具有較大寬度，以提供能夠與第一像素電極pe1電連接的較大區(qū)域。然而，這僅是舉例說明，第二子漏極電極de12的寬度可等于或小于第一子漏極電極de11的寬度。

在上部像素px12中，第一像素電極pe1可設(shè)置成不與第一柵極電極ge1交疊。因此，例如如圖3中所示，第一寄生電容區(qū)域cgd1與第一接觸區(qū)域ct1分隔開。因此，第一漏極電極de1可進(jìn)一步包括用于將第一子漏極電極de11電連接至第二子漏極電極de12的第三子漏極電極de13。就是說，第一漏極電極de1可具有由第一子漏極電極de11、第二子漏極電極de12和第三子漏極電極de13組成的u形。然而，第一漏極電極de1的形狀不限于圖3中所示的u形。例如，第一子漏極電極de11可直接連接至第二子漏極電極de12而沒有第三子漏極電極de13。在這種情形中，第一漏極電極de1可具有v形。

下部像素px22可包括與第三數(shù)據(jù)線dl3相鄰位于下部像素px22的右側(cè)上的第二薄膜晶體管tr2。下部像素px22還可包括位于第二薄膜晶體管tr2左上方的第二像素電極pe2。

第二薄膜晶體管tr2包括從第三柵極線gl3延伸的第二柵極電極ge2、從第三數(shù)據(jù)線dl3突出的第二源極電極se2、以及與第二源極電極se2分隔開的第二漏極電極de2。第二漏極電極de2的一端與第二柵極電極ge2交疊，并且第二漏極電極de2的另一端電連接至第二像素電極pe2。如上所述，因為第二漏極電極de2的一端與第二柵極電極ge2交疊并且第二漏極電極de2的另一端電連接至第二像素電極pe2，所以第二漏極電極de2具有彎曲形狀。第二漏極電極de2在形狀上大致與第一漏極電極de1相同。第二漏極電極de2的形狀可以是第一漏極電極de1的形狀的鏡像。因此，關(guān)于第二漏極電極de2的形狀以及第二漏極電極de2的子漏極電極de21、de22和de23，不再重復(fù)上述詳細(xì)描述。

第二薄膜晶體管tr2包括第二寄生電容區(qū)域cgd2和第二接觸區(qū)域ct2。此外，第二溝道區(qū)域ch2與第二寄生電容區(qū)域cgd2交疊。第二薄膜晶體管tr2的第二溝道區(qū)域ch2和第一薄膜晶體管tr2的第一溝道區(qū)域ch1以z字形圖案設(shè)置。換句話說，第一寄生電容區(qū)域cgd1在與第二寄生電容區(qū)域cgd2在其相應(yīng)像素中所設(shè)置的一側(cè)(例如，下部像素px22的右側(cè))相反的一側(cè)處(例如，在上部像素px12的左側(cè)處)設(shè)置在其相應(yīng)像素中。

即使例如沿x軸或y軸存在制造工藝誤差，在平面圖中上部像素px12的第一寄生電容區(qū)域cgd1的尺寸仍能夠保持基本等于下部像素px22的第二寄生電容區(qū)域cgd2的尺寸。這能夠?qū)崿F(xiàn)至少部分是因為與第一柵極電極ge1交疊的第一漏極電極de1的一端和與第二柵極電極ge2交疊的第二漏極電極de2的一端沿與第二數(shù)據(jù)線dl2和第三數(shù)據(jù)線dl3平行的方向例如以直線彼此平行或基本平行地設(shè)置。因此，盡管上部像素px12的第一寄生電容區(qū)域cgd1和下部像素px22的第二寄生電容區(qū)域cgd2設(shè)置在彼此相對的兩側(cè)處，但即使由于制造工藝誤差，包括漏極電極的圖案(第一導(dǎo)電圖案)例如相對于包括柵極電極的圖案(第二導(dǎo)電圖案)偏移，也能夠防止或減小像素之間寄生電容區(qū)域的尺寸偏差。因此，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置100能夠防止或減小所有像素之間寄生電容的偏差。因此，能夠抑制由于像素之間寄生電容的偏差導(dǎo)致的缺陷。

將參照圖4a、4b、5a、5b、6a和6b詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置100實現(xiàn)的潛在效果。

圖4a、4b、5a、5b、6a和6b是用于圖解與測試?yán)啾?，根?jù)本發(fā)明示例性實施方式的lcd裝置實現(xiàn)的效果的平面圖。圖4a顯示了采用具有提高開口率的圖案的漏極電極的比較例，圖4b顯示了具有根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的圖案的漏極電極。

如圖4a中所示，漏極電極dee1具有“l(fā)”形，“l(fā)”形具有與第二柵極線gl2平行的水平直線分量。在這種情形中，存在下述潛在優(yōu)點：能夠減小黑矩陣區(qū)域bma1，使得能夠獲得高開口率。然而，在存在沿x軸的制造工藝誤差，使得漏極電極dee1沿x軸偏移(例如，偏移到如dee1’所示的位置)時，寄生電容的幅度可明顯變化(例如從cgd11變?yōu)閏gd11’)。就是說，如果漏極電極dee1錯誤地偏移，寄生電容cgd11可明顯變小，即，寄生電容cgd11’可小于寄生電容cgd11。

相比之下，如圖4b中所示，即使由于沿x軸的工藝誤差，漏極電極de1的圖案例如相對于柵極電極的圖案偏移，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的漏極電極de1仍使寄生電容cgd保持恒定或基本恒定。

接下來，圖5a描述了一比較例，其中添加用于補償寄生電容的圖案，以抑制由于漏極電極dee2偏移(例如，偏移到dee2’所示的位置)而導(dǎo)致的像素之間寄生電容cgd22的偏差，由此克服圖4a中所示的示例的缺陷。換句話說，根據(jù)圖5a中所示的示例，即使漏極電極dee2錯誤地偏移，補償圖案仍使寄生電容保持恒定，即，寄生電容cgd22等于組合寄生電容cgd22’+cgd22”。因而，通過添加用于補償寄生電容的圖案，能夠減小像素之間寄生電容的偏差。然而，補償圖案的添加增加了像素的寬度。例如，圖5a所示的示例中的像素px的寬度pxw2大于圖5b所示的本發(fā)明示例性實施方式中的像素px的寬度pxw1。因此，盡管圖5a中所示的示例能夠減小像素之間寄生電容的偏差，但像素的寬度變得更大。因此，相比如圖5b所示的本發(fā)明的示例性實施方式，圖5a中所示的示例不適用于高集成度和高分辨率lcd裝置。

在圖6a所示的另一示例性實施方式中，漏極電極dee3具有與第二數(shù)據(jù)線dl2和第三數(shù)據(jù)線dl3平行的主要垂直直線形狀。具有圖6a中所示的圖案的漏極電極dee3能夠減小像素之間寄生電容cgd的偏差，也能夠應(yīng)用于高集成度和高分辨率lcd裝置。然而，因為圖6a中所示的漏極電極dee3以垂直直線形狀設(shè)置，所以用于將漏極電極dee3電連接至像素電極pe1的接觸孔放置在垂直直線形狀的漏極電極的一端處，導(dǎo)致與第一示例性實施方式相比漏極電極的整體高度增加。因此，在平面圖中黑矩陣區(qū)域bma3的尺寸可變得更大，使得開口率可減小。

相比之下，如圖6b中所示，在根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施方式的lcd裝置中，漏極電極de1在向與像素電極連接的接觸區(qū)域彎曲的同時，在形成寄生電容cgd的區(qū)域中包括與數(shù)據(jù)線dl平行的直線形狀。因此，根據(jù)該示例性實施方式的漏極電極圖案即使存在制造工藝誤差也能夠減小像素之間寄生電容的偏差，同時在不增大黑矩陣區(qū)域bma1的情況下還能夠提供充分的開口率。

本發(fā)明的示例性實施方式可具有上面在發(fā)明內(nèi)容部分中所述的一個或多個特征。

在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，能夠在本發(fā)明的液晶顯示裝置中進(jìn)行各種修改和變化，這對于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的。因而，本發(fā)明旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求書范圍及其等同范圍內(nèi)的對本發(fā)明的修改和變化。