本發(fā)明涉及一種密封模組，尤其涉及一種具有導膠件的密封模組及其加工方法。

背景技術：

現有技術中的密封模組一般包括底部晶片、堆疊在底部晶片上的頂部晶片，尤其是通過底部晶片上的粘接壁與頂部晶片密封連接。在密封過程中，頂部晶片朝向底部晶片下移，當頂部晶片與粘接壁接觸時，頂部晶片與底部晶片之間形成了充滿氣體的密閉腔體。此外，隨著頂部晶片靠近底部晶片，密閉腔體內部的空氣壓力隨之增加。然而，粘接壁可能不能承受密閉腔體中增加的空氣壓力。在這種情況下，粘接壁可能會爆開或受損壞。因此，密封模組的產量較低且不可預測。

因此，有必要提供一種新型的密封模組及其加工方法。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠克服上述問題的密封模組及其加工方法。

本發(fā)明的技術方案如下：一種密封模組，包括：第一基底，包括鏡頭單元以及圍繞所述鏡頭單元的粘接結構；第二基底，與所述第一基底堆疊設置；密封壁，將所述第一基底與第二基底密封連接從而形成密封腔體；其中，所述鏡頭單元收容于所述密閉腔體中；所述粘接結構包括在第一基底和第二基底堆疊過程中用于控制粘接膠流動軌跡的導膠件。

上述的密封模組中，所述導膠件為凸形或凹形的。

上述的密封模組中，所述粘接結構呈圓環(huán)形或矩形環(huán)狀。

上述的密封模組中，所述粘接結構與所述第一基底一體成型。

上述的密封模組中，所述粘接結構是由可固化的膠體制成，所述膠體涂覆在所述第一基底上并固化形成所述粘接結構。

本發(fā)明還提供一種密封模組的加工方法，包括以下步驟：

提供具有多個第一基底的底部晶片，每個所述第一基底包括鏡頭單元和圍繞鏡頭單元的粘接結構，所述粘接結構包括導膠件；

在第一基底上，粘接結構的內側涂覆粘接膠，所述粘接膠圍繞所述鏡頭單元設置；

提供具有多個第二基底的頂部晶片，每個第二基底與第一基底對齊；

將第二基底堆疊在第一基底上，粘接膠流經所述粘接結構的頂部，所述第二基底與所述第一基底通過所述粘接膠密封連接以形成晶片組件，所述導膠件用于在堆疊過程中控制粘接膠的流動軌跡；

切割晶片組件從而獲得多個密封模組。

上述的密封模組的加工方法，所述導膠件為凸形或凹形的。

上述的密封模組的加工方法，所述粘接結構呈圓環(huán)形或矩形環(huán)狀。

上述的密封模組的加工方法，所述粘接結構與所述第一基底一體成型。

上述的密封模組的加工方法，所述粘接結構是由可固化的膠體制成，所述膠體涂覆在所述第一基底上并固化形成所述粘接結構。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供的密封模組及密封模組的加工方法可以很好地控制粘接膠的流動軌跡，從而更精確地控制密封模組的成型過程，提高密封模組的產量。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明的較佳實施例提供的一種密封模組的剖視圖；

圖2為圖1中密封模組的第一基體的俯視圖；

圖3為圖1所示的密封模組的加工方法中步驟一的示意圖；

圖4為圖1所示的密封模組的加工方法中步驟二的示意圖；

圖5為圖1所示的密封模組的加工方法中步驟三的示意圖；

圖6為圖1所示的密封模組的加工方法中步驟四的示意圖；

圖7為圖1所示的密封模組的加工方法中步驟五的示意圖；

圖8為圖1所示的密封模組的加工方法中步驟六的示意圖。

【具體實施方式】

下面結合附圖和實施方式對本發(fā)明作進一步說明。

參閱圖1，根據本發(fā)明的較佳實施例提供的密封模組100包括第一基底110，第二基底120以及密封壁130；第二基底120通過密封壁130堆疊在第一基底110上且與第一基底110密封連接。

第一基底110可以通過切割工藝將底部晶片切割形成底部基底。第一基底110包括設置在其中心位置處的鏡頭單元112。第二基底120可以通過切割工藝將頂部晶片切割形成頂部基底。密封壁130設置成圍繞鏡頭單元112且夾設在第一基底110和第二基底120之間，從而實現第一基底110和第二基底120之間的連接。第一基底110、第二基底120以及密封壁130共同圍成密閉腔體150，鏡頭單元112收容于該密閉腔體150中且朝向第二基底120。

參閱圖2，在本實施例中，第一基底110包括圍繞鏡頭單元112設置的粘接結構111，粘接結構111可以用作粘接屏障，大致呈圓環(huán)狀或矩形環(huán)狀。此外，實際上，該粘接結構111通過模壓工藝預成型在第一基底110上。或者，粘接結構111由可固化的膠體材料制成，涂覆在第一基底110上，固化后獲得具有特定形狀的粘接結構。

粘接結構111具有導膠件，該導膠件可以是凸形或凹形的結構。例如，粘接結構111包括多個具有凸形的或凹形的橫截面的線條，這些線條首尾相連環(huán)繞鏡頭單元112。在本實施例中，粘接結構用于在第一基底110和第二基底120的堆疊過程中控制粘接膠的流動軌跡，以防密閉腔體150內部的空氣壓力超過爆炸的閾值。此外，粘接膠固化后形成密封壁130，第二基底120堆疊在第一基底110上且與第一基底110密封連接后，粘接結構111位于密封壁130內部且由密封壁130包圍。

圖3至圖9示意性地示出了根據本發(fā)明的密封模組100的加工方法。該方法包括以下步驟：

步驟一、提供具有粘接結構111的底部晶片101。參考圖3，將底部晶片101分成多個底部晶片單元110，每一底部晶片單元110切成薄片后用作第一基底110。底部晶片101包括多個鏡頭單元112，且每個鏡頭單元112均位于對應的底部晶片單元110的中心區(qū)域。

此外，底部晶片上形成有多個粘接結構111，每個粘接結構111對應一個頂部底部晶片單元110。每個粘接結構111環(huán)繞鏡頭單元112設置。粘接結構111具有導膠件，用于控制粘接膠的流動軌跡。導膠件可以凹形或凸形的結構。如，粘接結構111頂部表面的具有凹形或凸形的橫截面的線條。

在本發(fā)明中，粘接結構111可以采用兩種方式形成，模壓成型或涂覆成型。在模壓成型過程中，粘接結構111預成型在底部晶片101上且環(huán)繞每個鏡頭單元112設置。在涂覆過程中，首先將粘接結構111涂覆在底部晶片101上并環(huán)繞每個鏡頭單元112設置，然后采用紫外線照射使其固化從而形成固體的粘接結構。

步驟二、粘接膠涂覆在粘接結構111的內側的底部晶片101上，且圍繞每個鏡頭單元112設置。參見圖4，在步驟二中，粘接膠130涂覆在每個底部晶片單元110上。例如，粘接膠130涂覆在鄰近粘接結構111的位置處且部分地覆蓋粘接結構111。

步驟三、提供頂部晶片102，并將頂部晶片102與底部晶片101相對齊。參見圖5，將頂部晶片102分成多個頂部晶片單元120，每個頂部晶片單元120對應相應的底部晶片單元110，且兩者的形狀、尺寸一致。此外，每個頂部晶片單元120切割成薄片用作第二基底。在步驟三中，移動頂部晶片102，使其正對底部晶片101，從而使得每個頂部晶片單元120與相應的底部晶片單元110對齊。

步驟四、頂部晶片102朝向底部晶片101移動且堆疊在底部晶片101上，粘接膠130流經粘接結構111的頂部。參見圖6，當頂部晶片102與底部晶片101對齊后，頂部晶片102朝向底部晶片101移動并堆疊在底部晶片101上。具體地，頂部晶片102朝向底部晶片101下移，從而頂部晶片102、底部晶片101以及涂覆在底部晶片101上的粘接膠130共同圍成多個密閉腔體150。特別是，每個密閉腔體150位于頂部晶片單元120與底部晶片單元110之間。在堆疊過程中，頂部晶片單元120壓縮密閉腔體150中的空氣，從而使得密閉腔體150中的壓力增加。增加的空氣壓力會使得粘接膠130流經粘接結構111的頂部。

導膠件會增加粘接結構111的局部的表面積，從而局部地減少粘接結構111的表面能。相應地，粘接膠130流向粘接結構111的導膠件中。此外，當導膠件設置成凸形，導膠件130可使粘接膠130的流速減慢。因此，導膠件可以控制粘接膠130的流動軌跡。

此外，粘接膠130流過粘接結構111的頂部時，密閉腔體150的體積增大，從而平衡密閉腔體150中的空氣壓力。因此，防止粘接膠130爆開。

步驟五、當頂部晶片101的高度確定后，固化粘接膠130。

當頂部晶片101的高度確定后，也就是說，頂部晶片單元120與底部晶片單元110之間的密閉腔體150具有理想的高度后，鏡頭單元112位于密閉腔體150中，并通過粘接膠130完全密封。在這種情況下，固化粘接膠130，使其硬化，形成圍繞鏡頭單元112的密封壁。參見圖7，固化完成后形成具有鏡頭單元112的晶片組件200。

步驟六、晶片組件200倍分割成多個密封模組100。參見圖8，在步驟六中，每個密封模組100包括用作第一基底的底部晶片單元110及設置在底部晶片單元110上的鏡頭單元112、用作第二基底的頂部晶片單元120以及設置在第一基底和第二基底之間且環(huán)繞鏡頭單元112設置的密封壁130。第一基底、第二基底以及密封壁130共同形成密閉腔體150。鏡頭單元112收容在密閉腔體150中，并由密封壁130密封。

根據本發(fā)明的加工方法，多個密封模組100一體成型，然后采用分割工藝將多個密封模組100分割成單獨的個體。在其他的實施例中，每個密封模組100也可以獨立成型。

以上所述的僅是本發(fā)明的實施方式，在此應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構思的前提下，還可以做出改進，但這些均屬于本發(fā)明的保護范圍。