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顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制造方法與流程

文檔序號(hào):11826333閱讀:184來源:國(guó)知局
顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制造方法與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。更具體地,涉及一種顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制造方法。



背景技術(shù):

隨著薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示(TFT-LCD Display)技術(shù)的發(fā)展和工業(yè)技術(shù)的進(jìn)步,液晶顯示器件生產(chǎn)成本降低、制造工藝的日益完善,TFT-LCD已經(jīng)取代了陰極射線管顯示成為平板顯示領(lǐng)域的主流技術(shù),且由于其本身所具有的優(yōu)點(diǎn),在市場(chǎng)和消費(fèi)者心中成為理想的顯示器件。目前市場(chǎng)上各種模式,各種尺寸的液晶顯示屏已十分普及,故而解決液晶顯示的技術(shù)缺點(diǎn)日益重要。

在市場(chǎng)上,目前的幾種TFT-LCD顯示的主流模式包括:扭曲向列(Twisted Nematic,TN)型、平面轉(zhuǎn)換(In Plane Swithcing,IPS)型和高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(Advanced Super Dimension Switch,ADS)型。ADS模式可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì),具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差和無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn),已成為了目前高精尖顯示領(lǐng)域的主流技術(shù)。

然而,顯示器的顯示亮度會(huì)受黑矩陣(Black Matrix,BM)的影響。光會(huì)被黑矩陣遮擋,從而無法完全從彩膜基板射出,導(dǎo)致光的利用率較低。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種顯示面板、顯示裝置以及顯示面板的制造方法,能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中的顯示面板的遮光區(qū)的光不被利用所導(dǎo)致的光利用率較低的問題。

本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種顯示面板。

本發(fā)明的第一方面提供了一種顯示面板。所述顯示面板包括相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板,所述第二基板具有透光區(qū)域和鄰近所述透光區(qū)域的遮光區(qū)域,其中,所述顯示面板還包括:

設(shè)置在所述第一基板的遠(yuǎn)離所述第二基板的入光側(cè)上的光學(xué)元件,所述光學(xué)元件在所述第一基板上的投影與所述遮光區(qū)域在所述第一基板上的投影至少部分重合,且所述光學(xué)元件被配置為將從所述第一基板的所述入光側(cè)朝向所述遮光區(qū)入射的光向所述透光區(qū)域偏轉(zhuǎn)。

在一個(gè)實(shí)施例中,所述光學(xué)元件包括偏轉(zhuǎn)層,所述偏轉(zhuǎn)層具有凹透鏡形狀。

在一個(gè)實(shí)施例中,所述光學(xué)元件還包括平滑層,所述平滑層具有與所述偏轉(zhuǎn)層互補(bǔ)的形狀,以平滑所述偏轉(zhuǎn)層的凹陷表面。

在一個(gè)實(shí)施例中,所述偏轉(zhuǎn)層的所述凹陷表面遠(yuǎn)離所述第一基板,且所述偏轉(zhuǎn)層位于所述平滑層和所述第一基板之間。

在一個(gè)實(shí)施例中,所述偏轉(zhuǎn)層的所述凹陷表面朝向所述第一基板,且所述平滑層位于所述偏轉(zhuǎn)層和所述第一基板之間。

在一個(gè)實(shí)施例中,所述偏轉(zhuǎn)層的折射率大于所述平滑層的折射率。

在一個(gè)實(shí)施例中,所述偏轉(zhuǎn)層的折射率與所述平滑層的折射率的差值范圍為2-3。

在一個(gè)實(shí)施例中,所述偏轉(zhuǎn)層的寬度與所述第二基板的所述遮光區(qū)域的寬度相同,且所述偏轉(zhuǎn)層的曲率半徑大于所述偏轉(zhuǎn)層的寬度的一半。

在一個(gè)實(shí)施例中,所述偏轉(zhuǎn)層到第二基板的所述遮光區(qū)的距離范圍為135-185μm。

在一個(gè)實(shí)施例中,所述偏轉(zhuǎn)層包括氮化硅和氧化硅,所述平滑層包括樹脂。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種顯示裝置。

本發(fā)明的第二方面提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括如上所述的顯示面板。

本發(fā)明的再一個(gè)目的在于提供一種顯示面板的制造方法。

本發(fā)明的第三方面提供了一種顯示面板的制造方法。所述顯示面板的制造方法包括:

提供第一基板;

在所述第一基板上形成光學(xué)元件;

提供具有透光區(qū)域和鄰近所述透光區(qū)域的遮光區(qū)域的第二基板;

通過所述第一基板上的對(duì)位標(biāo)記和所述第二基板上的對(duì)位標(biāo)記,進(jìn)行所述第一基板和所述第二基板的對(duì)盒,以使得進(jìn)行對(duì)盒之后所述第一基板和所述第二基板相對(duì)設(shè)置并且所述光學(xué)元件位于所述第一基板的遠(yuǎn)離所述第二基板的入光側(cè),

其中,所述光學(xué)元件在所述第一基板上的投影與所述遮光區(qū)域在所述第一基板上的投影至少部分重合,且所述光學(xué)元件被配置為將從所述第一基板的所述入光側(cè)朝向所述遮光區(qū)入射的光向所述透光區(qū)域偏轉(zhuǎn)。

在一個(gè)實(shí)施例中,在所述第一基板上形成光學(xué)元件包括:形成偏轉(zhuǎn)層,其中,所述偏轉(zhuǎn)層具有凹透鏡形狀。

在一個(gè)實(shí)施例中,在所述第一基板上形成光學(xué)元件還包括:形成平滑層,其中,所述平滑層具有與所述偏轉(zhuǎn)層互補(bǔ)的形狀,以平滑所述偏轉(zhuǎn)層的凹陷表面。

在一個(gè)實(shí)施例中,形成所述光學(xué)元件包括:在所述第一基板上形成所述偏轉(zhuǎn)層;在所述偏轉(zhuǎn)層上形成所述平滑層。

在一個(gè)實(shí)施例中,在所述第一基板上形成所述偏轉(zhuǎn)層包括:在所述第一基板上形成偏轉(zhuǎn)材料層;對(duì)所述偏轉(zhuǎn)材料層進(jìn)行構(gòu)圖,以形成具有所述凹透鏡形狀的所述偏轉(zhuǎn)層。

在一個(gè)實(shí)施例中,形成所述光學(xué)元件包括:在所述第一基板上形成所述平滑層;在所述平滑層上形成所述偏轉(zhuǎn)層。

在一個(gè)實(shí)施例中,在所述第一基板上形成所述平滑層包括:在所述第一基板上沉積平滑材料層;對(duì)所述平滑材料層進(jìn)行構(gòu)圖,以形成具有與所述偏轉(zhuǎn)層的所述凹凸鏡形狀互補(bǔ)的形狀的所述平滑層。

本發(fā)明的實(shí)施例提供的顯示面板、顯示裝置以及顯示面板的制造方法,通過在所述第一基板的遠(yuǎn)離所述第二基板的入光側(cè)上設(shè)置光學(xué)元件,所述光學(xué)元件在所述第一基板上的投影與所述遮光區(qū)域在所述第一基板上的投影至少部分重合,且所述光學(xué)元件被配置為將從所述第一基板的所述入光側(cè)朝向所述遮光區(qū)入射的光向所述透光區(qū)域偏轉(zhuǎn),能夠提高顯示面板的透光率,且提供了高對(duì)位精度的解決方案。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明的實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例的附圖進(jìn)行簡(jiǎn)要說明,應(yīng)當(dāng)知道,以下描述的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例,而非對(duì)本發(fā)明的限制,其中:

圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖;

圖2為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖;

圖3為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖;

圖4為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖;

圖5為示出了其他參數(shù)一定的情況下,光學(xué)元件到第二基板的遮光區(qū)域的距離的不同引起的具有光學(xué)元件的顯示面板的透光率的改善的測(cè)試曲線;

圖6示出了其他參數(shù)一定的情況下,偏轉(zhuǎn)層和平滑層不同折射率差值下,具有光學(xué)元件的顯示面板的透光率的改善的測(cè)試曲線;

圖7為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的流程示意圖;

圖8為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成光學(xué)元件方法的流程圖;

圖9為根據(jù)圖8的實(shí)施例的形成光學(xué)元件的方法的進(jìn)一步示意圖;

圖10為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成光學(xué)元件的方法的流程圖;

圖11為根據(jù)圖10的實(shí)施例的形成光學(xué)元件的方法的進(jìn)一步示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將接合附圖,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本發(fā)明的實(shí)施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,也都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

當(dāng)介紹本發(fā)明的元素及其實(shí)施例時(shí),冠詞“一”、“一個(gè)”、“該”和“所述”旨在表示存在一個(gè)或者多個(gè)要素。用語“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素。

出于下文表面描述的目的,如其在附圖中被標(biāo)定方向那樣,術(shù)語“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“頂”、“底”及其派生詞應(yīng)涉及發(fā)明。術(shù)語“上覆”、“在……頂上”、“定位在……上”或者“定位在……頂上”意味著諸如第一結(jié)構(gòu)的第一要素存在于諸如第二結(jié)構(gòu)的第二要素上,其中,在第一要素和第二要素之間可存在諸如界面結(jié)構(gòu)的中間要素。術(shù)語“接觸”意味著連接諸如第一結(jié)構(gòu)的第一要素和諸如第二結(jié)構(gòu)的第二要素,而在兩個(gè)要素的界面處可以有或者沒有其它要素。

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種顯示面板,該顯示面板包括相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板,第二基板具有透光區(qū)域和鄰近所述透光區(qū)域的遮光區(qū)域。該顯示面板還包括:設(shè)置在第一基板的遠(yuǎn)離第二基板的入光側(cè)的光學(xué)元件,光學(xué)元件在第一基板上的投影與遮光區(qū)域在第一基板上的投影至少部分重合,且光學(xué)元件被配置為將從第一基板的入光側(cè)朝向所述遮光區(qū)入射的光向所述透光區(qū)域偏轉(zhuǎn)。

圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖1所示,顯示面板包括相對(duì)設(shè)置的第一基板1和第二基板2,第二基板2具有透光區(qū)域R1和鄰近透光區(qū)域R1的遮光區(qū)域R2。該顯示面板還包括設(shè)置在第一基板1的遠(yuǎn)離第二基板2的入光側(cè)上的光學(xué)元件3,光學(xué)元件3在第一基板1上的投影與遮光區(qū)域R2在第一基板1上的投影至少部分重合,且光學(xué)元件被配置為將從第一基板1的入光側(cè)朝向遮光區(qū)R2入射的光向所述透光區(qū)域R1偏轉(zhuǎn)。

圖2為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖2所示,光學(xué)元件包括偏轉(zhuǎn)層31,該偏轉(zhuǎn)層具有凹透鏡形狀。從圖2可以看出,偏轉(zhuǎn)層31具有凹陷的表面S1。如圖2所示,凹透鏡的發(fā)散功能使得通過該偏轉(zhuǎn)層的從第一基板入射的朝向第二基板的遮光區(qū)的光能夠向第二基板的透光區(qū)域偏轉(zhuǎn)。

圖3為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖。如圖3所示,光學(xué)元件還包括平滑層32,該平滑層32具有與偏轉(zhuǎn)層31互補(bǔ)的形狀,以平滑偏轉(zhuǎn)層31的凹陷表面。

在圖3所示的實(shí)施例中,偏轉(zhuǎn)層31的凹陷表面遠(yuǎn)離第一基板1,且偏轉(zhuǎn)層31位于平滑層32和第一基板1之間。需要指出,偏轉(zhuǎn)層與平滑層的位置關(guān)系并非限制于圖3所示的情況。

圖4為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板的示意圖。在圖4所示的實(shí)施例中,偏轉(zhuǎn)層31'的凹陷表面朝向第一基板1,平滑層32'位于偏轉(zhuǎn)層31'和第一基板1之間。

可以通過調(diào)整偏轉(zhuǎn)層和平滑層之間的折射率差異和/或偏轉(zhuǎn)層的坡度來調(diào)整偏轉(zhuǎn)層的發(fā)散作用,以更好的避開第二基板的遮光區(qū)域。在一種實(shí)施方式中,偏轉(zhuǎn)層的折射率大于平滑層的折射率。例如,偏轉(zhuǎn)層的折射率與平滑層的折射率的差值范圍為2-3。在一種實(shí)施方式中,偏轉(zhuǎn)層的寬度與第二基板的遮光區(qū)域(例如,黑矩陣)的寬度相同,且偏轉(zhuǎn)層的曲率半徑大于偏轉(zhuǎn)層的寬度的一半。在一種實(shí)施方式中,偏轉(zhuǎn)層到第二基板的遮光區(qū)的距離(即,偏轉(zhuǎn)層上的任一點(diǎn)到第二基板的距離的最小值)范圍為135-185μm。

偏轉(zhuǎn)層可以為折射率比較高的物質(zhì)。例如,偏轉(zhuǎn)層可以包括氮化硅和氧化硅,平滑層可以包括樹脂。

圖5示出了其他參數(shù)一定的情況下,光學(xué)元件到第二基板的遮光區(qū)域的距離的不同引起的具有光學(xué)元件的顯示面板的透光率的改善。在圖5中,橫坐標(biāo)表示光學(xué)元件到第二基板的遮光區(qū)域(例如,黑矩陣)的距離(單位為微米),縱坐標(biāo)為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的使用光學(xué)元件時(shí)顯示面板的透光率與不使用光學(xué)元件時(shí)顯示面板的透光率的比值。這里,光學(xué)元件到第二基板的遮光區(qū)的距離是指光學(xué)元件上最靠近遮光區(qū)域的部分到遮光區(qū)域的距離??梢钥闯?,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的使用光學(xué)元件時(shí)顯示面板的透光率與不使用光學(xué)元件時(shí)顯示面板的透光率的比值均大于1,可見根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有光學(xué)元件的顯示面板的光利用率得到了提升。

本發(fā)明的發(fā)明人的研究表明將偏轉(zhuǎn)層到第二基板的遮光區(qū)的距離控制在一定范圍(例如,如圖5示出的135-185μm),可以獲得顯著的光效率提升。優(yōu)選地,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,通過第一基板和第二基板的參數(shù)設(shè)置,控制光學(xué)元件到第二基板的遮光區(qū)的距離以滿足上述范圍。

圖6示出了其他參數(shù)一定的情況下,偏轉(zhuǎn)層和平滑層不同折射率差值下,具有光學(xué)元件的顯示面板的透光率的改善。在圖6中,橫坐標(biāo)表示偏轉(zhuǎn)層和平滑層折射率的差值,縱坐標(biāo)為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的使用光學(xué)元件時(shí)顯示面板的透光率與不使用光學(xué)元件時(shí)顯示面板的透光率的比值??梢钥闯?,將偏轉(zhuǎn)層的折射率與平滑層的折射率的差值范圍為2-3,可以獲得顯著的光效率提升。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種顯示面板的制造方法,包括:提供第一基板和第二基板,使得第一基板和第二基板相對(duì)設(shè)置,其中,第二基板被配置為具有透光區(qū)域和鄰近透光區(qū)域的遮光區(qū)域。該顯示面板的制造方法還包括:在第一基板上設(shè)置光學(xué)元件,使得光學(xué)元件遠(yuǎn)離第二基板的入光側(cè)且光學(xué)元件在第一基板上的投影與遮光區(qū)域在第一基板上的投影至少部分重合,其中,光學(xué)元件被配置為將從第一基板的入光側(cè)朝向遮光區(qū)入射的光向透光區(qū)域偏轉(zhuǎn)。

圖7為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的流程示意圖。如圖7所示,顯示面板的制造方法包括:

S1.提供第一基板;

S2.在所述第一基板上形成光學(xué)元件;

S3.提供具有透光區(qū)域和鄰近所述透光區(qū)域的遮光區(qū)域的第二基板;

S4.通過所述第一基板上的對(duì)位標(biāo)記和所述第二基板上的對(duì)位標(biāo)記,進(jìn)行所述第一基板和所述第二基板的對(duì)盒,以使得進(jìn)行對(duì)盒之后所述第一基板和所述第二基板相對(duì)設(shè)置并且所述光學(xué)元件位于所述第一基板的遠(yuǎn)離所述第二基板的入光側(cè),

其中,所述光學(xué)元件在所述第一基板上的投影與所述遮光區(qū)域在所述第一基板上的投影至少部分重合,且所述光學(xué)元件被配置為將從所述第一基板的所述入光側(cè)朝向所述遮光區(qū)入射的光向所述透光區(qū)域偏轉(zhuǎn)。

在一種實(shí)施方式中,在第一基板上形成光學(xué)元件包括形成偏轉(zhuǎn)層,且偏轉(zhuǎn)層具有凹透鏡形狀。

在一種實(shí)施方式中,在所述第一基板上形成光學(xué)元件還包括:形成平滑層,且所述平滑層具有與所述偏轉(zhuǎn)層互補(bǔ)的形狀,以使得所述光學(xué)元件具有矩形形狀。

圖8為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成光學(xué)元件的方法的流程圖。具體地,如圖8所示,形成光學(xué)元件可以包括下列步驟:

S21.在第一基板上形成偏轉(zhuǎn)層;

S22.在偏轉(zhuǎn)層上形成平滑層。

圖9為根據(jù)圖8的實(shí)施例的形成光學(xué)元件的方法的進(jìn)一步示意圖。如圖9所示,形成光學(xué)元件的方法具體地包括:

(a)在第一基板上沉積偏轉(zhuǎn)材料層310;

(b)對(duì)偏轉(zhuǎn)材料層310進(jìn)行構(gòu)圖,使得被構(gòu)圖后的偏轉(zhuǎn)材料層(即,偏轉(zhuǎn)層31)具有凹透鏡形狀,且其凹陷表面遠(yuǎn)離第一基板。在一個(gè)實(shí)施例中,通過光刻進(jìn)行構(gòu)圖。其中,可以采用諸如灰度掩模的掩膜板來曝光在偏轉(zhuǎn)材料層上形成的光致抗蝕劑層,通過控制光致抗蝕劑在不同位置的曝光量,以使光致抗蝕劑在顯影時(shí)具有希望的凹透鏡形狀。采用離子束刻蝕工藝,來對(duì)偏轉(zhuǎn)材料層的不同部位進(jìn)行不同深度的刻蝕,從而將光致抗蝕劑層的凹透鏡形狀轉(zhuǎn)移到偏轉(zhuǎn)材料層中,以形成具有凹透鏡形狀的偏轉(zhuǎn)層,然后去除光致抗蝕劑層,從而完成構(gòu)圖。

(c)(例如,通過涂覆工藝)在偏轉(zhuǎn)層31上形成平滑層32。例如,可以將諸如樹脂的材料設(shè)置于偏轉(zhuǎn)層上,然后進(jìn)行熱固化和/或光固化,使得平滑層更緊密地設(shè)置于偏轉(zhuǎn)層上??梢岳斫?,也可以根據(jù)需要來對(duì)平滑層的遠(yuǎn)離偏轉(zhuǎn)層的表面進(jìn)行平坦化處理。

圖10為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成光學(xué)元件的方法的流程圖。具體地,如圖10所示,形成光學(xué)元件的步驟可以包括下列步驟:

S21'.在第一基板上形成平滑層;

S22'.在平滑層上形成偏轉(zhuǎn)層。

圖11為根據(jù)圖10的實(shí)施例的形成光學(xué)元件的方法的進(jìn)一步示意圖。如圖11所示,形成光學(xué)元件的方法具體地包括:

(a)在第一基板上沉積平滑材料層320';

(b)對(duì)平滑材料層320'進(jìn)行構(gòu)圖,使得被構(gòu)圖后的平滑材料層(即,平滑層32')具有用于與后續(xù)形成的偏轉(zhuǎn)層的凹透鏡形狀相補(bǔ)的凸透鏡形狀,且凸透鏡的凸起表面遠(yuǎn)離第一基板。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,該平滑材料層可以包括光敏樹脂材料。在曝光時(shí),例如,可以采用諸如灰度掩模的掩膜板來控制光敏樹脂材料在不同位置的曝光量,以在顯影時(shí),獲得希望有的凸透鏡形狀,從而完成構(gòu)圖。在另一個(gè)實(shí)施例中,也可以采用離子束刻蝕工藝,來對(duì)平滑材料層的不同部位進(jìn)行不同深度的刻蝕,以形成具有后續(xù)形成的偏移層的凹透鏡形狀互補(bǔ)的形狀的平滑層。

(c)(例如,通過涂覆工藝)在平滑層32'上形成偏轉(zhuǎn)層31'。

可以通過調(diào)整偏轉(zhuǎn)層和平滑層之間的折射率差異和/或偏轉(zhuǎn)層的坡度來調(diào)整偏轉(zhuǎn)層的發(fā)散作用,以更好的避開第二基板的遮光區(qū)域。在一種實(shí)施方式中,偏轉(zhuǎn)層的折射率大于平滑層的折射率。

在一種實(shí)施方式中,偏轉(zhuǎn)層的折射率與平滑層的折射率的差值范圍為2-3,偏轉(zhuǎn)層到第二基板的遮光區(qū)的距離(即,偏轉(zhuǎn)層上的任一點(diǎn)到第二基板的距離的最小值)范圍為135-185um。在一種實(shí)施方式中,偏轉(zhuǎn)層的寬度與第二基板的遮光區(qū)域(例如,黑矩陣)的寬度相同,且偏轉(zhuǎn)層的曲率半徑大于偏轉(zhuǎn)層的寬度的一半。

偏轉(zhuǎn)層可以為折射率比較高的物質(zhì)。例如,偏轉(zhuǎn)層可以包括氮化硅和氧化硅,平滑層可以包括樹脂。

本發(fā)明的實(shí)施例能夠有效利用射向面板的遮光區(qū)的光,提高了顯示面板的透光率,并且提供了高對(duì)位精度的解決方案。通過本發(fā)明的實(shí)施例的方法,可以使得偏轉(zhuǎn)層、平滑層以及第一基板之間的對(duì)位精度高達(dá)1um左右,并且通過將設(shè)置有光學(xué)元件的第一基板和第二基板對(duì)盒,能夠有效提高對(duì)準(zhǔn)精度,顯著地提高顯示面板的光利用率。

本發(fā)明的實(shí)施例中的顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

已經(jīng)描述了某特定實(shí)施例,這些實(shí)施例僅通過舉例的方式展現(xiàn),而且不旨在限制本發(fā)明的范圍。事實(shí)上,本文所描述的新穎實(shí)施例可以以各種其它形式來實(shí)施;此外,可在不脫離本發(fā)明的精神下,做出以本文所描述的實(shí)施例的形式的各種省略、替代和改變。所附權(quán)利要求以及它們的等價(jià)物旨在覆蓋落在本發(fā)明范圍和精神內(nèi)的此類形式或者修改。

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