本發(fā)明涉及極紫外光刻光源電源及放電室系統(tǒng)。

背景技術(shù)：
為實(shí)現(xiàn)我國(guó)集成電路專(zhuān)用設(shè)備跨越式的發(fā)展，國(guó)家將2020年實(shí)現(xiàn)45nm～25nm刻線指定為微電子中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃，并由此制定了國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)02專(zhuān)項(xiàng)。集成電路不同的技術(shù)時(shí)代是以其所加工器件的特征尺寸，即所能加工器件的最小尺寸為標(biāo)志的，而推動(dòng)半導(dǎo)體芯片集成度不斷提高、器件特征尺寸不斷縮小的源動(dòng)力是光刻技術(shù)的改進(jìn)和發(fā)展。光刻技術(shù)是利用光將掩膜板上的圖案燒蝕在半導(dǎo)體晶片上的光刻膠上，經(jīng)過(guò)一系列處理后，便可得到刻蝕在晶片上完整的電路。光刻機(jī)分辨率的物理極限R決定了集成電路的最小特征尺寸HalfPitch,HP，表示為瑞利判據(jù)：式中k1——工藝因子，代表了處理過(guò)程中的技術(shù)難度，數(shù)值越小，難度越大；λ——曝光波長(zhǎng)；NA——投影光刻物鏡的數(shù)值孔徑。λ——曝光波長(zhǎng)；NA——投影光刻物鏡的數(shù)值孔徑。公式(1)體現(xiàn)了提高光刻機(jī)精度的大部分方法，可以通過(guò)分辨率增強(qiáng)技術(shù)減小工藝因子k1，或者減小光刻機(jī)曝光波長(zhǎng)λ，或者提高數(shù)值孔徑NA的方法，提高光刻機(jī)分辨率R公式(1)體現(xiàn)了提高光刻機(jī)精度的大部分方法，可以通過(guò)分辨率增強(qiáng)技術(shù)減小工藝因子k1，或者減小光刻機(jī)曝光波長(zhǎng)λ，或者提高數(shù)值孔徑NA的方法，提高光刻機(jī)分辨率R。其中，減小光刻機(jī)曝光波長(zhǎng)是主要方法之一。隨著光刻技術(shù)的發(fā)展，曝光波長(zhǎng)逐漸減小，由最初可見(jiàn)光波段的g線(436nm)和紫外光波段的i線(365nm)發(fā)展到了深紫外波段的248nm和193nm，并在此基礎(chǔ)上發(fā)展了193nm浸沒(méi)式光刻機(jī)。采用雙重曝光的193nm浸沒(méi)式光刻技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了22nm刻線，并在離軸照明的條件下具有實(shí)現(xiàn)16nm刻線的能力，但這一技術(shù)將提高曝光過(guò)程中掩膜板處理步驟，降低集成電路的刻蝕速率，增加了工作成本。在此情況下，為了實(shí)現(xiàn)更小特征尺寸的集成電路，采用更短曝光波長(zhǎng)的13.5nm極紫外EUV光刻技術(shù)被提出來(lái)，其自1988年提出以來(lái)便得到了迅速的發(fā)展。EUV光源的技術(shù)方案主要有激光等離子體(LPP)EUV光源、放電等離子體(DPP)EUV光源及在DPPEUV光源發(fā)展起來(lái)的激光輔助放電(LDP)EUV光源，這三種光源的共同點(diǎn)均是獲得電子溫度30eV～50eV的Xe10+或Sn8+～Sn12+等離子體，通過(guò)4d-5p或4d-4p和4d-4f躍遷，實(shí)現(xiàn)13.5nm輻射光輸出。其中，光源的功率是決定整個(gè)光刻機(jī)性能的源頭，而光源的功率由光源的重復(fù)頻率和單脈沖能量決定。對(duì)于DPPEUV光源或LDPEUV光源而言，單脈沖能量由電源的單脈沖輸出電能決定，重復(fù)頻率由電源的重復(fù)頻率決定。因此，電源的工作狀態(tài)，決定了整個(gè)光源的工作性能。常規(guī)條件下，電源設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮負(fù)載的特性，而EUV光源的負(fù)載條件非常復(fù)雜，普通的結(jié)構(gòu)無(wú)法模擬。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明是為了解決常規(guī)DPPEUV光源的電源設(shè)計(jì)時(shí)，負(fù)載特性難以模擬，電源設(shè)計(jì)參數(shù)難以確認(rèn)的問(wèn)題。現(xiàn)提供一種用于毛細(xì)管放電EUV光源的負(fù)載系統(tǒng)。一種用于毛細(xì)管放電EUV光源的負(fù)載系統(tǒng)，它包括預(yù)脈沖高壓電極、左側(cè)絕緣層、主脈沖高壓電極、主脈沖地電極和右側(cè)絕緣層，預(yù)脈沖高壓電極、左側(cè)絕緣層、主脈沖高壓電極、主脈沖地電極和右側(cè)絕緣層的橫截面均為T(mén)型結(jié)構(gòu)，且該T型結(jié)構(gòu)均為軸對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，預(yù)脈沖高壓電極的T型結(jié)構(gòu)的頂端對(duì)稱(chēng)設(shè)置有兩個(gè)通孔，左側(cè)絕緣層的T型結(jié)構(gòu)的頂端對(duì)稱(chēng)設(shè)置有四個(gè)孔，其中，左側(cè)絕緣層上內(nèi)部?jī)蓚€(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔間距與預(yù)脈沖高壓電極的兩個(gè)通孔的間距相等，左側(cè)絕緣層上外部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔為通孔，主脈沖高壓電極的T型結(jié)構(gòu)的頂端對(duì)稱(chēng)設(shè)置有六個(gè)孔，其中，主脈沖高壓電極上位于內(nèi)部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔間距與左側(cè)絕緣層的內(nèi)部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔間距相等，主脈沖高壓電極上位于中部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔間距與左側(cè)絕緣層的外部的兩個(gè)通孔的孔間距相等，主脈沖高壓電極上位于外部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔為通孔，左側(cè)絕緣層包裹在預(yù)脈沖高壓電極的外部，主脈沖高壓電極包裹在左側(cè)絕緣層的外部，且預(yù)脈沖高壓電極頂端的通孔與左側(cè)絕緣層上內(nèi)部?jī)蓚€(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔和主脈沖高壓電極上位于內(nèi)部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔相對(duì)應(yīng)，且通過(guò)三者對(duì)應(yīng)孔將三者固定，左側(cè)絕緣層上外部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔與主脈沖高壓電極上位于中部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔對(duì)應(yīng)，通過(guò)對(duì)應(yīng)孔將左側(cè)絕緣層和主脈沖高壓電極固定，主脈沖地電極的T型結(jié)構(gòu)的頂端對(duì)稱(chēng)設(shè)置有兩個(gè)通孔，且該通孔的孔間距等于主脈沖高壓電極外部的兩個(gè)孔間距，螺絲通過(guò)該孔將主脈沖地電極和主脈沖高壓電極固定，主脈沖地電極的T型結(jié)構(gòu)的底端設(shè)置有一個(gè)通孔，螺絲通過(guò)該通孔將右側(cè)絕緣層與主脈沖地電極固定，右側(cè)絕緣層包裹在主脈沖地電極的外部，預(yù)脈沖高壓電極的底端和主脈沖地電極的底端之間設(shè)置有毛細(xì)管。本發(fā)明的有益效果為：使用時(shí)，左側(cè)部分包括：預(yù)脈沖高壓電極、左側(cè)絕緣套、主脈沖高壓電極，其中，預(yù)脈沖高壓電極位于最中心，中間絕緣套套在預(yù)脈沖高壓電極的外側(cè)，主脈沖高壓電極套在中間絕緣套的外側(cè)，預(yù)脈沖高壓電極和中間絕緣套左側(cè)之間墊厚度為15mm的墊片，以控制二者尖端的距離。主脈沖高壓電極和中間絕緣套之間墊厚度為1mm的墊片，以控制二者尖端的距離。墊片的數(shù)量控制主脈沖高壓電極和預(yù)脈沖高壓電極右側(cè)尖端的距離。三者連接后三者的通孔相對(duì)應(yīng)，預(yù)脈沖高壓電極、左側(cè)絕緣套和主脈沖高壓電極通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔固定。右側(cè)部分包括：右側(cè)絕緣層和主脈沖地電極，其中絕緣套套在地電極的外側(cè)。毛細(xì)管厚度6mm夾在主脈沖地電極和預(yù)脈沖高壓電極的中間，這種結(jié)構(gòu)與真實(shí)負(fù)載的電極結(jié)構(gòu)一致。保證了由于電極感抗和阻抗特性與真實(shí)負(fù)載中電極帶來(lái)的感抗和阻抗特性的一致性。附圖說(shuō)明圖1為具體實(shí)施方式一所述的一種用于毛細(xì)管放電EUV光源的負(fù)載系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)圖；圖2為金屬墊片的結(jié)構(gòu)圖；圖3為右側(cè)絕緣層的結(jié)構(gòu)圖；圖4為預(yù)脈沖高壓電極的結(jié)構(gòu)圖；圖5為左側(cè)絕緣層的結(jié)構(gòu)圖；圖6為主脈沖地電極的結(jié)構(gòu)圖；圖7為主脈沖高壓電極的結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式具體實(shí)施方式一：參照?qǐng)D圖1、圖3至圖6具體說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式所述的一種用于毛細(xì)管放電EUV光源的負(fù)載系統(tǒng)，它包括預(yù)脈沖高壓電極1、左側(cè)絕緣層2、主脈沖高壓電極3、主脈沖地電極4和右側(cè)絕緣層5，預(yù)脈沖高壓電極1、左側(cè)絕緣層2、主脈沖高壓電極3、主脈沖地電極4和右側(cè)絕緣層5的橫截面均為T(mén)型結(jié)構(gòu)，且該T型結(jié)構(gòu)均為軸對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，預(yù)脈沖高壓電極1的T型結(jié)構(gòu)的頂端對(duì)稱(chēng)設(shè)置有兩個(gè)通孔，左側(cè)絕緣層2的T型結(jié)構(gòu)的頂端對(duì)稱(chēng)設(shè)置有四個(gè)孔，其中，左側(cè)絕緣層2上內(nèi)部?jī)蓚€(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔間距與預(yù)脈沖高壓電極1的兩個(gè)通孔的間距相等，左側(cè)絕緣層2上外部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔為通孔，主脈沖高壓電極3的T型結(jié)構(gòu)的頂端對(duì)稱(chēng)設(shè)置有六個(gè)孔，其中，主脈沖高壓電極3上位于內(nèi)部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔間距與左側(cè)絕緣層2的內(nèi)部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔間距相等，主脈沖高壓電極3上位于中部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔間距與左側(cè)絕緣層2的外部的兩個(gè)通孔的孔間距相等，主脈沖高壓電極3上位于外部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔為通孔，左側(cè)絕緣層2包裹在預(yù)脈沖高壓電極1的外部，主脈沖高壓電極3包裹在左側(cè)絕緣層2的外部，且預(yù)脈沖高壓電極1頂端的通孔與左側(cè)絕緣層2上內(nèi)部?jī)蓚€(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔和主脈沖高壓電極1上位于內(nèi)部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔相對(duì)應(yīng)，且通過(guò)三者對(duì)應(yīng)孔將三者固定，左側(cè)絕緣層2上外部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔與主脈沖高壓電極3上位于中部的兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的孔對(duì)應(yīng)，通過(guò)對(duì)應(yīng)孔將左側(cè)絕緣層2和主脈沖高壓電極3固定，主脈沖地電極4的T型結(jié)構(gòu)的頂端對(duì)稱(chēng)設(shè)置有兩個(gè)通孔，且該通孔的孔間距等于主脈沖高壓電極外部的兩個(gè)孔間距，螺絲通過(guò)該孔將主脈沖地電極4和主脈沖高壓電極3固定，主脈沖地電極4的T型結(jié)構(gòu)的底端設(shè)置有一個(gè)通孔，螺絲通過(guò)該通孔將右側(cè)絕緣層5與主脈沖地電極4固定，右側(cè)絕緣層5包裹在主脈沖地電極4的外部，預(yù)脈沖高壓電極1的底端和主脈沖地電極4的底端之間設(shè)置有毛細(xì)管。本實(shí)施方式中，毛細(xì)管的厚度為6mm。具體實(shí)施方式二：參照?qǐng)D2具體說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式是對(duì)具體實(shí)施方式一所述的一種用于毛細(xì)管放電EUV光源的負(fù)載系統(tǒng)作進(jìn)一步說(shuō)明，本實(shí)施方式中，它還包括多個(gè)金屬墊片，金屬墊片包括兩種，一種為厚度為1mm的金屬墊片，另一種厚度為15mm的金屬墊片，預(yù)脈沖高壓電極1的頂端的寬度和左側(cè)絕緣層2頂端的寬度之間墊厚度為15mm的金屬墊片，以控制二者尖端的距離；主脈沖高壓電極3的頂端的寬度和左側(cè)絕緣層2的頂端的寬度之間墊厚度為1mm的金屬墊片，以控制二者尖端的距離。