技術編號：12846686
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及極紫外光刻光源電源及放電室系統(tǒng)。背景技術為實現(xiàn)我國集成電路專用設備跨越式的發(fā)展，國家將2020年實現(xiàn)45nm～25nm刻線指定為微電子中長期發(fā)展規(guī)劃，并由此制定了國家科技重大專項02專項。集成電路不同的技術時代是以其所加工器件的特征尺寸，即所能加工器件的最小尺寸為標志的，而推動半導體芯片集成度不斷提高、器件特征尺寸不斷縮小的源動力是光刻技術的改進和發(fā)展。光刻技術是利用光將掩膜板上的圖案燒蝕在半導體晶片上的光刻膠上，經過一系列處理后，便可得到刻蝕在晶片上完整的電路。光刻機分辨率的物理極限...
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