本發(fā)明涉及一種微電子光學(xué)臨近修正的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種減少光學(xué)臨近修正(OpticalProximityCorrection，簡稱：OPC)修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法。

背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造過程中，隨著特征尺寸的不斷減小和圖形復(fù)雜程度變得越來越高，OPC技術(shù)也不斷發(fā)展以適應(yīng)圖形成像過程中不斷出現(xiàn)的問題。目前應(yīng)用最為廣泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，其基本原理是通過建立基于特定光刻條件的曝光模型，對原始版圖或目標(biāo)版圖進(jìn)行模擬以得到模擬誤差，然后將原始版圖按一定的規(guī)則進(jìn)行分段切割，根據(jù)模擬誤差對片斷進(jìn)行偏移補(bǔ)償并重新模擬，經(jīng)過幾個(gè)回合的模擬和修正和得到模擬結(jié)果與目標(biāo)版圖一致的修正后版圖。受到掩模板制作能力的限制以及OPC執(zhí)行時(shí)間的局限，基于模型的OPC修正方法不可避免的存在一些OPC修正弱點(diǎn)或修正錯(cuò)誤，如果這些修正弱點(diǎn)不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)就可能導(dǎo)致硅片上的工藝缺陷點(diǎn)，因此OPC修正后的模擬檢查驗(yàn)證就被引入到OPC出版流程中，OPC修正后模擬檢查驗(yàn)證通過模擬OPC修正后版圖并檢查模擬結(jié)果以確認(rèn)是否存在潛在的工藝弱點(diǎn)或工藝缺陷，這些模擬驗(yàn)證一般檢查包括是否存在橋接和斷線，上下層的接觸面積是否在工藝許可范圍內(nèi)，模擬圖形與目標(biāo)圖形偏差是否在容許范圍內(nèi)等等。OPC修正后模擬檢查驗(yàn)證一般可分為兩類，一是模擬OPC修正后版圖并檢查模擬輪廓的絕對尺寸，查看模擬結(jié)果是否存在小于規(guī)定尺寸或規(guī)格的圖形點(diǎn)，這種檢查方法能快速的探測到OPC修正是否會(huì)造成工藝弱點(diǎn)并且一般很少有錯(cuò)誤誤報(bào)或多報(bào)，但是如果原始版圖或者目標(biāo)版圖存在問題，或者軟件存在漏洞導(dǎo)致OPC修正錯(cuò)誤時(shí)(比如圖形額外增加或消失)，有可能會(huì)導(dǎo)致一些錯(cuò)誤漏報(bào)；第二類是比對模擬結(jié)果尺寸和目標(biāo)版圖尺寸的相對比例，當(dāng)模擬尺寸和目標(biāo)尺寸的比例偏差超過限定值時(shí)即將該圖形點(diǎn)報(bào)錯(cuò)用以檢查，這類方法能夠避免第一類方法涉及的很多漏報(bào)問題，但是受到一些光刻物理極限的影響等，經(jīng)常存在一些錯(cuò)誤誤報(bào)或者多報(bào)，當(dāng)錯(cuò)誤誤報(bào)過多時(shí)會(huì)影響檢查的效率。在實(shí)際的模擬檢查驗(yàn)證過程中通常會(huì)結(jié)合上述提及的兩種OPC修正后模擬驗(yàn)證方法，一般對于第二類的檢查相對偏差方法，為了避免過多的誤報(bào)，引入了一些過濾方法以減少錯(cuò)誤誤報(bào)。圖1為現(xiàn)有的OPC修正后模擬驗(yàn)證的示意圖，請參見圖1所示。對于圖形A區(qū)域，OPC修正后模擬與目標(biāo)圖形一致，但是圖形B區(qū)域處于拐角凹處，受到圓化效應(yīng)的影響，其模擬尺寸比目標(biāo)尺寸偏大，越靠近拐角處，偏離值越大，由于這些圓化效應(yīng)是無法避免的，而且也不會(huì)影響器件的性能，一般可以忽略，所以在模擬驗(yàn)證過程中形成排除區(qū)域，忽略這一區(qū)域的檢查；這一忽略檢查的范圍或區(qū)域一般設(shè)定一個(gè)離拐角的固定值，或者離線端的固定值等，如圖1所示L1，在離凹角L1長度范圍內(nèi)的不作模擬驗(yàn)證后檢查；圖形的拐角圓化問題與很多因素有關(guān)，在曝光條件與OPC修正方法確定的情況下，它與圖形尺寸，形狀和圖形密度等有關(guān)；當(dāng)模擬出的拐角圓化離凹角的距離超過設(shè)定值L1時(shí)，也即R1>L1時(shí)。圖2為現(xiàn)有的OPC修正后模擬驗(yàn)證誤報(bào)的示意圖，請參見圖2所示，由于超過排除區(qū)域的圖形將會(huì)做模擬驗(yàn)證檢查，很容易形成報(bào)錯(cuò)，因?yàn)樗怯蓤D形拐角圓化引起的。如果增加L1的大小，將排除區(qū)域擴(kuò)大，或許可以過濾一些誤報(bào)的圖形，但是如果在排除區(qū)域內(nèi)OPC修正存在問題也將以其被忽略，存在一定的風(fēng)險(xiǎn)，因此在實(shí)際應(yīng)用中不會(huì)因?yàn)檎`報(bào)的存在去直接增加L1的值。公開號為CN103513506A的中國專利公開了一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，包括以下步驟：1)制作兩塊測試光刻版，第一塊放置前層圖形，所述前層圖形為產(chǎn)生形貌或膜層變化的圖形；第二塊放置后層OPC測試圖形；2)按照工藝順序準(zhǔn)備硅片，在沒有形貌的硅片上，對第二塊光刻版進(jìn)行涂膠、曝光、顯影，收集光刻工藝的關(guān)鍵尺寸的數(shù)值，根據(jù)收集到的光刻工藝數(shù)值建立OPC模型；3)按照工藝順序準(zhǔn)備硅片，在沒有形貌的硅片上，對第一塊光刻版進(jìn)行涂膠、曝光、顯影，產(chǎn)生前層圖形的形貌；4)再對第二塊光刻版進(jìn)行涂膠、曝光、顯影，收集光刻工藝的關(guān)鍵尺寸的數(shù)值，并根據(jù)收集到的光刻工藝關(guān)鍵尺寸的數(shù)值，建立選擇性偏離算法，表征在不同的區(qū)域需要增加的偏離值；5)在沒有形貌的區(qū)域使用步驟2)建立的OPC；在有形貌的區(qū)域，根據(jù)步驟4)計(jì)算得到的偏離值重新進(jìn)行OPC修正。公開號為CN1869819A的中國專利公開了一種用于光學(xué)臨近修正的方法和系統(tǒng)，包括以下步驟：識(shí)別具有需要分段的邊的感興趣的圖形；識(shí)別一個(gè)或多個(gè)不同于所述感興趣的圖形的有影響的圖形；平滑所述一個(gè)或多個(gè)有影響的圖形，以形成有平滑的邊的平滑的有影響的圖形，其中所述一個(gè)或多個(gè)有影響的圖形的平滑的量，根據(jù)所述有影響的圖形對所述感興趣的圖形的成像過程的影響而變化；根據(jù)所述平滑的有影響的圖形的平滑的邊，限定所述感興趣的圖形的邊的分段；以及執(zhí)行所述感興趣的圖形的OPC，其中所述OPC包括調(diào)整所述感興趣的圖形的邊的所述分段。但現(xiàn)有技術(shù)都未公開如何減少OPC驗(yàn)證錯(cuò)誤誤報(bào)并且避免OPC修正錯(cuò)誤遺漏的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，以解決現(xiàn)有OPC修正后模擬檢查驗(yàn)證中，由于受到圖形圓化等光學(xué)臨近效應(yīng)的影響，當(dāng)檢查模擬尺寸與目標(biāo)尺寸的相對偏差時(shí)會(huì)存在錯(cuò)誤誤報(bào)的問題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，其中，步驟一：完成OPC修正，在OPC修正完成后產(chǎn)生OPC修正后圖形以及OPC修正前的目標(biāo)圖形；步驟二：在OPC修正完成后選出導(dǎo)致OPC驗(yàn)證錯(cuò)誤誤報(bào)的圖形區(qū)域；步驟三：截取錯(cuò)誤誤報(bào)圖形區(qū)域圖中的圖形邊片段；步驟四：沿著圖形邊片段形成獨(dú)立的OPC驗(yàn)證區(qū)域；步驟五：進(jìn)行OPC驗(yàn)證。上述的一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，其中，在步驟二中，選出目標(biāo)圖形中符合條件的凹角圖形邊。上述的一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，其中，在步驟三中，選出凹角圖形邊的頂點(diǎn)為起始點(diǎn)，截取圖形邊片段。上述的一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，其中，導(dǎo)致OPC驗(yàn)證錯(cuò)誤誤報(bào)的圖形邊長度大于兩倍最小設(shè)計(jì)規(guī)則線寬，兩條鄰邊中至少一鄰邊與其成270度，并且兩條鄰邊的長度均大于最小設(shè)計(jì)規(guī)則線寬。上述的一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，其中，從圖形邊凹角頂點(diǎn)起始截取圖形邊片段長度為1.25倍的最小設(shè)計(jì)規(guī)則線寬。上述的一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，其中，在步驟五中，對形成獨(dú)立OPC驗(yàn)證區(qū)域以外的區(qū)域進(jìn)行驗(yàn)證，通過模擬尺寸和目標(biāo)尺寸的相對比例進(jìn)行檢查。上述的一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，其中，當(dāng)模擬尺寸介于目標(biāo)尺寸95％至105％之間，正常；反之，修正可能存在問題。上述的一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，其中，在步驟五中，對形成獨(dú)立OPC驗(yàn)證區(qū)域進(jìn)行驗(yàn)證，該區(qū)域模擬尺寸不小于目標(biāo)尺寸偏小比例。上述的一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，其中，當(dāng)模擬尺寸大于形成獨(dú)立OPC驗(yàn)證區(qū)域目標(biāo)尺寸的95％，正常；反之，修正可能存在問題。本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的積極效果是：采用本發(fā)明的一種減少OPC修正后驗(yàn)證誤報(bào)錯(cuò)的方法，能夠有效地減少OPC驗(yàn)證錯(cuò)誤誤報(bào)并且避免真正OPC修正錯(cuò)誤遺漏，從而能提高OPC驗(yàn)證結(jié)果檢查的效率。附圖說明參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。圖1為現(xiàn)有的OPC修正后模擬驗(yàn)證的示意圖；圖2為現(xiàn)有的OPC修正后模擬驗(yàn)證誤報(bào)的示意圖；圖3為選出可能導(dǎo)致OPC驗(yàn)證誤報(bào)的圖形區(qū)域的示意圖；圖4為OPC驗(yàn)證區(qū)域D中OPC修正正常的示意圖；圖5為OPC驗(yàn)證區(qū)域D中OPC修正存在問題的示意圖；圖6為OPC修正后模擬與目標(biāo)圖形偏差較大的示意圖；圖7為選出目標(biāo)圖形中符合條件的凹角圖形邊的第一種情形的示意圖；圖8為選出目標(biāo)圖形中符合條件的凹角圖形邊的第二種情形的示意圖；圖9為選出的圖形邊的凹角頂點(diǎn)的示意圖；圖10為選出的圖形邊的凹角頂點(diǎn)的示意圖；圖11為5個(gè)案例的測試對比圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。在目前OPC修正后模擬驗(yàn)證的相對尺寸比例檢查中，為了避免圖形拐角圓化的影響，一般形成一個(gè)過濾區(qū)域或者過濾線段，在過濾區(qū)域內(nèi)的圖形或者線端不會(huì)有模擬檢查的報(bào)錯(cuò)，這樣就避免了大量的錯(cuò)誤誤報(bào)問題，參見圖1所示；然而當(dāng)拐角圓化嚴(yán)重時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤誤報(bào)問題，參見圖2所示。為了減少模擬驗(yàn)證錯(cuò)誤誤報(bào)問題，采用以下方法進(jìn)行模擬驗(yàn)證的相對尺寸比例檢查：1.首先選出可能導(dǎo)致OPC驗(yàn)證誤報(bào)的圖形區(qū)域，該區(qū)域的特征為處于圖形凹角區(qū)域，在OPC后模擬會(huì)出現(xiàn)拐角圓化現(xiàn)象，圖3為選出可能導(dǎo)致OPC驗(yàn)證誤報(bào)的圖形區(qū)域的示意圖，參見圖3所示，該區(qū)域的長度L2與光刻條件和OPC修正方法等有關(guān)，推薦值為設(shè)計(jì)規(guī)則規(guī)定的最小線寬尺寸的1.25倍，在這個(gè)距離范圍內(nèi)基本可以覆蓋拐角圓化區(qū)域，該區(qū)域?qū)挾萀3不小于目標(biāo)版圖本身的線寬，形成一個(gè)新的OPC驗(yàn)證區(qū)域D；除了驗(yàn)證區(qū)域D以外的目標(biāo)版圖為驗(yàn)證區(qū)域C；2.對于OPC驗(yàn)證區(qū)域C，按照正常的模擬檢查方法進(jìn)行驗(yàn)證，比如在模擬尺寸和目標(biāo)尺寸的相對比例檢查中，當(dāng)模擬尺寸介于目標(biāo)尺寸的95％和105％之間時(shí)，認(rèn)為該結(jié)果正常，當(dāng)超過這個(gè)比例時(shí)就形成報(bào)錯(cuò)點(diǎn)以提示OPC修正可能存在問題；3.對于OPC驗(yàn)證區(qū)域D，由于如果按照上述的正常方法去檢查，就會(huì)形成一個(gè)誤報(bào)點(diǎn)，因?yàn)閺哪M輪廓看，拐角的尺寸明顯超過目標(biāo)尺寸，越靠近凹角，偏差比例越大；驗(yàn)證區(qū)域D的模擬輪廓的特點(diǎn)是該區(qū)域模擬尺寸一般都比目標(biāo)版圖尺寸偏大，基于此，該區(qū)域的模擬尺寸只要不小于規(guī)格規(guī)定的目標(biāo)尺寸偏小比例即可，比如模擬尺寸大于D區(qū)域目標(biāo)尺寸的95％即為正常結(jié)果，認(rèn)為OPC修正正常，圖4為OPC驗(yàn)證區(qū)域D中OPC修正正常的示意圖，參見圖4所示；反之，如果D區(qū)域的模擬尺寸與目標(biāo)尺寸的比例小于規(guī)格規(guī)定的比例，則認(rèn)為模擬結(jié)果偏小，OPC修正可能存在問題，圖5為OPC驗(yàn)證區(qū)域D中OPC修正存在問題的示意圖，參見圖5所示?；谝陨纤龇椒ㄟM(jìn)行OPC修正后模擬驗(yàn)證的相對尺寸比例檢查，能夠避免很多正常OPC修正結(jié)果后的驗(yàn)證誤報(bào)，而且也能夠探測到真正存在OPC修正問題的OPC圖形。傳統(tǒng)的OPC驗(yàn)證過濾方法能減少大部分的OPC相對驗(yàn)證誤報(bào)問題，但是由于在減少誤報(bào)點(diǎn)的產(chǎn)生和避免真正OPC修正錯(cuò)誤的問題上存在矛盾，不能根本的解決OPC誤報(bào)的問題，而且存在一定的OPC修正錯(cuò)誤漏報(bào)的風(fēng)險(xiǎn)。使用本方法對5個(gè)案例進(jìn)行測試，并比較基準(zhǔn)OPC驗(yàn)證方法和改進(jìn)后OPC驗(yàn)證檢測結(jié)果，圖11為5個(gè)案例的測試對比圖，參見圖11所示。改進(jìn)后的OPC驗(yàn)證方法減少了很多由于拐角圓化引起的OPC驗(yàn)證誤報(bào)問題，同時(shí)能夠檢查到由OPC修正不足引起的OPC驗(yàn)證報(bào)錯(cuò)。圖6為OPC修正后模擬與目標(biāo)圖形偏差較大的示意圖，參見圖6所示，該圖形點(diǎn)處于直線段中間，是由于OPC修正不足導(dǎo)致OPC修正后模擬與目標(biāo)圖形偏差較大。在OPC修正完成后產(chǎn)生OPC修正后圖形以及OPC修正前的目標(biāo)圖形，在OPC驗(yàn)證過程中，OPC修正后圖形用來做模擬光刻后的形狀以及尺寸，目標(biāo)圖形可以作為OPC驗(yàn)證的參照圖形或尺寸。對于選出可能導(dǎo)致OPC驗(yàn)證誤報(bào)的圖形區(qū)域，以設(shè)計(jì)規(guī)則為80nm最小線寬為例進(jìn)行說明：首先選出目標(biāo)圖形中符合條件的凹角圖形邊，該圖形邊滿足以下條件：圖7為選出目標(biāo)圖形中符合條件的凹角圖形邊的第一種情形的示意圖，第一種情形參見圖7所示，圖形邊CE1的一條相鄰邊CA1與其成90度角且其長度大于80nm；CE1本身的長度大于兩倍的設(shè)計(jì)規(guī)則最小線寬160nm。圖8為選出目標(biāo)圖形中符合條件的凹角圖形邊的第二種情形的示意圖，第二種情形如圖8所示，CE1的兩條鄰邊CA1和CA2都與其成270角且其長度大于80nm，CE1本身的長度大于兩倍的設(shè)計(jì)規(guī)則最小線寬160nm。然后以選出的圖形邊的凹角頂點(diǎn)CN1為起始點(diǎn)，截取長度為1.25倍最小設(shè)計(jì)線寬尺寸的線段CE2，圖9為選出的圖形邊的凹角頂點(diǎn)的示意圖，圖10為選出的圖形邊的凹角頂點(diǎn)的示意圖，參見圖9和圖10所示，本例截取長度為100nm。接著以所取得的線段CE2為邊，沿著圖形內(nèi)部方向形成一個(gè)矩形區(qū)域E，矩形的另一對邊長CE2所在線條的線寬，參見圖9和圖10所示。完成上述步驟后，OPC目標(biāo)圖形區(qū)域分為兩部分，除了E區(qū)域以外的圖形按照通常的OPC驗(yàn)證方法進(jìn)行檢查。如按照正常的模擬檢查方法進(jìn)行驗(yàn)證，比如在模擬尺寸和目標(biāo)尺寸的相對尺寸比例檢查中，當(dāng)模擬尺寸介于目標(biāo)尺寸的95％和105％之間時(shí)，認(rèn)為該結(jié)果正常，當(dāng)超過這個(gè)比例時(shí)就形成報(bào)錯(cuò)點(diǎn)以提示OPC修正可能存在問題。E區(qū)域則按照該區(qū)域的模擬尺寸只要不小于規(guī)格規(guī)定的目標(biāo)尺寸偏小比例即可，比如模擬尺寸大于D區(qū)域目標(biāo)尺寸的95％即為正常結(jié)果，認(rèn)為OPC修正正常；反之，如果D區(qū)域的模擬尺寸與目標(biāo)尺寸的比例小于規(guī)格規(guī)定的比例，則認(rèn)為模擬結(jié)果偏小，OPC修正可能存在問題。以上所述僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。