技術總結
一種用于包括極紫外線(EUV)光刻的光刻工藝的保護膜可以減輕在保護膜的隔膜中的熱積累。保護膜包括隔膜和在隔膜的至少一個表面上的至少一個熱緩沖層。熱緩沖層的發(fā)射率可以大于隔膜的發(fā)射率。熱緩沖層的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多個熱緩沖層可以在隔膜的分開的表面上，熱緩沖層可具有不同的性能。蓋層可以在至少一個熱緩沖層上，蓋層可以包括抗氫材料。熱緩沖層可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。熱緩沖層可以在至少兩個隔膜之間。

技術研發(fā)人員：全桓徹;金文子;權星元;金炳局;R.查利克;鄭鏞席;崔在爀
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201610290516
技術研發(fā)日：2016.05.04
技術公布日：2016.11.23