發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式大體涉及光刻工藝中使用的光刻裝置，具體地，涉及能夠防止光刻工藝中使用的高能量光所產(chǎn)生的內(nèi)部熱積累的保護(hù)膜，該光刻工藝包括極紫外線(EUV)光刻工藝。

背景技術(shù)：

包括半導(dǎo)體芯片裝置的裝置可以至少部分地經(jīng)由包括光刻的工藝制造。例如，材料的圖案可以經(jīng)由光刻工藝形成在半導(dǎo)體芯片晶片上，作為制造半導(dǎo)體芯片裝置的一部分。光刻工藝可以包括施加光的圖案到晶片上的光致抗蝕劑材料的層(光致抗蝕劑層)上。施加的光入射在其上的光致抗蝕劑材料可以被光改變。光以一圖案被施加到光致抗蝕劑層，并且光致抗蝕劑層的一部分可以根據(jù)該圖案被改變。結(jié)果，當(dāng)光刻工藝應(yīng)用到包括光致抗蝕劑層的晶片時(shí)，晶片可以包含的光致抗蝕劑材料的層包括在光致抗蝕劑層中的改變的光致抗蝕劑材料的圖案。改變的光致抗蝕劑材料的圖案可以對(duì)應(yīng)于在光刻工藝中施加到光致抗蝕劑層的光的圖案。在光刻工藝之后，改變的光致抗蝕劑材料可以在不去除未改變的光致抗蝕劑材料的工藝中被去除。在一些情況中，未改變的光致抗蝕劑材料可以在不去除改變的光致抗蝕劑材料的工藝中被去除。作為去除至少一些光致抗蝕劑材料的結(jié)果，晶片可以包括根據(jù)光刻工藝中使用的光的圖案以一圖案延伸的光致抗蝕劑材料的層。

在一些情況中，光刻工藝包括極紫外線(EUV)光刻工藝。配置為對(duì)一器件實(shí)施EUV光刻工藝的裝置在此也被稱為極紫外線(EUV)光刻裝置，并且可以包括施加EUV光到晶片的EUV光學(xué)系統(tǒng)和在其中形成光學(xué)圖案的光掩模(reticle)。結(jié)果，施加到晶片的表面的EUV光可以包括與光學(xué)圖案相應(yīng)的虛像信息，因此與光學(xué)圖案相應(yīng)的虛像可以形成在晶片上。

在一些情況中，為了保護(hù)光掩模的光學(xué)圖案不受外界因素影響，EUV光刻裝置可以包括保護(hù)膜。保護(hù)膜可以包括覆蓋光掩模的光學(xué)圖案的隔膜和支撐該隔膜的框架。通過EUV光學(xué)系統(tǒng)施加的具有高能量的光可以穿過保 護(hù)膜的隔膜。

在一些情況中，保護(hù)膜會(huì)遭受損害。這樣的損害會(huì)導(dǎo)致在其中包括保護(hù)膜的EUV光刻裝置的劣化，由此不利地影響通過該裝置實(shí)施的EUV光刻工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一些示例實(shí)施方式提供其中整體耐久性被提高的保護(hù)膜和包括該保護(hù)膜的極紫外線(EUV)光刻裝置。

一些示例實(shí)施方式提供保護(hù)膜和包括該保護(hù)膜的EUV光刻裝置，該保護(hù)膜能夠防止由光刻工藝中使用的具有高能量的光所引起的隔膜的變形。

一些示例實(shí)施方式提供能夠防止熱積累的保護(hù)膜和包括該保護(hù)膜的EUV光刻裝置。

一些示例實(shí)施方式提供具有高發(fā)射率的保護(hù)膜和包括該保護(hù)膜的EUV光刻裝置。

技術(shù)目的不限于上述公開?；谝韵碌恼f明，其他目標(biāo)對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言會(huì)變得明顯。

根據(jù)一些示例實(shí)施方式，一種保護(hù)膜包括隔膜和在隔膜的第一表面上的第一熱緩沖層，其中第一熱緩沖層具有第一發(fā)射率，該第一發(fā)射率大于隔膜的發(fā)射率。

在一些示例實(shí)施方式中，第一熱緩沖層可以包括碳。

在一些示例實(shí)施方式中，第一熱緩沖層可以包括無定形碳、石墨烯、納米石墨、碳納米片、碳納米管、碳化硅(SiC)和碳化硼(BC)中的至少一個(gè)。

在一些示例實(shí)施方式中，第一熱緩沖層的垂直厚度可以小于隔膜的垂直厚度。

在一些示例實(shí)施方式中，保護(hù)膜可以還包括在隔膜的與第一表面相反的第二表面上的第二熱緩沖層，其中第二熱緩沖層具有第二發(fā)射率，該第二發(fā)射率大于隔膜的發(fā)射率。

在一些示例實(shí)施方式中，第二熱緩沖層可以包括碳。

在一些示例實(shí)施方式中，第二熱緩沖層的第二發(fā)射率可以等于第一熱緩沖層的第一發(fā)射率。

在一些示例實(shí)施方式中，保護(hù)膜可以包括在隔膜的第二表面上的框架，其中第二熱緩沖層在隔膜和框架之間延伸。

根據(jù)一些示例實(shí)施方式，一種保護(hù)膜包括：隔膜；設(shè)置在隔膜的第一表面上的第一熱緩沖層；和設(shè)置在第一熱緩沖層上的第一蓋層，其中第一熱緩沖層包括第一碳含量，該第一碳含量大于隔膜的碳含量和第一蓋層的碳含量中的每個(gè)。

在一些示例實(shí)施方式中，第一蓋層的垂直厚度可以小于第一熱緩沖層的垂直厚度。

在一些示例實(shí)施方式中，保護(hù)膜可以還包括在隔膜的與第一表面相反的第二表面上的第二蓋層，其中第二蓋層的碳含量可以小于第一熱緩沖層的第一碳含量。

在一些示例實(shí)施方式中，保護(hù)膜可以還包括在隔膜的第二表面上的框架，其中框架包括內(nèi)側(cè)和外側(cè)，該內(nèi)側(cè)至少部分地限制隔膜的第二表面的內(nèi)部分，該外側(cè)面對(duì)外界環(huán)境，第二蓋層可以在第二表面的內(nèi)部分上。

在一些示例實(shí)施方式中，保護(hù)膜可以還包括在隔膜和第二蓋層之間的第二熱緩沖層，其中第二熱緩沖層包括第二碳含量，該第二碳含量大于隔膜和第二蓋層中每個(gè)的碳含量。

在一些示例實(shí)施方式中，第二熱緩沖層的第二碳含量可以等于第一熱緩沖層的第一碳含量。

在一些示例實(shí)施方式中，第一蓋層可以包括抗氫材料。

根據(jù)一些示例實(shí)施方式，一種保護(hù)膜包括隔膜和在隔膜的表面上的熱緩沖層，其中熱緩沖層配置為發(fā)射熱輻射，由熱緩沖層發(fā)射的該熱輻射具有一強(qiáng)度，該強(qiáng)度超過由隔膜發(fā)射的熱輻射的強(qiáng)度。

在一些示例實(shí)施方式中，保護(hù)膜可以還包括設(shè)置在熱緩沖層的表面上的蓋層，其中蓋層包括比在熱緩沖層中包括的碳的量低的碳的量。

在一些示例實(shí)施方式中，保護(hù)膜可以還包括設(shè)置在隔膜的該表面上的框架，框架包括內(nèi)側(cè)和外側(cè)，該內(nèi)側(cè)至少部分地限制隔膜的該表面的內(nèi)部分，該外側(cè)面對(duì)外界環(huán)境，其中熱緩沖層設(shè)置在該表面的內(nèi)部分上。

在一些示例實(shí)施方式中，熱緩沖層可以包括在隔膜的第一表面上的第一熱緩沖層和在隔膜的與第一表面相反的第二表面上的第二熱緩沖層，第一熱緩沖層和第二熱緩沖層配置為發(fā)射不同強(qiáng)度的熱輻射。

在一些示例實(shí)施方式中，第二熱緩沖層的垂直厚度可以不同于第一熱緩沖層的垂直厚度。

在一些示例實(shí)施方式中，一種保護(hù)膜包括隔膜和在隔膜的表面上的熱緩沖層，其中熱緩沖層包括第一碳含量，該第一碳含量大于隔膜的碳含量。

在一些示例實(shí)施方式中，熱緩沖層的垂直厚度不同于隔膜的垂直厚度。

在一些示例實(shí)施方式中，保護(hù)膜包括蓋層，其中熱緩沖層在隔膜和蓋層之間，并且第一碳含量大于蓋層的碳含量。

在一些示例實(shí)施方式中，第一熱緩沖層具有第一發(fā)射率，該第一發(fā)射率大于隔膜的發(fā)射率。

在一些示例實(shí)施方式中，隔膜包括第一隔膜和第二隔膜，第二隔膜在第一隔膜上，第一熱緩沖層在第一隔膜和第二隔膜之間，第一發(fā)射率大于第一隔膜的發(fā)射率和第二隔膜的發(fā)射率中的每個(gè)。

附圖說明

發(fā)明構(gòu)思的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)將通過附圖中示出的發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的更詳細(xì)描述而變得明顯，其中在不同的視圖中相同的參考符號(hào)始終指代相同的部件。附圖不必按比例，而是重點(diǎn)在于示出發(fā)明構(gòu)思的原理。附圖中：

圖1A是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的包括保護(hù)膜的極紫外線(EUV)光刻裝置的示意圖；

圖1B是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜的視圖；

圖2是示出通過熱緩沖層導(dǎo)致的保護(hù)膜的發(fā)射率差異的曲線圖；

圖3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17和18是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜的視圖；

圖19A、19B和19C是順序地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜的形成方法的視圖；

圖20A、20B和20C是順序地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜的形成方法的視圖；

圖21是示出包括通過EUV光刻裝置形成的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體模塊的視圖，該EUV光刻裝置具有根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜；

圖22是示出包括通過EUV光刻裝置形成的半導(dǎo)體器件的移動(dòng)系統(tǒng)的視 圖，該EUV光刻裝置具有根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜；和

圖23是示出包括通過EUV光刻裝置形成的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的視圖，該EUV光刻裝置具有根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將參考附圖詳細(xì)地描述一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)解釋為僅限于圖示的實(shí)施方式。而是，提供圖示的實(shí)施方式作為示例，使得本公開將充分和完整，且向那些本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本公開的構(gòu)思。因此，已知的工藝、元件和技術(shù)可以沒有關(guān)于一些示例實(shí)施方式來描述。除非另外說明，在附圖和說明書中，相同的附圖標(biāo)記指示相同的元件，因此將不重復(fù)描述。

雖然術(shù)語第一、第二和第三等可以用于此來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本公開的范圍。

在這里為了描述的方便，可以使用空間關(guān)系術(shù)語，諸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”、“上”等，來描述一個(gè)元件或特征與其他(諸)元件或(諸)特征如圖中所示的關(guān)系。可以理解空間關(guān)系術(shù)語旨在包含除了在圖中所繪的取向之外裝置在使用或操作中的不同取向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下方”、“下面”或“之下”的元件則將取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示例術(shù)語“下方”和“之下”可以包含下方和上方兩個(gè)方向。裝置也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應(yīng)地解釋這里所使用的空間關(guān)系描述語。另外，當(dāng)元件被稱為在兩個(gè)元件“之間”時(shí)，元件可以是該兩個(gè)元件之間僅有的元件，或者可以存在一個(gè)或多個(gè)其它居間元件。

如這里所用，單數(shù)形式“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思?？梢赃M(jìn)一步理解當(dāng)在此說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”和/或“包含”說明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或添加。當(dāng)在這里使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的 一個(gè)或多個(gè)的任何和所有組合。諸如“…中至少一個(gè)”的表述當(dāng)在一串元件之前時(shí)，修飾整串的元件而不修飾該串中的個(gè)別元件。此外，術(shù)語“示范性”旨在指代示例或圖示。

當(dāng)元件被稱為在另一元件“上”、“連接到”、“聯(lián)接到”或“相鄰于”另一元件時(shí)，該元件可以直接在其他元件上或直接連接到、聯(lián)接到、或相鄰于另一元件，或者可以存在一個(gè)或多個(gè)其它的居間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接”在其他元件“上”、“直接連接到”、“直接聯(lián)接到”或“直接相鄰于”另一元件時(shí)，則沒有居間元件存在。

除非另有界定，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有示例實(shí)施方式屬于的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員共同理解的相同的意思。諸如那些在共同使用的字典中定義的術(shù)語應(yīng)解釋為具有一種與在相關(guān)技術(shù)和/或本公開的背景中的它們的涵義一致的涵義，而不應(yīng)解釋為理想化或過度形式化的意義，除非在這里明確地如此界定。

示例實(shí)施方式可以參考操作的動(dòng)作和符號(hào)表示(例如，以流程表、流程圖、數(shù)據(jù)流程圖、結(jié)構(gòu)圖、框圖等形式)描述，該操作可以結(jié)合下文更詳細(xì)地論述的單元和/或器件來實(shí)現(xiàn)。雖然以特定方式論述，但是在具體方框中說明的功能或操作可以與流程表、流程圖等中說明的流程不同地被執(zhí)行。例如，示出為在兩個(gè)連續(xù)方框中被連續(xù)執(zhí)行的功能或操作可以事實(shí)上同時(shí)執(zhí)行，或者在一些情況中以顛倒的次序執(zhí)行。

根據(jù)示例實(shí)施方式的單元和/或器件可以利用硬件、軟件或者其組合而實(shí)現(xiàn)。例如，硬件器件可以利用處理電路來實(shí)現(xiàn)，諸如，但不限于，處理器、中央處理器(CPU)、控制器、算術(shù)邏輯單元(ALU)、數(shù)字信號(hào)處理器、微型計(jì)算機(jī)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、芯片上系統(tǒng)(SoC)、可編程邏輯單元、微處理器、或能夠以限定的方式響應(yīng)于并執(zhí)行指令的任意其他器件。

軟件可以包括計(jì)算機(jī)程序、程序代碼、指令或其的一些組合，用于根據(jù)期望獨(dú)立地或共同地指示或配置硬件器件以操作。計(jì)算機(jī)程序和/或程序代碼可以包括程序或計(jì)算機(jī)可讀指令、軟件部件、軟件模塊、數(shù)據(jù)文件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和/或能夠通過一個(gè)或多個(gè)硬件器件諸如上述的一個(gè)或多個(gè)硬件器件來實(shí)現(xiàn)的等等。程序代碼的示例包括通過編譯器產(chǎn)生的機(jī)器代碼和利用解釋器執(zhí)行的高級(jí)程序代碼兩者。

例如，當(dāng)硬件器件是計(jì)算機(jī)處理器件(例如，處理器、中央處理器(CPU)、 控制器、算術(shù)邏輯單元(ALU)、數(shù)字信號(hào)處理器、微型計(jì)算機(jī)、微處理器等)時(shí)，計(jì)算機(jī)處理器件可以配置為根據(jù)程序代碼通過執(zhí)行算術(shù)、邏輯、和輸入/輸出操作來執(zhí)行程序代碼。一旦程序代碼被加載到計(jì)算機(jī)處理器件中，計(jì)算機(jī)處理器件可以被編程以執(zhí)行程序代碼，由此將計(jì)算機(jī)處理器件轉(zhuǎn)變成專用計(jì)算機(jī)處理器件。在更具體的示例中，當(dāng)程序代碼被加載到處理器中時(shí)，處理器變?yōu)楸痪幊虨閳?zhí)行程序代碼和與其相應(yīng)的操作，由此將處理器轉(zhuǎn)變成專用處理器。

軟件和/或數(shù)據(jù)可以以下面中的任何類型永久地或暫時(shí)地具體化：機(jī)器、部件、實(shí)體或虛擬設(shè)備、或者計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)或器件，能夠提供指令或數(shù)據(jù)到硬件器件或被硬件器件解釋。軟件還可以分布在整個(gè)網(wǎng)絡(luò)聯(lián)接計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上使得軟件以分布式方式被存儲(chǔ)和執(zhí)行。具體地，例如，軟件和數(shù)據(jù)可以被一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)存儲(chǔ)，計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)包括在此論述的有形的或非臨時(shí)性的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施方式，計(jì)算機(jī)處理器件可以描述為包括執(zhí)行各種操作和/或功能的各種功能單元，從而增加描述的清晰性。然而，計(jì)算機(jī)處理器件沒有旨在限制這些功能單元。例如，在一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施方式中，功能單元的各種操作和/或功能可以通過功能單元中的其他功能單元被執(zhí)行。此外，計(jì)算機(jī)處理器件可執(zhí)行不同的功能單元的操作和/或功能，而沒有將計(jì)算機(jī)處理單元的操作和/或功能細(xì)分成這些不同的功能單元。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施方式的單元和/或器件還可包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器件。一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器件可以是有形的或非臨時(shí)性的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，諸如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、永久大容量存儲(chǔ)裝置(諸如盤驅(qū)動(dòng)器)、固態(tài)(例如，NAND快閃)器件、和/或能夠存儲(chǔ)和記錄數(shù)據(jù)的任何其他類似的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)。一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器件可以配置為存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序、程序代碼、指令或其的一些組合，用于一個(gè)或多個(gè)操作系統(tǒng)和/或用于實(shí)現(xiàn)在此描述的示例實(shí)施方式。計(jì)算機(jī)程序、程序代碼、指令或其的一些組合也可以利用驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)從單獨(dú)的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)加載到一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器件和/或一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)處理器件中。這樣的單獨(dú)的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可包括通用串行總線(USB)快閃驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)棒、藍(lán)光/DVD/CD-ROM驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)卡、和/或其他類似的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。計(jì)算機(jī)程序、程序代碼、指令或其的一些組合可以經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)接口而不是經(jīng)由本 地計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)從遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置加載到一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器件和/或一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)處理器件。另外，計(jì)算機(jī)程序、程序代碼、指令或其的一些組合可以從遠(yuǎn)程計(jì)算系統(tǒng)加載到一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器件和/或一個(gè)或多個(gè)處理器，遠(yuǎn)程計(jì)算系統(tǒng)配置為在網(wǎng)絡(luò)上傳輸和/或分配計(jì)算機(jī)程序、程序代碼、指令或其的一些組合。遠(yuǎn)程計(jì)算系統(tǒng)可以經(jīng)由有線接口、空中接口、和/或任何其他類似的介質(zhì)傳輸和/或分配計(jì)算機(jī)程序、程序代碼、指令或其的一些組合。

一個(gè)或多個(gè)硬件器件、一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器件、和/或計(jì)算機(jī)程序、程序代碼、指令或其的一些組合可以被特別設(shè)計(jì)和構(gòu)造用于示例實(shí)施方式的目的，或者它們可以是為了示例實(shí)施方式的目的被改變和/或修改的已知器件。

諸如計(jì)算機(jī)處理器件的硬件器件可以運(yùn)行操作系統(tǒng)(OS)和在OS上運(yùn)行的一個(gè)或多個(gè)軟件應(yīng)用。計(jì)算機(jī)處理器件還可以響應(yīng)于軟件的執(zhí)行而訪問、存儲(chǔ)、操作、處理和產(chǎn)生數(shù)據(jù)。為簡單起見，一個(gè)或多個(gè)示例實(shí)施方式可以例示為一個(gè)計(jì)算機(jī)處理器件；然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，硬件器件可以包括多個(gè)處理元件和多類型的處理元件。例如，硬件器件可以包括多個(gè)處理器、或處理器和控制器。另外，其他處理構(gòu)造是可能的，諸如并行處理器。

雖然參考具體的示例和附圖來描述，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)該描述不同地作出示例實(shí)施方式的改變、增加和替換。例如，描述的技術(shù)可以以不同于描述的方法的次序來執(zhí)行，和/或諸如描述的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、器件、電路等的部件可以被連接或結(jié)合從而不同于上述的方法，或者結(jié)果可以通過其他部件或等效物被適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)。

圖1A是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的包括保護(hù)膜的極紫外線(EUV)光刻裝置的示意圖。圖1B是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜的視圖。如圖1A所示，光刻裝置1可以執(zhí)行光刻工藝以在半導(dǎo)體晶片“W”的光致抗蝕劑層中形成一個(gè)或多個(gè)圖案。一個(gè)或多個(gè)圖案可以包括與光學(xué)圖案相應(yīng)的虛像。光學(xué)圖案可以提供在光掩模300中，如下文進(jìn)一步論述的。

參考圖1A和1B，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的EUV光刻裝置1可以包括EUV光學(xué)系統(tǒng)100、照明鏡系統(tǒng)200、光掩模300、光掩模臺(tái)400、保護(hù)膜500、遮蔽件(blinder)600、投影鏡系統(tǒng)700和晶片臺(tái)800。

EUV光學(xué)系統(tǒng)100可以施加EUV光到照明鏡系統(tǒng)200。EUV光學(xué)系統(tǒng)100可以包括EUV光源110。EUV光源110可以產(chǎn)生EUV光。例如，EUV光源110可以產(chǎn)生具有大約13.5nm波長的光。

EUV光學(xué)系統(tǒng)100可以還包括插置在EUV光源110和照明鏡系統(tǒng)200之間的集光器(light collector)120。集光器120可以配置為朝向照明鏡系統(tǒng)200施加由EUV光源110產(chǎn)生的EUV光。集光器120可以配置為經(jīng)由至少部分的EUV光的一次或多次反射或折射來施加EUV。例如，由EUV光源110產(chǎn)生的EUV光可以通過集光器120施加到照明鏡系統(tǒng)200。集光器120可以靠近EUV光源110定位。

照明鏡系統(tǒng)200可以施加由EUV光學(xué)系統(tǒng)100產(chǎn)生的EUV光到光掩模300。在一些示例實(shí)施方式中，照明鏡系統(tǒng)200可以大體地且均勻地調(diào)節(jié)EUV光的強(qiáng)度的分布。

照明鏡系統(tǒng)200可以包括多個(gè)照明鏡210至240。例如，照明鏡系統(tǒng)200可以包括第一照明鏡210、第二照明鏡220、第三照明鏡230和第四照明鏡240。每個(gè)照明鏡210至240可以是凹透鏡或凸透鏡。

照明鏡系統(tǒng)200可以防止被照明鏡210至240反射的EUV光損失到入射路徑之外。例如，由EUV光學(xué)系統(tǒng)100產(chǎn)生的EUV光可以通過照明鏡系統(tǒng)200被聚集。

光掩模300可以反射通過照明鏡系統(tǒng)200施加到光掩模300的EUV光。例如，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的EUV光刻裝置1可以配置為執(zhí)行反射光刻工藝。

光掩模300可以包括光學(xué)圖案。例如，光學(xué)圖案可以設(shè)置在光掩模300的表面上。光掩模300的其上設(shè)置光學(xué)圖案的表面可以面向照明鏡系統(tǒng)200。被光掩模300反射的EUV光可以包括光學(xué)圖案的虛像信息，使得光學(xué)圖案的虛像形成在晶片W的光致抗蝕劑層上。

光掩模300可以被固定在光掩模臺(tái)400上。例如，光掩模300可以被固定在光掩模臺(tái)400下面。光掩模臺(tái)400可以包括靜電吸盤(ESC)。

光掩模臺(tái)400可以配置為在橫向方向上移動(dòng)。光掩模300可以通過光掩模臺(tái)400在橫向方向上移動(dòng)。

保護(hù)膜500可以配置為防止光掩模300的光學(xué)圖案被外界因素?fù)p壞。保護(hù)膜500可以設(shè)置在光掩模300的表面上。光掩模300的其上設(shè)置保護(hù)膜500 的表面可以面向照明鏡系統(tǒng)200。例如，光掩模300的光學(xué)圖案可以被保護(hù)膜500覆蓋。

保護(hù)膜500可以包括隔膜510、框架520、熱緩沖層530、第一蓋層541和第二蓋層542。如所示，熱緩沖層530可以包括多個(gè)熱緩沖層，包含第一熱緩沖層531和第二熱緩沖層532。

隔膜510可以設(shè)置在光掩模300的光學(xué)圖案上。例如，隔膜510可以設(shè)置在光掩模300的其上被照明鏡系統(tǒng)200施加EUV光的表面上。從照明鏡系統(tǒng)200施加的EUV光可以穿過隔膜510被施加到光掩模300。

隔膜510可以包括第一表面510S1和第二表面510S2。隔膜510的第一表面510S1可以設(shè)置為面向照明鏡系統(tǒng)200。從照明鏡系統(tǒng)200施加的EUV光可以施加到隔膜510的第一表面510S1，使得從照明鏡系統(tǒng)200施加的EUV光入射在第一表面510S1上。隔膜510的第二表面510S2可以與隔膜510的第一表面510S1相反。隔膜510的第二表面510S2可以面對(duì)光掩模300。

隔膜510可以包括關(guān)于EUV光具有高透射率的材料。例如，隔膜510可以包括陶瓷，諸如硅(Si)等，或金屬，諸如，鋯(Zr)、鉬(Mo)等。隔膜510可具有等于或大于期望的(或，備選地，預(yù)定的)物理強(qiáng)度，以防止由外部碰撞所引起的損壞和在轉(zhuǎn)移/安裝工藝中的損壞。例如，隔膜510可以包括大約50nm的厚度。

框架520可以支撐隔膜510。框架520可以設(shè)置在隔膜510和光掩模300之間。隔膜510可以通過框架520與光掩模300間隔開?？蚣?20可以設(shè)置在隔膜510的邊緣上。

熱緩沖層530可以將在隔膜510處產(chǎn)生的熱排出到相對(duì)于保護(hù)膜500的外界環(huán)境。如在此提及的，外界環(huán)境可以包括在保護(hù)膜500以外的環(huán)境、在光掩模300以外的環(huán)境、在光刻裝置1的一些部分或所有以外的環(huán)境、其一些組合等。在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的EUV光刻裝置1中，光刻工藝可以在真空狀態(tài)下執(zhí)行，使得保護(hù)膜位于真空中。在保護(hù)膜500位于真空中的情況下，熱緩沖層530可以至少部分地限于經(jīng)由發(fā)射輻射而排出在隔膜510處產(chǎn)生的熱。熱緩沖層530的發(fā)射率可以大于隔膜510的發(fā)射率。熱緩沖層530可以在此被稱為與發(fā)射率有關(guān)。通過熱緩沖層530發(fā)射的熱輻射的強(qiáng)度可以大于通過隔膜510發(fā)射的熱輻射的強(qiáng)度。

熱緩沖層530可以包括碳。例如，熱緩沖層530可以包括無定形碳、石 墨烯、納米石墨、碳納米片、碳納米管、碳化硅(SiC)和碳化硼(BC)中的至少一個(gè)。包括在熱緩沖層530中的碳的量可以大于包括在隔膜510中的碳的量。熱緩沖層530的碳含量可以大于隔膜510的碳含量。熱緩沖層530可以被稱為包括碳含量。

熱緩沖層530可以包括第一熱緩沖層531和第二熱緩沖層532。

第一熱緩沖層531可以設(shè)置在隔膜510的第一表面510S1上。第一熱緩沖層531可以與隔膜510的第一表面510S1直接接觸。第一熱緩沖層531的側(cè)面可以與隔膜510的側(cè)面豎直地布置。隔膜510的第一表面510S1可以被第一熱緩沖層531完全覆蓋。

第二熱緩沖層532可以設(shè)置在隔膜510的第二表面510S2上。第二熱緩沖層532可以與隔膜510的第二表面510S2直接接觸。第二熱緩沖層532可以在隔膜510和框架520之間延伸。第二熱緩沖層532的側(cè)面可以與隔膜510的側(cè)面豎直地布置。隔膜510的第二表面510S2可以被第二熱緩沖層532完全覆蓋。

第二熱緩沖層532的發(fā)射率在此也被稱為第二發(fā)射率，其可以與第一熱緩沖層531的發(fā)射率相同，該第一熱緩沖層531的發(fā)射率在此也被稱為第一發(fā)射率。如在此提及的，包括發(fā)射率的層性能與另一個(gè)層性能相同，其可以被稱為“等于”另一個(gè)層性能。層的性能可以包括但不限于層的發(fā)射率、層的碳含量、包括在層中的碳的量、和通過層所發(fā)射的輻射強(qiáng)度。例如，第二熱緩沖層的第二發(fā)射率可以等于第一熱緩沖層的第一發(fā)射率。通過第二熱緩沖層532發(fā)射的熱輻射強(qiáng)度可以與通過第一熱緩沖層531發(fā)射的熱輻射強(qiáng)度相同。第二熱緩沖層532可以包括與包括在第一熱緩沖層531中的材料共同的材料。

第一熱緩沖層531和第二熱緩沖層532的垂直厚度可以小于隔膜510的垂直厚度。例如，第一熱緩沖層531的垂直厚度可以是2nm或更小。第二熱緩沖層532的垂直厚度可以與第一熱緩沖層531的垂直厚度相同。垂直厚度可以指相對(duì)于一個(gè)或多個(gè)表面510S1和510S2正交地延伸的厚度。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的EUV光刻裝置1中，熱緩沖層530可以設(shè)置在隔膜510的表面上。熱緩沖層530的發(fā)射率可以大于隔膜510的發(fā)射率。因此，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的EUV光刻裝置1可以防止由穿過隔膜510的EUV光的高能量在隔膜510處產(chǎn)生的熱積累在隔 膜510中。熱可以由穿過隔膜510的EUV光在隔膜510處產(chǎn)生。即，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的EUV光刻裝置1中，基于在隔膜510中的熱積累的防止，可以防止由熱積累導(dǎo)致的隔膜510的變形。因此，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的EUV光刻裝置1中，保護(hù)膜500的耐久性和壽命可以提高。此外，在某些示例實(shí)施方式中，防止隔膜的變形可以防止通過光刻裝置1實(shí)現(xiàn)的光刻工藝的退化。結(jié)果，形成在晶片W上的圖案的一致的準(zhǔn)確度和精確度可以保持。因此，至少部分地經(jīng)由通過光刻裝置1所實(shí)現(xiàn)的光刻工藝制造的器件的一致品質(zhì)可以保持。

第一蓋層541可以防止第一熱緩沖層531被光刻工藝或清潔工藝損壞。第一蓋層541可以設(shè)置在第一熱緩沖層531上。第一熱緩沖層531可以插置在隔膜510和第一蓋層541之間。第一蓋層541的側(cè)面可以與第一熱緩沖層531的側(cè)面豎直地布置。

第一蓋層541可以包括抗氫材料(hydrogen resistant material)。例如，第一蓋層541可以包括硅氧化物(SiO)、硅氮化物(SiN)、碳化硅(SiC)、鉬(Mo)、釕(Ru)和鋯(Zr)中的至少一個(gè)?；诎箽洳牧系牡谝簧w層541，第一蓋層541可以防止第一熱緩沖層531被光刻工藝或清潔工藝損壞。

第一蓋層541的發(fā)射率可以低于第一熱緩沖層531的第一發(fā)射率。例如，包括在第一蓋層541中的碳的量可以低于包括在第一熱緩沖層531中的碳的量。如在此所提及的，包括在第一熱緩沖層531中的碳的量可以被稱為第一數(shù)量的碳。第一熱緩沖層531的碳含量可以大于隔膜510和第一蓋層541中的一個(gè)或多個(gè)的碳含量。如在此所提及的，第一熱緩沖層531的碳含量可以被稱為第一碳含量。第一蓋層541的垂直厚度可以小于第一熱緩沖層531的垂直厚度。

第二蓋層542可以防止第二熱緩沖層532被光刻工藝或清潔工藝損壞。第二蓋層542可以設(shè)置在第二熱緩沖層532上。第二熱緩沖層532可以插置在隔膜510和第二蓋層542之間。第二蓋層542可以在框架520和第二熱緩沖層532之間延伸。第二蓋層542的側(cè)面可以與第二熱緩沖層532的側(cè)面豎直地布置。

第二蓋層542可以包括抗氫材料。例如，第二蓋層542可以包括硅氧化物(SiO)、硅氮化物(SiN)、碳化硅(SiC)、鉬(Mo)、釕(Ru)和鋯(Zr) 中的至少一個(gè)。第二蓋層542可以包括與第一蓋層541相同的材料?；诎箽洳牧系牡诙w層542，第二蓋層542可以防止第二熱緩沖層532被光刻工藝或清潔工藝損壞。

第二蓋層542的發(fā)射率可以低于第二熱緩沖層532的發(fā)射率。例如，包括在第二蓋層542中的碳的量可以低于包括在第二熱緩沖層532中的碳的量。如在此所提及的，包括在第二熱緩沖層532中的碳的量可以被稱為第二數(shù)量的碳。第二熱緩沖層532的碳含量可以大于隔膜510和第二蓋層542中的一個(gè)或多個(gè)的碳含量。如在此所提及的，第二熱緩沖層532的碳含量可以被稱為第二碳含量。

包括在第二蓋層542中的碳的量可以與包括在第一蓋層541中的碳的量相同。例如，第二蓋層542的碳含量可以低于第一熱緩沖層531的碳含量。

第二蓋層542的垂直厚度可以小于第二熱緩沖層532的垂直厚度。例如，第二蓋層542的垂直厚度可以與第一蓋層541的垂直厚度相同。第二蓋層542的垂直厚度可以小于第一熱緩沖層531的垂直厚度。

遮蔽件600可以設(shè)置在保護(hù)膜500下方。例如，遮蔽件600可以設(shè)置在保護(hù)膜500下面。遮蔽件600可以包括孔600a。由照明鏡系統(tǒng)200施加的EUV光可以穿過遮蔽件600的孔600a并且施加到光掩模300。

遮蔽件600的孔600a可具有不同的形狀。例如，由照明鏡系統(tǒng)200施加到光掩模300的EUV光可以通過遮蔽件600的孔600a形成為各種形狀。

投影鏡系統(tǒng)700可以將被光掩模300反射的EUV光施加到安置在晶片臺(tái)800上的晶片W上。被光掩模300反射的EUV光可以穿過遮蔽件600的孔600a并且施加到投影鏡系統(tǒng)700。

投影鏡系統(tǒng)700可以校正被光掩模300反射的EUV光。例如，投影鏡系統(tǒng)700可以校正被光掩模300反射的EUV光的象差(aberration)。

投影鏡系統(tǒng)700可以包括多個(gè)投影鏡710至760。例如，投影鏡系統(tǒng)700可以包括第一投影鏡710、第二投影鏡720、第三投影鏡730、第四投影鏡740、第五投影鏡750和第六投影鏡760。投影鏡710至760每個(gè)可以是凹面鏡(concave mirror)或凸面鏡(convex mirror)。

晶片W可以被固定在晶片臺(tái)800上。晶片臺(tái)800可以在橫向方向上移動(dòng)。晶片W可以通過晶片臺(tái)800在橫向方向上移動(dòng)。

晶片臺(tái)800的移動(dòng)可以與光掩模臺(tái)400的移動(dòng)相關(guān)。例如，晶片臺(tái)800 可以在與光掩模臺(tái)400的移動(dòng)共同的方向上移動(dòng)。晶片臺(tái)800的移動(dòng)距離可以與光掩模臺(tái)400的移動(dòng)距離成正比。

被投影鏡系統(tǒng)700施加的EUV光可以聚焦在晶片W上。例如，被投影鏡系統(tǒng)700施加的EUV光可以聚焦在晶片W的表面上形成的光致抗蝕劑圖案上。晶片W可以包括半導(dǎo)體芯片晶片。關(guān)于晶片W執(zhí)行的光刻工藝可以被包括在使用晶片W制造半導(dǎo)體芯片器件的工藝中。施加到晶片W的光可以包括來自于包括在光掩模300中的光學(xué)圖案的虛像信息。施加光到晶片W的表面可以在晶片W上形成光致抗蝕劑圖案，其中光致抗蝕劑圖案以包括在光掩模300中的光學(xué)圖案為基礎(chǔ)。光致抗蝕劑圖案可以包括晶片W表面的通過施加的光被改變的部分。在晶片W上形成光致抗蝕劑圖案可以被包括在制造半導(dǎo)體芯片器件的工藝中。例如，晶片W的其上形成光致抗蝕劑圖案的部分可以經(jīng)由另一個(gè)工藝被去除。在晶片W上的光致抗蝕劑的剩余部分可以包括晶片W材料的根據(jù)光學(xué)圖案被圖案化的部分。

圖2是示出基于溫度的具有熱緩沖層的第一保護(hù)膜L1的發(fā)射率和不具有熱緩沖層的第二保護(hù)膜L2的發(fā)射率的曲線圖。在此，第一保護(hù)膜L1和第二保護(hù)膜L2可以包括包含大約50nm厚度的硅的隔膜。第一保護(hù)膜L1可以包括一個(gè)或多個(gè)熱緩沖層。每個(gè)熱緩沖層可以包括具有大約2nm厚度的石墨烯。熱緩沖層可以設(shè)置在隔膜的兩個(gè)表面上。

參考圖2，在400K至1200K溫度下，第一保護(hù)膜L1的發(fā)射率大于第二保護(hù)膜L2的發(fā)射率。第一保護(hù)膜L1的更大的發(fā)射率表明：基于包括在第一保護(hù)膜中的熱緩沖層，第一保護(hù)膜L1可以防止由具有光刻工藝中使用的高能量的EUV光所產(chǎn)生的熱積累。因此，第一保護(hù)膜L1的熱緩沖層可以防止第一保護(hù)膜L1的隔膜的變形，其中這樣的變形可以由該熱積累所引起。因此，第一保護(hù)膜L1的耐久性可以比第二保護(hù)膜L2的耐久性高。此外，第一保護(hù)膜L1的壽命可以大于第二保護(hù)膜L2的壽命。

結(jié)果，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜和包括其的EUV光刻裝置可以防止保護(hù)膜的隔膜的變形，其中這樣的變形由該熱積累引起。因此，可以提高根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜的耐久性和壽命。另外，可以提高根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的包括該保護(hù)膜的EUV光刻裝置的工藝可靠性。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，熱緩沖層530設(shè) 置在隔膜510的兩個(gè)表面上。然而，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，熱緩沖層530可以包括被限制為設(shè)置在隔膜510的第一表面510S1上的熱緩沖層530，如圖3所示，或者熱緩沖層530可以包括被限制為設(shè)置在隔膜510的第二表面510S2上的熱緩沖層530，如圖4所示。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，第二熱緩沖層532和第二蓋層542在隔膜510和框架520之間延伸。然而，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，第二熱緩沖層532和第二蓋層542可以如圖5所示設(shè)置在框架520的內(nèi)側(cè)上，使得框架520與隔膜510的第二表面510S2直接接觸，并且第二熱緩沖層532和第二蓋層542的一個(gè)或多個(gè)側(cè)面被框架520限制。如圖5所示，框架520至少部分地限制隔膜的第二表面510S2的內(nèi)部分550?？蚣?20包括面向外界環(huán)境的外側(cè)520S1?？蚣?20還包括面向隔膜510的第二表面510S2的內(nèi)部分550的內(nèi)側(cè)520S2。外界環(huán)境是在保護(hù)膜以外的環(huán)境。如圖5所示，第二熱緩沖層532和第二蓋層542可以設(shè)置在隔膜510的第二表面510S2的內(nèi)部分550上。

此外，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，第二蓋層542可以與隔膜510的第二表面510S2直接接觸并且熱緩沖層530可以設(shè)置在隔膜510的表面510S1、510S2之一上。例如，如圖6所示，熱緩沖層530可以設(shè)置在第一蓋層541和隔膜510之間。如圖6所示，第二蓋層542可以設(shè)置在隔膜510的第二表面510S2的內(nèi)部分550上。在另一個(gè)示例中，如圖7所示，熱緩沖層530可以被限制為設(shè)置在第二蓋層542和隔膜510之間，該第二蓋層542設(shè)置在框架520的內(nèi)側(cè)上。如圖7所示，熱緩沖層530和第二蓋層542可以設(shè)置在隔膜510的第二表面510S2的內(nèi)部分550上。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，第二熱緩沖層532的側(cè)面與第二蓋層542的側(cè)面豎直地布置。然而，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，第二熱緩沖層532可以在隔膜510和框架520之間延伸，第二蓋層542可以設(shè)置在框架520的內(nèi)側(cè)上，如圖8所示。如圖8所示，第二熱緩沖層532可以設(shè)置在隔膜510的整個(gè)第二表面510S2上，第二蓋層542可以設(shè)置在隔膜510的第二表面510S2的內(nèi)部分550上。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，第一蓋層541設(shè)置在第一熱緩沖層531上，第二蓋層542設(shè)置在第二熱緩沖層532上。然而，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，第一熱緩沖層531和 第二熱緩沖層532的表面可以被暴露于外界環(huán)境，如圖9和10所示。在一些示例實(shí)施方式中，第一熱緩沖層531和第二熱緩沖層532可以包括防止由光刻工藝或清潔工藝所引起的損壞的材料。例如，第一熱緩沖層531和第二熱緩沖層532可以包括抗氫材料。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，隔膜510的第一表面510S1和第二表面510S2可以通過熱緩沖層530、第一蓋層541和第二蓋層542被覆蓋。然而，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，隔膜510的第一表面510S1或第二表面510S2可以被暴露于外界環(huán)境，如圖11至14所示。在一些示例實(shí)施方式中，隔膜510可以包括防止由光刻工藝或清潔工藝所引起的損壞的材料。例如，隔膜510可以包括抗氫材料。

此外，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500中，設(shè)置在隔膜510的第一表面510S1上的熱緩沖層530的一表面可以暴露于外界環(huán)境，隔膜510的第二表面510S2可以被第二蓋層542覆蓋，如圖15和16所示。

圖17是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜的視圖。

參考圖17，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500可以包括隔膜510、框架520、熱緩沖層530、第一蓋層541和第二蓋層542。

熱緩沖層530可以包括第一熱緩沖層531和第二熱緩沖層533。第一熱緩沖層可以插置在隔膜510的第一表面510S1和第一蓋層541之間。第二熱緩沖層可以插置在隔膜510的第二表面510S2和第二蓋層542之間。

第二熱緩沖層533的發(fā)射率可以不同于第一熱緩沖層531的發(fā)射率。第一熱緩沖層531的發(fā)射率與第二熱緩沖層533的發(fā)射率之間的差別可以基于入射在每個(gè)層上的光的方向，其中該光包括在光刻工藝中使用的光。例如，基于入射在第一熱緩沖層531上的光的方向，第一熱緩沖層531的發(fā)射率可以高于第二熱緩沖層533的發(fā)射率。

第二熱緩沖層533可以包括與被包括在第一熱緩沖層531中的一種或多種材料不同的材料。第二熱緩沖層533的垂直厚度可以不同于第一熱緩沖層531的垂直厚度。例如，第二熱緩沖層533的垂直厚度可以大于第一熱緩沖層531的垂直厚度。

圖18是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜的視圖。

參考圖18，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜500可以包括：具有第一隔膜511和第二隔膜512的隔膜510；設(shè)置在第二隔膜512的表面 510S2上的框架520；熱緩沖層530，具有第一外部熱緩沖層534、內(nèi)部熱緩沖層535和第二外部熱緩沖層536；設(shè)置在第一外部熱緩沖層534上的第一蓋層541；和設(shè)置在第二外部熱緩沖層536上的第二蓋層542。

第一外部熱緩沖層534可以設(shè)置在第一隔膜511的表面510S1上。第二外部熱緩沖層536可以設(shè)置在第二隔膜512的表面510S2上。第二外部熱緩沖層536的發(fā)射率可以與第一外部熱緩沖層534的發(fā)射率相同。第二外部熱緩沖層536可以包括與被包括在第一外部熱緩沖層534中的材料共同的材料。第二外部熱緩沖層536的垂直厚度可以與第一外部熱緩沖層534的垂直厚度相同。

內(nèi)部熱緩沖層535可以插置在第一隔膜511和第二隔膜512之間。內(nèi)部熱緩沖層535的側(cè)面可以與第一隔膜511和第二隔膜512的側(cè)面豎直地布置。在第一隔膜511和第二隔膜512之間的空間可以用內(nèi)部熱緩沖層535完全填充。

內(nèi)部熱緩沖層535的垂直厚度可以不同于第一外部熱緩沖層534和第二外部熱緩沖層536中的一個(gè)或多個(gè)的垂直厚度。例如，內(nèi)部熱緩沖層535的垂直厚度可以小于第一外部熱緩沖層534和第二外部熱緩沖層536中的一個(gè)或多個(gè)的垂直厚度。例如，內(nèi)部熱緩沖層535可以包括與第一外部熱緩沖層534和第二外部熱緩沖層536不同的材料。內(nèi)部熱緩沖層535的發(fā)射率可以不同于第一外部熱緩沖層534和第二外部熱緩沖層536中的一個(gè)或多個(gè)的發(fā)射率。

圖19A至19C是順序地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方法的視圖。

參考圖1B和19A至19C，將描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方法。首先，參考圖19A，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方法可以包括在框架基板520p上形成第二蓋層542和第二熱緩沖層532的工藝。

在框架基板520p上形成第二蓋層542和第二熱緩沖層532的工藝可以包括制備框架基板520p的工藝、在框架基板520p上形成第二蓋層542的工藝、以及在第二蓋層542上形成第二熱緩沖層532的工藝。

形成第二熱緩沖層532的工藝可以包括以下中的一個(gè)或多個(gè)：化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、物理氣相沉積(PVD)工藝、原子層沉積(ALD)工藝、 等離子體沉積工藝、濕/干轉(zhuǎn)印工藝、電紡絲(electro-spinning)工藝、過濾工藝、蒸汽過濾工藝、或網(wǎng)印工藝。

形成第二蓋層542的工藝可以與形成第二熱緩沖層532的工藝相同。

參考圖19B，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方法可以包括在第二熱緩沖層532上形成隔膜510、第一熱緩沖層531和第一蓋層541的工藝。

形成隔膜510、第一熱緩沖層531和第一蓋層541的工藝可以包括在第二熱緩沖層532上形成隔膜510的工藝、在隔膜510上形成第一熱緩沖層531的工藝、以及在第一熱緩沖層531上形成第一蓋層541的工藝。

形成第一熱緩沖層531的工藝可以與形成第二熱緩沖層532的工藝相同。形成第一蓋層541的工藝可以與形成第二蓋層542的工藝相同。

參考圖19C，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的工藝可以包括在框架基板520p上形成掩模圖案900的工藝。

掩模圖案900可以豎直地交疊隔膜510的邊緣區(qū)域。豎直地交疊隔膜510的中心區(qū)域的框架基板520p可以被掩模圖案900暴露。例如，掩模圖案900可以包括光致抗蝕劑圖案。形成掩模圖案900的工藝可以與形成第二熱緩沖層532的工藝相同。

參考圖1B，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方法可以包括在第二蓋層542上形成框架520的工藝。

形成框架520的工藝可以包括使用掩模圖案900作為蝕刻掩模蝕刻框架基板520p的工藝和去除掩模圖案900的工藝。蝕刻框架基板520p的工藝可以包括干蝕刻或濕蝕刻工藝。

圖20A至20C是順序地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方法的視圖。

參考圖5和20A至20C，將描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方法。首先，參考圖20A，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方法可以包括在框架基板520p的表面上形成隔膜510的工藝。

參考圖20B，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方法可以包括在隔膜510上形成框架520的工藝。

形成框架520的工藝可以包括蝕刻框架基板520p的工藝。

參考圖5和20C，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的形成保護(hù)膜的方 法可以包括在隔膜510的表面510S1和510S2上形成第一熱緩沖層531、第二熱緩沖層532、第一蓋層541和第二蓋層542的工藝。如圖5和20C所示，第二熱緩沖層532和第二蓋層542可以形成在隔膜510的第二表面510S2的內(nèi)部分550上。

形成第一熱緩沖層531、第二熱緩沖層532、第一蓋層541和第二蓋層542的工藝可以包括在隔膜510的第一表面510S1上形成第一熱緩沖層531和第一蓋層541的工藝、以及在隔膜510的第二表面510S2上形成第二熱緩沖層532和第二蓋層542的工藝。

形成第一熱緩沖層531和第一蓋層541的工藝可以包括在第一熱緩沖層531上形成第一蓋層541的工藝、以及將其上形成了第一蓋層541的第一熱緩沖層531物理地貼附到隔膜510的第一表面510S1上的工藝。

形成第二熱緩沖層532和第二蓋層542的工藝可以包括在第二熱緩沖層532上形成第二蓋層542的工藝、以及將其上形成了第二蓋層542的第二熱緩沖層532物理地貼附到隔膜510的被框架520暴露的第二表面510S2上的工藝。

圖21是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的包括半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體模塊的視圖。

參考圖21，半導(dǎo)體模塊1000可以包括模塊基板1100、微處理器1200、存儲(chǔ)器1300和輸入/輸出端子1400。微處理器1200、存儲(chǔ)器1300和輸入/輸出端子1400可以安裝在模塊基板1100上。半導(dǎo)體模塊1000可以包括存儲(chǔ)卡或卡封裝。

微處理器1200和存儲(chǔ)器1300可以包括通過EUV光刻裝置形成的半導(dǎo)體器件，該EUV光刻裝置包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的保護(hù)膜。因此，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊1000中，微處理器1200和存儲(chǔ)器1300的可靠性和電特性可以提高。

圖22是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的包括半導(dǎo)體器件的移動(dòng)系統(tǒng)的視圖。

參考圖22，移動(dòng)系統(tǒng)2000可以包括主體單元2100、顯示單元2200和外部裝置2300。主體單元2100可以包括微處理器單元2110、電源2120、功能單元2130和顯示控制器單元2140。

主體單元2100可以是包括印刷電路板(PCB)的系統(tǒng)板或母板。微處 理器單元2110、電源2120、功能單元2130和顯示控制器單元2140可以安裝或設(shè)置在主體單元2100上。

微處理器單元2110可以從電源2120接收電壓以控制功能單元2130和顯示控制器單元2140。電源2120可以從外部電源等接收恒定電壓，并且將該恒定電壓劃分成不同的電壓電平以供應(yīng)到微處理器單元2110、功能單元2130、顯示控制器單元2140等。

電源2120可以包括電源管理IC(PMIC)。PMIC可以有效地供應(yīng)電壓到微處理器單元2110、功能單元2130、顯示控制器單元2140等。

功能單元2130可以執(zhí)行移動(dòng)系統(tǒng)2000的各種功能。例如，功能單元2130可以包括能夠使用撥號(hào)或與外部裝置2300通信來執(zhí)行諸如輸出圖像到顯示單元2200、輸出語音到揚(yáng)聲器等的無線通信功能的各種部件。例如，功能單元2130可以用作照相機(jī)圖像處理器。

當(dāng)移動(dòng)系統(tǒng)2000連接到存儲(chǔ)卡等以擴(kuò)展其容量時(shí)，功能單元2130可以用作存儲(chǔ)卡控制器。當(dāng)移動(dòng)系統(tǒng)2000還包括通用串行總線(USB)以擴(kuò)展其功能時(shí)，功能單元2130可以用作接口控制器。

顯示單元2200可以電連接到主體單元2100。例如，顯示單元2200可以電連接到主體單元2100的顯示控制器單元2140。顯示單元2200可以顯示通過主體單元2100的顯示控制器單元2140處理的圖像。

主體單元2100的微處理器單元2110和功能單元2130可以包括通過EUV光刻裝置形成的半導(dǎo)體器件，該EUV光刻裝置包括根據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施方式的保護(hù)膜。因此，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的移動(dòng)系統(tǒng)2000的可靠性和電特性可以提高。

圖23是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的包括半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的視圖。

參考圖23，電子系統(tǒng)3000可以包括存儲(chǔ)器3100、微處理器3200、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)3300和用戶接口3400。電子系統(tǒng)3000可以是諸如LED照明裝置、冰箱、空調(diào)、工業(yè)切割機(jī)、焊接機(jī)、車輛、船、飛機(jī)、衛(wèi)星等的系統(tǒng)。

存儲(chǔ)器3100可以存儲(chǔ)微處理器3200的引導(dǎo)代碼(booting code)、被微處理器3200處理的數(shù)據(jù)、或外部輸入數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器3100可以包括控制器。

微處理器3200可編程和控制電子系統(tǒng)3000。RAM 3300可以被用于微 處理器3200的運(yùn)行存儲(chǔ)器(operational memory)。

用戶接口3400可以使用總線3500執(zhí)行數(shù)據(jù)通信。用戶接口3400可以用于到電子系統(tǒng)3000的數(shù)據(jù)輸入或從電子系統(tǒng)3000的數(shù)據(jù)輸出。

存儲(chǔ)器3100、微處理器3200和RAM 3300可以包括通過EUV光刻裝置形成的半導(dǎo)體器件，該EUV光刻裝置包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的保護(hù)膜。因此，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的電子系統(tǒng)3000的可靠性和電特性可以提高。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜和包括該保護(hù)膜的EUV光刻裝置可以防止由光刻工藝中使用的具有高能量的光所產(chǎn)生的熱積累在隔膜中。光刻工藝中使用的光可以包括極紫外線光。因此，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜和包括該保護(hù)膜的EUV光刻裝置可以防止由熱積累所引起的隔膜的變形。因此，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜和包括該保護(hù)膜的EUV光刻裝置中，保護(hù)膜的耐久性和壽命可以提高。另外，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的保護(hù)膜和包括該保護(hù)膜的EUV光刻裝置中，工藝的可靠性可以提高。

上文是對(duì)實(shí)施方式的說明而不應(yīng)理解為對(duì)其的限制。雖然已經(jīng)描述了一些實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，在實(shí)施方式中許多改變是可能的，而沒有實(shí)質(zhì)脫離新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)。因此，所有這些改變旨在被包括在權(quán)利要求所定義的此發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求中，手段加功能語句旨在覆蓋執(zhí)行所述的功能在此描述的結(jié)構(gòu)，并且不僅覆蓋結(jié)構(gòu)等效物而且覆蓋等效的結(jié)構(gòu)。因此，將理解，上文是對(duì)各種實(shí)施方式的說明而不應(yīng)理解為限制公開的特定實(shí)施方式，對(duì)于公開的實(shí)施方式以及其他的實(shí)施方式的改變旨在被包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。