1.一種保護(hù)膜，包括：
隔膜；和
在所述隔膜的第一表面上的第一熱緩沖層，所述第一熱緩沖層具有第一發(fā)射率，該第一發(fā)射率大于所述隔膜的發(fā)射率。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜，其中所述第一熱緩沖層包括碳。
3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜，其中所述第一熱緩沖層包括無定形碳、石墨烯、納米石墨、碳納米片、碳納米管、碳化硅(SiC)和碳化硼(BC)中的至少一個。
4.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜，其中所述第一熱緩沖層的垂直厚度小于所述隔膜的垂直厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜，還包括：
在所述隔膜的第二表面上的第二熱緩沖層，所述第二表面是所述隔膜的相對于所述隔膜的所述第一表面的相反表面，所述第二熱緩沖層具有第二發(fā)射率，所述第二發(fā)射率大于所述隔膜的所述發(fā)射率。
6.如權(quán)利要求5所述的保護(hù)膜，其中所述第二熱緩沖層包括碳。
7.如權(quán)利要求5所述的保護(hù)膜，其中所述第二發(fā)射率等于所述第一發(fā)射率。
8.如權(quán)利要求5所述的保護(hù)膜，還包括：
在所述隔膜的所述第二表面上的框架，其中所述第二熱緩沖層在所述隔膜和所述框架之間延伸。
9.一種保護(hù)膜，包括：
隔膜；
第一蓋層；和
在所述隔膜的第一表面與所述第一蓋層之間的第一熱緩沖層，所述第一熱緩沖層包括第一碳含量，所述第一碳含量大于所述隔膜的碳含量和所述第一蓋層的碳含量中的每個。
10.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)膜，其中所述第一蓋層的垂直厚度小于所述第一熱緩沖層的垂直厚度。
11.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)膜，還包括：
在所述隔膜的第二表面上的第二蓋層，所述第二表面是所述隔膜的相對于所述隔膜的所述第一表面的相反表面，所述第一碳含量大于所述第二蓋層的碳含量。
12.如權(quán)利要求11所述的保護(hù)膜，還包括：
在所述隔膜的所述第二表面上的框架，所述框架包括內(nèi)側(cè)和外側(cè)，所述內(nèi)側(cè)至少部分地限制所述隔膜的所述第二表面的內(nèi)部分，所述外側(cè)面對外界環(huán)境，所述第二蓋層在所述第二表面的所述內(nèi)部分上。
13.如權(quán)利要求11所述的保護(hù)膜，還包括：
在所述隔膜與所述第二蓋層之間的第二熱緩沖層，所述第二熱緩沖層包括第二碳含量，所述第二碳含量大于所述隔膜和所述第二蓋層中每個的碳含量。
14.如權(quán)利要求13所述的保護(hù)膜，其中所述第二碳含量等于所述第一碳含量。
15.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)膜，其中所述第一蓋層包括抗氫材料。
16.一種保護(hù)膜，包括：
隔膜；和
在所述隔膜的表面上的熱緩沖層，所述熱緩沖層配置為發(fā)射熱輻射，由所述熱緩沖層發(fā)射的所述熱輻射具有一強度，所述強度超過由所述隔膜發(fā)射的熱輻射的強度。
17.如權(quán)利要求16所述的保護(hù)膜，還包括在所述熱緩沖層的表面上的蓋層，所述蓋層包括比在所述熱緩沖層中包括的碳的量低的碳的量。
18.如權(quán)利要求16所述的保護(hù)膜，還包括在所述隔膜的所述表面上的框架，所述框架包括內(nèi)側(cè)和外側(cè)，所述內(nèi)側(cè)至少部分地限制所述隔膜的所述表面的內(nèi)部分，所述外側(cè)面對外界環(huán)境，其中所述熱緩沖層在所述表面的所述內(nèi)部分上。
19.如權(quán)利要求16所述的保護(hù)膜，其中所述熱緩沖層包括：
在所述隔膜的第一表面上的第一熱緩沖層；和
在所述隔膜的第二表面上的第二熱緩沖層，所述第二表面是所述隔膜的相對于所述隔膜的所述第一表面的相反表面，所述第一熱緩沖層和所述第二熱緩沖層配置為發(fā)射不同強度的熱輻射。
20.如權(quán)利要求19所述的保護(hù)膜，其中所述第二熱緩沖層的垂直厚度不同于所述第一熱緩沖層的垂直厚度。