本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域,特別涉及一種測(cè)量套刻誤差的裝置和方法。
背景技術(shù):
根據(jù)itrs(internationaltechnologyroadmapforsemiconductor,國際半導(dǎo)體技術(shù)規(guī)劃)給出的光刻測(cè)量技術(shù)路線圖,隨著光刻圖形的關(guān)鍵尺寸進(jìn)入22nm及以下工藝節(jié)點(diǎn),特別是雙重曝光(doublepatterning)技術(shù)的廣泛應(yīng)用,對(duì)光刻工藝參數(shù)套刻(overlay)的測(cè)量精度要求已經(jīng)進(jìn)入亞納米領(lǐng)域。由于成像分辨率極限的限制,傳統(tǒng)的基于成像和圖像識(shí)別的套刻測(cè)量技術(shù)(imaging-basedoverlay,ibo)已逐漸不能滿足新的工藝節(jié)點(diǎn)對(duì)套刻測(cè)量的要求?;谘苌涔馓綔y(cè)的套刻測(cè)量技術(shù)(diffraction-basedoverlay,dbo)正逐步成為套刻測(cè)量的主要手段。
由于衍射光的衍射角隨入射光入射角度變化而改變,不同角度的入射光在被具有光柵結(jié)構(gòu)的標(biāo)記衍射后形成各個(gè)衍射級(jí)次的衍射光,各個(gè)衍射級(jí)次的衍射光形成的光強(qiáng)分布為反射光角分辨譜。如中國專利cn1916603a(申請(qǐng)?zhí)枮椋?00510091733.1,公開日為2007年2月21日)中公開了一種環(huán)形照明模式下,各個(gè)衍射級(jí)次衍射光所形成的反射光角分辨譜在ccd探測(cè)器上的分布情況。
基于上述原理,美國專利us7791727b2(申請(qǐng)?zhí)枮椋?0/918742,公開日為2006年12月16日)中公開了一種dbo技術(shù),該技術(shù)測(cè)量光通過套刻標(biāo)記而發(fā)生衍射和反射所形成的衍射光角分辨譜中,相同衍射級(jí)次間的非對(duì)稱性得到套刻標(biāo)記的套刻誤差。
該專利中公開了該技術(shù)方案的裝置結(jié)構(gòu)圖,如圖1所示,光源2發(fā)出的光依次經(jīng)過透鏡組l2、濾鏡裝置30后形成窄帶寬的入射光,物鏡l1將入射光匯聚到基底6的套刻標(biāo)記上。探測(cè)器32位于物鏡l1的后焦面,套刻標(biāo)記的衍射光被物鏡l1收集后被反射面34反射從而被探測(cè)器32接收。探測(cè)器32測(cè)得光通過套刻標(biāo)記在各個(gè)角度發(fā)生的衍射和反射形成的反射光角分辨譜。為了獲得大范圍的角分辨譜,該方案中使用大數(shù)值孔徑(na)的物鏡l1。由于不同波長(zhǎng)的衍射光的衍射角度不同,為了防止不同波長(zhǎng)角譜間的重疊,該方案采用濾鏡裝置30對(duì)光源2發(fā)出的光進(jìn)行濾波,形成窄帶寬的測(cè)量光。原則上,該方案只能一次測(cè)量一個(gè)波長(zhǎng)下的反射光角分辯譜。為了進(jìn)行多波長(zhǎng)測(cè)量,可使用該專利中提供的一種在物鏡l1光瞳面40進(jìn)行分光的方案,以便同時(shí)測(cè)量多個(gè)分立波長(zhǎng)下的角分辯譜。盡管如此,該專利仍然只能測(cè)量有限個(gè)分立的波長(zhǎng)。
由此可知,現(xiàn)有技術(shù)中用于套刻誤差測(cè)量的測(cè)量光波長(zhǎng)范圍有限,面對(duì)復(fù)雜的半導(dǎo)體制造工藝,可能存在一定的工藝適應(yīng)性問題。例如,若測(cè)量光的光波長(zhǎng)正好是半導(dǎo)體上覆蓋的薄膜膜厚的4倍,則容易發(fā)生干涉效應(yīng)而使從套刻標(biāo)記上反射光的反射率大大降低,從而造成測(cè)量精度的下降。其次,現(xiàn)有技術(shù)中使用的大na物鏡方案,具有較小的焦深范圍。一般而言,測(cè)量光使用的有效數(shù)值孔徑大于0.9,以典型的測(cè)量光波長(zhǎng)600nm計(jì)算,則其有效焦深范圍不到1um。因此,在測(cè)量過程中必須對(duì)焦面位置進(jìn)行高精度的控制,這將影響測(cè)量速度和精度;此外,在這種情況下,若焦面控制不力,則測(cè)量光的光斑極易擴(kuò)散到被測(cè)量的套刻標(biāo)記外,形成大量雜光,嚴(yán)重干擾測(cè)量的過程。
因此有必要發(fā)明測(cè)量套刻誤差的裝置和方法,不但能夠適應(yīng)波段范圍更廣的測(cè)量光,還能夠更好地適應(yīng)趨于精細(xì)化的半導(dǎo)體。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為解決上述問題,本發(fā)明提出了一種測(cè)量套刻誤差的裝置和方法,在裝置中增加能夠?qū)y(cè)量光調(diào)整為關(guān)于顯微物鏡光軸中心對(duì)稱的測(cè)量光調(diào)整組件,使得測(cè)量光經(jīng)過該套裝置后經(jīng)過套刻測(cè)量標(biāo)記形成正負(fù)級(jí)次衍射光,并最終在探測(cè)器上顯示正負(fù)級(jí)次衍射光的衍射光譜,由控制系統(tǒng)根據(jù)該衍射光譜計(jì)算套刻誤差,因此該裝置與方法可以使用較寬波段的光源來測(cè)量套刻誤差,這樣測(cè)量光波長(zhǎng)范圍更寬廣,衍射光譜為正負(fù)級(jí)次衍射光的光譜,因此獲取的測(cè)量信號(hào)更加豐富,提高了測(cè)量精度,且光能的利用率較高,可以適應(yīng)小尺寸的被測(cè)對(duì)象,使其更適應(yīng)于現(xiàn)代趨于精細(xì)化的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供一種測(cè)量套刻誤差的裝置,包括
一照明系統(tǒng),用于產(chǎn)生測(cè)量光;
一測(cè)量光調(diào)整組件;
一測(cè)量分光鏡,用于將測(cè)量光分光,所述照明系統(tǒng)、測(cè)量光調(diào)整組件以及測(cè)量分光鏡依次排在第一直線上;
一顯微物鏡,用于收集測(cè)量光,并投射至具有光柵結(jié)構(gòu)的套刻測(cè)量標(biāo)記的被測(cè)對(duì)象的表面;
一探測(cè)器,用于探測(cè)由光入射套刻測(cè)量標(biāo)記后發(fā)生衍射形成的衍射光譜,所述探測(cè)器位于所述顯微物鏡的瞳面,且所述探測(cè)器、測(cè)量分光鏡、顯微物鏡以及被測(cè)對(duì)象依次排列在第二直線上,所述第一直線與所述第二直線相交;
一控制系統(tǒng),與所述探測(cè)器信號(hào)連接,用于根據(jù)所述探測(cè)器上顯示的由套刻測(cè)量標(biāo)記形成的衍射光譜,計(jì)算套刻誤差;
所述測(cè)量光調(diào)整組件用于將測(cè)量光調(diào)整為關(guān)于所述顯微物鏡光軸中心對(duì)稱,使得形成的衍射光譜上正級(jí)衍射光的光譜與負(fù)級(jí)衍射光的光譜相互錯(cuò)開。
作為優(yōu)選,經(jīng)過所述測(cè)量光調(diào)整組件的中心且垂直于所述測(cè)量光調(diào)整組件的直線與所述顯微物鏡的光軸關(guān)于所述測(cè)量分光鏡的法線對(duì)稱。
作為優(yōu)選,所述測(cè)量光調(diào)整組件為一環(huán)形光闌或者狹縫,所述環(huán)形光闌由兩個(gè)關(guān)于圓心對(duì)稱的四分之一圓環(huán)組成。
作為優(yōu)選,還包括一入射分光鏡,位于所述照明系統(tǒng)與所述測(cè)量光調(diào)整組件之間。
作為優(yōu)選,所述測(cè)量光調(diào)整組件為具有線性出射面的光纖簇。
作為優(yōu)選,所述光纖簇的出射面為線性排列的光纖端面。
作為優(yōu)選,所述光纖簇的出射面上還包括一準(zhǔn)直組件,位于測(cè)量光從光纖簇出射面出射的光路上,所述準(zhǔn)直組件用于準(zhǔn)直從光纖簇出射的光。
作為優(yōu)選,所述準(zhǔn)直組件為凹透鏡陣列或者自聚焦系統(tǒng)。
作為優(yōu)選,所述光纖簇的入射面為二維矩形面或者三維結(jié)構(gòu)。
作為優(yōu)選,所述三維結(jié)構(gòu)為半球形或者橢球形。
作為優(yōu)選,還包括一監(jiān)測(cè)光組件,位于測(cè)量光穿透所述測(cè)量分光鏡后的光路上,從所述被測(cè)對(duì)象上反射和衍射測(cè)量光形成的測(cè)量光信號(hào)與從所述監(jiān)測(cè)光組件上反射和衍射測(cè)量光形成的監(jiān)測(cè)光信號(hào)作歸一化處理。
作為優(yōu)選,所述監(jiān)測(cè)光組件依次包括:
一透鏡組,位于測(cè)量光穿透所述測(cè)量分光鏡后的光路上;
一監(jiān)測(cè)光學(xué)元件,位于測(cè)量光穿透所述透鏡組后的光路上,用于反射或者衍射測(cè)量光并且將反射光或者衍射光通過所述透鏡組。
作為優(yōu)選,所述監(jiān)測(cè)光學(xué)元件為監(jiān)測(cè)光柵,所述監(jiān)測(cè)光柵的周期與所述套刻測(cè)量標(biāo)記的光柵的周期相同,所述監(jiān)測(cè)光柵傾斜放置,使得從監(jiān)測(cè)光柵衍射出衍射光中僅有-1級(jí)衍射光能通過所述透鏡組,在通過所述透鏡組后到達(dá)所述測(cè)量分光鏡并被所述測(cè)量分光鏡反射至所述探測(cè)器。
作為優(yōu)選,所述監(jiān)測(cè)光學(xué)元件為兩個(gè)相互垂直擺放的反射鏡,穿透過所述透鏡組的測(cè)量光被兩個(gè)反射鏡反射至所述測(cè)量分光鏡,并被所述測(cè)量光分鏡反射至所述探測(cè)器。
作為優(yōu)選,所述被測(cè)對(duì)象由一承片臺(tái)承載。
作為優(yōu)選,還包括一起偏裝置,位于測(cè)量光向所述探測(cè)器入射的光路上。
作為優(yōu)選,所述起偏裝置包括:
一起偏器,位于所述測(cè)量光調(diào)整組件與所述測(cè)量分光鏡之間;
一檢偏器,位于所述測(cè)量分光鏡與所述探測(cè)器之間。
作為優(yōu)選,還包括一補(bǔ)償器,位于測(cè)量光從所述起偏器出射的光路上,用于測(cè)量具有偏振態(tài)的測(cè)量光的反射率變化和位相變化。
作為優(yōu)選,所述照明系統(tǒng)產(chǎn)生的測(cè)量光為紫外光、可見光、紅外光中的至少一種。
本發(fā)明還提供一種測(cè)量套刻誤差的方法,由照明系統(tǒng)發(fā)出測(cè)量光,在照明系統(tǒng)與測(cè)量分光鏡之間設(shè)置測(cè)量光調(diào)整組件,由所述測(cè)量光調(diào)整組件將測(cè)量光整形成為關(guān)于所述顯微物鏡光軸中心對(duì)稱后,被測(cè)量分光鏡反射,并經(jīng)過顯微物鏡后入射至被測(cè)對(duì)象上,測(cè)量光經(jīng)過被測(cè)對(duì)象衍射后形成正負(fù)級(jí)次的衍射光,正負(fù)級(jí)次衍射光依次通過顯微物鏡、測(cè)量分光鏡到達(dá)探測(cè)器上形成正級(jí)次衍射光光譜與負(fù)級(jí)衍射光的光譜相互錯(cuò)開的衍射光譜,控制系統(tǒng)根據(jù)探測(cè)器上的衍射光譜計(jì)算得到被測(cè)對(duì)象的套刻誤差。
作為優(yōu)選,在測(cè)量光從所述測(cè)量光調(diào)整組件出射穿透所述測(cè)量分光鏡后的光路上設(shè)置監(jiān)測(cè)光組件,則測(cè)量光依次通過測(cè)量光調(diào)整組件、測(cè)量分光鏡后入射至所述監(jiān)測(cè)光組件,并被監(jiān)測(cè)光組件反射和衍射至測(cè)量分光鏡,并由測(cè)量分光鏡反射至探測(cè)器,將從被測(cè)對(duì)象上反射和衍射測(cè)量光形成的測(cè)量光信號(hào)與從監(jiān)測(cè)光組件上反射和衍射測(cè)量光形成的監(jiān)測(cè)光信號(hào)作歸一化處理,用于消除光強(qiáng)波動(dòng)對(duì)測(cè)量套刻誤差的干擾。
作為優(yōu)選,具體包括以下步驟:
步驟一:計(jì)算所述探測(cè)器顯示的衍射光譜上每個(gè)像素點(diǎn)的靈敏度,設(shè)定靈敏度的閾值,將衍射光譜上靈敏度小于閾值的像素點(diǎn)濾除;
步驟二:生成表征測(cè)量光的正級(jí)衍射光光強(qiáng)與負(fù)級(jí)衍射光光強(qiáng)之差與步進(jìn)單位套刻誤差值時(shí)在控制系統(tǒng)中生成的圖像之間的關(guān)系;
步驟三:根據(jù)步驟二得到的正級(jí)衍射光光強(qiáng)與負(fù)級(jí)衍射光光強(qiáng)之差與步進(jìn)單位套刻誤差值時(shí)在控制系統(tǒng)中生成的圖像之間的關(guān)系進(jìn)行迭代遞歸,每次迭代產(chǎn)生中間圖像,當(dāng)?shù)?jì)算得到對(duì)稱的中間圖像,則完成迭代,則迭代形成的總步長(zhǎng)即為所述套刻測(cè)量標(biāo)記的套刻誤差。
作為優(yōu)選,在被測(cè)對(duì)象上制作兩個(gè)排列成行的套刻測(cè)量標(biāo)記,分別為第一套刻測(cè)量標(biāo)記和第二套刻測(cè)量標(biāo)記,第一套刻測(cè)量標(biāo)記設(shè)定第一套刻測(cè)量標(biāo)記所在的圖案化光刻膠與上層圖案化光刻膠的套刻誤差為0,第二套刻測(cè)量標(biāo)記設(shè)定上層的圖案化光刻膠與第二套刻測(cè)量標(biāo)記所在的圖案化光刻膠的偏移量為δ。
作為優(yōu)選,步驟一中計(jì)算探測(cè)器顯示的衍射光譜上每個(gè)像素點(diǎn)的靈敏度的方法為
作為優(yōu)選,步驟二中的生成表征測(cè)量光的正級(jí)衍射光光強(qiáng)與負(fù)級(jí)衍射光光強(qiáng)之差與單位套刻誤差值之間的關(guān)系圖時(shí),依據(jù)的公式為:
作為優(yōu)選,步驟三中每次迭代產(chǎn)生的中間圖像所對(duì)應(yīng)的中間圖像值
pad_ov=left_intensity-m*ov_step_map,其中m為迭代的循環(huán)次數(shù),當(dāng)pad_ov值為0時(shí),m所對(duì)應(yīng)的值為n,則套刻測(cè)量標(biāo)記的套刻誤差ov_value=n×ov_step。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提供一種測(cè)量套刻誤差的裝置,包括
一照明系統(tǒng),用于產(chǎn)生測(cè)量光;
一測(cè)量光調(diào)整組件;
一測(cè)量分光鏡,用于將測(cè)量光分光,所述照明系統(tǒng)、測(cè)量光調(diào)整組件以及測(cè)量分光鏡依次排在第一直線上;
一顯微物鏡,用于收集測(cè)量光,并投射至具有光柵結(jié)構(gòu)的套刻測(cè)量標(biāo)記的被測(cè)對(duì)象的表面;
一探測(cè)器,用于探測(cè)由光入射套刻測(cè)量標(biāo)記后發(fā)生衍射形成的衍射光譜,所述探測(cè)器位于所述顯微物鏡的瞳面,且所述探測(cè)器、測(cè)量分光鏡、顯微物鏡以及被測(cè)對(duì)象依次排列在第二直線上,所述第一直線與所述第二直線相交;
一控制系統(tǒng),與所述探測(cè)器信號(hào)連接,用于根據(jù)所述探測(cè)器上顯示的由套刻測(cè)量標(biāo)記形成的衍射光譜,計(jì)算套刻誤差;
所述測(cè)量光調(diào)整組件用于將測(cè)量光調(diào)整為關(guān)于所述顯微物鏡光軸中心對(duì)稱,使得形成的衍射光譜上正級(jí)衍射光的光譜與負(fù)級(jí)衍射光的光譜相互錯(cuò)開。
本發(fā)明還提供一種測(cè)量套刻誤差的方法,由照明系統(tǒng)發(fā)出測(cè)量光,在照明系統(tǒng)與測(cè)量分光鏡之間設(shè)置測(cè)量光調(diào)整組件,由所述測(cè)量光調(diào)整組件將測(cè)量光整形成為關(guān)于所述顯微物鏡光軸中心對(duì)稱后,被測(cè)量分光鏡反射,并經(jīng)過顯微物鏡后入射至被測(cè)對(duì)象上,測(cè)量光經(jīng)過被測(cè)對(duì)象衍射后形成正負(fù)級(jí)次的衍射光,正負(fù)級(jí)次衍射光依次通過顯微物鏡、測(cè)量分光鏡到達(dá)探測(cè)器上形成正級(jí)次衍射光光譜與負(fù)級(jí)衍射光的光譜相互錯(cuò)開的衍射光譜,控制系統(tǒng)根據(jù)探測(cè)器上的衍射光譜計(jì)算得到被測(cè)對(duì)象的套刻誤差。
本發(fā)明提出了一種測(cè)量套刻誤差的裝置和方法,在裝置中增加能夠?qū)y(cè)量光調(diào)整為關(guān)于所述顯微物鏡光軸中心對(duì)稱的測(cè)量光調(diào)整組件,使得測(cè)量光經(jīng)過該套裝置后經(jīng)過套刻測(cè)量標(biāo)記形成正負(fù)級(jí)次衍射光,并最終在探測(cè)器上顯示正負(fù)級(jí)次衍射光的衍射光譜,并且衍射光譜上正級(jí)次衍射光和負(fù)級(jí)次衍射光的光譜互相錯(cuò)開,因此相互之間并不干擾,由控制系統(tǒng)根據(jù)該衍射光譜計(jì)算套刻誤差,這樣在光源選擇時(shí)就可以使用寬波段光源,如紅外光、紫外光、可見光或者這幾種光的組合光,且由于具有測(cè)量光調(diào)整組件,可以使用面光源、線光源或者點(diǎn)光源,因此,這種裝置和方法測(cè)量光波長(zhǎng)范圍更寬廣、可使用任何光斑形狀光源,這樣獲取的測(cè)量信號(hào)更加豐富,提高了測(cè)量精度,且由于光能的利用率較高,對(duì)于小尺寸的套刻測(cè)量標(biāo)記也能接收到測(cè)量光,因此這種裝置和方法也適應(yīng)小尺寸的被測(cè)對(duì)象,使其更適應(yīng)于現(xiàn)代趨于精細(xì)化的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)量套刻誤差的裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例一測(cè)量套刻誤差的裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例一被測(cè)對(duì)象截面示意圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例一測(cè)量衍射光強(qiáng)隨著套刻值的變化而變化的示意圖;
圖5為本發(fā)明實(shí)施例一第一套刻測(cè)量標(biāo)記示意圖;
圖6為本發(fā)明實(shí)施例一第二套刻測(cè)量標(biāo)記的示意圖;
圖7為本發(fā)明實(shí)施例一正負(fù)級(jí)次衍射光與衍射效率之間的關(guān)系圖;
圖8為本發(fā)明實(shí)施例一濾除靈敏度較差的像素點(diǎn)后的變化示意圖;
圖9為本發(fā)明實(shí)施例一生成的套刻誤差與正負(fù)級(jí)次光強(qiáng)差的關(guān)系圖;
圖10為本發(fā)明實(shí)施例一光纖簇結(jié)構(gòu)示意圖;
圖11為圖10中光纖出口端面排列示意圖;
圖12為圖10中入射面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖13為本發(fā)明實(shí)施例一步進(jìn)單位套刻誤差時(shí)光強(qiáng)變化圖;
圖14為本發(fā)明實(shí)施例一測(cè)量光信號(hào)與監(jiān)測(cè)光信號(hào)在探測(cè)器上顯示圖;
圖15為本發(fā)明實(shí)施例二光纖簇結(jié)構(gòu)示意圖;
圖16為本發(fā)明實(shí)施例三光闌結(jié)構(gòu)示意圖;
圖17為本發(fā)明實(shí)施例四測(cè)量套刻誤差的裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
圖18為本發(fā)明實(shí)施例四監(jiān)測(cè)光信號(hào)和測(cè)量光信號(hào)顯示圖;
圖19為本發(fā)明實(shí)施例五監(jiān)測(cè)光信號(hào)和測(cè)量光信號(hào)顯示圖;
圖20為本發(fā)明實(shí)施例六監(jiān)測(cè)光信號(hào)和測(cè)量光信號(hào)顯示圖。
圖1中:2-光源、30-濾鏡裝置、32-探測(cè)器、34-反射面、40-光瞳面、6-基底、l1-物鏡、l2-透鏡組;
本發(fā)明圖示:41-光源、43-光纖簇、432-入射面、437-光纖、44-出射面、45-測(cè)量分光鏡、46-顯微物鏡、47-被測(cè)對(duì)象、471-第一套刻測(cè)量標(biāo)記、472-第二套刻測(cè)量標(biāo)記、48-承片臺(tái)、49-透鏡組、410-監(jiān)測(cè)光柵、411-探測(cè)器、414-監(jiān)測(cè)光譜、4151-第一衍射光譜、4152-第二衍射光譜、4153-第三衍射光譜、4154-第四衍射光譜、4171-第一光闌、419-反射鏡。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。
實(shí)施例一
請(qǐng)參照?qǐng)D2,本發(fā)明提供一種測(cè)量套刻誤差的裝置,包括
一照明系統(tǒng),用于產(chǎn)生測(cè)量光,照明系統(tǒng)中至少包括一個(gè)光源41,光源41為寬波帶光源,可以是面光源、線光源或者點(diǎn)光源,以及具有其它光斑形狀的光源,照明系統(tǒng)產(chǎn)生的測(cè)量光為紫外光、可見光、紅外光中的至少一種。
一測(cè)量光調(diào)整組件,經(jīng)過測(cè)量光調(diào)整組件的中心且垂直于測(cè)量光調(diào)整組件的直線與顯微物鏡46的光軸關(guān)于測(cè)量分光鏡45的法線對(duì)稱,使用這樣的入射角度,使得從測(cè)量分光鏡45上反射的光皆能垂直入射顯微物鏡46,保證最大程度的收集入射光。
本實(shí)施例中測(cè)量光調(diào)整組件為光纖簇43,請(qǐng)參照?qǐng)D11,光纖簇43具有線性出射面,具體為光纖437的端面呈線性排列。
一測(cè)量分光鏡45,用于將測(cè)量光分光,且與照明系統(tǒng)、測(cè)量光調(diào)整組件依次排列成第一直線。
一顯微物鏡46,用于收集測(cè)量光,并投射至具有光柵結(jié)構(gòu)的套刻測(cè)量標(biāo)記的被測(cè)對(duì)象47的表面。
其中被測(cè)對(duì)象47上的套刻測(cè)量標(biāo)記,用于反射和衍射測(cè)量光,套刻測(cè)量標(biāo)記一般在掩膜版上,位于掩膜版上非圖案區(qū)域,套刻測(cè)量標(biāo)記包括兩個(gè)排列成行的第一套刻測(cè)量標(biāo)記471和第二套刻測(cè)量標(biāo)記472,在制作掩膜版時(shí),第一套刻測(cè)量標(biāo)記471設(shè)定為與上一版掩膜版上的第一套刻測(cè)量標(biāo)記471的套刻誤差為0,第二套刻測(cè)量標(biāo)記472設(shè)定為與上一版掩膜版上的第二套刻測(cè)量標(biāo)記472的預(yù)設(shè)偏移量為δ;
還包括一探測(cè)器411,用于探測(cè)由套刻測(cè)量標(biāo)記形成的衍射光譜,探測(cè)器411位于顯微物鏡46的瞳面,且與測(cè)量分光鏡45、顯微物鏡46、被測(cè)對(duì)象47依次排列成第二直線,上述第一直線與第二直線相交,因此形成了圖2的結(jié)構(gòu);
還包括一控制系統(tǒng)(未圖示),與探測(cè)器411信號(hào)連接,用于根據(jù)探測(cè)器411上顯示的由套刻測(cè)量標(biāo)記形成的衍射光譜,計(jì)算套刻誤差;
測(cè)量光調(diào)整組件也就是光源整形系統(tǒng),用于將測(cè)量光整形為關(guān)于顯微物鏡46光軸中心對(duì)稱,使得形成的衍射光譜上正級(jí)衍射光的光譜與負(fù)級(jí)衍射光的光譜相互錯(cuò)開,也就是使兩者互不干擾,這樣控制系統(tǒng)在計(jì)算時(shí)可避免很多誤差。
在本實(shí)施例中,請(qǐng)參照?qǐng)D10和圖11,測(cè)量光調(diào)整組件即為具有線性出射面的光纖簇43,光纖簇43中具有若干根光纖437,光纖437一般直徑很小,可達(dá)幾百微米,由于光經(jīng)過光纖437后出射出的光方向雜亂,因此在光纖簇43的出射面設(shè)置一準(zhǔn)直組件(未圖示),使用較常見的準(zhǔn)直組件,如凹透鏡陣列或者自聚焦系統(tǒng),準(zhǔn)直組件將從光纖437出射的光整形為相互平行的光,這樣使得在測(cè)量時(shí)入射被測(cè)對(duì)象47光線均勻,從根源處減少誤差。
較佳地,請(qǐng)參照?qǐng)D12,光纖簇43的入射面為二維矩形面,即光纖437入射的端面排列形成矩形。
較佳地,為了提高測(cè)量的準(zhǔn)確性,設(shè)置能夠提供參考光的裝置,具體為一監(jiān)測(cè)光組件,請(qǐng)參照?qǐng)D2,監(jiān)測(cè)光組件位于測(cè)量光穿透測(cè)量分光鏡45后的光路上,其具體包括
一透鏡組49,位于測(cè)量光穿透測(cè)量分光鏡45后的光路上;
一監(jiān)測(cè)光學(xué)元件,位于測(cè)量光穿透透鏡組49后的光路上,用于反射或者衍射測(cè)量光并且將反射光或者衍射光通過透鏡組49,具體地,本實(shí)施例中的監(jiān)測(cè)光學(xué)元件為監(jiān)測(cè)光柵410,監(jiān)測(cè)光柵410的周期與套刻測(cè)量標(biāo)記的光柵的周期相同,且監(jiān)測(cè)光柵410傾斜放置,使得從監(jiān)測(cè)光柵410衍射出的衍射光中僅有-1級(jí)衍射光能通過透鏡組49,其余0級(jí)和+1級(jí)衍射光的光路不通過透鏡組49,當(dāng)-1級(jí)衍射光通過透鏡組49后到達(dá)測(cè)量分光鏡45并被測(cè)量分光鏡45反射至探測(cè)器411。
請(qǐng)參照?qǐng)D14,從被測(cè)對(duì)象47上反射和衍射的測(cè)量光形成的為測(cè)量光信號(hào),本實(shí)施例中由于使用線性光源,因此在探測(cè)器411上顯示的光譜為第一衍射光譜4151,從監(jiān)測(cè)光組件上反射和衍射測(cè)量光形成的為監(jiān)測(cè)光信號(hào),在探測(cè)器411上顯示為監(jiān)測(cè)光譜414,將監(jiān)測(cè)光信號(hào)作為一種參考對(duì)比量,控制系統(tǒng)將測(cè)量光信號(hào)與監(jiān)測(cè)光信號(hào)作歸一化處理,經(jīng)過歸一化處理后,計(jì)算的套刻誤差能夠消除寬波段光源中部分波段光強(qiáng)的擾動(dòng)對(duì)套刻誤差測(cè)量的影響。
請(qǐng)參照?qǐng)D2和圖3,本發(fā)明提供的測(cè)量裝置主要用于測(cè)量被測(cè)對(duì)象47套刻誤差,被測(cè)對(duì)象47為一硅片,放置在光刻機(jī)工件臺(tái)的承片臺(tái)48上,硅片上具有至少兩層圖案化的光刻膠,測(cè)量的套刻誤差即為同一個(gè)位置上兩層圖案化光刻膠之間的覆蓋誤差。當(dāng)硅片上制作完成第一層圖案化光刻膠后,在后續(xù)工藝中還需要再次涂覆一層光刻膠,并使該層光刻膠圖案化,但由于第二次圖案化光刻膠時(shí)其在掩膜對(duì)準(zhǔn)時(shí)可能并未與第一層圖案化光刻膠的圖案對(duì)準(zhǔn),因此才會(huì)造成上述圖案化光刻膠的覆蓋誤差。
請(qǐng)參照?qǐng)D4,當(dāng)兩層圖案化光刻膠之間具有套刻誤差時(shí),從光刻膠上衍射出來的光會(huì)產(chǎn)生變化,當(dāng)套刻誤差值等于零時(shí),各正負(fù)高級(jí)次衍射光強(qiáng)相等,當(dāng)套刻誤差值不等于零時(shí),各正負(fù)高級(jí)次衍射光強(qiáng)不相等,并且當(dāng)套刻誤差值在零點(diǎn)附近時(shí),衍射光強(qiáng)與套刻誤差值成線性關(guān)系。
基于上述原理,本發(fā)明提供一種基于上述測(cè)量裝置的測(cè)量套刻誤差的方法,由光源41發(fā)出測(cè)量光,由測(cè)量光調(diào)整組件將測(cè)量光整形成為關(guān)于顯微物鏡46光軸中心對(duì)稱后,被測(cè)量分光鏡45反射,并經(jīng)過顯微物鏡46后入射至被測(cè)對(duì)象47的套刻測(cè)量標(biāo)記上,測(cè)量光經(jīng)過套刻測(cè)量標(biāo)記衍射后形成正負(fù)級(jí)次的衍射光,正負(fù)級(jí)次衍射光依次通過顯微物鏡46、測(cè)量分光鏡45到達(dá)探測(cè)器411上形成正級(jí)次衍射光光譜與負(fù)級(jí)衍射光的光譜相互錯(cuò)開的衍射光譜,控制系統(tǒng)根據(jù)探測(cè)器411上的衍射光譜計(jì)算得到被測(cè)對(duì)象47的套刻誤差。
請(qǐng)參照?qǐng)D5與圖6,使用本發(fā)明提供的測(cè)量方法,要求被測(cè)對(duì)象47上具有至少兩個(gè)套刻測(cè)量標(biāo)記,分別為第一套刻測(cè)量標(biāo)記471和第二套刻測(cè)量標(biāo)記472,這兩個(gè)標(biāo)記分別位于硅片的兩側(cè),位于非圖案區(qū)域,兩者之間間隔著有效圖案區(qū)域,在設(shè)計(jì)掩膜版時(shí),設(shè)定第一套刻測(cè)量標(biāo)記471與下層光刻膠之間的套刻誤差為0,但由于兩次掩膜曝光必定存在對(duì)準(zhǔn)誤差,因此必定會(huì)產(chǎn)生套刻誤差ε,因此第一套刻測(cè)量標(biāo)記471與下層光刻膠之間的偏移量為0+ε=ε,設(shè)定第二套刻測(cè)量標(biāo)記472與下層光刻膠之間的產(chǎn)生了預(yù)設(shè)偏移量δ,那么經(jīng)過第二次掩膜曝光后,實(shí)際上形成的偏移量即為ε+δ。
使用上述套刻測(cè)量標(biāo)記,測(cè)量套刻誤差具體包括以下步驟:
步驟一:請(qǐng)參照?qǐng)D7與圖8,計(jì)算探測(cè)器411顯示的衍射光譜上每個(gè)像素點(diǎn)的靈敏度
right_intensity_positive=k·(ε+δ)+b,
right_intensity_nagetive=-k·(ε+δ)+b,對(duì)于照射在第二套刻測(cè)量標(biāo)記472上的正負(fù)光強(qiáng)分別為left_intensity_positive=k·ε+b,
left_intensity_nagetive=-k·ε+b,其中k為該裝置所存在的測(cè)量工藝參數(shù),b為光強(qiáng)的基本值,也就是套刻誤差值為0時(shí)的光強(qiáng)值,ε為套刻誤差值。
請(qǐng)參照?qǐng)D7,圖中靈敏度較差的點(diǎn),其縱坐標(biāo)并未隨著橫坐標(biāo)的變化而發(fā)生較大的變化,因此需要將其濾除,濾除方法為根據(jù)經(jīng)驗(yàn)設(shè)定靈敏度的閾值,將計(jì)算得到的靈敏度小于閾值的像素點(diǎn)濾除,濾除后如圖8所示。
步驟二:請(qǐng)參照?qǐng)D9,生成表征測(cè)量光的正級(jí)衍射光光強(qiáng)與負(fù)級(jí)衍射光光強(qiáng)之差與步進(jìn)單位套刻誤差值時(shí)在控制系統(tǒng)中生成的map(圖像)之間的關(guān)系。
生成關(guān)系圖依據(jù)的公式為:
步驟三:利用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的迭代遞歸計(jì)算套刻誤差值,即根據(jù)步驟二得到的正級(jí)衍射光光強(qiáng)與負(fù)級(jí)衍射光光強(qiáng)之差與單位套刻誤差值之間的關(guān)系進(jìn)行迭代遞歸,具體為計(jì)算每次迭代產(chǎn)生的中間圖象map對(duì)應(yīng)的計(jì)算值
pad_ov=left_intensity-m*ov_step_map,其中m為迭代的循環(huán)次數(shù),
當(dāng)計(jì)算得到的pad_ov對(duì)應(yīng)的中間圖像map接近于無偏差時(shí),也就是pad_ov的值接近于0時(shí),得到此時(shí)m所對(duì)應(yīng)的值為n,則套刻測(cè)量標(biāo)記的套刻誤差ov_value=n×ov_step。
此外為了提高測(cè)量的精確度,請(qǐng)參照?qǐng)D2和圖14,在測(cè)量光從測(cè)量光調(diào)整組件出射穿透測(cè)量分光鏡45后的光路上設(shè)置監(jiān)測(cè)光組件,則測(cè)量光依次通過測(cè)量光調(diào)整組件、測(cè)量分光鏡45后入射至監(jiān)測(cè)光組件,并被監(jiān)測(cè)光組件反射和衍射后至測(cè)量分光鏡45,并由測(cè)量分光鏡45反射至探測(cè)器411,將從被測(cè)對(duì)象47上反射和衍射測(cè)量光形成的測(cè)量光信號(hào)與從監(jiān)測(cè)光組件上反射和衍射測(cè)量光形成的監(jiān)測(cè)光信號(hào)作歸一化處理,用于消除雜散光對(duì)測(cè)量套刻誤差的干擾。
實(shí)施例二
請(qǐng)參照?qǐng)D15,本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于光纖簇43的入射面432為一三維結(jié)構(gòu),如圖15所示的半球形,也可為橢球形,這種球形的入射面能夠增大入射面的表面積,能夠收集更多的入射光。
實(shí)施例三
請(qǐng)參照?qǐng)D16,本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于測(cè)量光調(diào)整組件為一環(huán)形第一光闌4171,環(huán)形第一光闌4171由兩個(gè)關(guān)于圓心對(duì)稱的四分之一圓環(huán)組成,也即該兩個(gè)四分之一圓環(huán)處為遮光處,其余皆為透光處。
實(shí)施例四
請(qǐng)參照?qǐng)D17,本實(shí)施例與實(shí)施例三的區(qū)別在于,監(jiān)測(cè)光元件為兩個(gè)相互之間夾角為90°的反射鏡419,穿透過透鏡組49的測(cè)量光被兩個(gè)反射鏡419反射至測(cè)量分光鏡45,并被測(cè)量光分鏡45反射至探測(cè)器411,由于監(jiān)測(cè)光譜414由反射鏡419形成,因此形成的監(jiān)測(cè)光譜414與測(cè)量光信號(hào)形成的第二衍射光譜4152如圖18所示。
實(shí)施例五
請(qǐng)參照?qǐng)D19,本實(shí)施例與實(shí)施例三的區(qū)別在于使用的第二光闌(未圖示)的形狀為兩個(gè)關(guān)于中心對(duì)稱的半弦,且監(jiān)測(cè)光元件與實(shí)施例四相同,因此得到的監(jiān)測(cè)光譜414與測(cè)量光信號(hào)形成的第三衍射光譜4153如圖19所示。
實(shí)施例六
請(qǐng)參照?qǐng)D20,本實(shí)施例與實(shí)施例五的區(qū)別在于使用的第三光闌(未圖示)為實(shí)施例五的第二光闌順時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°形成,得到的監(jiān)測(cè)光譜414與測(cè)量光形成的第四衍射光譜4154如圖20所示。
實(shí)施例七
本實(shí)施例與實(shí)施例一區(qū)別在于測(cè)量光調(diào)整組件為一狹縫(未圖示)。
實(shí)施例八
本實(shí)施例與實(shí)施例七的區(qū)別在于具有兩個(gè)狹縫,在照明系統(tǒng)與測(cè)量光調(diào)整組件設(shè)置一入射分光鏡(未圖示),入射分光鏡將測(cè)量光分為兩束相同的光并分別入射兩個(gè)狹縫。
實(shí)施例九
本實(shí)施例與實(shí)施例八的區(qū)別在于在狹縫與測(cè)量分光鏡45之間設(shè)置快門(未圖示),用于遮擋對(duì)測(cè)量產(chǎn)生干擾的非測(cè)量光束。
實(shí)施例十
本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于在裝置中增加一濾光裝置(未圖示),該濾光裝置位于測(cè)量光向被測(cè)對(duì)象47入射的光路上,如可設(shè)置在照明系統(tǒng)上,當(dāng)光源41發(fā)出測(cè)量光后經(jīng)過濾光裝置,可以濾除具有較窄帶寬的測(cè)量光,更有利于測(cè)量。
實(shí)施例十一
本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于還包括一起偏裝置(未圖示),位于測(cè)量光向探測(cè)器411入射的光路上,使得測(cè)量光變?yōu)榫哂衅駪B(tài)的光。
具體地,起偏裝置包括:
一起偏器,位于測(cè)量光調(diào)整組件與測(cè)量分光鏡45之間;
一檢偏器,位于測(cè)量分光鏡45與探測(cè)器411之間。
較佳地,還包括一補(bǔ)償器,位于測(cè)量光從起偏器出射的光路上,用于測(cè)量具有偏振態(tài)的測(cè)量光的反射率變化和位相變化。
在裝置中加入起偏器,使得測(cè)量光變?yōu)榫哂衪e?;蛘遲m模的偏振光,但具體根據(jù)被測(cè)對(duì)象47的情況而選擇te模還是tm模,由于te模和tm模對(duì)于同一被測(cè)對(duì)象47的反射率并不相同,如被測(cè)的物體為金屬且具有線性的光柵結(jié)構(gòu),則te模更容易被線性光柵吸收,因此反射效率低,最后則導(dǎo)致影響測(cè)量工藝參數(shù)k。一般來說,k越大,則會(huì)將套刻誤差值ε放大而體現(xiàn)在測(cè)得的光強(qiáng)值中,從而容易被控制系統(tǒng)計(jì)算得到,這樣提高了測(cè)量精度,因此需要根據(jù)測(cè)量工藝以及被測(cè)物體選擇不同性質(zhì)的偏振光。
本發(fā)明對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行了描述,但本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例,顯然本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。