技術編號：12905526
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體光刻領域，特別涉及一種測量套刻誤差的裝置和方法。背景技術根據(jù)ITRS(InternationaltechnologyRoadmapforSemiconductor，國際半導體技術規(guī)劃)給出的光刻測量技術路線圖，隨著光刻圖形的關鍵尺寸進入22nm及以下工藝節(jié)點，特別是雙重曝光(DoublePatterning)技術的廣泛應用，對光刻工藝參數(shù)套刻(overlay)的測量精度要求已經(jīng)進入亞納米領域。由于成像分辨率極限的限制，傳統(tǒng)的基于成像和圖像識別的套刻測量技術(Imaging-Bas...
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