本發(fā)明目的在于一種導(dǎo)電支件、包含所述導(dǎo)電支件的電致變色設(shè)備及其制造法。以傳統(tǒng)的方式，電致變色玻璃體的下電極是基于氧化銦（一般是以縮寫ito而更為熟知的摻雜有錫的氧化銦（厚度為100nm至600nm的量級(jí)））的透明層，并且其方阻大于10歐姆—15歐姆。為了實(shí)現(xiàn)具有大于1米的兩個(gè)金屬接觸之間的距離的大尺寸電致變色模塊并且為了保持有色狀態(tài)與無色狀態(tài)之間的滿意切換時(shí)間，希望的是在保持大于70%的透明度的同時(shí)將方阻降低到小于5ohm/sq的值。此外，制造處理有待于簡(jiǎn)化以及在工業(yè)規(guī)模上可靠化而不產(chǎn)生損壞，甚至是改善電致變色設(shè)備的光學(xué)和電學(xué)性能。為此，本發(fā)明提出一種用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件，包括：-玻璃襯底（透明的，如果在表面處紋理化，則有可能地尤其是半透明的），由有機(jī)或無機(jī)玻璃制成，具有從1.45到1.8的范圍內(nèi)的折射率n1，具有稱為第一表面的第一主面，-電極，其包括被布置成柵格（稱為金屬柵格）的層，由（多個(gè)）金屬材料（純的或合金，優(yōu)選地為單層甚至多層）制成，呈現(xiàn)小于10ω/□（更好的小于5ω/□）的方阻，所述金屬柵格呈現(xiàn)至少100nm并且優(yōu)選地至多1500nm的厚度e2，所述金屬柵格由具有小于或等于50μm的寬度a的股線（另外稱為軌道）形成并且被分離開小于或等于5000μm而且至少50μm的股線之間的距離b，這些股線被具有如下的表面的多個(gè)電絕緣的非導(dǎo)電域分離：所述表面最遠(yuǎn)離所述襯底而被稱為高表面，各域優(yōu)選地具有大于1.65的折射率。所述導(dǎo)電支件從第一表面?zhèn)绕鸢ńo定組分的優(yōu)選地電絕緣的第一無機(jī)層，所述第一層直接在所述第一表面上或者在一下部層上，該下層尤其是阻擋層—無機(jī)物單層或多層—阻擋濕氣（如果是塑料襯底的話）或阻擋堿性物質(zhì)（如果是玻璃的話），所述第一層在厚度上被部分地或完全地構(gòu)造而具有貫通孔或腔體，貫通孔或腔體具有寬度wc以用于至少部分地錨定所述金屬柵格，所述高表面是所述第一層的表面或是上層—優(yōu)選地具有小于或等于200nm的厚度的無機(jī)物—的表面。所述股線沿著其長(zhǎng)度呈現(xiàn)在與高表面齊平的（平坦）旁側(cè)區(qū)域之間的中心區(qū)域，并且所述中心區(qū)域的表面粗糙度大于（平滑的）所述旁側(cè)區(qū)域的表面粗糙度，所述旁側(cè)區(qū)域的粗糙度參數(shù)rq優(yōu)選地至多是5nm。所述導(dǎo)電支件另外包括由無機(jī)材料（單個(gè)或多個(gè)材料）制成的導(dǎo)電涂層，該導(dǎo)電涂層優(yōu)選地直接覆蓋高表面，在所述旁側(cè)區(qū)域之上并且與所述旁側(cè)區(qū)域電連接，有可能地呈現(xiàn)在所述中心區(qū)域之上并且與所述中心區(qū)域電連接，具有小于或等于500mn—更好地小于或等于200nm—的厚度e5，具有小于20ω.cm并且大于所述金屬柵格的電阻率的電阻率ρ5，并且其具有至少1.5—更好地至少1.55—并且甚至至少1.7的折射率n5。并且在所述中心區(qū)域中，當(dāng)所述中心區(qū)域從所述高表面過齊平時(shí)，股線表面的中間和所述高表面相距如下的豎向距離h：該豎向距離h是正交于所述第一表面取得的并且小于或等于500nm，更好地小于或等于300nm并且甚至小于或等于100nm。所述金屬柵格（其中心區(qū)域）優(yōu)選地至少部分地被錨定在所述第一層中，并且有可能地被完全地錨定在所述第一層上的有可能的電絕緣上層（單層或多層）中。選取可能的最平滑的高表面—所述第一層的表面或有可能的上層的表面—以便減少泄漏電流。（所述第一層或所述上層的）所述高表面可以優(yōu)選地呈現(xiàn)小于10nm、更好地小于5nm并且甚至小于2nm的粗糙度rq。rq可以是根據(jù)iso4287規(guī)范定義的，并且可以通過原子力顯微鏡來測(cè)量。在欠齊平情況下將h限制于500nm，以使得輪廓盡可能不陡峭。盡可能多地減少過齊平，以錨定層并且允許通過各非導(dǎo)電域進(jìn)行柵格側(cè)壁的鈍化。優(yōu)選地，（平坦）旁側(cè)區(qū)域的（表面的）粗糙度參數(shù)rq至多是5nm并且甚至至多3nm并且甚至至多2nm或者還至多1nm。并且優(yōu)選地，每個(gè)（平坦）旁側(cè)區(qū)域中的rmax（最大高度）至多是20nm并且甚至至多10nm。通過液相法（如自動(dòng)催化沉積（通過鍍銀等））特別是針對(duì)柵格材料的沉積而獲得大于所述旁側(cè)區(qū)域的表面粗糙度的所述中心區(qū)域的粗糙度。所述中心區(qū)域的粗糙度隨所述金屬柵格的厚度增加（所述旁側(cè)區(qū)域的平滑性質(zhì)獨(dú)立于厚度）。所述中心區(qū)域中的粗糙度參數(shù)rq（或rms）可以是至少10nm并且甚至至少20nm并且優(yōu)選地至多60nm。并且甚至所述中心區(qū)域中的粗糙度參數(shù)rmax（最大高度）可以是至少100nm并且甚至至少150nm并且優(yōu)選地至多500nm。所述金屬柵格的rmax和rq可以是根據(jù)iso4287規(guī)范定義的，并且可以通過原子力顯微鏡來測(cè)量。根據(jù)本發(fā)明，與高表面齊平的旁側(cè)區(qū)域可以嚴(yán)格地處于與高表面相同的平面上，或可以從其偏離至多10nm并且更好地至多5nm。每個(gè)（平坦）旁側(cè)區(qū)域與所述高表面齊平的事實(shí)還出自通過液相法（如基于reposer溶液中的金屬鹽的還原的自動(dòng)催化（按英語的“electroless（無電）”）沉積）對(duì)金屬的沉積，沉積是通過掩模層的開孔在通過濕法蝕刻（部分地或完全地）構(gòu)造的層上執(zhí)行的。該齊平現(xiàn)象獨(dú)立于金屬厚度。特別是，在自動(dòng)催化沉積（如鍍銀（按英語的“silvering（鍍銀）”））的示例中，金屬（如銀）沉積在被（部分地或完全地）構(gòu)造的層（單獨(dú)的上層，或者上層和第一層）的孔中。由于在通過濕法蝕刻構(gòu)造的層的形成期間產(chǎn)生的橫向蝕刻，孔比掩模層的開孔更寬。銀沉積在側(cè)壁上并且沉積在位于每個(gè)孔之上的掩模層的被稱為內(nèi)表面的表面上，內(nèi)表面在高表面的平面中并且因此超出每個(gè)孔的側(cè)壁。由于旁側(cè)區(qū)域與本身具有平滑內(nèi)表面的掩模層接觸，與高表面齊平的旁側(cè)區(qū)域是平坦、平滑的。至于內(nèi)表面，其再現(xiàn)高表面的平滑、平坦性質(zhì)。濕法蝕刻在內(nèi)表面和平滑側(cè)壁以及腔體底部上不生成顯著粗糙度（相對(duì)于在平滑表面上的沉積，這些潛在地生成的粗糙不增加?xùn)鸥癖砻娴拇植诙龋Ｔ谖锢須庀喑练e（“pvd”）（如磁控陰極濺射）期間，由于通過掩模層（如（光）樹脂）的開孔的陰影效果，股線的旁側(cè)區(qū)域呈盆形，形成具有等于在隨后制造電致變色設(shè)備時(shí)易于生成短路的（部分地或完全地）所構(gòu)造出的層的腔體的高度的深度的形態(tài)的破裂。在該類型的沉積中，對(duì)于欠齊平或過齊平的柵格而言，股線不具有平滑的并且與高表面齊平的旁側(cè)區(qū)域。另外，鍍銀比物理氣相沉積“pvd”更簡(jiǎn)單，更不復(fù)雜（沒有真空設(shè)施等），并且適合于任何尺寸的金屬柵格。此外，通過鍍銀沉積的銀的電導(dǎo)率是足夠的（典型地比通過pvd產(chǎn)生的銀柵格的電導(dǎo)率低30%至40%）。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，因?yàn)閷?duì)于制造是可靠的并且最簡(jiǎn)單，所以中心區(qū)域欠齊平于高表面，并且h大于100nm，甚至大于150nm。在測(cè)試期間，申請(qǐng)人確證了在中心區(qū)域的金屬柵格的表面與高表面之間的足夠的間隙的優(yōu)點(diǎn)。實(shí)際上，在過齊平的金屬柵格的情況下或者在具有更小h值的欠齊平的金屬柵格的情況下，申請(qǐng)人觀測(cè)到出現(xiàn)具有20nm至200nm的量級(jí)的高度h1以及具有沿著旁側(cè)區(qū)域的內(nèi)部邊沿延伸的20nm至500nm的量級(jí)的半高寬w1的金屬凸起。這些凸起是連續(xù)的或不連續(xù)的。這些凸起是有害的，因?yàn)橐子谠黾有孤╇娏?。根?jù)本發(fā)明的大于100nm、甚至大于150nm的間隙h允許顯著減少這些凸起及其高度，甚至于抑制它們。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)金屬柵格欠齊平于高表面（其中h大于100nm，更好地大于150nm）時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的金屬股線中的大部分并且甚至每一金屬股線沒有這些凸起。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)沿著旁側(cè)區(qū)域的內(nèi)部邊沿延伸的這些凸起具有小于10nm的高度時(shí)，金屬股線表面（優(yōu)選地為銀）被看作為沒有凸起。在另一實(shí)施方式中，h小于或等于100nm，并且甚至優(yōu)選地，中心區(qū)域欠齊平于高表面，優(yōu)選地，金屬股線表面沒有沿著旁側(cè)區(qū)域的內(nèi)部邊沿（中心區(qū)域側(cè)）延伸的高度大于10nm的（金屬）凸起。在小的間隙h的情況下，在去除掩模層期間生成凸起。假設(shè)當(dāng)間隙h?。◣缀觚R平的股線）時(shí)，（部分地或完全地）構(gòu)造的層的孔中所沉積的柵格金屬（銀）與掩模層的側(cè)壁上的柵格金屬之間的破裂歸因于柵格金屬與掩模層上的柵格金屬之間的更大的接觸區(qū)域而在實(shí)施上更為棘手。然而，可以通過化學(xué)侵蝕消除這些凸起。以有利的方式，導(dǎo)電支件可以包括如下的層，該層被稱為不連續(xù)的鈍化層，由電氣材料制成，形成定位于中心區(qū)域之上并且有可能地定位于股線的旁側(cè)區(qū)域之上的絕緣軌道的柵格，完全地覆蓋中心區(qū)域并且有可能地部分地或完全地覆蓋旁側(cè)區(qū)域并且（高表面之上）不橫向地超出股線的外部邊沿或者（在高表面之上）橫向地超出股線的外部邊沿至多1μm，甚至至多500nm或者還至多200nm，甚至不超出中心區(qū)域。此外，根據(jù)本發(fā)明的絕緣柵格可以潛在地允許限制泄漏電流并且因此限制電致變色設(shè)備的壽命的劣化。此外，如果絕緣柵格的表面是平滑的（例如通過溶膠—凝膠法或其它液相法方法獲得的層），則其可以使作為泄漏電流的來源的大的缺陷平坦化。金屬柵格呈現(xiàn)可能甚至是不可見的小寬度a的股線并且優(yōu)選地是不規(guī)則的并且更好地是隨機(jī)的以消除可能的衍射現(xiàn)象。并且鈍化被定位于股線之上。由于絕緣軌道不橫向地延伸超過金屬股線（或者稍微超出小于1μm），因此絕緣軌道不導(dǎo)致有源表面的損失（或者根據(jù)股線的寬度與按照本發(fā)明而可能的橫向超出的比率來看，微小的損失）。出現(xiàn)比中心區(qū)域更平滑的旁側(cè)區(qū)域另外地取得根據(jù)本發(fā)明的支件的主要優(yōu)點(diǎn)。旁側(cè)區(qū)域本身不需要被鈍化（因?yàn)槭瞧交模?。根?jù)本發(fā)明的制造處理允許將絕緣軌道部分地或完全地定位在旁側(cè)區(qū)域上，并且因此完全地重新覆蓋粗糙的中心區(qū)域。由于旁側(cè)區(qū)域是平滑的并且不生成泄漏電流，因此僅可能是部分的對(duì)它們的覆蓋并不是造成妨礙的。僅是部分的覆蓋的可能性還允許通過在處理參數(shù)的選取上賦予容限來提供在制造處理方面的優(yōu)點(diǎn)。中心區(qū)域越大，容限就越大。只要中心區(qū)域被完全覆蓋，絕緣軌道就因此可以無差別地完全地或部分地覆蓋旁側(cè)區(qū)域。中心區(qū)域的寬度可以大于、等于或小于（在高表面處限定的）每個(gè)旁側(cè)區(qū)域的寬度。這取決于e2、h以及容納金屬柵格的孔的寬度。優(yōu)選地，鈍化層在中心區(qū)域之上具有稱為上表面的表面，其呈現(xiàn)小于10nm、更好地小于5nm并且甚至小于2nm的粗糙度參數(shù)rq以及甚至小于100nm、更好地小于50nm并且甚至小于20nm的粗糙度參數(shù)rmax。并且鈍化層優(yōu)選地具有側(cè)壁，其呈現(xiàn)小于10nm、甚至小于5nm并且更好地小于2nm的粗糙度參數(shù)rq以及甚至小于100nm、更好地小于50nm并且甚至小于20nm的粗糙度參數(shù)rmax。鈍化層可以是單層甚至多層的、透明的或不透明的（是或多或少吸收的），并且具有任何折射率。鈍化層可以是有機(jī)的，特別是聚合物的。在鈍化的第一實(shí)施方式中，電絕緣材料是正性（退火）光敏材料，具有如下的厚度e6：小于1000nm、甚至至多600nm并且在導(dǎo)電涂層之上甚至至多300nm。光敏材料傳統(tǒng)上被以平版印刷方式利用于掩模層，并且按英語被命名為“photoresist（光致抗蝕劑）”。其一般涉及光樹脂?！罢浴惫饷舨牧蟼鹘y(tǒng)上是如下類型的光敏材料：對(duì)其而言暴露于uv光的部分變?yōu)榭扇苡陲@影劑（顯影溶液）并且其中未被暴露的光敏材料部分保持不可溶?！柏?fù)性”光敏材料傳統(tǒng)上是如下的類型的光敏材料：對(duì)其而言暴露于光的部分變?yōu)椴豢扇苡陲@影劑并且其中未被暴露的光敏材料部分保持可溶。鈍化層可以是單層甚至多層的、透明的或不透明的（是或多或少吸收的），并且具有任何折射率。絕緣軌道呈現(xiàn)由于正性光敏材料的顯影導(dǎo)致的傾斜側(cè)壁。尤其是絕緣軌道的基部可能與高表面成至多60°、甚至在40°和50°之間的角度α，以至于絕緣軌道在遠(yuǎn)離第一表面的同時(shí)具有降低的寬度。鈍化層的截面典型地呈圓頂形狀而沒有銳角。與所有預(yù)期相反，正性光敏材料與制造電致變色設(shè)備的以后的各步驟是兼容的。平坦化材料的厚度優(yōu)選地是金屬柵格的rmax值的量級(jí)。在該第一方式的優(yōu)選實(shí)現(xiàn)中，鈍化層是基于以下材料中的至少一個(gè)的層：聚酰亞胺、聚硅氧烷、苯酚甲醛（以名稱“酚醛清漆（或者按英語的“novolac（酚醛清漆）”）樹脂”而已知）或聚甲基丙烯酸甲酯（pmma）。在第二實(shí)施方式中，鈍化層是無機(jī)的，并且更特別地是優(yōu)選地通過溶膠—凝膠法的氧化物的層和/或作為金屬的材料的氮化物和/或硅的氮化物的層，并且優(yōu)選地是如下的層：氮化硅、或者氮化鈦、或者氧化鈦、氧化鋯、氧化硅、氧化鈮及其混合物。可以通過不同的方法（例如陰極濺射或溶膠—凝膠）來沉積絕緣軌道的材料。溶膠—凝膠處理歸因于其更低的成本以及通過溶膠—凝膠的材料的平坦化性質(zhì)而是有益的。兩種配置對(duì)于鈍化層而言是可能的。在第一配置中，鈍化層處于（優(yōu)選地?zé)o機(jī)的）導(dǎo)電涂層上。在第二配置中，鈍化層處于（優(yōu)選地?zé)o機(jī)的）導(dǎo)電涂層與中心區(qū)域（并且甚至旁側(cè)區(qū)域）之間。在一種配置中，導(dǎo)電涂層（優(yōu)選地基于銦的層）是不連續(xù)的并且缺少中心區(qū)域。導(dǎo)電涂層可以是不連續(xù)的，缺少中心區(qū)域，并且h于是被限定于股線表面的中間與導(dǎo)電涂層的表面之間。第一層可以是優(yōu)選地通過溶膠—凝膠法的氧化物的層和/或作為金屬的材料的氮化物和/或硅的氮化物的層，并且優(yōu)選地是如下的層：氮化硅、氮化鈦、或者氧化鈦、氧化鋯、氧化硅及其混合物，或者還有尤其基于鋅的透明導(dǎo)體氧化物的層。根據(jù)本發(fā)明的有可能地被部分地構(gòu)造的第一層可以處于大的表面（例如大于或等于0.005m2甚至大于或等于0.5m2或大于或等于1m2的表面）之上。根據(jù)本發(fā)明的柵格可以處于大的表面（例如大于或等于0.02m2甚至大于或等于0.5m2或大于或等于1m2的表面）之上?？梢詫⒆钃鯘駳獾南聦犹砑拥剿x取的塑料襯底上。阻擋層可以基于氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氮碳氧化硅或二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氮化鋁、氮化鈦，例如具有小于或等于10nm并且優(yōu)選地大于或等于3nm甚至大于或等于5nm的厚度。其可能涉及多層。在本發(fā)明中，所有折射率是在550nm處定義的。關(guān)于金屬柵格，股線是伸長(zhǎng)的—未相連的或優(yōu)選地互連的（至少在有源區(qū)中），尤其呈網(wǎng)格狀。絕緣軌道具有相同的架構(gòu)。以優(yōu)選的方式，通過自動(dòng)催化沉積并且優(yōu)選地通過鍍銀來獲得金屬柵格。有利地，根據(jù)本發(fā)明的金屬柵格可以呈現(xiàn)小于10ohm/carré、優(yōu)選地小于或等于5ohm/carré并且甚至1ohm/carré的方阻。特別是，獲得低的rcarré允許增加電致變色模塊的常規(guī)尺寸并且降低有色狀態(tài)/無色狀態(tài)的切換時(shí)間。金屬柵格的一種或多種材料是在由如下形成的組中選取的：銀、銅、鎳（尤其是純的材料），或者可以是基于這些金屬的合金。柵格優(yōu)選地基于銀。金屬柵格可以優(yōu)選地為單層（銀）甚至多層（優(yōu)選地具有至少80%、甚至90%的銀）。金屬柵格可以為多層，尤其是銀的多層，并且按以下順序包括（甚至構(gòu)成自）：-第一金屬層（直接在腔體的底部或者最接近腔體的底部的金屬層上），優(yōu)選地由第一金屬材料制成，第一金屬材料優(yōu)選地基于銀甚至由銀構(gòu)成，第一金屬層形成為小于柵格的總厚度e2的15%并且甚至10%和/或至少3nm、5nm、甚至至少10nm、并且優(yōu)選地小于100nm甚至50nm，-第二金屬層（在第一層上，遠(yuǎn)離于襯底），尤其具有可識(shí)別的與第一層的界面，基于第二金屬材料，第二金屬材料優(yōu)選地選取自如下當(dāng)中：銀、鋁或銅，第二金屬層形成柵格的總厚度e2的至少70%、80%以及甚至90%，第二層優(yōu)選地基于銀，甚至尤其如第一層那樣由銀構(gòu)成。可以尤其根據(jù)第一沉積方法（例如通過鍍銀沉積優(yōu)選地至少20nm并且甚至至少30nm的厚度，或者通過真空沉積（濺射））形成基于銀的第一金屬層，并且根據(jù)第二沉積方法（其優(yōu)選地為電沉積）形成基于銀的厚度至少為3nm甚至5nm的第二金屬層。電沉積的優(yōu)點(diǎn)是與鍍銀相比銀的利用率更高并且是較之濺射更不昂貴的處理。金屬柵格可以是多層的，其中各層由不同的材料制成，例如具有抗腐蝕（水和/或空氣）的（例如金屬的）最終保護(hù)層，由與下面的金屬層不同的（尤其是不同于銀的）材料制成，具有小于10nm、更好地小于5nm或甚至3nm的厚度。該層特別是利用于基于銀的柵格。另外，金屬柵格可以是多層的，具有由不同材料制成的兩個(gè)層（例如雙層），并且由如下組成：-（單個(gè)）金屬層，由（優(yōu)選地甚至基于銀的）前述材料制成，優(yōu)選地具有至少100nm的厚度，例如是通過鍍銀或真空沉積（濺射）而沉積的，-以及（例如金屬的）抗腐蝕（水和/或空氣）的保護(hù)上層，由與金屬層不同的（尤其與銀不同的）材料制成，具有小于10nm、更好地小于5nm或甚至3nm的厚度。金屬柵格可以是金屬（如銀）層，并且涂敷有（尤其是臨時(shí)的、尤其是聚合物的）保護(hù)上層。金屬柵格可以優(yōu)選地直接沉積在所選取的被部分地構(gòu)造的第一層上，甚至沉積在（尤其是進(jìn)行扣接的）介電下層上（起扣接作用以促進(jìn)柵格材料的沉積）。下層直接處于被部分地構(gòu)造的層的腔體（底部并且優(yōu)選地腔體的所有或部分側(cè)壁）上，并且優(yōu)選地缺少被部分地構(gòu)造的層（優(yōu)選地?zé)o機(jī)的扣接層、尤其是（多個(gè)）氧化物（例如透明導(dǎo)電氧化物））的表面。介電下層具有小于30nm甚至小于10nm的厚度ea。通過磁控陰極濺射來容易地沉積該扣接層。出于簡(jiǎn)單而優(yōu)選金屬柵格直接與所構(gòu)造的層接觸（柵格與腔體的底部之間沒有層）。將a選取為小于或等于50μm以限制股線對(duì)于裸眼的可見性，并且將e2選取為至少100nm以更容易地實(shí)現(xiàn)低rcarré的目標(biāo)。金屬股線在電致變色設(shè)備的有源區(qū)中互連，或者（僅）經(jīng)由其各端部連接到電接觸。金屬柵格可以采取如下的股線的形式：所述股線采取閉合圖案或網(wǎng)格（限定閉合圖案的彼此間互連的股線）的形式，閉合圖案或網(wǎng)格具有不規(guī)則形狀和/或不規(guī)則尺寸并且更好地甚至是隨機(jī)的。厚度e2并非沿著股線的寬度在腔體中是必然恒定的。優(yōu)選地，其是在股線的表面的中心處定義的。寬度a并非在給定的腔體中是必然恒定的。可以將b定義為股線之間的最大距離，該最大距離尤其對(duì)應(yīng)于網(wǎng)格的兩個(gè)點(diǎn)之間的最大距離。a和b可以從一個(gè)股線到另一股線而變化。由于金屬柵格可能是不規(guī)則的，因此尺寸a優(yōu)選地是各股線上的平均尺寸，正如e2是均值那樣。如果所構(gòu)造的層是溶膠—凝膠，則（在股線的表面的中心處定義的）厚度e2可以小于1500nm、更好地小于1000nm、尤其是在從100nm到1000nm的范圍內(nèi)，或者小于800nm并且特別是在從200nm到800nm的范圍內(nèi)，尤其是從100nm到500nm或甚至從100nm到300nm。寬度a優(yōu)選地小于30μm，以還限制股線對(duì)裸眼的可見性。a優(yōu)選地處于從1μm到20μm、還更優(yōu)選地從1.5μm到20μm或甚至從3μm到15μm的范圍內(nèi)。b至少是50μm并且甚至至少是200μm，并且b小于5000μm、更好地小于2000μm、甚至小于1000μm。根據(jù)本發(fā)明的金屬柵格的另一特性是覆蓋比率t，其優(yōu)選地小于25%、并且還更好地小于10%并且甚至小于6%或小于2%。并且優(yōu)選地，絕緣柵格呈現(xiàn)小于或等于t、小于25%或小于10%并且甚至小于6%的覆蓋比率t’。特別是，當(dāng)e2處于800nm和1500nm之間并且a介于10μm和50μm之間時(shí)，可以期望在2000μm和5000μm之間的b。這對(duì)應(yīng)于介于0.4%至6.0%之間的覆蓋比率。特別是，當(dāng)e2小于500nm并且a介于3μm和20μm之間或者在3μm到10μm之間時(shí)，可以期望在200μm和1000μm之間的b。這對(duì)應(yīng)于介于0.5%和22%之間或者在0.5％到11%之間的覆蓋比率。對(duì)于給定的rcarré而言，在高的股線寬度a處優(yōu)先提供大的金屬柵格厚度e2以獲得透明性。特別是，與金屬柵格在非導(dǎo)電域中的錨定有關(guān)的多個(gè)實(shí)施方式是可能的。在第一實(shí)施方式中，優(yōu)選地電絕緣并且甚至優(yōu)選地為溶膠—凝膠的第一層被在厚度上完全地進(jìn)行構(gòu)造而具有寬度wc的貫通孔，并且優(yōu)選地未構(gòu)造有可能的下阻擋層。在第二實(shí)施方式中，優(yōu)選地電絕緣并且甚至優(yōu)選地為溶膠—凝膠的第一層被電絕緣地在厚度上部分地進(jìn)行構(gòu)造而由如下形成：–在金屬柵格之下的被稱為低區(qū)域的區(qū)域，–被構(gòu)造的區(qū)域，該區(qū)域形成非導(dǎo)電域并且具有寬度wc的腔體—因此具有未穿通的孔，優(yōu)選地，旁側(cè)區(qū)域與第一層毗鄰并且具有寬度l1，l1大于腔體的高度ec并且l1≤2ec并且甚至l1≤1.4ec。在第三實(shí)施方式中，存在：-上層（單層或多層），由優(yōu)選地為無機(jī)的、限定貫通孔的不連續(xù)的電絕緣材料制成，所述上層形成非導(dǎo)電域的一部分，高表面是上層的表面，具有至多500nm并且甚至300nm或至多100nm并且優(yōu)選地至少20nm的厚度ez，–優(yōu)選地為無機(jī)的、電絕緣的第一層，其是：–在厚度上被完全地進(jìn)行構(gòu)造而在上層與第一層之間的界面處具有寬度wc的貫通孔—至少容納金屬柵格的（中心區(qū)域的）下部分的腔體，金屬柵格的中心區(qū)域的上部分有可能地在上層的貫通開孔中延伸，甚至超過高表面），-或者是在厚度上被部分地構(gòu)造而由如下形成：-金屬柵格之下的被稱為低區(qū)域的區(qū)域，-在上層之下（并且在低區(qū)域之上）的被構(gòu)造的區(qū)域，是具有面對(duì)貫通孔的寬度wc的腔體（因此未穿通的開孔）—尤其是至少容納金屬柵格的（中心區(qū)域的）下部的腔體（金屬柵格的中心區(qū)域的上部可能地在上層的貫通開孔中延伸甚至超過高表面）—的區(qū)域。在上層與第一層之間的界面（上層—被構(gòu)造的區(qū)域界面）處，貫通孔具有寬度w1，腔體具有寬度wc，優(yōu)選地其中，wc≥w1，甚至wc>w1。當(dāng)wc>w1時(shí)，股線的被稱為邊沿區(qū)域的區(qū)域與旁側(cè)區(qū)域毗鄰，比旁側(cè)區(qū)域更處于外周并且處于上層之下的腔體中—因此與第一層的表面齊平（旁側(cè)區(qū)域形成厚度ez的邊沿區(qū)域的凹部）。當(dāng)wc>w1時(shí)，旁側(cè)區(qū)域具有被定義為點(diǎn)x??’??’與y??’之間的距離的寬度l1，邊沿區(qū)域具有被定義為點(diǎn)x?’與y之間的距離的寬度l2，y??’??’是y在旁側(cè)區(qū)域的表面的平面中的正交投影，l3是x??’??’與y??’??’之間的距離，l3大于總高度ec+e?’c并且l3≤2(ec+e?’c)并且甚至l3≤1.4(ec+e?’c)，其中ec是（在中間處取得的）腔體的高度并且e?’c是孔的高度。優(yōu)選地，如果w1>wc，則a被定義在高表面處，并且如果w1≤wc，則a被定義在第一層的表面處。優(yōu)選地，如果w1>wc，則b被定義在高表面處，并且如果w1≤wc，則b被定義在第一層的表面處。當(dāng)?shù)谝粚釉诤穸壬媳徊糠值貥?gòu)造并且優(yōu)選地具有大于200nm的高度ec的腔體優(yōu)選地由喇叭口形側(cè)壁界定時(shí)，腔體在遠(yuǎn)離塑料襯底的同時(shí)變寬?？梢韵薅ù笥趀c的水平距離l并且其中l(wèi)≤2ec。l在點(diǎn)x和y之間，使得x是側(cè)壁的最高點(diǎn)并且y是腔體的底部的端部處的點(diǎn)。高度為e?’c的上層的孔可以由喇叭口形側(cè)壁界定，在遠(yuǎn)離塑料襯底的同時(shí)變寬，具有大于e?’c的水平距離l?’，并且其中l(wèi)?’≤2e?’c。當(dāng)?shù)谝粚邮窃诤穸壬媳徊糠值貥?gòu)造的層（該層的上表面可能地形成高表面）時(shí)，腔體越深，旁側(cè)區(qū)域越大。上層是透明的，具有最小可能的吸收。優(yōu)選地，上層是無機(jī)的，尤其包括金屬和/或硅的氧化物、金屬和/或硅的氮化物、金屬和/或硅的氮氧化物（sion）的層。其厚度ez可以小于200nm、小于150nm、小于100nm并且甚至從5nm或20nm到80nm。其可以尤其是金屬氧化物或金屬氧化物和金屬氮化物（如sio2/si3n4）的單層或多層。上層是例如（保護(hù)）阻擋物層或者酸（例如王水，其為用于導(dǎo)電涂層的ito的常用蝕刻溶液）蝕刻停止層。優(yōu)選地，上層包括如下的氧化物的至少一個(gè)層：ti、zr、al及其混合物或者還有sn并且可能地包括硅。這些氧化物可以是通過氣相沉積，尤其是磁控濺射或者還通過溶膠—凝膠法沉積的。優(yōu)選地，上層具有大于1.7的折射率。在多層的情況下，限定優(yōu)選地大于1.7的平均折射率。在多層的情況下，優(yōu)選的是具有小于1.7的折射率的任何層具有小于50nm的厚度。上層具有未穿通的孔或優(yōu)選地具有貫通的孔。孔可以具有大于20nm并且甚至至少50nm或100nm并且優(yōu)選地小于300nm的高度e?’c以及小于或等于30μm的寬度a?’c。e?’c是在孔的中心處取得的。孔可以形成任何形狀（例如直形或彎曲）的規(guī)則地或不規(guī)則地間隔開的尤其是（至少在有源區(qū)中）未相連的（線形）溝槽?？卓梢孕纬蓶啪W(wǎng)，也就是說，任何形狀（尤其是（方形、矩形、蜂窩形）幾何形狀）的規(guī)則或不規(guī)則網(wǎng)格的周期性或非周期性的（二維）互連的開孔網(wǎng)。網(wǎng)格可以由網(wǎng)格的兩個(gè)點(diǎn)之間的最大寬度來定義。優(yōu)選地由金屬柵格來部分地填充（形成為柵格，限定金屬柵格的布置的）第一層的腔體或貫通孔。腔體由最常見地形成盆形的底部和側(cè)壁界定。對(duì)非導(dǎo)電域進(jìn)行分離的第一層的腔體或貫通孔可以具有大于200nm并且甚至至少250nm或500nm并且優(yōu)選地小于1500nm或1200nm的高度ec以及小于或等于30μm的寬度ac。ec是在腔體的中心處取得的。優(yōu)選地在腔體的底部處取得ac。第一層的腔體或貫通孔可以形成任何形狀（例如直形或彎曲）的規(guī)則地或不規(guī)則地間隔開尤其是（至少在有源區(qū)域中）未相連的（線形）溝槽。第一層的腔體或貫通孔可以形成柵網(wǎng)，也就是說，任何形狀（尤其是（方形、矩形、蜂窩形）幾何形狀）的規(guī)則或不規(guī)則網(wǎng)格的周期性或非周期性的（二維）互連的開孔網(wǎng)。網(wǎng)格可以由網(wǎng)格的兩個(gè)點(diǎn)之間的最大寬度bc定義。優(yōu)選地，ec大于200nm、甚至大于250nm或大于500nm。ec優(yōu)選地為亞微米級(jí)。優(yōu)選地，e?’c大于100nm、甚至大于250nm并且小于或等于500nm。e?’c優(yōu)選地為亞微米級(jí)。在本發(fā)明的意義內(nèi)，當(dāng)明確為層或（包括一個(gè)或多個(gè)層的）涂層的沉積是直接在另一沉積之下或直接在另一沉積之上執(zhí)行的時(shí)，是指這兩個(gè)沉積之間不能存在任何層的插入。在本發(fā)明中，所有折射率是在550nm下定義的。導(dǎo)電涂層具有小于20ω.cm、甚至小于10ω.cm或小于1ω.cm并且甚至小于10-1ω.cm并且大于金屬柵格的電阻率的電阻率ρ5，并且具有至少1.55、更好地1.6并且還更好地1.7的給定的折射率n5。優(yōu)選的是根據(jù)各股線之間的距離調(diào)整電阻率。電阻率由于b大而更小。例如，對(duì)于b＝1000μm以及e5＝100nm而言，優(yōu)選小于0.1ω.cm的電阻率。對(duì)于200μm的b以及e5＝100nm而言，優(yōu)選小于1ω.cm的電阻率。根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電涂層貢獻(xiàn)于更好的電流分布。導(dǎo)電涂層優(yōu)選地是單層而非多層。涂層的表面可以再現(xiàn)尤其是通過氣相沉積獲得的柵格的表面粗糙度。中心區(qū)域之上的涂層可以欠齊平于高表面。導(dǎo)電涂層可以因此包括（或優(yōu)選地由如下構(gòu)成）：具有介于1.7和2.3之間的折射率na的無機(jī)層，優(yōu)選地其為（距襯底最遠(yuǎn)的）涂層的最終層并且甚至僅為單個(gè)的，優(yōu)選地具有小于150nm的厚度，基于：透明導(dǎo)電氧化物、簡(jiǎn)單的或混合的氧化物：–尤其是基于有可能摻雜的以下金屬氧化物中的至少一個(gè)：氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鉬moo3、氧化鎢wo3、氧化釩v2o5，-（優(yōu)選地）基于ito，例如基于氧化錫鋅snzno或基于氧化銦鋅（被命名為izo）或基于氧化銦錫鋅（被命名為itzo）的（尤其是無定形的）層。優(yōu)選地，基于氧化鋅的層被摻雜有鋁和/或鎵（azo或gzo）。由zno的氧化物制成的層優(yōu)選地被摻雜有al（azo）和/或ga（gzo），具有如下的按zn+al或zn+ga或zn+ga+al或zn+優(yōu)選地選取自b、sc或sb或還選取自y、f、v、si、ge、ti、zr、hf并且甚至選自in的其它摻雜劑的重量的百分比總和：該百分比總和按金屬的總重量至少為90%、更好地至少為95%并且甚至至少97%。對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的azo層而言，可能優(yōu)選的是按鋁的重量的百分比對(duì)于按鋁和鋅的重量的百分比之和（又稱為al/(al+zn)）小于10%，優(yōu)選地小于或等于5%。為此，可以優(yōu)選地使用氧化鋁和氧化鋅的陶瓷靶，使得按氧化鋁的重量的百分比對(duì)于按氧化鋅和氧化鋁的重量的百分比之和（典型地為al2o3/（al2o3+zno））小于14%，優(yōu)選地小于或等于7%。對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的gzo層而言，可能優(yōu)選的是按鎵的重量的百分比對(duì)于按鋅和鎵的重量的百分比之和（又稱為ga/(ga+zn)）小于10%，并且優(yōu)選地小于或等于5%。為此，可以優(yōu)選地使用氧化鋅和氧化鎵的陶瓷靶，使得按氧化鎵的重量的百分比對(duì)于按氧化鋅和氧化鎵的重量的百分比之和（典型地為ga2o3/（ga2o3+zno））小于11%，優(yōu)選地小于或等于5%。在所選取的基于氧化錫鋅（snzno）的層中，按sn的總金屬重量的百分比優(yōu)選地從20%到90%（并且優(yōu)選地對(duì)于zn而言從80%到10%），并且特別是從30%到80%（并且優(yōu)選地對(duì)于zn而言從70%到20%）；尤其是，按sn/(sn+zn)重量的比率優(yōu)選地從20%到90%并且特別是從30%到80%。優(yōu)選地為ito或基于氧化鋅的無機(jī)層優(yōu)選地呈現(xiàn)小于或等于60nm、50nm甚至40nm或甚至30nm并且甚至小于10nm的厚度，并且具有小于10-1ω.cm的電阻率。優(yōu)選地，選取通過物理氣相沉積、尤其是通過磁控濺射而沉積的選取自ito和zno（azo、gzo、agzo）、甚至moo3、wo3、v2o5的層。氧化銦錫（又或是摻雜錫的氧化銦或?qū)τ谟⒄Z名稱“indiumtinoxide（氧化銦錫）”而言的ito）優(yōu)選地理解為表示混合氧化物或從銦（iii族）的氧化物（in2o3）和錫（iv族）的氧化物（sno2）獲得的混合物，優(yōu)選地在質(zhì)量比例上對(duì)于第一氧化物而言介于70%和95%之間并且對(duì)于第二氧化物而言介于5%和20%之間。典型的質(zhì)量比例為針對(duì)于sno2的質(zhì)量近似為10%，in2o3的質(zhì)量近似為90%。導(dǎo)電涂層可以構(gòu)成自具有介于1.7和2.3之間的從而等于n5的折射率na的無機(jī)層。導(dǎo)電涂層可以是多層，并且（優(yōu)選地直接）包括：在上述無機(jī)層（尤其是最終層）之下的第一層，該第一層直接在金屬柵格（單層或多層?xùn)鸥瘢┥希赏该鲗?dǎo)電氧化物制成，具有小于200nm的厚度e?’5，具有介于1.7和2.3之間的折射率n?’5，尤其是選取自如下當(dāng)中：-優(yōu)選地基于尤其是摻雜有鋁和/或鎵的氧化鋅（azo或gzo）或可能地或者itzo的層，-和/或例如基于優(yōu)選地具有小于100nm的厚度的氧化錫鋅snzno或基于氧化銦鋅（命名為izo）或基于氧化銦錫鋅（命名為itzo）的（尤其是無定形的）層。azo或gzo層可以例如允許將無機(jī)層（尤其是ito層）的厚度減少到小于50nm。特別是，可以具有ito/a（g）zo或gzo雙層或者還具有（a）gzo或azo/ito雙層。襯底可以是平坦的或彎曲的，并且此外可以是剛性的、柔性的或半柔性的。襯底的各主面可以是矩形的、方形的或甚至任何其它形狀（圓形的、橢圓形的、多邊形的…）。該襯底可以在尺寸上是大的，例如具有大于0.02m2、甚至0.5m2或1m2的表面，并且具有幾乎占據(jù)表面（除了構(gòu)造區(qū)域之外）的下電極。由塑料材料制成的襯底可以實(shí)質(zhì)上是透明的，是聚碳酸酯pc或聚甲基丙烯酸甲酯pmma或者還是pet、聚乙烯醇縮丁醛pvb、聚氨酯pu、聚四氟乙烯ptfe等…。襯底的厚度可以是至少0.1mm，優(yōu)選地在從0.1mm到6mm、尤其是從0.3mm到3mm的范圍內(nèi)。如先前所定義的支件可以另外包括（優(yōu)選地直接）沉積在導(dǎo)電涂層和鈍化層上的電致變色系統(tǒng)。本發(fā)明還有關(guān)于包含有如先前所定義的導(dǎo)電支件的電致變色設(shè)備、具有形成被稱為下電極的電極的金屬柵格的電極，該下電極最靠近第一表面，通常為陽(yáng)極，尤其是被電致變色系統(tǒng)覆蓋，被上電極—常規(guī)的厚ito層—覆蓋。對(duì)于上電極而言，在液體電解質(zhì)的情況下，還可以替換地或累積地使用如先前根據(jù)本發(fā)明所定義的導(dǎo)電支件。最后，本發(fā)明涉及一種制造如先前定義的導(dǎo)電支件的方法，該方法按此順序包括以下步驟：-提供包括如下的襯底：-在第一表面上的可能的下層（阻擋濕氣等），-由所述第一層的組分制成的被稱為“錨定”層的連續(xù)的層，-在所述錨定層中形成腔體或貫通孔，因此形成在厚度上被構(gòu)造的所述第一層，所述第一層的表面是高表面，所述形成包括：-尤其是通過如下來在所述錨定層上實(shí)現(xiàn)具有給定的貫通開孔布置的由（負(fù)性或正性）光敏材料制成的不連續(xù)的掩模層，并且具有側(cè)壁：-將所述光敏材料沉積為實(shí)心層，-借助于紫外線源使第一表面?zhèn)缺┞队谧贤饩€，–通過所述掩模層的貫通開孔而對(duì)所述錨定層進(jìn)行濕法蝕刻，創(chuàng)建所述掩模層的懸置于所述腔體或貫通孔之上的區(qū)域，并且因此限定所述掩模層的面對(duì)所述腔體或貫通孔的被稱為內(nèi)表面的表面的部分—所述開孔的寬度w0小于所述腔體或貫通孔的在所述高表面處的寬度wc，-形成所述金屬柵格包括：在所述腔體或貫通孔中通過優(yōu)選地自動(dòng)催化的液相法沉積所述柵格的第一金屬材料，所述第一材料沉積在所述腔體的（第一界定層的）側(cè)壁上并且完全地在所述掩模層的所述內(nèi)表面上，因此形成股線的與所述高表面齊平并且與股線的中心區(qū)域相比更不粗糙的旁側(cè)區(qū)域，–尤其是通過液相法去除掩模層，-優(yōu)選地，例如通過物理氣相沉積來沉積優(yōu)選地?zé)o機(jī)的導(dǎo)電涂層，–有可能地形成呈絕緣柵格狀的鈍化層—優(yōu)選地在存在于所述中心區(qū)域上的所述導(dǎo)電涂層上的鈍化層，所述鈍化層形成自在所述股線的所述中心區(qū)域之上的絕緣軌道。蝕刻是通過濕法蝕刻處理實(shí)現(xiàn)的。通過溶液的濃度、溶液的類型、蝕刻的持續(xù)時(shí)間和/或溶液的溫度來調(diào)節(jié)所述腔體的深度。（光）敏掩模層于是耐受蝕刻溶液。在蝕刻溶液在所有方向上進(jìn)行侵蝕（鑿空）的意義上，利用濕法溶液的蝕刻是豎向的并且是橫向的。蝕刻輪廓可以呈半球類型的盆形。腔體具有在與襯底相對(duì)的方向上進(jìn)行擴(kuò)口的側(cè)壁（在遠(yuǎn)離襯底的同時(shí)變寬）。截面可以呈甚至為半球（類型）的盆形。下文描述運(yùn)用構(gòu)造于第一層上的上層（其表面形成高表面的該上層已經(jīng)被描述）的相似的制造處理。本發(fā)明因此還涉及一種制造如先前限定的（具有在第一層上的上層的）導(dǎo)電支件的方法，其按此順序包括如下步驟：-提供包括如下的襯底：-在第一表面上的可能的下層（阻擋濕氣等），-由所述第一層的組分制成的被稱為錨定層的連續(xù)的層，-（直接）在所述錨定層上的由所述上層的材料制成的被稱為附加層的連續(xù)的電絕緣層，-在所述附加層中形成未穿通的或貫通的開孔，因此形成在厚度上被完全地或部分地構(gòu)造的所述上層，所述形成包括：–尤其是通過如下來在所述附加層上實(shí)現(xiàn)具有給定的貫通開孔布置的由（負(fù)性或正性）光敏材料制成的不連續(xù)的掩模層，并且具有側(cè)壁：-將所述光敏材料沉積為實(shí)心層，-借助于紫外線源使第一表面?zhèn)缺┞队谧贤饩€，-利用第一蝕刻溶液通過所述掩模層的貫通開孔而對(duì)所述附加層進(jìn)行濕法蝕刻，創(chuàng)建所述掩模層的懸置于未穿通的或貫通的孔之上的區(qū)域，并且因此限定所述掩模層的面對(duì)未穿通的或貫通的孔的被稱為內(nèi)表面的表面的部分，-在所述錨定層中形成腔體或貫通孔，因此形成其中wc>w1的被部分地構(gòu)造的第一層，所述形成包括：-利用優(yōu)選地與所述第一溶液不同并且優(yōu)選地不蝕刻所述上層的第二蝕刻溶液通過所述掩模層的貫通開孔、所述上層的貫通孔而對(duì)所述錨定層進(jìn)行濕法蝕刻，創(chuàng)建所述掩模層和所述上層的懸置于所述第一層的所述腔體或貫通孔之上的區(qū)域，并且因此限定所述上層的面對(duì)所述第一層的所述腔體或貫通孔的被稱為另外的內(nèi)表面的表面的部分，-形成所述金屬柵格包括：在所述第一層的所述腔體或貫通孔中并且在所述上層的貫通孔中通過優(yōu)選地自動(dòng)催化的液相法沉積所述柵格的第一金屬材料，因此形成所述股線的在所述內(nèi)表面之下與所述高表面齊平同時(shí)與股線中心區(qū)域相比更不粗糙的旁側(cè)區(qū)域，所述第一材料沉積在所述上層的貫通孔的側(cè)壁上、完全地在所述上層的所述另外的內(nèi)表面上、在所述掩模層的所述內(nèi)表面上，因此形成所述邊沿區(qū)域以及股線的旁側(cè)區(qū)域，–尤其是通過液相法去除掩模層，-優(yōu)選地，例如通過物理氣相沉積來沉積優(yōu)選地?zé)o機(jī)的導(dǎo)電涂層，-優(yōu)選地形成呈絕緣柵格狀的所述鈍化層，所述鈍化層形成自優(yōu)選地在存在于所述中心區(qū)域之上的導(dǎo)電涂層上的在股線的中心區(qū)域之上的絕緣軌道。通過溶液的濃度、溶液的類型、蝕刻的持續(xù)時(shí)間和/或溶液的溫度來調(diào)節(jié)腔體（和/或上層的孔）的深度。（光）敏掩模層耐受蝕刻溶液（第一蝕刻溶液和第二蝕刻溶液）。腔體（和/或上層的孔）在與襯底相對(duì)的方向上進(jìn)行擴(kuò)口（在遠(yuǎn)離襯底的同時(shí)變寬）。在蝕刻溶液在所有方向上進(jìn)行侵蝕（鑿空）的意義上，利用濕法溶液的蝕刻是豎向的并且是橫向的。蝕刻輪廓可以呈半球類型的盆形。這種在所有方向上的侵蝕是掩模層的懸置于腔體或未穿通的或貫通的孔之上的區(qū)域的來源。優(yōu)選wc>w1，因?yàn)橐虼烁菀讋?chuàng)建與高表面齊平的平滑的外周旁側(cè)區(qū)域。優(yōu)選導(dǎo)電涂層是無機(jī)的，因?yàn)闊o機(jī)的導(dǎo)電涂層更好地耐受在由光敏材料制成的層的化學(xué)顯影步驟和/或由光敏材料制成的層的部分的移除的步驟期間所使用的水性化學(xué)溶液。以有利的方式，制造方法包括：形成呈絕緣柵格狀的、形成自在股線的中心區(qū)域上的絕緣軌道的鈍化層，并且包括：–以實(shí)心方式沉積覆蓋所述導(dǎo)電涂層的所述鈍化層的正性光敏材料的層，–借助于紫外線源使第二主面?zhèn)缺┞队谧贤饩€，-在溶液中顯影，直到使所述正性光敏材料的層呈現(xiàn)為不連續(xù)，所述正性光敏材料保持被定位在所述金屬柵格之上以用于形成所述鈍化層。鈍化處理包括平版印刷步驟，但既不借助于平版印刷掩模也不借助于對(duì)準(zhǔn)步驟（這些將產(chǎn)生額外的成本和復(fù)雜度）。在使第二面?zhèn)缺┞队趗v時(shí)，每個(gè)（不透明的）金屬股線形成對(duì)uv的屏障，因而股線之上的正性光敏材料未被暴露并且不可溶于顯影溶液。絕緣柵格因此在金屬柵格上自對(duì)準(zhǔn)。依照顯影，側(cè)壁將一般地是或多或少傾斜的，使得絕緣股線的寬度隨著厚度而降低。可以經(jīng)由正性光敏材料的層的uv照射和顯影的條件來控制絕緣軌道的寬度，從而絕緣軌道的寬度大于股線中心區(qū)域的寬度，以便使泄漏電流得到更有效的抑制，避免邊沿效應(yīng)。可以經(jīng)由鈍化光敏材料的溶液的濃度以及還有uv照射條件和或顯影條件（時(shí)間和濃度）來控制絕緣軌道的高度。形成鈍化層是特別簡(jiǎn)單并且快速的，因?yàn)椴恍枰练e隨后必需被完全移除的另外的犧牲材料的步驟。在另一實(shí)現(xiàn)中，形成呈絕緣柵格的、形成自在股線的中心區(qū)域上的絕緣軌道的鈍化層包括：–以實(shí)心方式沉積覆蓋所述導(dǎo)電涂層的所述鈍化層的材料的層，-通過如下來在實(shí)心層上實(shí)現(xiàn)具有給定的貫通開孔布置的由正性光敏材料制成的另外的不連續(xù)的掩模層：-沉積覆蓋所述鈍化層的材料的實(shí)心層的正性光敏材料，-借助于紫外線源使第二主面?zhèn)缺┞队谧贤饩€，-在溶液中顯影，直到使被暴露的正性光敏材料的層呈現(xiàn)為不連續(xù)，所述層于是定位于所述金屬柵格的股線之上，-通過另外的掩模層的貫通開孔對(duì)所述實(shí)心層進(jìn)行濕法蝕刻，創(chuàng)建絕緣軌道，-通過液相法移除該另外的掩模層。尤其是，當(dāng)h至多是100nm時(shí)，（在沉積導(dǎo)電涂層之前）去除掩模層創(chuàng)建沿著金屬柵格的旁側(cè)區(qū)域的內(nèi)部邊沿延伸的至少10nm高的金屬凸起，并且方法包括：在去除掩模層之后并且在沉積導(dǎo)電涂層之前，進(jìn)行濕法蝕刻以消除凸起的步驟。通過液相法沉積第一金屬材料優(yōu)選為鍍銀，并且柵格優(yōu)選地是單層。以有利的方式，通過液相法沉積（優(yōu)選地針對(duì)金屬柵格的獨(dú)特的沉積）可以是鍍銀，并且優(yōu)選地柵格是單層并且甚至（基于銀的）第一材料被直接沉積在腔體或未穿通的孔的底部中。用于鍍銀步驟的溶液可以包括銀鹽、銀離子的還原劑并且甚至螯合劑?？梢愿鶕?jù)鏡的制造領(lǐng)域中通常使用的并且在例如由mallory;glenno.;hajdu,juanb.編輯的作品“electrolessplating-fundamentalsandapplications”（（1990），williamandrewpublishing/noyes）的章節(jié)17中描述的傳統(tǒng)操作方式來實(shí)施鍍銀步驟。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，鍍銀步驟包括：（通過在池中浸潤(rùn)或通過溶液濺射）利用兩種水性溶液（一個(gè)包含金屬鹽（例如硝酸銀），并且另一個(gè)包含金屬離子（ag+離子）的還原劑（例如鈉、鉀、醛、酒精、糖））的混合物來實(shí)現(xiàn)對(duì)如下的襯底的接觸：該襯底具有可能的下層、第一層、可能的上層和具有貫通開孔的掩模層。最經(jīng)常使用的還原劑是羅謝爾鹽（酒石酸鉀鈉knac4h4o6?4h2o）、葡萄糖、葡萄糖鈉和甲醛。優(yōu)選地，在實(shí)現(xiàn)該接觸之前，鍍銀步驟包括（上層的腔體和/或孔的表面的）敏化步驟，該步驟優(yōu)選地包括通過錫鹽進(jìn)行的處理，和/或（上層的腔體和/或孔的表面的）活化步驟，該步驟優(yōu)選地包括通過鈀鹽進(jìn)行的處理。這些處理為此本質(zhì)上具有（通過銀）促進(jìn)后續(xù)金屬化并且增大（在上層的腔體和/或孔中）形成的銀金屬層的粘附力的功能。針對(duì)這些敏化和活化步驟的詳細(xì)描述，可以例如參照us申請(qǐng)2001/033935。更明確地，可以通過如下來進(jìn)行鍍銀：將襯底（該襯底具有可能的下層、第一層、可能的上層以及由（光）樹脂制成的具有貫通開孔的掩模層）按此順序浸沒在每個(gè)具有以下三種溶液之一的池中：-第一水性（敏化）sncl2溶液，優(yōu)選地進(jìn)行攪拌（優(yōu)選地在小于5分鐘的時(shí)間期間內(nèi)，例如0.5分鐘至3分鐘），然后進(jìn)行（蒸餾）水清洗，-第二水性（活化）pdcl2溶液，優(yōu)選地進(jìn)行攪拌（優(yōu)選地在小于5分鐘的時(shí)間期間內(nèi)，例如0.5分鐘至3分鐘），然后進(jìn)行（蒸餾）水清洗，-第三，其為銀鹽（優(yōu)選地氮化銀）溶液和銀還原劑（優(yōu)選地葡萄糖鈉）溶液的混合物，優(yōu)選地進(jìn)行攪拌（優(yōu)選地在小于15分鐘并且甚至5分鐘的時(shí)間期間內(nèi)，例如從0.5分鐘到3分鐘），然后進(jìn)行（蒸餾）水清洗。被涂敷并且因此鍍銀的襯底隨后被從最后的池收回并且進(jìn)行（蒸餾）水清洗。另一實(shí)施方式在于：按與前面相同的順序?yàn)R射前述的三種溶液而不是浸沒襯底（該襯底具有可能的下層、第一層、可能的上層以及由（光）樹脂制成的具有貫通開孔的掩模層）。優(yōu)選地通過液相法，特別是通過在溶劑（丙酮等）中的超聲來實(shí)現(xiàn)（在沉積導(dǎo)電涂層之前的）掩模層的去除。直接在柵格上并且（直接）在第一層或可能的上層、單層或多層和/或單一或多種材料的涂層上沉積導(dǎo)電涂層可以是通過物理氣相沉積（尤其是通過陰極濺射）進(jìn)行的，其中進(jìn)行snzno或azo的可能的第一沉積以及第二或最終或優(yōu)選地獨(dú)特的ito沉積或基于（摻雜的）zno、甚至moo3、wo3或v2o5的沉積。處理可以包括：在沉積導(dǎo)電涂層之前的加熱步驟，優(yōu)選地介于150°c和550°c之間，優(yōu)選地在介于5分鐘和120分鐘之間的持續(xù)時(shí)間期間，特別是在介于15分鐘和90分鐘之間的持續(xù)時(shí)間期間，和/或在沉積無機(jī)導(dǎo)電涂層之后的加熱步驟，在沉積鈍化層之前或之后，在優(yōu)選地介于150°c和550°c之間的溫度下，優(yōu)選地在介于5分鐘和120分鐘之間的持續(xù)時(shí)間期間、特別是在介于15分鐘和90分鐘之間的持續(xù)時(shí)間期間?，F(xiàn)在將借助于非限制性示例和各圖來更詳細(xì)地描述本發(fā)明：-圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的其中股線中心區(qū)域與高表面欠齊平的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖，-圖1a圖解在沒有鈍化層的情況下的圖1的詳細(xì)視圖，-圖1b圖解在由申請(qǐng)人實(shí)現(xiàn)的比較示例中的具有通過pvd沉積的柵格的股線的被部分地構(gòu)造的第一層的腔體的截面的詳細(xì)的示意性視圖，-圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的其中第一層被完全地構(gòu)造的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖，-圖3是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的其中在中心區(qū)域與導(dǎo)電涂層之間進(jìn)行鈍化的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖，-圖4是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的其中柵格與高表面齊平的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖，-圖5是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的其中柵格與缺少中心區(qū)域的導(dǎo)電涂層的表面齊平的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖，-圖6是根據(jù)第六實(shí)施方式的其中柵格被錨定在被構(gòu)造的第一層和上層中的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖，-圖6?’是圖6的細(xì)節(jié)的視圖，圖7a至圖7i是與第一實(shí)施方式相關(guān)的制造導(dǎo)電支件的方法的步驟的示意性視圖。明確的是，出于清楚的考慮，所表示的對(duì)象的不同要素并非是按比例再現(xiàn)的。示意性的圖1以側(cè)向截面表示用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件100。支件100包括具有1.45至1.8的折射率ns的玻璃襯底—平滑的，具有稱為第一表面的第一主面11，按此順序遠(yuǎn)離襯底而承載：–可能的阻擋濕氣的層4，如氮化硅41或薄層堆疊，–在厚度上被部分地構(gòu)造的第一層3，其是無機(jī)的，優(yōu)選地為電絕緣材料，具有優(yōu)選地微米或亞微米的厚度e3，包括：-被稱為低區(qū)域的（連續(xù)）區(qū)域30，其在此直接在下層之上，具有（優(yōu)選地微米的）給定的厚度e?’3，覆蓋下層的表面，-呈現(xiàn)為凸起部以及呈現(xiàn)為鑿空部的被構(gòu)造的區(qū)域31，凸起部限定平坦的高表面34，腔體或鑿空部由（限定低表面的）底部33和側(cè)壁32界定，腔體具有在高表面34處的寬度wc并且具有在中間處取得的高度ec，其優(yōu)選地至多為1500nm并且優(yōu)選地大于100nm，腔體根據(jù)規(guī)則的或不規(guī)則的給定的布置（非連接的條帶、柵網(wǎng)等）延伸，高表面是局部平坦的，-電極2，包括布置成稱為金屬柵格的柵格2的層，由通過自動(dòng)催化沉積獲得的（多個(gè)）金屬材料制成，優(yōu)選地為（通過鍍銀獲得的）銀單層，柵格在此是由錨定在腔體中的股線—又稱為軌道20—形成的單層，股線在高表面34處具有小于50μm、更好地小于或等于30μm（并且至少1μm）的寬度a，并且在高表面34處分離開小于或等于5000μm并且至少50μm的距離b，柵格具有在股線的中間處定義的至少100nm并且優(yōu)選地小于1500nm的厚度e2，金屬柵格呈現(xiàn)小于10ω/□并且甚至小于5ω/□或小于1ω/□的方阻，–優(yōu)選地為單層的無機(jī)導(dǎo)電涂層5，具有小于或等于500nm或小于或等于100nm并且更好地小于或等于60nm的厚度e5，具有小于20ω.cm并且大于金屬柵格的電阻率的電阻率ρ5，并且具有至少1.5并且更好地1.7的給定折射率n5，在此由在柵格2和高表面34之上由ito（或azo或gzo、agzo）制成的無機(jī)層構(gòu)成，-鈍化層6，直接在導(dǎo)電涂層5之上，所述鈍化層6是不連續(xù)的，優(yōu)選地由正性光樹脂制成，具有小于1000nm的（在腔體的中間取得的）厚度e6。由于在形成稍后詳細(xì)描述的被部分地構(gòu)造的第一層時(shí)進(jìn)行的對(duì)連續(xù)層的濕法蝕刻處理，因此腔體具有喇叭口形的側(cè)壁。股線20沿著它們的長(zhǎng)度呈現(xiàn)在與高表面34齊平的旁側(cè)區(qū)域22、22’之間的中心區(qū)域21，并且中心區(qū)域21的表面粗糙度大于旁側(cè)區(qū)域22、22’的表面粗糙度。為了表征金屬柵格2，如圖1a（在沒有鈍化層的情況下的圖1的細(xì)節(jié)視圖）所示，表示出a、b、e2并且還有中心區(qū)域的寬度am，并且對(duì)于腔體而言的在腔體的底部處的寬度ac以及ec是從腔體的底部的中心起的高度。側(cè)壁是喇叭口形的（在遠(yuǎn)離襯底1的同時(shí)變寬），定義x與y之間的水平距離l，使得x是側(cè)壁的最高點(diǎn)并且y是腔體的底部的端部處的點(diǎn)。l大于ec，l≤2ec并且甚至l≤1.4ec。在中心區(qū)域21中，股線表面的中間和高表面相距正交于第一表面取得的豎向距離h并且豎向距離h小于或等于500nm。在此，中心區(qū)域21欠齊平于高表面34。由于自動(dòng)催化沉積（如鍍銀）以及寬度l1的平滑的旁側(cè)區(qū)域22、22’，因此股線呈現(xiàn)比旁側(cè)區(qū)域更粗糙的中心區(qū)域21。中心區(qū)域的寬度am不一定大于l1，這取決于a、h和ec的值。中心區(qū)域和平坦的旁側(cè)區(qū)域的粗糙度參數(shù)的示例按照厚度e2記錄在以下表中。股線的表面e2（nm）rq（nm）rmax(nm)旁側(cè)區(qū)域300210中心區(qū)域30030300旁側(cè)區(qū)域2001.58中心區(qū)域20020200旁側(cè)區(qū)域450210中心區(qū)域45035450優(yōu)選地通過磁控陰極濺射沉積ito涂層5，其表面于是符合于在下方的表面：被部分地構(gòu)造的第一層3的表面；平坦和平滑的旁側(cè)區(qū)域22、22’；比旁側(cè)區(qū)域更粗糙的中心區(qū)域21。鈍化層6形成定位在中心區(qū)域21之上并且定位在股線的旁側(cè)區(qū)域22、22’之上的絕緣軌道的柵格，覆蓋中心區(qū)域并且部分地或完全地覆蓋旁側(cè)區(qū)域，并且不橫向超出股線的外部邊沿，或者橫向地超出股線的外部邊沿至多1μm。在此，每個(gè)絕緣軌道的側(cè)壁6f是傾斜的，具有與高表面34的45°的量級(jí)的角度α。每個(gè)絕緣軌道的截面是圓頂形狀的，沒有銳角。由于每個(gè)絕緣軌道的上表面6s和每個(gè)絕緣軌道的側(cè)壁6f是平滑的，因此鈍化層6使中心區(qū)域21平坦化，并且保持旁側(cè)區(qū)域22、22’的平滑性質(zhì)。為了隨后制造電致變色設(shè)備，添加電致變色系統(tǒng)、在液體電解質(zhì)的情況下可以相同的上電極。金屬柵格優(yōu)選地具有隨機(jī)圖案。在與（圖1的）第一實(shí)施方式相關(guān)的示例no1中，選取以下特性。玻璃襯底1是平坦、平滑的，具有1.5的折射率，例如，具有2mm的厚度并且具有至少90%的tl。阻擋層是金屬或硅的氮化物或金屬或硅的氧化物的薄層堆疊。第一層是具有400nm的厚度的tiox溶膠—凝膠層?？梢蕴鎿Q地通過陰極濺射來沉積該層。厚度ec為350nm。通過蝕刻獲得第一層3的腔體，如隨后詳細(xì)描述的那樣。被部分地構(gòu)造的第一層3是局部平坦的。高表面34的粗糙度被由小于4nm的rq定義。柵格2是通過鍍銀直接沉積在腔體中的銀單層，如隨后詳細(xì)描述的那樣。銀在此部分地填充腔體，具有等于大約300nm的e2。h因此等于50nm。作為柵網(wǎng)的柵格的圖案是六邊形的。寬度a等于12μm，并且最大距離b為560μm。覆蓋比率t為4.5%。導(dǎo)電涂層5由50nm的氧化銦錫ito的層構(gòu)成，具有大約2的折射率，具有小于10-1ω.cm的電阻率ρ5。由傳統(tǒng)4點(diǎn)方法測(cè)量的（在150°c下在30分鐘時(shí)間的退火之后的）整體的rcarré大約為2.5ohm/carré。至于形成局部化絕緣柵格的鈍化層，其為具有300nm量級(jí)的量級(jí)的e6的正性光敏聚酰亞胺層。隨后，添加具有由400nm厚度的ito制成的上電極的電致變色系統(tǒng)。圖7a至圖7i是特別是與示例no1相關(guān)的根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電支件的制造的示意性視圖（未按比例），其中通過化學(xué)蝕刻制造被部分地構(gòu)造的第一層，并且通過鍍銀制造銀柵格。圖7a所圖解的第一步驟在于從涂敷有下層的玻璃襯底1開始：-在下層上形成錨定層3a，其包括第一層的材料，-通過“旋轉(zhuǎn)涂敷”在層3a上施加液態(tài)的掩模材料（正性光敏材料，樹脂的az?1505）的層60。所沉積的光敏材料隨后在對(duì)流爐中在100°c下烘培20分鐘的時(shí)間。光敏材料的厚度是800nm。圖7b所圖解的第二步驟在于生成光樹脂圖案。為了做到這點(diǎn)，在樹脂60上施加具有不連續(xù)性71的平版印刷掩模70，并且利用（在365nm處）20mw/cm2的hg燈通過根據(jù)不規(guī)則的（更好地隨機(jī)的）布置的不連續(xù)性71在10秒的時(shí)間期間從第一主面11側(cè)使樹脂60受輻射于uv。圖7c所圖解的第三步驟在于在光敏材料60中創(chuàng)建貫通開孔。通過在基于四甲基氫氧化銨（按英語的“tmah”）的特定顯影溶液中進(jìn)行溶解來消除被輻射的區(qū)域并且通過去離子水清洗，由此形成通過光樹脂的貫通開孔。界定貫通開孔的光敏材料的側(cè)壁61在遠(yuǎn)離襯底的同時(shí)擴(kuò)口。因此，在光敏材料60的外部表面或上表面63處，每個(gè)貫通開孔的寬度大于在高表面34處的寬度w0。替換地，可以使用負(fù)性光敏材料以及逆向光蝕刻掩模（去除非輻射區(qū)域以形成開孔）。圖7d所圖解的第四步驟在于在優(yōu)選地為介電的連續(xù)錨定層3a（如tiox層）的中創(chuàng)建腔體。優(yōu)選在環(huán)境溫度下通過濕法蝕刻而非干法蝕刻來形成被部分地構(gòu)造的第一層。所選取的樹脂60因此耐受蝕刻溶液，蝕刻溶液在此是基于nh3和h2o2的溶液。蝕刻形成深度ec的腔體，側(cè)壁32和腔體在遠(yuǎn)離玻璃1時(shí)擴(kuò)口。對(duì)于示例no1而言，ec等于350nm。蝕刻溶液在所有方向上（豎向地并且橫向地）進(jìn)行侵蝕（鑿空）。蝕刻輪廓是盆形的。錨定層3a的濕法蝕刻創(chuàng)建掩模層的如下區(qū)域：該區(qū)域懸置在腔體之上并且因此限定掩模層60的面對(duì)腔體32的被稱為內(nèi)表面62、62’的表面的部分。每個(gè)腔體具有大于寬度w0的（在高表面處的）寬度wc。內(nèi)表面62、62’具有幾乎等于l的寬度l0。腔體的底部33是平坦的。圖7e所圖解的第五步驟在于通過液相法并且更確切地自動(dòng)催化沉積（因此優(yōu)選地通過鍍銀）來沉積柵格材料2。在腔體中通過（耐受蝕刻的）光敏材料60的開孔實(shí)現(xiàn)沉積以優(yōu)選地部分地填充腔體，如在此所圖解那樣。銀沉積于腔體的底部中、腔體的側(cè)壁上、光敏材料的內(nèi)表面62、62’上、光敏材料的側(cè)壁上（并且沒有在層3的高表面上）、并且在不連續(xù)上表面63上。更確切地，鍍銀部分地填充每個(gè)腔體并且沉積于底部中、側(cè)壁上并且完全地在掩模層的內(nèi)表面62、62’上，因此形成與高表面齊平并且比面對(duì)貫通開孔的股線中心區(qū)域21更不粗糙的股線旁側(cè)區(qū)域22、22’。每個(gè)旁側(cè)區(qū)域22、22’的寬度l1幾乎等于l0+e2。對(duì)于示例no1而言，銀層被根據(jù)以下的針對(duì)大約300nm的厚度e2的操作方式沉積在被部分地構(gòu)造的第一層3中（其中h等于50nm并且中心區(qū)域欠齊平）：-根據(jù)以下來稀釋鍍銀溶液（由dr.-ing.schmitt,gmbh公司（dieselstr.16,64807迪堡/德國(guó)）提供的待稀釋溶液）：○250cm3管瓶中的100μl的miraflex?1200（sncl2溶液）（溶液no1），○250cm3管瓶中的200μl的miraflex?pd（pdcl2溶液）（溶液no2），○250cm3管瓶中的15ml的miraflex?rv（還原劑的溶液，葡萄糖鈉）（溶液no3），○250cm3管瓶中的15ml的miraflex?s（硝酸銀溶液）（溶液no4）；-在環(huán)境溫度下使用上述溶液，-將（具有層4、3）的襯底放置在其中傾注了溶液no1的內(nèi)容物的池中，在1分鐘的時(shí)間期間進(jìn)行攪拌然后用蒸餾水清洗；-將（具有層4、3）的襯底放置在其中傾注了溶液no2的內(nèi)容物的第二池中，在1分鐘的時(shí)間期間進(jìn)行攪拌然后用蒸餾水清洗；-將（具有層4、3）的襯底放置在其中傾注了溶液no3和no4的內(nèi)容物的最終池中，在兩分鐘的時(shí)間期間進(jìn)行攪拌然后用蒸餾水清洗。圖7f所圖解的第六步驟在于通過利用丙酮溶劑的液相法并且使用超聲來去除光敏材料。導(dǎo)電支件隨后優(yōu)選地在環(huán)境溫度下浸沒在h2o:h2o2:nh3（500：20：1）溶液中3至5分鐘的時(shí)間以消除銀凸起。在具有小于100nm的h的欠齊平柵格的情況下或當(dāng)柵格為過齊平時(shí)，這種化學(xué)處理是特別推薦的。圖7g所圖解的第七步驟在于通過陰極濺射沉積導(dǎo)電涂層5。對(duì)于示例no1而言，其涉及氧化銦錫ito的層。利用由氧化銦（按重量90%）和氧化錫（按重量10%）制成的陶瓷靶在2×10-3mbar的壓力下在1%的氬氣和氧氣的混合物（o2/(ar+o2)）下通過磁控陰極濺射來沉積ito。在變形中，選取azo、gzo或agzo。隨后在250°c下在30分鐘的時(shí)間期間執(zhí)行第一退火。第八步驟在于：-通過旋轉(zhuǎn)涂敷來沉積對(duì)于示例no1而言由作為光敏聚酰亞胺（pimeltmtm系列i-700聚酰亞胺）的正性光敏材料制成的層6a，覆蓋導(dǎo)電涂層5，隨后是在對(duì)流爐中的退火步驟（100°c，20分鐘），–借助于紫外線源（其對(duì)于示例no1而言是（在365nm）20mw/cm2的hg燈）使第二主面12側(cè)暴露于如圖7h圖解的紫外線。圖7i所圖解的第九步驟在于在基于四甲基氫氧化銨（按英語的tmah）的溶液中的正性光敏材料的顯影的結(jié)果，以及用去離子水清洗直到使得聚酰亞胺層6呈現(xiàn)為不連續(xù)為止的步驟，使（由于銀股線的屏蔽而）未曝光的聚酰亞胺留在導(dǎo)電涂層5的定位于銀股線20之上的區(qū)域中。形成局部化絕緣柵格6的由聚酰亞胺制成的鈍化層具有300nm量級(jí)的厚度。隨后在300°c下在60分鐘的時(shí)間期間實(shí)現(xiàn)第二退火（摒棄或不摒棄第一退火）。在該第二退火之后，由聚酰亞胺制成的鈍化層的厚度從380nm下降到300nm。根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電支件因此允許制造具有更好的切換時(shí)間（經(jīng)由更小的方阻的獲得）的大尺寸的電致變色設(shè)備，并且由于金屬柵格的鈍化的原因，這不會(huì)產(chǎn)生泄漏電流劣化。圖1b圖解在申請(qǐng)人實(shí)現(xiàn)的比較性示例中的具有通過pvd沉積的柵格的股線的被部分地構(gòu)造的第一層的腔體的截面的細(xì)節(jié)的示意性視圖，示出被構(gòu)造的第一層中的高表面34和所錨定的股線（如示例1中那樣）。利用銀靶在8×10-3mbar的壓力下在氬氣下通過磁控陰極濺射來沉積銀。通過歸因于掩模層的遮蔽效應(yīng)，股線的旁側(cè)區(qū)域22’?’a和22’?’b呈盆形。這些盆形生成泄漏電流。旁側(cè)區(qū)域22’?’a和22’?’b創(chuàng)建生成泄漏電流的形態(tài)的破裂。圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的其中第一層3被完全地構(gòu)造并且消除了下層的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖。通過第一錨定層的蝕刻持續(xù)時(shí)間來修改示例1的制造條件以使ec從350nm降低到400nm。圖3是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的其中鈍化6處于中心區(qū)域21與導(dǎo)電涂層5之間的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖，第四實(shí)施方式與第一方式不同在于股線中心區(qū)域過齊平于高表面34。通過第一錨定層的蝕刻持續(xù)時(shí)間來修改示例1的制造條件以使ec從350nm降低到250nm。圖5是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的其中通過柵格在中心區(qū)域21缺失從而柵格與不連續(xù)的導(dǎo)電涂層的表面齊平的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖。在形成金屬柵格和鈍化層之前沉積涂層，不連續(xù)性可以是通過濕法蝕刻實(shí)現(xiàn)的。圖6是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方式的用于電致變色設(shè)備的導(dǎo)電支件的示意性截面圖，第六實(shí)施方式與第一實(shí)施方式不同在于總是通過自動(dòng)催化沉積（如鍍銀）而沉積的柵格2被錨定在被部分地構(gòu)造的第一層中并且還錨定在第一層3之上的被構(gòu)造的上層3’中。銀股線之間的非導(dǎo)電域的高表面是上層34?’的表面，于是h被限定于股線的中心區(qū)域21的表面與上層34’的表面之間。由優(yōu)選地?zé)o機(jī)的電絕緣材料制成的上層3?’是被不連續(xù)構(gòu)造的，限定貫通孔，具有20nm至100nm的厚度ez。在界面34（上層3’與第一層3之間的界面）處，貫通孔具有寬度w1，其中wc>w1。被稱為邊沿區(qū)域的股線區(qū)域22a、22’a與旁側(cè)區(qū)域22、22’毗鄰，比旁側(cè)區(qū)域更處于外周并且在腔體中處于上層之下，因此與第一層3的表面34齊平。如圖6?’的細(xì)節(jié)圖中示出那樣：-旁側(cè)區(qū)域22、22’具有限定如點(diǎn)x?’?’與y?’之間的距離的寬度l1，-邊沿區(qū)域22a、22’a具有限定如點(diǎn)x?’與y之間的距離的寬度l2，-l3是x?’?’與y?’?’之間的距離，y?’?’是y在旁側(cè)區(qū)域22、22’的表面的平面中的正交投影。l3大于總高度ec+e’c并且l3≤2(ec+e’c)，其中ec是腔體的高度并且e’c是上層3的孔的高度。在示例中，第一層是400nm的氧化鈦的層，并且上層是如下的層：例如通過pvd或溶膠—凝膠沉積的具有等于30nm的厚度ez的二氧化硅氧化物的層，或者替換地可能地最微細(xì)的二氧化硅層。其可以為多層。一般地，ec大于e’c（ez）。當(dāng)前第1頁(yè)12