本公開內(nèi)容涉及復(fù)合膜，并且更具體而言，涉及紅外控制和光學(xué)透明的復(fù)合膜。

背景技術(shù)：

控制紅外光譜中的輻射同時傳遞可見光譜中的輻射的復(fù)合材料具有重要應(yīng)用，例如作為應(yīng)用于建筑物或車輛中的窗戶的覆蓋物。

已知在復(fù)合膜中使用薄銀層來反射紅外輻射；然而，銀層具有低穩(wěn)定性、低耐久性以及弱耐潮濕性和弱耐候性。此外，銀層是導(dǎo)電的，并且可能不期望地阻擋電子通信例如移動電話通信。另外，可加入復(fù)合材料中以對抗薄銀層的缺點的其他層一般負(fù)面影響其他特性，例如可見光透射率、霧度和泛黃。

美國專利號7,709,095描述了紅外(ir)反射層壓結(jié)構(gòu)，其中含銀的層被金金屬層和氧化鈦介電層接觸。層通過濺射技術(shù)沉積。

此外，還期望改善復(fù)合膜的光學(xué)和太陽能特性。然而，改善太陽能特性例如總太陽能阻隔(tser)的嘗試阻礙光學(xué)性能，例如可見光透射率(vlt)，并且反之亦然。

相應(yīng)地，需要開發(fā)用于ir控制即ir反射和ir吸收的替代材料，其協(xié)同地滿足透明度和tser的需要，并且因此滿足選擇性或光/太陽能熱增益比(lshgr)的需要。此外，需要開發(fā)可容易地修改以獲得寬范圍的vlt值的一套復(fù)合膜。

附圖說明

實施例通過舉例的方式示出且并不限于附圖中。

圖1包括根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例的復(fù)合膜的圖示。

圖2包括根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例的復(fù)合膜的圖示。

圖3包括根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例的復(fù)合膜的圖示。

圖4包括根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例的復(fù)合膜的圖示。

圖5包括根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施例的復(fù)合膜的圖示。

技術(shù)人員應(yīng)了解附圖中的元件是為了簡單和清楚而示出，并且不一定按比例標(biāo)繪。例如，附圖中的一些元件的尺寸可相對于其他元件放大，以幫助改善本發(fā)明的實施例的理解。

具體實施方式

本發(fā)明提供了與附圖組合的下述說明書，以幫助理解本文公開的教導(dǎo)。下文討論將集中于教導(dǎo)的具體實施和實施例。提供該重點以幫助描述教導(dǎo)且不應(yīng)解釋為對教導(dǎo)的范圍或適用性的限制。然而，基于如本申請中公開的教導(dǎo)可使用其他實施例。

術(shù)語“包含”、“包括”、“具有”或它們的任何其他變體旨在涵蓋非排他性的包括。例如，包括一系列特征的方法、制品或裝置不必僅限于那些特征，而是可包括未明確列出的或該方法、制品或裝置所固有的其他特征。此外，除非明確相反指出，“或”指包括性的或，而非排他性的或。例如，條件a或b由如下任一者滿足：a為真(或存在)且b為假(或不存在)，a為假(或不存在)且b為真(或存在)，以及a和b均為真(或存在)。

另外，“一種”或“一個”的使用用于描述本文描述的元件和部件。這僅為了便利，并提供本發(fā)明的范圍的一般含義。該描述應(yīng)理解為包括一種、至少一種、或還包括復(fù)數(shù)的單數(shù)，或反之亦然，除非其明確具有相反含義。例如，當(dāng)單個項目在本文中得到描述時，超過一個項目可代替單個項目使用。類似地，當(dāng)超過一個項目在本文中得到描述時，單個項目可替代超過一個項目。

除非另有定義，否則本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語均具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解相同的含義。材料、方法和例子僅是舉例說明性的并且不意在為限制性的。就本文未描述的程度而言，關(guān)于具體材料和處理動作的許多細節(jié)是常規(guī)的，并且可在光學(xué)膜領(lǐng)域內(nèi)的教課書及其他來源中找到。

本公開內(nèi)容涉及改善的ir吸收復(fù)合膜，證實例如太陽能特性、光學(xué)特性和生產(chǎn)速度中的協(xié)同改善。此外，某些實施例能夠?qū)崿F(xiàn)期望的性能，而無需導(dǎo)電層，例如ir反射銀層。該概念考慮到下述實施例將得到更佳理解，所述實施例舉例說明而不是限制本發(fā)明的范圍。

圖1示出了根據(jù)某些實施例的示例復(fù)合膜10的代表性橫截面。復(fù)合膜10可包括第一粘合劑層20，反向基質(zhì)層32，第二粘合劑層22，第一封裝層和第二封裝層40、42；ir控制層50，基質(zhì)層30和硬涂層70。應(yīng)理解圖1中所示的復(fù)合膜10是舉例說明性實施例。并非需要顯示的所有層，并且任何數(shù)目的另外的層或比所示更少的層或與所示不同的層布置在本公開內(nèi)容的范圍內(nèi)。

基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32可由如對于特定應(yīng)用所需的任何數(shù)目的不同材料組成。在某些實施例中，基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32可為一般透明的層?；|(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32也可為一般柔性的，使得復(fù)合膜10可與施加的表面(例如窗戶)適形。合適的一般透明和柔性的材料可包括聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、三乙酸纖維素(tca或tac)、聚氨基甲酸酯、含氟聚合物或其組合。在特定實施例中，基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32可含有聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)。在其他特定實施例中，基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32可含有聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)。

在某些實施例中，基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32可包括集成在基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32內(nèi)的uv阻斷劑，或者由能夠阻擋大量的uv光(例如至少約80％的uv光)的材料制成。例如，在某些實施例中，ir控制層50可能易受到暴露于uv光的長期降解的影響，并且因此，特別是在反向基質(zhì)內(nèi)摻入uv阻斷能力，可過濾大量uv光使之不能到達ir控制層，并且因此保持其壽命。

基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32的厚度可取決于所選擇的材料和所需應(yīng)用。在某些實施例中，基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32可具有至少約0.1微米、至少約1微米、或甚至至少約10微米的厚度。在進一步的實施例中，基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32可具有不大于約1000微米、不大于約500微米、不大于約100微米、或甚至不大于約50微米的厚度。此外，基質(zhì)層30和/或反向基質(zhì)層32可具有在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如約0.1微米至約1000微米、約1微米至約100微米、或甚至約10微米至約50微米的厚度。

在非常特定的實施例中，基質(zhì)層30的厚度可大于反向基質(zhì)層32的厚度。例如，在非常特定的實施例中，基質(zhì)層30的厚度/反向基質(zhì)層32的厚度的比率可為至少1、至少1.5、至少1.75、或甚至至少2。

當(dāng)用作應(yīng)用于剛性表面例如玻璃窗的復(fù)合膜時，反向基質(zhì)層32可適合鄰近待由膜覆蓋的表面設(shè)置。例如，如圖1所示，當(dāng)附接至窗戶時，反向基質(zhì)層32可比ir控制層更接近窗戶。像這樣，復(fù)合膜可為柔性的、獨立的復(fù)合膜，其可適合粘附至建筑構(gòu)件或汽車構(gòu)件例如玻璃窗。

在某些實施例中，第一粘合劑層20可鄰近反向基質(zhì)層32設(shè)置，并且適合接觸待由復(fù)合膜10覆蓋的表面(例如玻璃窗)。例如，第一粘合劑層20可含有粘合劑，例如層壓粘合劑或壓敏粘合劑。在一個實施例中，粘合劑層可包括聚酯、丙烯酸酯、聚乙酸乙烯酯(“pvac”)、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇(“pva”)、硅橡膠、另一種合適的粘合劑或其任何混合物。

在某些實施例中，復(fù)合膜10可包括鄰近并且特別是直接鄰近基質(zhì)層30設(shè)置的硬涂層70。硬涂層70可提供耐磨性的改進，使得基質(zhì)層30不太可能被刮傷。在某些實施例中，硬涂層70可包括交聯(lián)的丙烯酸酯，含有納米顆粒例如sio2或al2o3的丙烯酸酯，或其任何組合。硬涂層70可具有任何期望的厚度，例如在1微米至5微米范圍內(nèi)的厚度。

再次參考圖1，復(fù)合膜10可含有ir控制層50。ir控制層50可為復(fù)合膜10提供吸收紅外輻射的能力，并且減少通過復(fù)合材料傳遞的輻射量。

在某些實施例中，上述一個或多個紅外吸收層中的任一個均可含有在紅外區(qū)域顯示出高吸收率的紅外吸收材料。在某些實施例中，本文所述的一個或多個ir控制層中的任一個均可含有基于ir吸收金屬的材料。在特定實施例中，基于ir吸收金屬的材料可包括基本上純的ir吸收金屬、ir吸收金屬氮化物或其組合。在非常特定的實施例中，一個或多個ir控制層中的任一個均可基本上由基于ir吸收金屬的材料組成，并且特別地可基本上由基本上純的ir吸收金屬和/或ir吸收金屬氮化物組成。

合適的ir吸收金屬氮化物可包括氮化鈮(nbn)、氮化鈦(tin)、氮化鉻(crn)、氮化鉭(tan)、氮化鋯(crn)、氮化鈧(scn)、氮化釔(yn)、氮化釩(vn)、氮化鉬(mon)、氮化鋯(zrn)、氮化鉿(hfn)或其任何組合。此外，合適的ir吸收金屬氮化物可包括基于金屬合金的氮化物，例如，氮化鎳鉻(nicrn)、氮化錫鋅(snznn)或甚至基于三元金屬合金的氮化物。在非常特定的實施例中，ir控制層可包括氮化鈮和/或氮化鈦，或甚至基本上由氮化鈮和/或氮化鈦組成。

合適的基本上純的ir吸收金屬或金屬合金可包括例如鈮(nb)、鈦(ti)、鉬(mo)、鎳(ni)、錫(sn)、氧化鋯(zr)、鎳鉻(nicr)、錫鋅(snzn)。在非常特定的實施例中，ir控制層可包括包含鈮和/或鈦的基本上純的ir吸收金屬或金屬合金，或甚至基本上由包含鈮和/或鈦的基本上純的ir吸收金屬或金屬合金組成。當(dāng)將基于氮化物的材料例如金屬氮化物用于ir控制層時，ir控制層可具有所需的氮含量。例如，在某些實施例中，ir控制層可具有至少約1原子％、至少約5原子％、至少約8原子％、至少約10原子％、至少約15原子％、至少約20原子％、或甚至至少約25原子％的氮含量。在進一步的實施例中，ir控制層可具有不大于約60％、不大于約50原子％、不大于約45原子％、不大于約40原子％、不大于約35原子％、或甚至不大于約30原子％的氮含量。在再進一步的實施例中，ir控制層可具有在上文提供的最小值和最大值中任意者的范圍內(nèi)，例如在1原子％至50原子％、或甚至10原子％至45原子％的范圍內(nèi)的氮含量。應(yīng)理解，所需氮含量將取決于基于氮化物的層中的其他組分，例如金屬。例如，如果鈮(nb)用作金屬，并且ir控制層含有氮化鈮(nbn)，則氮含量可在式nbnx下化學(xué)計量地表示，其中x在0和3之間、0和2.5之間、或甚至在0到1.5之間。

在某些實施例中，如圖2中特別示出的，復(fù)合膜10可包含超過一個ir控制層，例如第一ir控制層50和第二ir控制層52。在某些實施例中，當(dāng)存在兩個或更多個ir控制層時，每個另外的ir控制層可具有直接接觸每個ir控制層的主表面的一個或多個封裝層。例如，如圖2所示，在某些實施例中，復(fù)合膜10可包括可與第三封裝層44和第四封裝層46直接接觸的第二ir控制層52。在這樣的實施例中，第三封裝層和第四封裝層44、46可通過粘結(jié)層49分開，以改善層的粘附性。在其他實施例中，如圖3中特別示出的，第一ir控制層和第二ir控制層50、52可共享共同的封裝層，使得第一ir控制層和第二ir控制層50、52可直接接觸第二封裝層42。

本文討論的一個或多個ir控制層中的任一個均可具有至少約1納米、至少約3納米、至少約5納米、至少約7納米、或甚至至少約10納米的厚度。此外，一個或多個ir控制層中的任一個均可具有不大于約1000納米、不大于約750納米、不大于約500納米、不大于400納米、不大于300納米、不大于200納米、不大于100納米、不大于75納米、不大于50納米、或甚至不大于約40納米的厚度。此外，一個或多個ir控制層中的任一個均可具有在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如約1納米至約200納米、或甚至約3納米至約75納米的厚度。

再次參考圖3和圖4，在特定實施例中，例如當(dāng)存在至少兩個ir控制層時，第二ir控制層52可具有比第一ir控制層50更小或更大的厚度。例如，第二ir控制層52的厚度/第一ir控制層50的厚度的比率可為至少約0.25、至少約0.5、至少約0.75、至少約1、至少約1.5、至少約2、或甚至至少約3。在進一步的實施例中，第二ir控制層52的厚度/第一ir控制層50的厚度的比率可不大于10、不大于8、不大于5、不大于3、不大于2.5、或甚至不大于2。此外，第二ir控制層52的厚度/第一ir控制層50的厚度的比率可在上文提供的最小值和最大值中任意者的范圍內(nèi)，例如在約0.25至約3、或甚至約1至約3的范圍內(nèi)。在這樣的實施例中，應(yīng)理解，第一ir控制層50比第二ir控制層52更接近第一粘合劑層20。

在特定實施例中，復(fù)合膜10可含有不超過3個ir控制層、不超過2個ir控制層、或甚至不超過1個ir控制層。在非常特定的實施例中，復(fù)合膜10可含有不超過2個ir控制層。

ir控制層可通過真空沉積技術(shù)例如濺射或蒸發(fā)來形成，如本領(lǐng)域中眾所周知的。在特定實施例中，ir控制層可通過磁控濺射技術(shù)形成。在這樣的技術(shù)中，應(yīng)理解，上文討論的層是基本上連續(xù)的ir控制材料層。這樣的層不同于分散在涂層制劑內(nèi)的ir顆粒，其并非如本公開內(nèi)容中詳述的基本上連續(xù)的ir控制材料層。

根據(jù)本公開內(nèi)容的各種實施例，復(fù)合材料還可含有一個或多個封裝層。如上文討論的，在某些實施例中，可將一個或多個封裝層設(shè)置成鄰近或甚至直接接觸ir控制層的一個或兩個主表面。例如，如圖1所示，在一個實施例中，復(fù)合膜10可含有其間設(shè)置有ir控制層50的第一封裝層40和第二封裝層42。

在特定實施例中，一個或多個封裝層可包括例如介電材料并且視為介電層。在某些實施例中，一個或多個封裝層可由金屬氧化物組成。合適的金屬氧化物可包括氧化鋁、氧化鈦、氧化鈮、bio2、pbo、氧化鋅、gzo、azo、mgzno、mgo、moo3、snzno或其組合。在非常特定的實施例中，一個或多個封裝層可由包括氧化鈦和/或氧化鈮的金屬氧化物組成。

此外，在某些實施例中，一個或多個封裝層可由硅基材料例如氧化硅、氮化硅、硅合金或摻雜的硅基化合物或其組合組成?；谘趸璧牟牧系睦涌砂╯io和sion?；诘璧牟牧系睦涌砂╯in。硅合金的例子可包括sizrn，并且摻雜的硅基化合物的例子可包括sio:c、sio；al、si(zr)n:al、tio:si或其組合。

在某些實施例中，一個或多個封裝層中的任一個或甚至所有封裝層可基本上不含氮化硅(sin)。換言之，一個或多個封裝層中的任一個或甚至所有封裝層可排除氮化硅(sin)。上文列出的各種金屬氧化物還可根據(jù)其折射率進行描述。例如，氧化鈦具有在510nm處約2.41的折射率，bio2具有在550納米處約2.45的折射率，并且pbo具有在550納米處約2.55的折射率，nb2o5具有在550納米處約2.4的折射率，并且zno具有在550納米處約2.0的折射率。相應(yīng)地，在非常特定的實施例中，在一個或多個金屬氧化物基復(fù)合材料層中用作層的金屬氧化物中的至少一種可具有期望的折射率。例如，金屬氧化物中的至少一種可具有在510納米或550納米處至少約1.4、至少約1.5、至少約1.6、至少約1.7、至少約1.8、至少約1.9、至少約2.0、至少約2.1、至少約2.2、至少約2.3、至少約2.4、或甚至至少約2.5的折射率。

本文討論的一個或多個封裝層中的任一個均可具有至少約1納米、至少約2納米、至少約5納米、至少約10納米、至少約20納米、或甚至至少約30納米的厚度。此外，一個或多個封裝層中的任一個均可具有不大于約200納米、不大于約100納米、或甚至不大于約80納米的厚度。此外，一個或多個封裝層中的任一個均可具有在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如約1納米至約200納米、或甚至約50納米至約100納米的厚度。

再次參考圖1，在某些實施例中，第一封裝層和第二封裝層40、42的相對厚度可基本上相同，或者它們可不同。例如，第二封裝層42/第一封裝層40的厚度比可為至少0.05、至少0.1、至少0.2、至少0.25、至少0.5、至少1、至少1.25、至少1.5、至少1.75、或甚至至少2。在進一步的實施例中，第二封裝層42/第一封裝層40的厚度比可不大于15、不大于10、不大于5、不大于約4、或甚至不大于約3。此外，在再進一步的實施例中，第二封裝層42/第一封裝層40的厚度比可在上文提供的最小值和最大值中任意者的范圍內(nèi)，例如在0.25至4、或甚至1.25至3的范圍內(nèi)。在非常特定的實施例中，第二封裝層42可具有比第一封裝層40更大的厚度。

一個或多個封裝層可通過真空沉積技術(shù)例如通過濺射或蒸發(fā)、或原子層沉積技術(shù)來形成。例如，封裝層可通過dc磁控濺射，使用可旋轉(zhuǎn)的陶瓷金屬氧化物靶來產(chǎn)生。這些靶可具有足夠的導(dǎo)電性以用作dc磁控濺射過程中的陰極。

設(shè)置在兩個封裝層之間的ir控制層的組合在本文中也稱為ir控制復(fù)合疊。相應(yīng)地，在某些實施例中，復(fù)合膜可含有一個或多個ir控制復(fù)合疊。例如，參考圖1，ir控制復(fù)合疊90包括第一封裝層40、第一ir控制層50和第二封裝層42。在某些實施例中，如圖4中特別示出的，復(fù)合膜可包括超過一個ir控制復(fù)合疊，例如第一ir控制復(fù)合疊90和第二ir控制復(fù)合疊92。在這樣的實施例中，上文討論的封裝層和ir控制層的任何組合或順序均考慮在本公開內(nèi)容的范圍內(nèi)。

例如，參考圖4，第一ir控制復(fù)合疊和/或第二ir控制復(fù)合疊90、92可包括下表1中列出的任何下述變化。應(yīng)理解，下文提供的實施例決不限制整體的本公開內(nèi)容的范圍，并且具體提及用于封裝層和ir控制層的材料必須在上文討論的封裝層和ir控制層的各種可能性的背景下加以理解。

表1：

再次參考圖4，當(dāng)存在超過一個ir控制復(fù)合疊時，第三粘合劑層24可設(shè)置在第一ir控制復(fù)合疊和第二ir控制復(fù)合疊90、92之間。第三粘合劑層24可包含任何期望的粘合劑，例如層壓粘合劑或壓敏粘合劑。在一個實施例中，粘合劑層可包括聚酯、丙烯酸酯、聚乙酸乙烯酯(“pvac”)、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇(“pva”)、硅橡膠、另一種合適的粘合劑或其任何混合物。

現(xiàn)在參考圖5，在某些實施例中，復(fù)合膜10還可包括一個或多個錨定層，例如第一錨定層100和第二錨定層102。錨定層可作用于改善復(fù)合疊中ir控制層的粘附性，并且可提供另外的ir吸收益處。相應(yīng)地，在某些實施例中，復(fù)合膜10可包括一個或多個錨定層，其適合改善與鄰近層的粘附性，并且還適合改善ir控制。

如圖5所示，第一錨定層100可設(shè)置在第一ir控制層50和第一封裝層40之間。第二錨定層102可設(shè)置在第一ir控制層50和第二封裝層42之間。像這樣，某些實施例中，第一錨定層和第二錨定層100、102可夾住ir吸收層，并且第一封裝層和第二封裝層40、42可夾住第一錨定層和第二錨定層100、102。

一個或多個錨定層100、102可具有低厚度。例如，在某些實施例中，一個或多個錨定層中的任一個均可具有不大于20nm、不大于10納米、不大于8納米、不大于6納米、不大于4納米的厚度、或甚至不大于2納米的厚度。在進一步的實施例中，一個或多個錨定層中的任一個均可具有至少0.1納米、至少0.3納米、或甚至至少0.5納米的厚度。此外，一個或多個錨定層中的任一個均可具有在上文提供的最小值和最大值中任意者的范圍內(nèi)，例如在0.1至10納米、0.3至5納米、或甚至0.5至2納米的范圍內(nèi)的厚度。

一個或多個錨定層中的任一個均可由例如基于金屬或金屬合金，且特別是基于ir吸收金屬或金屬合金的材料組成。合適的金屬可包括例如鈦(ti)、鈮(nb)或其組合。合適的金屬合金可包括例如鎳鉻(nicr)?；诮饘倩蚪饘俸辖鸬牟牧峡砂ń饘倩蚪饘俸辖鹧趸锘虻铮鐃i、鈮或鉻的氧化物或氮化物。在特定實施例中，一個或多個錨定層可基本上不含銀、或者基本上不含顯著降低復(fù)合膜的方塊電阻的材料。

再次參考圖2并且如上文簡要討論的，在某些實施例中，復(fù)合膜10可包括粘結(jié)層49。與錨定層類似，粘結(jié)層可適合改善復(fù)合膜層之間的粘附性并且提供另外的ir吸收益處。如圖2所示，粘結(jié)層可設(shè)置在第一ir控制層50和第二ir控制層52之間。在特定實施例中，粘結(jié)層可直接鄰近封裝層設(shè)置，例如在第二封裝層42和第三封裝層44之間。

復(fù)合材料10作為整體包括設(shè)置在基質(zhì)層30和最外層之間且包括基質(zhì)層30和最外層的所有層，例如硬涂層70，可具有至少約25微米、至少約50微米、至少約60微米、或甚至至少約70微米的總厚度。此外，復(fù)合材料10可具有不大于約300微米、不大于約200微米、不大于約100微米、或甚至不大于約85微米的總厚度。此外，復(fù)合材料10可具有在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如約25微米至約300微米、或甚至約50微米至約100微米的總厚度。

現(xiàn)在將根據(jù)其性能描述復(fù)合材料的特定優(yōu)點。參數(shù)包括可見光透射率、總太陽能阻隔和方塊電阻。

可見光透射率(vlt)指透射穿過復(fù)合材料的可見光譜(380至780納米)的百分比。可見光透射率可根據(jù)iso9050進行測量。在本公開內(nèi)容的實施例中，復(fù)合材料可具有至少1％、至少約3％、至少約5％、至少10％、至少15％、至少25％、至少35％、至少45％、至少55％、至少60％、至少65％、或甚至至少70％的可見光透射率。此外，復(fù)合材料可具有不大于100％、不大于95％、不大于90％、不大于85％、不大于75％、不大于70％、不大于60％、不大于50％、不大于40％、不大于30％、不大于20％、或甚至不大于10％的可見光透射率。此外，復(fù)合物可具有在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如在約1％至100％、5％至95％、或甚至10％至80％的范圍內(nèi)的可見光透射率。

本公開內(nèi)容的特定優(yōu)點是尤其與本文描述的其他參數(shù)組合，獲得本文描述且在下文實例中示出的可見光透射率值的能力。此外，本公開內(nèi)容的某些實施例的另一個優(yōu)點是通過例如調(diào)整ir控制層的n2含量和/或ir控制層的厚度將vlt顯著地改變至所需應(yīng)用的能力。例如，容易地改變參數(shù)例如vlt和tser的能力使復(fù)合膜的實施例能夠廉價地生產(chǎn)，而無需重大的工藝設(shè)計變化以產(chǎn)生各種各樣的產(chǎn)品。

總太陽能阻隔(tser)是被窗玻璃阻隔的總能量的量度，其為陽光直接反射率和朝向外側(cè)的二次熱傳遞阻隔因子的總和，后者起因于對流傳熱和入射太陽輻射的該部分的長波ir輻射，所述部分已通過復(fù)合材料吸收。總太陽能阻隔可根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)iso9050進行測量。本公開內(nèi)容的特定優(yōu)點是尤其與本文描述的其他參數(shù)組合，獲得本文描述且在下文實例中示出的總太陽能阻隔值的能力。在本公開內(nèi)容的特定實施例中，復(fù)合材料可具有至少約25％、至少約30％、至少約35％、至少約50％、至少約52％、至少約55％、至少約59％、至少約63％、至少約65％、至少約70％、或甚至至少約73％的總太陽能阻隔。此外，復(fù)合材料可具有不大于約90％、不大于約80％、不大于約70％、不大于約60％、不大于約50％、不大于約40％、或甚至不大于約30％的總太陽能阻隔。此外，復(fù)合材料可具有在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如約25％至約90％、或甚至約35％至約70％的總太陽能阻隔。

方塊電阻測量在厚度上是額定一致的薄膜的電阻。通常，電阻率以單位例如ω·cm存在。為了獲得方塊電阻值，將電阻率除以片材厚度，并且單位可表示為ω。為了避免被誤解為1歐姆的體電阻，方塊電阻的替代常見單位是“歐姆/平方”(指示為"ω/sq"或“ω/□")，其在量綱上等于歐姆，但專門用于方塊電阻。

在某些實施例中，復(fù)合材料可具有高方塊電阻，其指示低導(dǎo)電性。在本文所述的復(fù)合膜的某些實施例中，特別是當(dāng)應(yīng)用到建筑或汽車構(gòu)件例如窗戶時，需要低導(dǎo)電性。例如，如果窗戶膜的導(dǎo)電性高，則電子通信例如移動電話通信可受損或被阻礙。相應(yīng)地，在某些實施例中，復(fù)合材料可具有至少5歐姆/sq、至少10歐姆/sq、至少25歐姆/sq、至少50歐姆/sq、至少100歐姆/sq、至少200歐姆/sq、至少300歐姆/sq、至少400歐姆/sq、或甚至至少500歐姆/sq的方塊電阻。在進一步的實施例中，復(fù)合膜可具有不大于3000歐姆/sq、不大于2000歐姆/sq、或甚至不大于1500歐姆/sq的方塊電阻。此外，復(fù)合膜可具有在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如在5歐姆/sq至2000歐姆/sq、或50歐姆/sq至1500歐姆/sq的范圍內(nèi)的方塊電阻。

如上文討論的，復(fù)合材料的方塊電阻可與ir控制層的厚度成比例相關(guān)。換言之，在某些實施例中，當(dāng)ir控制層的厚度增加時，復(fù)合材料的方塊電阻可趨于減小。

本公開內(nèi)容的另一個方面涉及多個不同且獨立的復(fù)合材料，也稱為多重單片膜。多重單片膜可包括至少含有第一ir控制疊的第一復(fù)合膜和含有第二ir控制疊的第二復(fù)合膜。應(yīng)理解，第一ir控制疊和/或第二ir控制疊可為上文討論的任何可能性。在某些實施例中，第一ir膜和第二ir膜可基本上相同，除了第一ir控制層具有與第二ir控制層不同的厚度之外。

在特定實施例中，第一復(fù)合膜和第二復(fù)合膜的vlt值之間的差異可很大，并且第一復(fù)合膜和第二復(fù)合膜各自可具有合適的tser，例如至少20％、至少30％、至少40％、至少50％、或甚至至少60％的tser。

在其他特定實施例中，第二復(fù)合材料可具有在ir控制層的厚度上與第一復(fù)合材料小的差異，并且第二復(fù)合材料可顯示出在vlt上的顯著差異。

例如，第二ir控制層和第一ir控制層的厚度差可不大于100納米、不大于90納米、不大于80納米、不大于70納米、不大于60納米、不大于50納米、不大于40納米、不大于30納米、不大于20納米、或甚至不大于15納米；并且第一復(fù)合材料和第二復(fù)合材料的可見光透射率(vlt)的差異可為至少20％、至少25％、至少30％、至少35％、或甚至至少40％。

本公開內(nèi)容的某些實施例的特別優(yōu)點是下述發(fā)現(xiàn)：ir控制層厚度上的小差異可允許產(chǎn)生寬范圍的vlt值。此外，通過使ir控制層的厚度相差不超過約50納米就能夠?qū)崿F(xiàn)vlt值的寬度是特別令人驚訝的。再進一步地，通過ir控制層的厚度上的小差異，能夠?qū)崿F(xiàn)vlt值的寬度同時還維持跨越vlt值寬度的令人滿意的tser，仍然更令人驚訝。

在某些實施例中，多重單塊復(fù)合膜中的第一復(fù)合膜和第二復(fù)合膜可使用相同儀器例如磁控濺射儀器來產(chǎn)生。在甚至進一步的特定實施例中，第一復(fù)合膜和第二復(fù)合膜可連續(xù)生產(chǎn)。

本公開內(nèi)容表示了對現(xiàn)有技術(shù)的偏離。例如，上文描述的ir吸收復(fù)合材料可證實tser和vlt的組合中的協(xié)同改善和定制性。在本公開內(nèi)容的某些實施例中，本發(fā)明人驚訝地發(fā)現(xiàn)，通過特別是在具有其他層的配置例如本文所述的封裝層中摻入如本文所述的ir控制層，導(dǎo)致復(fù)合疊的光學(xué)特性和太陽能特性的協(xié)同改善。此外，本發(fā)明人驚訝地發(fā)現(xiàn)了通過操縱ir控制層的特征(例如厚度和氮含量)以及封裝層的選擇和特征(例如金屬氧化物包括氧化鈮和氧化鈦)來定制所需vlt和tser的系統(tǒng)。

實例

制備樣品a-e并且測試其作為太陽能控制膜的性能。特別地，膜樣品的基本結(jié)構(gòu)順序如下：pet基質(zhì)、第一介電質(zhì)(例如nbo)、金屬氮化物(例如nbn)和第二介電質(zhì)(例如nbo)。每個樣品除了ir控制層厚度和ir控制層的氮含量之外均相同制備。樣品a-e的這些變化在下表1中概述。對于每個膜，通過磁控沉積使用下表1和表2中概述的條件來沉積這些層：

表1：樣品構(gòu)建中的變量

表2：沉積條件

然后通過上述方法測試樣品在太陽能膜的背景下的特性，并且所得到的結(jié)果在下表3中報告。注意到樣品作為非層壓疊進行測試，意指不添加反向pet，復(fù)合物也不粘附至玻璃。

表3：

許多不同方面和實施例是可能的。這些方面和實施例中的一些在下文描述。在閱讀本說明書后，技術(shù)人員應(yīng)理解這些方面和實施例僅是舉例說明性的，并且不限制本發(fā)明的范圍。實施例可與如下文列出的項目中的任何一個或多個一致。再進一步地，其中活動列出的順序不一定是活動執(zhí)行的順序。

項目1.一種復(fù)合層壓膜，所述復(fù)合層壓膜包括：

ir控制復(fù)合疊，所述ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層；

包括氮化鈮的ir控制層；和

第二封裝層；

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間。

項目2.一種復(fù)合膜，所述復(fù)合膜包括：

ir控制復(fù)合疊，所述ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層；

ir控制層；和

第二封裝層；

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間；和

其中所述復(fù)合膜基本上不含連續(xù)的銀層，和

其中所述復(fù)合膜具有在5％至90％范圍內(nèi)的vlt和不小于約20的tser。

項目3.一種復(fù)合膜，所述復(fù)合膜包括：

ir控制復(fù)合疊，所述ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層；

包含氮化鈮的ir控制層；和

第二封裝層；

其中所述復(fù)合膜具有在5％至90％范圍內(nèi)的vlt和不小于約20的tser。

項目4.一種復(fù)合膜，所述復(fù)合膜包括：

第一ir控制復(fù)合疊，所述第一ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層；

包含氮化鈮的ir控制層；和

第二封裝層；

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間；和

第二ir控制復(fù)合疊，所述第二ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層；

包含金屬氮化物的ir控制層；和

第二封裝層；

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間。

項目5.一種復(fù)合膜，所述復(fù)合膜包括：

第一ir控制復(fù)合疊，所述第一ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層；

ir控制層；和

第二封裝層，其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間；

第二ir控制復(fù)合疊，所述第二ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層；

ir控制層；和

第二封裝層，其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間，

錨定層，其中所述錨定層設(shè)置在ir控制層和封裝層之間，和/或其中所述錨定層設(shè)置在所述第一ir控制復(fù)合疊和所述第二ir控制復(fù)合疊之間。

項目6.一種復(fù)合膜，所述復(fù)合膜包括：

第一封裝層；

第一ir控制層；

第二封裝層，其中所述第一ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間；

第二ir控制層；和

第三封裝層，其中所述第二ir控制層設(shè)置在所述第二封裝層和第三封裝層之間；

其中所述第一ir控制層和/或第二ir控制層包含基本上純的ir吸收金屬和/或ir吸收金屬氮化物。

項目7.一種多重單塊膜，所述多重單塊膜包括：

包括第一ir控制疊的第一復(fù)合膜，所述第一ir控制疊包括：

第一封裝層，

具有第一厚度的第一ir控制層，和

第二封裝層，其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和所述第二封裝層之間，

包括第二ir控制疊的第二復(fù)合膜，所述第二ir控制疊包括：

第三封裝層，

具有第二厚度的第二ir控制層，和

第四封裝層，其中所述ir控制層設(shè)置在所述第三封裝層和所述第四封裝層之間，

其中所述第一復(fù)合膜不同于所述第二復(fù)合膜，

其中所述ir控制層的第一厚度大于所述第二ir控制層的第二厚度，

其中所述第一復(fù)合膜具有比所述第二復(fù)合膜更高的可見光透射率(vlt)，和

其中所述第一復(fù)合膜和第二復(fù)合膜各自具有至少約20％的總太陽能阻隔。

項目8.一種多重單塊膜，所述多重單塊膜包括：

包括第一ir控制疊的第一復(fù)合膜，所述第一ir控制疊包括：

第一封裝層，

具有第一厚度的第一ir控制層，和

第二封裝層，其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和所述第二封裝層之間，

包括第二ir控制疊的第二復(fù)合膜，所述第二ir控制疊包括：

第三封裝層，

具有第二厚度的第二ir控制層，和

第四封裝層，其中所述ir控制層設(shè)置在所述第三封裝層和所述第四封裝層之間，

其中所述第一復(fù)合膜不同于所述第二復(fù)合膜，

其中所述第一ir控制層的第一厚度大于所述第二ir控制層的第二厚度，

其中所述第二ir控制層和所述第一ir控制層的厚度差不大于100納米，和

其中所述第一復(fù)合膜和所述第二復(fù)合膜的可見光透射率(vlt)的差異為至少20％。

項目9.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括ir控制復(fù)合疊，所述ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層，

ir控制層，

第二封裝層，

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和所述第二封裝層之間。

項目10.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括ir控制復(fù)合疊，所述ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層，

ir控制層，

第二封裝層

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和所述第二封裝層之間，并且直接接觸所述第一封裝層和所述第二封裝層。

項目11.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括：

基質(zhì)層；和

ir控制復(fù)合疊，所述ir控制復(fù)合疊包括：

包含金屬氧化物的第一封裝層，

包含金屬氮化物的ir控制層，和

包含金屬氧化物的第二封裝層，

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和所述第二封裝層之間。

項目12.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括ir控制復(fù)合疊，所述ir控制復(fù)合疊包括：

包含氧化鈮和/或氧化鈦的第一封裝層，

包含金屬氮化物的ir控制層，

包含氧化鈮和/或氧化鈦的第二封裝層，

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和所述第二封裝層之間。

項目13.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括ir控制復(fù)合疊，所述ir控制復(fù)合疊包括：

包含氧化鈮和/或氧化鈦的第一封裝層，

包含氮化鈮和/或氮化鈦的ir控制層，

包含氧化鈮和/或氧化鈦的第二封裝層，

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和所述第二封裝層之間。

項目14.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括：

第一ir控制復(fù)合疊，所述第一ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層；

ir控制層；和

第二封裝層；

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間。

第二ir控制復(fù)合疊，所述第二ir控制復(fù)合疊包括：

第一封裝層；

ir控制層；和

第二封裝層；

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間。

項目15.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括：

第一ir控制復(fù)合疊，所述第一ir控制復(fù)合疊包括：

包含金屬氧化物的第一封裝層；

包含金屬氮化物的ir控制層；和

包含金屬氧化物的第二封裝層；

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間。

第二ir控制復(fù)合疊，所述第二ir控制復(fù)合疊包括：

包含金屬氧化物的第一封裝層；

包含金屬氮化物的ir控制層；和

包含金屬氧化物的第二封裝層；

其中所述ir控制層設(shè)置在所述第一封裝層和第二封裝層之間。

項目16.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述ir控制層與所述第一封裝層和所述第二封裝層在兩個主表面上直接接觸。

項目17.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括超過一個ir控制層。

項目18.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均包含氮化物。

項目19.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均包含金屬氮化物和/或基本上純的吸收金屬或金屬合金。

項目20.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均包含基本上純的吸收金屬或金屬合金，其包含鉬(mo)、鎳(ni)、錫(sn)、氧化鋯(zr)、鎳鉻(nicr)、錫鋅(snzn)或其組合。

項目21.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均包含基于金屬或金屬合金的氮化物，所述基于金屬或金屬合金的氮化物包含氮化鈮(nbn)、氮化鈦(tin)、氮化鉻(crn)、氮化鉭(tan)、氮化鈧(scn)、氮化釔(yn)、氮化釩(vn)、氮化鉬(mon)、氮化鋯(zrn)、氮化鎳鉻(nicrn)、氮化錫鋅(snznn)、氮化鉿(hfn)或其任何組合。

項目22.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均包括包含氮化鈮和/或氮化鈦的金屬氮化物。

項目23.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個基本上由金屬氮化物組成。

項目24.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均具有至少約1納米、至少約3納米、至少約5納米、至少約7納米、或甚至至少約10納米的厚度。

項目25.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均具有不大于約1000納米、不大于約750納米、不大于約500納米、不大于約400納米、不大于約300納米、不大于約200納米、不大于約100納米、不大于約75納米、不大于約50納米、或甚至不大于約40納米的厚度。

項目26.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均具有在約1納米至約200納米、或甚至約3納米至約75納米范圍內(nèi)的厚度。

項目27.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一ir控制層和第二ir控制層，并且其中所述第二ir控制層/所述第一ir控制層的厚度比為至少約0.25、至少約0.5、至少約0.75、至少約1、至少約1.5、至少約2、或甚至至少約3。

項目28.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一ir控制層和第二ir控制層，并且其中所述第二ir控制層/所述第一ir控制層的厚度比不大于10、不大于8、不大于5、不大于3、不大于2.5、或甚至不大于2。

項目29.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一ir控制層和第二ir控制層，并且其中所述第二ir控制層/所述第一ir控制層的厚度比為在約0.25至約3、或甚至約1至約3的范圍內(nèi)。

項目30.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均具有至少約1原子％、至少約5原子％、至少約8原子％、至少約10原子％、至少約15原子％、至少約20原子％、或甚至至少約25原子％的氮含量。

項目31.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均具有不大于約60原子％、不大于約50原子％、不大于約45原子％、不大于約40原子％、不大于約35原子％、或甚至不大于約30原子％的氮含量。

項目32.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均具有在1原子％至50原子％、或甚至10原子％至45原子％范圍內(nèi)的氮含量。

項目33.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均包含根據(jù)式nbnx的化合物，其中x為0至1.5。

項目34.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制層中的任一個均為基本上連續(xù)的層。

項目35.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中至少一個ir控制層被第一封裝層和第二封裝層夾在中間。

項目36.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中每個ir控制層被第一封裝層和第二封裝層夾在中間。

項目37.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含金屬氧化物。

項目38.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個基本上由金屬氧化物組成。

項目39.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含氧化硅(sio)和/或金屬氧化物，所述金屬氧化物包含氧化鋁、氧化鈦、氧化鈮、bio2、pbo、氧化鋅、gzo、azo、mgzno、mgo、moo3或其組合。

項目40.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包括包含氧化鈦和/或氧化鈮的金屬氧化物。

項目41.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含具有在510納米或550納米處至少約1.8、至少約1.9、至少約2.0、至少約2.1、至少約2.2、至少約2.3、至少約2.4、或甚至至少約2.5的折射率的材料。

項目42.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均具有至少約1納米、至少約2納米、至少約5納米、至少約10納米的厚度、至少約20納米、或甚至至少約30納米的厚度。

項目43.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均具有不大于約200納米、不大于約100納米、或甚至不大于約80納米的厚度。

項目44.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均具有在約1納米至約200納米、或甚至約50納米至約100納米范圍內(nèi)的厚度。

項目45.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一封裝層和第二封裝層，其中所述第一封裝層比所述第二封裝層更接近基質(zhì)層，并且其中所述第二封裝層/第一封裝層的厚度比為至少0.25、至少0.5、至少1、至少1.25、至少1.5、至少1.75、或甚至至少2。

項目46.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一封裝層和第二封裝層，其中所述第一封裝層比所述第二封裝層更接近基質(zhì)層，并且其中所述第二封裝層/第一封裝層的厚度比不大于5、不大于約4、或甚至不大于約3。

項目47.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一封裝層和第二封裝層，其中所述第一封裝層比所述第二封裝層更接近基質(zhì)層，并且其中所述第二封裝層/第一封裝層的厚度比在0.25至4、或甚至1.25至3的范圍內(nèi)。

項目48.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一封裝層和第二封裝層，其中所述第一封裝層比所述第二封裝層更接近基質(zhì)層。

項目49.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括錨定層。

項目50.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括設(shè)置在第一ir控制復(fù)合疊和第二ir控制復(fù)合疊之間的錨定層。

項目51.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括設(shè)置在ir控制層和封裝層之間的錨定層。

項目52.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括適合改善第一ir控制復(fù)合疊和第二ir控制復(fù)合疊之間的粘附性的錨定層。

項目53.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括超過一個錨定層。

項目54.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一錨定層。

項目55.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括具有不大于20納米、不大于10納米、不大于8納米、不大于6納米、不大于4納米、或甚至不大于2納米的厚度的錨定層。

項目56.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括具有至少0.1納米、至少0.3納米、或甚至至少0.5納米的厚度的錨定層。

項目57.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括具有在0.1納米至10納米、0.3納米至5納米、或甚至0.5納米至2納米范圍內(nèi)的厚度的錨定層。

項目58.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括包含基本上純的金屬或金屬合金的錨定層。

項目59.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括包含ir吸收金屬或金屬合金的錨定層。

項目60.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括包含鈦(ti)、鈮(nb)、鎳鉻(nicr)或其組合的錨定層。

項目61.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括錨定層，并且其中所述錨定層基本上不含銀。

項目62.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括基質(zhì)層。

項目63.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括反向基質(zhì)層。

項目64.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括包含透明材料的基質(zhì)層和/或反向基質(zhì)層，所述透明材料包含聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯、三乙酸纖維素(tca或tac)、聚氨基甲酸酯、含氟聚合物或其組合。

項目65.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)的基質(zhì)層和/或反向基質(zhì)層。

項目66.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括包含聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)的基質(zhì)層和/或反向基質(zhì)層。

項目67.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括具有至少約0.1微米、至少約1微米、或甚至至少約10微米的厚度的基質(zhì)層和/或反向基質(zhì)層。

項目68.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括具有不大于約1000微米、不大于約500微米、不大于約100微米、或甚至不大于約50微米的厚度的基質(zhì)層和/或反向基質(zhì)層。

項目69.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括具有在上述最大值和最小值中任意者的范圍內(nèi)，例如約0.1微米至約1000微米、約1微米至約100微米、或甚至約10微米至約50微米的厚度的基質(zhì)層和/或反向基質(zhì)層。

項目70.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括基質(zhì)層和反向基質(zhì)層，并且其中所述基質(zhì)層的厚度大于所述反向基質(zhì)層的厚度。

項目71.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括基質(zhì)層和反向基質(zhì)層，并且其中所述基質(zhì)層的厚度/所述反向基質(zhì)的厚度的比率為至少1、至少1.5、至少1.75、或甚至至少2。

項目72.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括一個或多個粘合劑層。

項目73.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括鄰近所述基質(zhì)層設(shè)置，并且適合接觸待被所述復(fù)合膜覆蓋的表面的第一粘合劑層。

項目74.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括鄰近所述基質(zhì)層設(shè)置，并且適合接觸待被所述復(fù)合膜覆蓋的表面的第一粘合劑層，其中所述第一粘合劑層包含壓敏粘合劑。

項目75.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括：

鄰近所述基質(zhì)層設(shè)置的第一粘合劑層；

鄰近所述第一粘合劑層且與所述基質(zhì)層相對設(shè)置的脫模層，其中所述脫模層適合在將所述復(fù)合膜粘附到待被所述復(fù)合膜覆蓋的表面前去除。

項目76.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括設(shè)置在第一ir控制復(fù)合疊和基質(zhì)層之間的第二粘合劑層。

項目77.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一ir控制復(fù)合疊、第二ir控制復(fù)合疊、以及設(shè)置在所述第一ir控制復(fù)合疊和所述第二ir控制復(fù)合疊之間的粘合劑層。

項目78.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括第一ir控制復(fù)合疊，第二ir控制復(fù)合疊，設(shè)置在所述第一ir控制復(fù)合疊和所述第二ir控制復(fù)合疊之間的基質(zhì)層，以及與所述基質(zhì)層相對、鄰近所述第一ir控制復(fù)合疊設(shè)置的粘合劑層。

項目79.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括硬涂層。

項目80.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括鄰近反向基質(zhì)層設(shè)置的硬涂層。

項目81.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括硬涂層，所述硬涂層包含交聯(lián)的丙烯酸酯，含有納米顆粒例如sio2或al2o3的丙烯酸酯，或其任何組合。

項目82.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括具有在1微米至5微米范圍內(nèi)的厚度的硬涂層。

項目83.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括設(shè)置在基質(zhì)層和最外層之間且包括基質(zhì)層和最外層的所有層，具有至少約25微米、至少約50微米、至少約60微米、或甚至至少約70微米的總厚度。

項目84.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括設(shè)置在基質(zhì)層和最外層之間且包括基質(zhì)層和最外層的所有層，具有不大于約300微米、不大于約200微米、不大于約100微米、或甚至不大于約85微米的總厚度。

項目85.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜包括設(shè)置在基質(zhì)層和最外層之間且包括基質(zhì)層和最外層的所有層，具有在約25微米至約300微米、或甚至約50微米至約100微米的范圍內(nèi)的總厚度。

項目86.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個ir控制復(fù)合疊中的任一個基本上不含銀層。

項目87.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜基本上不含銀層。

項目88.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中任何太陽能控制層基本上不含銀層。

項目89.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中一個或多個所述ir控制層和/或一個或多個封裝層中的任何一個為連續(xù)層。

項目90.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中一個或多個所述ir控制層和/或一個或多個封裝層中的任何一個通過蒸發(fā)技術(shù)形成。

項目91.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中一個或多個所述ir控制層和/或一個或多個封裝層中的任何一個通過濺射技術(shù)形成。

項目92.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有至少1％、至少約3％、至少約5％、至少10％、至少15％、至少25％、至少35％、至少45％、至少55％、至少60％、至少65％、或甚至至少70％的可見光透射率。

項目93.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有不大于100％、不大于95％、不大于90％、不大于85％、不大于超過75％、不大于70％、不大于60％、不大于50％、不大于40％、不大于30％、不大于20％、或甚至不大于10％的可見光透射率。

項目94.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有在約1％至100％、5％至95％、或甚至10％至80％范圍內(nèi)的可見光透射率。

項目95.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有至少約25％、至少約30％、至少約35％、至少約50％，在至少約52％、至少約55％、至少約59％、至少約63％、至少約65％、至少約70％、或甚至至少約73％的總太陽能能阻隔。

項目96.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有不大于約90％、不大于約80％、不大于約70％、不大于約60％、不大于約50％、不大于約40％、或甚至不大于約30％的總太陽能能阻隔。

項目97.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有在約25％至約90％、或甚至約35％至約70％范圍內(nèi)的總太陽能阻隔。

項目98.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有至少5歐姆/sq、至少10歐姆/sq、至少25歐姆/sq、至少50歐姆/sq、至少100歐姆/sq、至少200歐姆/sq、至少300歐姆/sq、至少400歐姆/sq、或甚至至少500歐姆/sq的方塊電阻。

項目99.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有至少約200歐姆/sq的方塊電阻。

項目100.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有不大于3000歐姆/sq、不大于2000歐姆/sq、或甚至不大于1500歐姆/sq的方塊電阻。

項目101.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有在5歐姆/sq至2000歐姆/sq、或50歐姆/sq至1500歐姆/sq范圍內(nèi)的方塊電阻。

項目102.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有在約5％至約90％范圍內(nèi)的vlt，并且其中所述復(fù)合膜具有至少約20％、至少約25％、至少約30％、至少約35％、或甚至至少約40％的tser。

項目103.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有在約25％至約90％范圍內(nèi)的vlt，并且其中所述復(fù)合膜具有至少約20％、至少約25％、至少約30％、至少約35％、或甚至至少約40％的tser。

項目104.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有在約35％至約90％范圍內(nèi)的vlt，并且其中所述復(fù)合膜具有至少約20％、至少約25％、至少約30％、至少約35％、或甚至至少約40％的tser。

項目105.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有在約5％至約90％范圍內(nèi)的vlt，并且其中所述復(fù)合膜具有至少約20％、至少約25％、至少約30％、至少約35％、或甚至至少約40％的tser。

項目106.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜具有在約5％至約20％范圍內(nèi)的vlt，并且其中所述復(fù)合膜具有至少約50％、至少約55％、或甚至至少約60％的tser。

項目107.前述項目中任一項的多重單塊復(fù)合膜，其中使用相同儀器產(chǎn)生所述第一復(fù)合膜和第二復(fù)合膜。

項目108.前述項目中任一項的多重單塊復(fù)合膜，其中使用相同的濺射儀器產(chǎn)生所述第一復(fù)合膜和第二復(fù)合膜。

項目109.前述項目中任一項的多重單塊復(fù)合膜，其中所述第一復(fù)合膜和第二復(fù)合膜連續(xù)產(chǎn)生。

項目110.前述項目中任一項的多重單塊復(fù)合膜，其中所述第二ir控制層和所述第一ir控制層的厚度差不大于100納米、不大于90納米、不大于80納米、不大于70納米、不大于60納米、不大于50納米、不大于40納米、不大于30納米、不大于20納米、或甚至不大于15納米。

項目111.前述項目中任一項的多重單塊復(fù)合膜，其中所述第一復(fù)合膜和所述第二復(fù)合膜的可見光透射率(vlt)的差異為至少25％、至少30％、至少35％、或甚至至少40％。

項目112.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含硅基化合物。

項目113.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含硅基化合物，所述硅基化合物包含基于氧化硅的材料、基于氮化硅的材料、基于硅合金的材料、摻雜的硅基材料或其組合。

項目114.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含基于氧化硅的材料。

項目115.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含基于氧化硅的材料，所述基于氧化硅的材料包含氧化硅(sio)、氮氧化硅(sion)。

項目116.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含基于氮化硅的材料。

項目117.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含基于氮化硅的材料，所述基于氮化硅的材料包含：氮化硅(sin)、sion或其組合。

項目118.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包括基于硅合金的材料。

項目119.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含基于硅合金的材料，所述基于硅合金的材料包含sizrn。

項目120.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含摻雜的硅基材料。

項目121.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含摻雜的硅基材料，所述摻雜的硅基材料包含：sio:c、sio:al、si(zr)n:al、tio:si或其組合。

項目122.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含氮化物。

項目123.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含氮化物，所述氮化物包含sin、sion、zrn或其組合。

項目124.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述一個或多個封裝層中的任一個均包含金屬氮化物，并且其中所述封裝層中的所述金屬氮化物不同于所述ir吸收層中的金屬氮化物。

項目125.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜在此處適合汽車或建筑構(gòu)件。

項目126.前述項目中任一項的復(fù)合膜，其中所述復(fù)合膜適合粘附到窗戶。

項目127.一種包括前述項目中任一項的復(fù)合膜的汽車或建筑構(gòu)件。

項目128.一種包括前述項目中任一項的復(fù)合膜的窗戶。

益處、其他優(yōu)點和問題解決方案已在上文就具體實施例而言進行描述。然而，所述益處、優(yōu)點、問題解決方案和可引起任何益處、優(yōu)點或解決方案發(fā)生或變得更顯著的任何一個或多個特征不應(yīng)解釋為任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵、所需或基本特征。

本文描述的實施例的詳述和例證預(yù)期提供各個實施例的結(jié)構(gòu)的一般理解。詳述和例證不旨在充當(dāng)儀器和系統(tǒng)的所有元件和特征的窮舉和廣泛描述，所述儀器和系統(tǒng)使用本文描述的結(jié)構(gòu)或方法。分開的實施例還可在單個實施例中組合提供，并且相反，為了簡潔起見，在單個實施例的背景下描述的各個特征也可分開或以任何子組合提供。此外，提及范圍內(nèi)陳述的值包括該范圍內(nèi)的每個和每一個值。僅在閱讀本說明書后，許多其他實施例對于本領(lǐng)域技術(shù)人員可為顯而易見的。其他實施例可使用且來源于本公開內(nèi)容，使得可作出結(jié)構(gòu)替換、邏輯替換或另一種變化，而不背離本公開內(nèi)容的范圍。相應(yīng)地，本公開內(nèi)容應(yīng)視為舉例說明性的而不是限制性的。