本發(fā)明涉及一種用于去除半導(dǎo)體晶片上光阻殘留物的清洗液。
背景技術(shù)：
：在通常的半導(dǎo)體制造工藝中，通過(guò)使用光刻膠可以在一些材料的表面上形成掩膜，并在曝光后可實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，但是，在得到需要的圖形之后，進(jìn)行下一道工序之前，需要?jiǎng)內(nèi)ゲ牧媳砻鏆埩舻墓饪棠z。在這個(gè)過(guò)程中要求完全除去不需要的光刻膠，同時(shí)不能對(duì)基材產(chǎn)生腐蝕作用。目前，光刻膠清洗液主要由極性有機(jī)溶劑、強(qiáng)堿和/或水等組成，此類清洗液主要通過(guò)將半導(dǎo)體晶片浸入清洗液中或者利用清洗液沖洗半導(dǎo)體晶片，從而去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠。此類清洗液有，如jp1998239865公開了一種含水體系的清洗液，其組成是四甲基氫氧化銨(tmah)、二甲基亞砜(dmso)、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮(dmi)和水。其可實(shí)現(xiàn)在50～100℃下除去金屬和電介質(zhì)基材上的20μm以上的光刻膠。但其對(duì)半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠，清洗能力不足；又例如us5529887公開了由氫氧化鉀(koh)、烷基二醇單烷基醚、水溶性氟化物和水等組成堿性清洗液，其可實(shí)現(xiàn)40～90℃下除去金屬和電介質(zhì)基材上的光刻膠。但該清洗液對(duì)半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕較高。又例如us5480585公開了一種含非水體系的清洗液，其組成是乙醇胺、環(huán)丁砜或二甲亞砜和鄰苯二酚，能在40～120℃下除去金屬和電介質(zhì)基材上的光刻膠，且對(duì)金屬基本無(wú)腐蝕。又例如us2005119142公開了一種含有烷氧基的聚合物、二丙二醇烷基醚、n-甲基吡咯烷酮和甲基異丁基酮的非水性清洗液。該清洗液可以同時(shí)適用于正性光刻膠和負(fù)性光刻膠的清洗。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的快速發(fā)展，特別是凸球封裝工藝的發(fā)展，對(duì)光刻膠殘留物的清洗要求也相應(yīng)提高。特別是在單位面積上的引腳數(shù)(i/o)越來(lái)越多，光刻膠的去除也變得越來(lái)越困難。由此可見，尋找更為有效的光刻膠清洗液是該類光刻膠清洗液努力改進(jìn)的優(yōu)先方向。一般而言，提高堿性光刻膠清洗液的清洗能力主要是通過(guò)提高清洗液的堿性、選用更為有效的溶劑體系、提高操作溫度和延長(zhǎng)操作時(shí)間幾個(gè)方面來(lái)實(shí)現(xiàn)的。但是，提高清洗液的堿性和操作溫度以及延長(zhǎng)清洗時(shí)間往往會(huì)增加對(duì)金屬的腐蝕。通常，在凸點(diǎn)封裝領(lǐng)域涉及的金屬主要是銀、錫、鉛和銅四種金屬。近來(lái)，為了進(jìn)一步降低成本提高良率，一些封裝測(cè)試廠商開始要求光刻膠清洗液也能進(jìn)一步抑制金屬鋁的腐蝕。為了適應(yīng)新的形勢(shì)，開發(fā)一類光刻膠去除能力強(qiáng)，金屬鋁兼容的清洗液是半導(dǎo)體清洗行業(yè)的當(dāng)務(wù)之急。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是為了提供一種有效地去除光阻殘留物的清洗液及其組成。該清洗液在有效去除晶圓上的光阻殘留物的同時(shí)，對(duì)于基材如金屬鋁、銅等基本無(wú)腐蝕，在半導(dǎo)體晶片清洗等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。本發(fā)明公開一種低蝕刻的去除光阻殘留物的清洗液，所述清洗液含有：i.季胺氫氧化物0.1-6％，優(yōu)選0.5-4％；ii.醇胺0.1-30％，優(yōu)選0.5-20％；iii.c2-c6多元醇0.01～8％，優(yōu)選0.2-2％；iv.咪唑及其衍生物0.1-5％，優(yōu)選0.5-2％；v.余量是有機(jī)溶劑。上述含量均為質(zhì)量百分比含量；這種去除光阻殘留物的清洗液不含有羥胺、氟化物及氧化劑。其中，所述的季銨氫氧化物為選自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、十六烷基三甲基氫氧化銨和芐基三甲基氫氧化銨中的一種或多種。其中，所述的醇胺較佳的為單乙醇胺、n-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、乙基二乙醇胺、n，n-二乙基乙醇胺、n-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺。優(yōu)選單乙醇胺、三乙醇胺及其混合物。其中，所述的c2-c6多元醇較佳的為乙二醇、1,2-丙二醇、丙三醇、1，4-丁二醇、季戊四醇、木糖醇、葡萄糖、果糖、甘露醇、山梨醇中的一種或多種。優(yōu)選為1，2-丙二醇、丙三醇、木糖醇及其混合物。其中，所述的咪唑及其衍生物較佳的為咪唑、1-丁基咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、1-乙酰咪唑、苯并咪唑中的一種或多種。優(yōu)選為咪唑、苯并咪唑及其混合物。其中，所述的有機(jī)溶劑較佳的為亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一種或多種；所述的亞砜較佳的為二甲基亞砜和甲乙基亞砜中的一種或多種；所述的砜較佳的為甲基砜、環(huán)丁砜中的一種或多種；所述的咪唑烷酮較佳的為2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一種或多種；所述的吡咯烷酮較佳的為n-甲基吡咯烷酮和n-環(huán)己基吡咯烷酮中的一種或多種；所述的咪唑啉酮較佳的為1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺較佳的為二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一種或多種；所述的醇醚較佳的為二乙二醇單丁醚和二丙二醇單甲醚中的一種或多種。本發(fā)明中的清洗液，可以在25℃至80℃下清洗晶圓上的光阻殘留物。具體方法如下：將含有光阻殘留物的晶圓浸入本發(fā)明中的清洗液中，在25℃至80℃下浸泡合適的時(shí)間后，取出漂洗后用高純氮?dú)獯蹈伞１景l(fā)明的積極進(jìn)步效果在于：本發(fā)明的清洗液在有效去除晶圓上的光阻殘留物的同時(shí)，對(duì)于基材如金屬鋁、銅等基本無(wú)腐蝕，在半導(dǎo)體晶片清洗等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。具體實(shí)施方式下面通過(guò)具體實(shí)施例進(jìn)一步闡述本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不僅僅局限于下述實(shí)施例。本發(fā)明所用試劑及原料均市售可得。本發(fā)明的清洗液由上述成分簡(jiǎn)單均勻混合即可制得表1部分實(shí)施例及對(duì)比例清洗液的組分和含量表2對(duì)比例清洗液的組分和含量效果實(shí)施例為了進(jìn)一步考察該類清洗液的清洗情況，本發(fā)明采用了如下技術(shù)手段：即將晶圓微球植入工藝中凸球已經(jīng)電鍍完成后含有光阻殘留物的晶圓，分別浸入清洗液中在25℃至80℃下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動(dòng)頻率振蕩30～120分鐘，然后經(jīng)漂洗后用高純氮?dú)獯蹈?。得到光阻殘留物的清洗效果和清洗液?duì)晶片的腐蝕情況如表3所示。表3部分實(shí)施例和對(duì)比例的晶圓清洗情況腐蝕情況：◎基本無(wú)腐蝕；清洗情況：◎完全去除；○略有腐蝕；○少量殘余；△中等腐蝕；△較多殘余；×嚴(yán)重腐蝕?！链罅繗堄唷谋?可以看出，本發(fā)明的清洗液對(duì)晶圓微球植入工藝中經(jīng)凸球電鍍后仍殘留在晶圓上的光阻殘留物具有良好的清洗效果，且其使用溫度范圍廣。具體表現(xiàn)為，從對(duì)比例9-1與實(shí)施例9的對(duì)比中可以看出：未加入咪唑及其衍生物，僅把該未加入的量全部補(bǔ)加到c2-c6多元醇上，其它組分一樣且操作條件相同的條件下，可以發(fā)現(xiàn)，雖然兩者對(duì)光刻膠的清洗沒(méi)有看出明顯差別，但對(duì)比例9-1對(duì)金屬鋁和銅的腐蝕抑制沒(méi)有實(shí)施例9好，故，咪唑及其衍生物的加入有利于金屬鋁和銅腐蝕的抑制。從對(duì)比例9-2和實(shí)施例9的對(duì)比可以看出：將c2-c6多元醇未加入的量全部補(bǔ)在咪唑及其衍生物上，則驗(yàn)證了c2-c6多元醇類的加入與咪唑類衍生物具有復(fù)配效應(yīng)，二者一起復(fù)配可以實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬銅鋁的保護(hù)。從對(duì)比例9-3與實(shí)施例9的對(duì)比可見：c2-c6多元醇類與咪唑類衍生物二者均不加入，金屬的腐蝕更嚴(yán)重，進(jìn)一步驗(yàn)證了c2-c6多元醇和咪唑類衍生物復(fù)配對(duì)金屬的保護(hù)作用。對(duì)比例9-4和實(shí)施例9的對(duì)比，驗(yàn)證了c2-c6多元醇的加入量超過(guò)一定范圍時(shí)，雖然對(duì)金屬幾乎無(wú)腐蝕，但對(duì)光刻膠的清洗影響很大，有大量光刻膠殘留。因此，驗(yàn)證了在其他組份相同的情況下降低多元醇的含量對(duì)光刻膠的去除有積極作用。對(duì)比例14-1、14-2、14-3、14-4與實(shí)施例14的對(duì)比結(jié)果，與同對(duì)比例9-1、9-2、9-3、9-4與實(shí)施例9的對(duì)比結(jié)果一致，故，進(jìn)一步說(shuō)明c2-c6多元醇和咪唑類衍生物復(fù)配可實(shí)現(xiàn)更佳的金屬保護(hù)作用，c2-c6多元醇的加入量超過(guò)一定范圍，雖然對(duì)金屬有超低腐蝕，但對(duì)光刻膠的清洗影響很大，即在其他組份相同的情況下降低多元醇的含量對(duì)光刻膠的去除有積極作用。從對(duì)比例15-1與實(shí)施例15的對(duì)比效果中可以看出：在醇類含量較低，其它組分保持一樣，且操作條件相同的條件下，雖然兩者對(duì)光刻膠的清洗沒(méi)有看出明顯差別，但對(duì)比例15-1對(duì)金屬鋁和銅的腐蝕抑制效果沒(méi)有實(shí)施例15好。通過(guò)對(duì)比例15-2和實(shí)施例15的對(duì)比，進(jìn)一步驗(yàn)證了咪唑及其衍生與c2-c6多元醇二元復(fù)配，尤其是在多元醇含量較低的情況下咪唑及其衍生物比噻唑衍生物實(shí)現(xiàn)了更好的金屬保護(hù)作用。綜上，本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于：本發(fā)明的清洗液在同樣條件下能夠較為有效地去除光刻膠殘留物；同時(shí)對(duì)于基材如金屬鋁和銅等基本無(wú)腐蝕，在半導(dǎo)體晶片清洗等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明所述wt％均指的是質(zhì)量百分含量。以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)12