薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，特別是有關(guān)于一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造過程中，例如氧化銦鎵鋅薄膜晶體管(IGZO TFT)，為了在進(jìn)行源極與漏極的蝕刻過程中保護(hù)背溝道不受蝕刻損傷，通常會在氧化物半導(dǎo)體層上形成一個蝕刻阻擋層(etching stop layer;ESL)，從而增加了一次掩膜程序，增加薄膜晶體管制造過程的復(fù)雜度。另外，蝕刻阻擋層除了限制溝道的長度之外，在具有更高分辨率的顯示裝置中難以實(shí)行。再者，在傳統(tǒng)薄膜晶體管的制造過程中，為了形成源極及漏極，需要一次掩膜程序，增加薄膜晶體管制造過程的復(fù)雜度。
[0003]故，有必要提供一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的制造過程的高復(fù)雜度問題，以及使用蝕刻阻擋層所產(chǎn)生的問題。
[0005]本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法，其可以簡化制造過程，并且不使用蝕刻阻擋層來形成源級及漏極。
[0006]為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法，包含步驟:提供一基板;形成一柵極圖案層于所述基板上;覆蓋一柵極絕緣層于所述柵極圖案層及所述基板上；形成一有源圖案層于所述柵極絕緣層上，其中所述有源圖案層的位置對應(yīng)于所述柵極圖案層的位置;形成一光阻圖案層于所述有源圖案層上及一部分的所述柵極絕緣層上以暴露出所述柵極絕緣層的一源極預(yù)定位置及一漏極預(yù)定位置，其中所述光阻圖案層包含多個倒梯形塊；以所述光阻圖案層作為一掩膜，沉積一金屬層于所述光阻圖案層、所述源極預(yù)定位置及所述漏極預(yù)定位置上；及移除所述光阻圖案層以同時移除位于所述光阻圖案層上的金屬層，以使所述金屬層圖案化成一源極及一漏極。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在所述移除所述光阻圖案層的步驟之后，所述方法更包含:覆蓋一鈍化層于所述源極、所述漏極、所述有源圖案層及所述柵極圖案層上。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在所述沉積所述金屬層的步驟中，以所述光阻圖案層為一光掩膜，以濺鍍方式形成所述金屬層于所述光阻圖案層、所述源極預(yù)定位置及所述漏極預(yù)定位置上。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述柵極圖案層的材質(zhì)包含鋁、鉬或銅。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述柵極圖案層是通過一光刻掩膜法形成。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述有源圖案層是通過一光刻掩膜法形成。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在所述覆蓋所述柵極絕緣層于所述柵極圖案層及所述基板上的步驟中，以一物理氣相沉積法形成所述柵極絕緣層。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述多個倒梯形塊的每一個包含一下底面及一上底面，其中所述下底面接觸所述有源圖案層或所述柵極絕緣層，及所述下底面的面積小于所述上底面的面積。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述多個倒梯形塊的每一個包含一左側(cè)面及一右側(cè)面，分別從所述下底面的兩側(cè)延伸朝向并連接所述上底面的兩側(cè)，其中所述左側(cè)面與所述上底面之間的一第一夾角大于O度且小于90度;及所述右側(cè)面與所述上底面之間的一第二夾角大于O度且小于90度。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第一夾角大于等于30度且小于90度；及所述第二夾角大于等于30度且小于90度。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法不但可簡化制造過程，也不形成用來保護(hù)背溝道的蝕刻阻擋層。
[0017]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
[0018]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例繪示一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。
[0019]圖2A至2G是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例繪示一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法在各個制作階段中的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。再者，本發(fā)明所提到的方向用語，例如上、下、頂、底、前、后、左、右、內(nèi)、外、側(cè)面、周圍、中央、水平、橫向、垂直、縱向、軸向、徑向、最上層或最下層等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0021]請參照圖1所示，圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例繪示一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法10的流程圖。本發(fā)明實(shí)施例的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法10包含:提供一基板(步驟11);形成一柵極圖案層于所述基板上(步驟12);覆蓋一柵極絕緣層于所述柵極圖案層及所述基板上(步驟13);形成一有源圖案層于所述柵極絕緣層上，其中所述有源圖案層的位置對應(yīng)于所述柵極圖案層的位置(步驟14);形成一光阻圖案層于所述有源圖案層上及一部分的所述柵極絕緣層上以暴露出所述柵極絕緣層的一源極預(yù)定位置及一漏極預(yù)定位置，其中所述光阻圖案層包含多個倒梯形塊(步驟15);以所述光阻圖案層作為一掩膜，沉積一金屬層于所述光阻圖案層、所述源極預(yù)定位置及所述漏極預(yù)定位置上(步驟16);及移除所述光阻圖案層以同時移除位于所述光阻圖案層上的金屬層，以使所述金屬層圖案化成一源極及一漏極(步驟17)。
[0022]請一并參照圖1至2G，圖2A至2G是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例繪示一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法10在各個制作階段中的剖面示意圖。請一并參照圖1及2A。在步驟11中，提供一基板21。在一實(shí)施例中，所述基板21可以是一透明基板。在步驟12中，形成一柵極圖案層22于所述基板21上。在一實(shí)施例中，所述柵極圖案層22是通過一光刻掩膜法形成。在另一實(shí)施例中，所述柵極圖案層22的材質(zhì)包含鋁、鉬或銅。
[0023]請一并參照圖1及2B。在步驟13中，覆蓋一柵極絕緣層23于所述柵極圖案層22及所述基板21上。在一實(shí)施例中，所述柵極絕緣層23是利用一物理氣相沉積法來沉積在所述柵極圖案層22及所述基板21上。在步驟13中，不需使用掩膜形成所述柵極絕緣層23。
[0024]請一并參照圖1及2C。在步驟14中，形成一有源圖案層24于所述柵極絕緣層23上，其中所述有源圖案層24的位置對應(yīng)于所述柵極圖案層22的位置。在一實(shí)施例中，所述有源圖案層24位于所述柵極圖案層22的上方。在另一實(shí)施例中，所述有源圖案層24的材質(zhì)是氧化物半導(dǎo)體，例如氧化銦鎵鋅。在又一實(shí)施例中，所述有源圖案層24是通過一光刻掩膜法形成。
[0025]請一并參照圖1及2D。在步驟15中，形成一光阻圖案層25于所述有源圖案層24上及一部分的所述柵極絕緣層23上以暴露出所述柵極絕緣層23的一源極預(yù)定位置231及一漏極預(yù)定位置232，其中所述光阻圖案層25包含多個倒梯形塊251。所述多個倒梯形塊251的